JPH04275410A - 磁心の熱処理方法 - Google Patents
磁心の熱処理方法Info
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- JPH04275410A JPH04275410A JP3037644A JP3764491A JPH04275410A JP H04275410 A JPH04275410 A JP H04275410A JP 3037644 A JP3037644 A JP 3037644A JP 3764491 A JP3764491 A JP 3764491A JP H04275410 A JPH04275410 A JP H04275410A
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- heat treatment
- temperature
- magnetic
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直流上の重複リップル
の平滑やノーマルモード用ノイズフィルターのコア、高
周波トランス及びアクティブフィルター用コア等に用い
られる恒透磁性の優れた磁心の製造方法に適用して有効
な技術に関する。
の平滑やノーマルモード用ノイズフィルターのコア、高
周波トランス及びアクティブフィルター用コア等に用い
られる恒透磁性の優れた磁心の製造方法に適用して有効
な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では、非晶質合金からなる金属
薄帯（磁性リボン）をスリット状に加工してこれを所定
回数だけ巻回し、これを熱処理（焼鈍）した後、エポキ
シ樹脂等の接着剤を含浸、固化させ、次に磁路の一部を
切断するギャップ（空隙）を設けて前記恒透磁性を実現
していた。また、その他にギャップを設けることなく熱
処理のみにより目標とする恒透磁性を得る手法が以前よ
り知られていた。
薄帯（磁性リボン）をスリット状に加工してこれを所定
回数だけ巻回し、これを熱処理（焼鈍）した後、エポキ
シ樹脂等の接着剤を含浸、固化させ、次に磁路の一部を
切断するギャップ（空隙）を設けて前記恒透磁性を実現
していた。また、その他にギャップを設けることなく熱
処理のみにより目標とする恒透磁性を得る手法が以前よ
り知られていた。
【０００３】前記恒透磁性は、磁心の製造工程における
焼鈍、すなわち熱処理温度条件に大きく依存しており、
安定した恒透磁性を得るためには熱処理温度条件を厳密
に制御する必要があった。
焼鈍、すなわち熱処理温度条件に大きく依存しており、
安定した恒透磁性を得るためには熱処理温度条件を厳密
に制御する必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記熱処理条
件を厳格に制御したとしても、必ずしも目標の恒透磁性
を有する磁心が得られないことが知られていた。
件を厳格に制御したとしても、必ずしも目標の恒透磁性
を有する磁心が得られないことが知られていた。
【０００５】本発明者は、この原因が材料として提供さ
れる磁性リボンの特性のばらつき、すなわち組成のばら
つきに起因していることを見い出した。
れる磁性リボンの特性のばらつき、すなわち組成のばら
つきに起因していることを見い出した。
【０００６】図１は、磁性リボンの各素材ロットから任
意に抽出した１４本（Ｒ１〜Ｒ１４）のサンプルについ
て熱処理温度と透磁率との関係を示したものである。な
お同図における熱処理条件は大気中で、その熱処理時間
は２時間である。
意に抽出した１４本（Ｒ１〜Ｒ１４）のサンプルについ
て熱処理温度と透磁率との関係を示したものである。な
お同図における熱処理条件は大気中で、その熱処理時間
は２時間である。
【０００７】この透磁率はヒューレットパッカード株式
会社製、プレシジョンＬＣＲメータＨＰ４２８４Ａおよ
び４２８４１Ａを用いて交流磁界１００ｋＨｚ、５ｍＯ
ｅ、直流磁界０Ｏｅの条件で測定を行ったものである。
会社製、プレシジョンＬＣＲメータＨＰ４２８４Ａおよ
び４２８４１Ａを用いて交流磁界１００ｋＨｚ、５ｍＯ
ｅ、直流磁界０Ｏｅの条件で測定を行ったものである。
【０００８】この透磁率と恒透磁性との間には、図２で
示す様な関係があり、直流磁界０Ｏｅにおける透磁率を
測定するだけで、直流磁界を重畳した場合の透磁率、す
なわち恒透磁性を推測することができる。
示す様な関係があり、直流磁界０Ｏｅにおける透磁率を
測定するだけで、直流磁界を重畳した場合の透磁率、す
なわち恒透磁性を推測することができる。
【０００９】したがって、必然的に、磁界を印加しない
状態（０Ｏｅ）における透磁率を下げることによって恒
透磁性を得ることができる。
状態（０Ｏｅ）における透磁率を下げることによって恒
透磁性を得ることができる。
【００１０】ところで、図１によれば、たとえば４４５
℃の温度条件で２時間の加熱処理を行った場合、透磁率
は２５０を中心に１８０〜３８０の範囲のものが同時に
生じてしまう。すなわち、温度条件を厳密に制御したと
しても、得られた磁心は、透磁率において最大２００の
差が生じてしまう可能性があり、歩留まりが極めて悪く
なる可能性があった。
℃の温度条件で２時間の加熱処理を行った場合、透磁率
は２５０を中心に１８０〜３８０の範囲のものが同時に
生じてしまう。すなわち、温度条件を厳密に制御したと
しても、得られた磁心は、透磁率において最大２００の
差が生じてしまう可能性があり、歩留まりが極めて悪く
なる可能性があった。
【００１１】本発明は前記課題に鑑みてなされたもので
あり、その目的は素材ロットで提供される磁性リボン中
に特性のばらつきのあることに着目して、このようなば
らつきが生じていても定常的に製品特性の安定した磁心
を得ることにある。
あり、その目的は素材ロットで提供される磁性リボン中
に特性のばらつきのあることに着目して、このようなば
らつきが生じていても定常的に製品特性の安定した磁心
を得ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁心の熱処理
において、素材ロット中から任意にサンプリングした磁
性リボンの微分結晶化温度を測定し、この測定温度値を
、あらかじめ作成した目標透磁率における熱処理温度に
対応する微分結晶化温度と比較して熱処理温度の補正値
を決定することを要旨とする。
において、素材ロット中から任意にサンプリングした磁
性リボンの微分結晶化温度を測定し、この測定温度値を
、あらかじめ作成した目標透磁率における熱処理温度に
対応する微分結晶化温度と比較して熱処理温度の補正値
を決定することを要旨とする。
【００１３】
【作用】ここで、微分結晶化温度とはアモルファスの結
晶化時に正方向に差動熱量の変化が最大になる温度と定
義する。
晶化時に正方向に差動熱量の変化が最大になる温度と定
義する。
【００１４】すなわち、結晶化時において、ＤＳＣ（Ｄ
ｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏ
ｒｉｍｅｔｒｙ）曲線を時間で微分した曲線により得る
ことができる。
ｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏ
ｒｉｍｅｔｒｙ）曲線を時間で微分した曲線により得る
ことができる。
【００１５】ここで、前記結晶化ピーク温度（Ｔｘ）と
しては、２箇所においてピーク温度が表れる場合がある
が、このとき第１結晶化温度の微分結晶化温度を第１微
分結晶化温度（ＴＸ１ｄ）とし、第２結晶化温度の微分
結晶化温度を第２微分結晶化温度（ＴＸ２ｄ）とする。
しては、２箇所においてピーク温度が表れる場合がある
が、このとき第１結晶化温度の微分結晶化温度を第１微
分結晶化温度（ＴＸ１ｄ）とし、第２結晶化温度の微分
結晶化温度を第２微分結晶化温度（ＴＸ２ｄ）とする。
【００１６】前記手段において、熱処理を行う磁心本体
としては、たとえばアモルファス金属性の磁性リボンを
スリット状に加工してこれを巻回したものを用いること
ができる。
としては、たとえばアモルファス金属性の磁性リボンを
スリット状に加工してこれを巻回したものを用いること
ができる。
【００１７】本発明で使用するアモルファス金属として
は、合金中のＦｅの含有量が５０原子％以上のＦｅ基ア
モルファス合金（金属）であり、これらのＦｅ基アモル
ファス合金としては、Ｆｅ−Ｂ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ，Ｆｅ−
Ｂ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃ，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ
，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ等のＦ
ｅ系のものを例示できる。この中で特に好ましいＦｅ基
アモルファス金属としては、ＦｅＸＳｉＹＢＺＭＷが例
示できる。ここで、Ｘ＝５０〜８５、Ｙ＝５〜１５、Ｚ
＝５〜２５（Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも原子％を表す）、Ｍ
はＣｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｐ等１種または２種以上の組み合わせ
からなる金属で、Ｗ＝０〜５原子％のものである。
は、合金中のＦｅの含有量が５０原子％以上のＦｅ基ア
モルファス合金（金属）であり、これらのＦｅ基アモル
ファス合金としては、Ｆｅ−Ｂ，Ｆｅ−Ｂ−Ｃ，Ｆｅ−
Ｂ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃ，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ
，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ等のＦ
ｅ系のものを例示できる。この中で特に好ましいＦｅ基
アモルファス金属としては、ＦｅＸＳｉＹＢＺＭＷが例
示できる。ここで、Ｘ＝５０〜８５、Ｙ＝５〜１５、Ｚ
＝５〜２５（Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも原子％を表す）、Ｍ
はＣｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｐ等１種または２種以上の組み合わせ
からなる金属で、Ｗ＝０〜５原子％のものである。
【００１８】なお、熱処理雰囲気としては、大気と同条
件であってもよいが、好ましくは窒素雰囲気等の不活性
雰囲気を用いることにより、アモルファスリボンの端部
止めに用いたカプトンテープの剥離等を防止することも
できる。
件であってもよいが、好ましくは窒素雰囲気等の不活性
雰囲気を用いることにより、アモルファスリボンの端部
止めに用いたカプトンテープの剥離等を防止することも
できる。
【００１９】また、熱処理に際して処理条件として湿潤
雰囲気としてもよい。この場合、磁心本体を２５℃換算
における単位水蒸気量が３〜６００ｇ／ｍ３、特に好ま
しくは２０〜２００ｇ／ｍ３の湿潤雰囲気中で熱処理す
ることにより、比較的低温領域で磁心の透磁率を抑制し
、広い温度範囲で安定的な恒透磁性を得ることができる
。
雰囲気としてもよい。この場合、磁心本体を２５℃換算
における単位水蒸気量が３〜６００ｇ／ｍ３、特に好ま
しくは２０〜２００ｇ／ｍ３の湿潤雰囲気中で熱処理す
ることにより、比較的低温領域で磁心の透磁率を抑制し
、広い温度範囲で安定的な恒透磁性を得ることができる
。
【００２０】本発明では、まず熱処理前の素材ロットか
ら磁性リボンを任意に抽出し、この磁性リボンの一部を
切り取り、これを試料としてＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎ
ｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ
：示差走査熱量測定）装置を用いて微分結晶化温度を測
定する。
ら磁性リボンを任意に抽出し、この磁性リボンの一部を
切り取り、これを試料としてＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎ
ｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ
：示差走査熱量測定）装置を用いて微分結晶化温度を測
定する。
【００２１】図３は、磁性リボンを１０ｍｇ試料として
秤量し、ＤＳＣ装置を用いて測定した差動熱量の変化を
示しており、同図より第１微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）
が判明する。
秤量し、ＤＳＣ装置を用いて測定した差動熱量の変化を
示しており、同図より第１微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）
が判明する。
【００２２】次に、あらかじめ測定された目標透磁率に
おける熱処理温度と第１微分結晶化温度（ＴＸ１ｄ）と
の関係式に前記ＤＳＣ装置からの測定温度値を代入し、
熱処理温度を決定する。
おける熱処理温度と第１微分結晶化温度（ＴＸ１ｄ）と
の関係式に前記ＤＳＣ装置からの測定温度値を代入し、
熱処理温度を決定する。
【００２３】前記関係式は、たとえば以下のように導く
ことができる。このような関係式は、たとえば目標透磁
率における熱処理温度と第１微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ
）との関係をあらかじめ複数のロット素材でサンプリン
グしておくことにより得られる。
ことができる。このような関係式は、たとえば目標透磁
率における熱処理温度と第１微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ
）との関係をあらかじめ複数のロット素材でサンプリン
グしておくことにより得られる。
【００２４】図４は、透磁率２５０における微分結晶化
温度に対する熱処理温度の変化を示しており、図５は透
磁率３００における微分結晶化温度に対する熱処理温度
の変化を示している。
温度に対する熱処理温度の変化を示しており、図５は透
磁率３００における微分結晶化温度に対する熱処理温度
の変化を示している。
【００２５】両図に示すように、微分結晶化温度と熱処
理温度との間には正の強い相関関係があることが見い出
され、これから最小自乗法により下記の数１および数２
が導き出される。数１は透磁率２５０の場合であり、数
２は透磁率３００の場合である。
理温度との間には正の強い相関関係があることが見い出
され、これから最小自乗法により下記の数１および数２
が導き出される。数１は透磁率２５０の場合であり、数
２は透磁率３００の場合である。
【００２６】
【数１】
Ｔ（℃）＝１．１４９Ｔｘ１ｄ−１３８．４３
【００２
７】
７】
【数２】
Ｔ（℃）＝０．９５３Ｔｘ１ｄ−４１．４９前記数１お
よび数２において、Ｔは目標透磁率が得られる熱処理制
御温度であり、Ｔｘ１ｄは第１微分結晶化温度である。 いずれも相関関数は０．９８以上である。
よび数２において、Ｔは目標透磁率が得られる熱処理制
御温度であり、Ｔｘ１ｄは第１微分結晶化温度である。 いずれも相関関数は０．９８以上である。
【００２８】電気炉における熱処理温度は、この熱処理
制御温度（Ｔ）に基づきこの電気炉を１℃ずつ制御する
。
制御温度（Ｔ）に基づきこの電気炉を１℃ずつ制御する
。
【００２９】このように、数１および数２より決定した
熱処理制御温度により電気炉を制御して熱処理を行う。
熱処理制御温度により電気炉を制御して熱処理を行う。
【００３０】
【実施例１】以下、本発明の実施例を説明する。
【００３１】アライド社のアモルファスリボン（製品名
：Ｍｅｔｇｌａｓ２６０５Ｓ−２：Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ
９（原子％），厚さ２１μｍ，幅１０ｍｍ）を巻回して
、外径２５ｍｍ，内径１５ｍｍのトロイダル状の磁心本
体を得た。
：Ｍｅｔｇｌａｓ２６０５Ｓ−２：Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ
９（原子％），厚さ２１μｍ，幅１０ｍｍ）を巻回して
、外径２５ｍｍ，内径１５ｍｍのトロイダル状の磁心本
体を得た。
【００３２】一方、前記アモルファスリボンの各製品ロ
ットより任意に抽出した試料についてＤＳＣ装置を用い
て微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）を測定した。
ットより任意に抽出した試料についてＤＳＣ装置を用い
て微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）を測定した。
【００３３】次に、この測定値を前述の数１または数２
に代入して熱処理温度（Ｔ）を決定し、これに基づいて
電気炉を制御した。
に代入して熱処理温度（Ｔ）を決定し、これに基づいて
電気炉を制御した。
【００３４】このとき本実施例では、微分結晶化温度（
Ｔｘ１ｄ）が５０５．７℃についてその熱処理温度（Ｔ
）を４４３℃に制御した。その結果、目標透磁率２５０
に対して２４５〜２５５の範囲のものが歩留り９９％で
得られた。
Ｔｘ１ｄ）が５０５．７℃についてその熱処理温度（Ｔ
）を４４３℃に制御した。その結果、目標透磁率２５０
に対して２４５〜２５５の範囲のものが歩留り９９％で
得られた。
【００３５】前記熱処理の完了後、この磁心本体にギャ
ップを設けることなく合成樹脂からなるケースに収容し
、磁心とした。
ップを設けることなく合成樹脂からなるケースに収容し
、磁心とした。
【００３６】
【実施例２】前記実施例１と同様の、アライド社のアモ
ルファスリボン（製品名：Ｍｅｔｇｌａｓ２６０５Ｓ−
２：Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９（原子％），厚さ２１μｍ，
幅１０ｍｍ）を巻回して、外径２５ｍｍ，内径１５ｍｍ
のトロイダル状の磁心本体を得た。
ルファスリボン（製品名：Ｍｅｔｇｌａｓ２６０５Ｓ−
２：Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９（原子％），厚さ２１μｍ，
幅１０ｍｍ）を巻回して、外径２５ｍｍ，内径１５ｍｍ
のトロイダル状の磁心本体を得た。
【００３７】一方、前記アモルファスリボンの各製品ロ
ットより任意に抽出した試料についてＤＳＣ装置を用い
て微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）を測定した。
ットより任意に抽出した試料についてＤＳＣ装置を用い
て微分結晶化温度（Ｔｘ１ｄ）を測定した。
【００３８】次に、この測定値を前述の数１または数２
に代入して熱処理温度（Ｔ）を決定し、これに基づいて
電気炉を制御した。
に代入して熱処理温度（Ｔ）を決定し、これに基づいて
電気炉を制御した。
【００３９】このとき本実施例では、微分結晶化温度（
Ｔｘ１ｄ）が５０８．５℃についてその熱処理温度（Ｔ
）を４４３℃に制御した。その結果、目標透磁率３００
０に対して２９０〜３００の範囲のものが歩留り９７％
で得られた。
Ｔｘ１ｄ）が５０８．５℃についてその熱処理温度（Ｔ
）を４４３℃に制御した。その結果、目標透磁率３００
０に対して２９０〜３００の範囲のものが歩留り９７％
で得られた。
【００４０】前記熱処理の完了後、この磁心本体にギャ
ップを設けることなく合成樹脂からなるケースに収容し
、磁心とした。
ップを設けることなく合成樹脂からなるケースに収容し
、磁心とした。
【００４１】以上のように、各実施例によれば、素材ロ
ットのばらつきを、熱処理時においてその微分結晶化温
度を基準にして補正することにより、特に高い歩留まり
を得ることができた。
ットのばらつきを、熱処理時においてその微分結晶化温
度を基準にして補正することにより、特に高い歩留まり
を得ることができた。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、素材として提供される
熱処理前の磁性リボンにばらつきが生じている場合であ
っても、定常的に製品特性の安定した磁心を得ることが
できる。
熱処理前の磁性リボンにばらつきが生じている場合であ
っても、定常的に製品特性の安定した磁心を得ることが
できる。
【図１】磁性リボンのロット毎の熱処理温度と透磁率と
のばらつきを示すグラフ図
のばらつきを示すグラフ図
【図２】磁性リボンにおける直流重畳磁界に対する透磁
率の変化を示すグラフ図
率の変化を示すグラフ図
【図３】実施例において、ＤＳＣ装置を用いて測定され
た作動熱量の変化と微分結晶化温度の変化とを示すグラ
フ図
た作動熱量の変化と微分結晶化温度の変化とを示すグラ
フ図
【図４】透磁率２５０における微分結晶化温度に対する
熱処理温度の変化を示すグラフ図
熱処理温度の変化を示すグラフ図
【図５】透磁率３００における微分結晶化温度に対する
熱処理温度の変化を示すグラフ図
熱処理温度の変化を示すグラフ図
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性リボンを巻回した後に熱処理する
際に、素材ロット中から任意にサンプリングした磁性リ
ボンの微分結晶化温度を測定し、この測定温度値を、あ
らかじめ作成した目標透磁率における熱処理温度に対応
する微分結晶化温度値と比較して最適な熱処理温度を決
定することを特徴とする磁心の熱処理方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037644A JP2952717B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁心の熱処理方法 |
| PCT/JP1992/000256 WO1992015997A1 (en) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Method of manufacturing magnetic core and of heat-treating the same |
| EP92905956A EP0527233B1 (en) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Method of manufacturing magnetic core by heat-treating the same |
| US07/941,113 US5439534A (en) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Method of manufacturing and applying heat treatment to a magnetic core |
| CA002082061A CA2082061C (en) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Method of manufacturing and applying heat treatment to a magnetic core |
| KR1019920702742A KR970007511B1 (ko) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | 자심의 제조방법 및 열처리방법 |
| DE69220150T DE69220150T2 (de) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Verfahren zur herstellung eines magnetkernes durch warmebehandlung desselben |
| AT92905956T ATE154158T1 (de) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | Verfahren zur herstellung eines magnetkernes durch warmebehandlung desselben |
| CN92102499A CN1048576C (zh) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | 磁芯的制造方法及热处理方法 |
| TW081101775A TW201844B (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037644A JP2952717B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁心の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275410A true JPH04275410A (ja) | 1992-10-01 |
| JP2952717B2 JP2952717B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=12503362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037644A Expired - Lifetime JP2952717B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁心の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952717B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2755292A1 (fr) * | 1996-10-25 | 1998-04-30 | Mecagis | Procede de fabrication d'un noyau magnetique en materiau magnetique doux nanocristallin |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3037644A patent/JP2952717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2755292A1 (fr) * | 1996-10-25 | 1998-04-30 | Mecagis | Procede de fabrication d'un noyau magnetique en materiau magnetique doux nanocristallin |
| EP0844628A1 (fr) * | 1996-10-25 | 1998-05-27 | Mecagis | Procédé de fabrication d'un noyau magnétique en matériau magnétique doux nanocristallin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2952717B2 (ja) | 1999-09-27 |
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