JPH0427614B2 - - Google Patents

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JPH0427614B2
JPH0427614B2 JP56150513A JP15051381A JPH0427614B2 JP H0427614 B2 JPH0427614 B2 JP H0427614B2 JP 56150513 A JP56150513 A JP 56150513A JP 15051381 A JP15051381 A JP 15051381A JP H0427614 B2 JPH0427614 B2 JP H0427614B2
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は記録感度の異る領域を有し、低感度
領域に情報を記録せずに高感度領域だけに情報を
記録し得るようにした光学式記録媒体と情報記録
体に関する。
米国特許第4097895号明細書には、反射層とこ
れを被覆する吸収層から成り、その吸収層の厚さ
を全体の反射率を下げるように選んだ２層融除型
光学式記録媒体が開示されている。この吸収層が
記録中に熔融または融除されてその記録媒体の反
射率を変え、読取り中にこの記録媒体の変化部と
未変化部との間の反射率の差を光学的に検知して
記録情報を表わす電気信号に変換する。
また米国特許第4216501号明細書には、上記の
光学式記録媒体の反射層と吸収層の間に透明な挿
間層を持つ３層型光学式記録媒体が開示されてい
る。この吸収層の厚さは挿間層の厚さおよび反射
層、挿間層、吸収層の光学常数（屈折率および吸
光係数）と共働してその記録媒体の反射率を下げ
るような関係に選ばれている。記録時には吸収層
が熔融または融除されてその層に開孔を生じ、そ
の記録媒体の反射率を変えるが、開孔を形成する
代りに吸収層を変形させるか、吸収層の光学特性
を変えることによつて反射率を変えることもでき
る。
上記の場合はどれも光学式記録媒体の記録感度
がその上の各点間で実質的に一様であり、従つて
吸収層の変形例えば開孔の形状寸法は記録用の光
ビームの形状寸法に依存する。
米国特許第4176377号明細書には、渦線状記録
トラツクに沿う記録に対しては高感度であるが、
隣接トラツク相互間の領域では記録感度がないビ
デオデイスク構体が開示されている。これは未変
調の大電力レーザを用いて感度一様の未記録レコ
ードの不要表面部分を熱的に削除して得られる。
またこの削除レコードをマスクに用いて記録感度
を持つ渦線トラツクを有するデイスクを写真製版
式に製造することもできる。記録情報の忠実な再
生を行うには高感度面の完全度が高いことを要す
るため、この付加段階は好ましくない。
吸収層の記録された変化が記録用の光ビームの
形状寸法に関係ないように局部的に記録感度が変
り、また吸収層の形成後に処理の必要がないよう
な光学式記録媒体の記録体が望まれてきた。
この発明による記録媒体は、主表面に記録感度
の高い第１の領域とそれよりも記録感度の低い第
２の領域を持つた基板より成り、この基板の主表
面には上記第１および第２の領域とまたは第２お
よび第１の領域と対応して凹陥部と台地部とが形
成されており、また上記主表面には上記凹陥部を
充填する実質的に平らな表面を有する光現像可能
な媒体があり、この媒体が上記平らな表面に隣接
する光吸収材料の層を含む層で形成されている。
光現像可能な媒体については後述する。
この発明はまたその第１の領域中にその残部お
よび第２の領域と光学特性の異なる一連の領域を
形成する形で情報トラツクが記録された情報記録
体を提供するものである。
第１図において、光学式記録媒体１０は主表面
１４を持つ基板１２と、その主表面１４上の吸収
層１６とを備え、また第１の領域１８と記録用光
ビームの波長における吸収率がそれより低い残部
の第２の領域１９とを含む。例示のため第１の領
域１８は同心円環２０の形または基盤目２２の形
で配置されているが、後述のようにこの第１領域
１８は利用者がこの光学式記録媒体に情報を記録
するために必要とする任意の形に配置し得ること
は言うまでもない。この領域の方が吸収率が高い
ため、光学式記録媒体１０に入射する記録用光ビ
ームが第２領域１９に重なつても、第１領域１８
においてその媒体の光学特性を変化させる形でう
まく情報が記録される。この変化は例えば光吸収
層１６の開孔形成のような不可逆記録のこともあ
り、また例えばその吸収層１６の結晶度の変化の
ような可逆記録のこともある。上記のように記録
用光ビームの入射によつて情報の記録を行なうこ
とができる媒体たとえば光の吸収材料は、記録の
ために光ビームを当てたあと特別な現像処理を行
なうことなしに開孔、変形または結晶度の変化な
どの形の安定な記録が得られるので、通常の写真
技術におけるハロゲン化銀乳剤のように露光後に
還元剤を作用させて初めて現像可能な感光性物質
と区別して、光現像可能な媒体と言うことにす
る。
第２図に示すこの発明の光学式記録媒体の第１
の実施例30は、主表面１４を持つ基板１２と、そ
の主面１４から基板１２内に陥入し、間に複数個
の台地部３４を形成する複数個の凹陥部３２と、
その凹陥部３２に充満し、さらにその間の台地部
３４を被覆している、或いは被覆しないこともあ
る吸収層３６とを含む。吸収層３６はさらに２つ
の部分から成り、第１の部分４０は凹陥部３２を
埋める部分で、凹陥部間の台地部３４を被覆する
第２の部分４２より厚い。光吸収層３６の上面４
４は平坦で上被覆４６で被覆されているが、被覆
されないこともある。
第３図に示すこの発明の第２の実施例50の各素
子の第１の実施例30と共通のものは同じ引用数字
が与えられている。この発明の第２の実施例50が
第１の実施例30と異なるのは、凹陥部３２とその
間の台地部３４を含む主表面１４が反射層５２で
覆われ、吸収層５４が凹陥部３２を埋めると共に
その間の台地部３４を覆う反射層５２の部分を覆
つている点である。しかし台地部３４上の反射層
５２は覆われない場合もある。このとき吸収層は
２つの部分から成り、その第１の部分５６は凹陥
部を埋める部分で、凹陥部間の台地部を覆う第２
の部分５８より厚い。吸収層５４の平坦な上面６
０は上被層４６で被覆されているが、被覆されな
いこともある。
第４図に示すこの発明の第３の実施例70の各素
子の第２の実施例50と共通なものは同じ引用数字
で表わされている。この第３の実施例70が第２の
実施例50と異なる点は、挿間層７２が主表面１４
の凹陥部３２を埋め、さらに台地部３４上の反射
層５２を覆つている点である。このようにして挿
間層は主表面１４の凹陥部の領域内の第１の部分
と、これより薄くて凹陥部間の台地部３４を覆う
第２の部分７６とから成る。この第２の部分７６
は設けないこともある。挿間層７２の表面８０上
には実質的に一様厚さの吸収層７８がある。この
発明の第３の実施例70の第２の実施例50と異なる
点はまた光吸収層７８の表面８４上に掩蓋層８２
があることである。この掩蓋層８２の上に上被層
４６があり、また掩蓋層８２のないときは吸収層
７８上に上被層４６があることになる。しかし上
被層は必ずしも必要ではない。
基板１２は一般に円盤型のポリ塩化ビニルまた
はポリメタクリル酸メチルのようなプラスチツク
材料で形成することができる。この基板１２の主
表面１４上の凹陥部は表面にこの凹陥部に対応す
る凹凸を有するマスタを表面１４に押しつけるこ
とにより形成することもできるが、デイスクの加
圧成形または圧鋳中に形成することもできる。こ
の凹陥部の深さは一般に約５〜200nmである。
主表面に凹陥部があるように記載したがこれは
表面の細孔と隆起の双方を含むことに注意すべき
である。細孔と隆起の機能は厚さの変つた感光被
膜を与える点で同じである。
第２図の第１の実施例では、凹陥部３２の深さ
は、これを埋める吸収層３６の厚さが感光度を上
げるため吸収反射の平衡を得るに要する厚さにほ
ぼ等しいか好ましくはそれより僅かに薄くなるよ
うに選ばれている。もし上記の深さが、上記平衡
を得るに要する厚さよりも小であれば、凹陥部上
の厚さを更に大にして所要値の厚さが得られるよ
うにする。第１の実施例30における凹陥部３２の
深さは通常約５〜40nmである。
第３図および第４図に示す第２および第３の実
施例では、凹陥部を埋める層の厚さがその光学式
記録媒体の局部反射率を最小にするに要する厚さ
にほぼ等しいか好ましくはこれより僅かに薄くな
るようにその凹陥部の深さが選ばれる。この厚さ
より凹陥部が浅ければ、その凹陥部の上に積重ね
られた層の厚さによつてその厚さが所要値にな
る。一般に凹陥部３２の深さは第３図の第２実施
例50の２重層構造の場合約20〜80nm、第４図の
第３実施例70の３重層構造の場合約30〜200nmで
ある。吸収層および挿間層の好ましい厚さは後述
のようにその層の材料の性質に依存する。
第３図の反射層５２は記録用および読取用の光
ビームの波長の入射光の相当部分、好ましくは少
くとも50％を反射することが望ましく、一般にこ
の波長で高反射率を示すアルミニウムまたは金の
ような金属で形成される。この反射層５２の厚さ
は通常約30〜60nmで、凹陥部を有する基板表面
１４に真空蒸着により被着することができる。ま
た代りに単層または多層型の誘電体反射層を用い
ることもできる。
第２図の第１実施例30の吸収層３６と第３図の
第２実施例50の吸収層５４は、記録用および読取
用の光ビームの波長の光を吸収し、基板表面１４
または反射層５２上にその上の凹陥部３２が優先
的に埋まるように被着し得る材料で形成されてい
る。凹陥部３２が埋まると、余分の材料がその凹
陥部３２とその間の台地部３４の上に薄層を形成
して平滑連続な吸収層上面を形成することにな
る。どの実施例においても吸収層は有機染料を溶
媒に溶解して回転法で被着したものとすることが
できる。適当な染料と結着材の混合物は４フエニ
ルアゾー１ナフチルアミンのシブレー社製1350B
型ホトレジストによる4.8％重量対容積溶液で、
これを醋酸２メトキシエチルで25対１に希釈して
回転法で被着する。この材料は波長約488nmの記
録用および読取用光源に有用である。
上被層４６は記録用および読取用の光ビームの
波長で実質的に透明な材料から成り、厚さ約0.05
〜１mmのものが有用である。これによつて上被層
上面に付着する塵埃粒子が記録および読取用光学
系の焦点から遠く離れ、情報の記録読取りに影響
することが著しく少くなる。この層に有用な材料
はシリコン樹脂で、回転法で被着することができ
る。
第３図の第２の実施例50の吸収層５４の厚さは
反射層、吸収層およびもしあれば外被層の光学常
数と、その光学式記録媒体の第１領域の反射率が
低下して好ましくは非反射状態になるような関係
を持つている。例えば1965年ドーバ社（Dover
Pub−lications Inc.）発行のヘブンズ（O.S.
Heavens）の著書「固体薄膜の光学特性
（Optical Properties of Thin Solid Films）」第
69頁記載のマトリツクス法を用いてこの吸収層の
最適厚さを計算することができるが、反射率が低
い吸収層の厚さは約20〜100nmである。
この吸収層５４の厚さは光学式記録媒体の表面
の各部によつて変り、台地部３４より凹陥部３２
の領域で厚い。記録用および読取用の波長におけ
る反射率の最低は最初凹陥部上で生ずるが、凹陥
部が埋まられると、台地部３４上の第２部分５８
の厚さが凹陥部３２上の第１部分５６の厚さと同
じほど増し、第２部分の厚さが増すとこの部分の
反射率が低下するが、第１部分の反射率が最低を
通過して増大し始める。このように第２部分の被
膜厚さを制御することにより、反射率が低く感度
の高い領域を凹陥部３２または台地部３４の上に
置くことができるが、第２部分の厚さを極めて薄
くして凹陥部３２上の部分を低反射率高感度の領
域とすることが好ましい。
第４図に示すこの発明の第３の実施例70では、
厚さが変るのが挿間層７２である。この挿間層は
記録用および読取用光ビームの波長で実質的に透
明で、基板面の凹陥部３２が優先的に埋つて挿間
層の第１部分を形成するように反射層５２上に被
着し得る材料から成つている。凹陥部が埋つた
後、第１部分７４と台地部３４上の第２部分７６
の厚さが増大する。この挿間層に適する材料がポ
リメチルスチレンのトルエン溶液で、回転法によ
り被着される。
挿間層７２上の吸収層７８は記録用および読取
用の光ビームの波長の光を吸収する材料から成
る。この層に適する材料はチタン、ロジウム、テ
ルル、セレン、テルルまたはセレン合金、３硫化
砒素、３セレン化砒素等で、真空蒸着により被着
することができる。これらの材料の若干は大気に
露出すると酸化して本来の被着層より遥かに薄い
吸収層を残す。この効果は所要厚さより厚い層を
被着した後酸化により有効厚さが所要厚さになる
ようにして補償することができる。
挿間層７２および吸収層７８の厚さはそれぞれ
その光学式記録媒体の第１および第２の部分の反
射率が低下するように選ばれ、反射層、挿間層、
吸収層および存在すれば掩蓋層、上被層の光学特
性並びに記録用および読取用の光ビームの波長を
勘案して計算される。一般に反射率を低下させる
挿間層の厚さは約20〜200nm、吸収層の厚さは約
３〜50nmで、このときその情報記録体の表面に
おける感度の変化は挿間層の厚さの変化によつて
得られ、その挿間層は台地部３４におけるより凹
陥部３２において厚い。第３図の第２実施例50の
吸収層の場合は、反射率の最初の最小が凹陥部上
で生ずることがある。凹陥部が挿間層で埋められ
ると、台地部３４上の挿間層の第２部分７６の厚
さが凹陥部上の第１部分７４の厚さと共に増大す
る。この第２部分の厚さが増大するにつれて、こ
の光学式記録媒体のこの領域における局部反射率
は低下し、一方第１部分の反射率は最小値に達し
た後増大し始めるこのように第２部分上の挿間層
の厚さを制御することにより、反射率が低くて感
度が高い方の領域を凹陥部３２または台地部３４
のどちらかの上に置くことができる。挿間層の第
２部分の厚さが最小にして、凹陥部３２上の第１
部分７４の領域を低反射率高感度領域にするのが
好ましい。
吸収層７８の上面８４に掩蓋層８２を設けるこ
ともできる。この掩蓋層７８の機能は、吸収層７
８にチタン、ロジウム等の高融点材料を用いたと
き上被層４６の損傷を防ぐことであるが、吸収層
７８にテルル、セレンまたはその合金のような低
融点材料を用いるときは、上被層４６の熱損傷を
防ぐために掩蓋層を用いる必要はない。
しかし掩蓋層８２と挿間層７２を吸収層７８に
開孔その他の恒久的変形が形成されるのを阻止す
るような材料で形成すると、可逆記録すなわち消
去再記録可能の記録を吸収層上に行うことができ
る。この実施例の吸収層７８に適する材料はテル
ル、セレン、テルルまたはセレン合金、３硫化砒
素、３セレン化砒素等である。可逆記録の形成を
阻止するような掩蓋層に用いるに適する材料は、
３酸化シリコン、１酸化シリコン、２酸化チタ
ン、２酸化テルル等である。これらの材料は電子
ビーム蒸着法で被着することができる。一般に吸
収層に開孔その他の変形を形成させないようにす
るに適する掩蓋層の厚さは約50〜500nmである。
情報を可逆的に記録したいときは、上被層４６
および掩蓋層８２が消去用光ビームの波長に対し
ても実質的に透明であり、吸収層７８がその消去
用光ビームの波長で吸収性を有する必要がある。
デイスクの基板主表面の凹陥部は第１図に例示
するように種々のフオーマツトに配置することが
できる。この凹陥部はデイスクの基板主表面に連
続凹陥型円形または渦線形の凹溝の形をなし、そ
の光電式記録媒体が溝の間の台地部より凹溝部の
上で厚くなるようにできる。このときその光学式
記録媒体が台地部上の領域より凹溝部上の領域で
高感度なら、凹溝とそれを包囲する台地部との双
方に光ビームが重なつても、凹溝中に優先的に情
報が記録され、その周りの台地部には記録されな
い。
また代りに一連の凹陥部を互いに分離した円形
または渦線形トラツクに配置して、そのトラツク
の方向に沿つて凹陥部と台地部とが交互に並ぶよ
うにすることもできる。この場合はその凹陥部を
各トラツク上で等長とすることもでき、また等角
長としてデイスクの中心から遠いほど長くなるよ
うにすることもできる。従つて第１の場合は情報
が可変周波数一定記録素子寸法でデイスクに対し
て記録読取りされ、第２の場合は一定周波数可変
記録素子寸法で記録読取りされる。この光学式記
録媒体の感度が台地部上より凹陥部上で高けれ
ば、トラツクに沿つて凹陥部と台地部の双方に跨
がる光ビームによつて情報はその凹陥部の領域だ
けに優先して記録される。
また別の形が碁盤目パタンで、この場合は凹陥
部と台地部とがトラツクの方向とこれに直角な方
向の双方に沿つて交互に配置されている。
第５図は情報トラツクが記録された２層式情報
記録体９０を示す。この記録体９０において第３
図の記録媒体５０と共通の素子は同じ引用数字で
表わす。図示の情報記録体９０は凹陥部がトラツ
クに沿つて台地部と交互に配置されている。情報
は吸収層５４の一連の開孔９２の形で記録され、
この開孔９２の有無およびその間隔が記録情報を
表わす。この開孔は台地部３４に形成することも
できる。
第６図は情報トラツクが記録された３層式情報
記録体１００を示す。この情報記録体１００にお
いて第４図の記録媒体７０と共通の素子は同じ引
用番号で示す。情報は吸収層７８に残部領域と光
学特性の異なる一連の領域１０２の形で記録され
ている。この領域は吸収層７８の光学特性の不可
逆変形またはその結晶度の変化によるようなその
可逆変化の形をとることができ、この吸収層の光
学特性の変化の有無がその記録媒体の反射率の変
化を生じ、この領域の長さと間隔が記録情報を表
わす。
記録用光ビームが感度の低い領域に跨がり、そ
のエネルギ密度が充分大きいときは、その低感度
の第２領域にも記録情報を表わす吸収層の変化が
生ずることがある。
この発明の光学式記録媒体は層の厚さが異なる
ため記録感度の異なる領域を有する。この厚さの
変化は基板面の凹陥部の有無によつて生じる。基
板製造時において、特定の空間分布により凹陥部
を形成することによつて、またはその凹陥部の深
さを変えることによつて、光学式記録媒体に情報
を記録することもできる。例えば渦線形または円
形の一部の深さを変調することにより第１および
第２の領域と反射率の異なる第３の領域を形成す
ることもできる。この情報は例えばトラツクの始
めと終りを示すためまたは同期データを生成する
ためのトラツク識別用に用いることができる。凹
陥部の他の配置に対しても同様の符号化方式を用
いることができる。第７図の光学式記録媒体１１
０と第３図の光学式記録媒体５０の共通素子は同
じ引用数字で示す。凹陥部１１２，１１４の基板
１２内部への深さは異なり、これによつて第３領
域が形成される。
光学式記録読取消去方式の動作時には、光ビー
ムを情報トラツクの中心に集束するが、上述の光
電式記録媒体においては記録中高感度の第１領域
の中心に集束する。第１領域と第２領域との間に
反射率に差があれば、この差を利用してトラツク
の幅方向に沿う光ビームの変位に比例する信号を
生成し、この信号を用いてトラツク上の光ビーム
の位置を修正することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の光学式記録媒体の斜視図、
第２図はこの発明の第１の実施例の一部の断面
図、第３図はこの発明の第２の実施例の一部の断
面図、第４図はこの発明の第３の実施例の一部の
断面図、第５図はこの発明の情報記録媒体の一部
の断面図、第６図はその情報記録体の第２の実施
例の一部の断面図、第７図は深さの異なる凹陥部
を持つ光電式記録媒体の一部の断面図である。 １０……光学式記録媒体、１２……基板、１４
……主表面、１６……吸収層、１８……第１領
域、１９……第２領域、３２……凹陥部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１の領域および第２の領域と、主表面を持
    つ基板とを具備し、上記第１の領域の記録感度が
    第２の領域の記録感度よりも高いものであるよう
    な構成を有し；特徴として、上記基板の上記主表
    面は凹陥部と台地部を有し、これら凹陥部と台地
    部とはそれぞれ上記第１および第２の領域とまた
    は上記第２および第１の領域と対応しており、ま
    た上記主表面上には上記凹陥部を充填し事実上平
    坦な表面を有する光現像可能な媒体があり、この
    媒体は上記平坦な表面に隣接する光吸収材料の層
    を含む１またはそれ以上の層より成るものであ
    る、記録可能な光学式記録媒体。 ２ 凹陥部上の上記光現像可能な媒体の厚さが台
    地部上の厚さよりも大であることを特徴とする特
    許請求の範囲１に記載の光学式記録媒体。 ３ 基板と吸収材料層との間に介在して記録用お
    よび読取用光ビームの波長をもつ入射光の相当の
    部分を反射する反射層を有し、上記吸収材料層の
    厚さは、第１の領域におけるこの記録媒体の反射
    率が低下して非反射状態となるように選ばれてい
    ることを特徴とする、特許請求の範囲１または２
    に記載の光学式記録媒体。 ４ 上記反射層の上に在る吸収材料層は、上記波
    長の光を吸収するものでありかつ第１の厚さを持
    つた第１の領域と第１の厚さとは異なる第２の厚
    さを持つた第２の領域とを有し、この吸収材料層
    の第１の領域の厚さは、その第１の領域における
    上記波長の光に対するこの光学式記録媒体の反射
    率が第２の領域における同一波長の光に対するそ
    の反射率よりも低くなるように選ばれている。特
    許請求の範囲３に記載の光学式記録媒体。 ５ 反射層と吸収材料層との間に介在しかつ凹陥
    部を充填する挿間層を有し、この挿間層と吸収材
    料層の厚さは、第１の領域におけるこの光学式記
    録媒体の反射率が低下して非反射状態となるよう
    に選ばれている、特許請求の範囲１，２，３また
    は４の何れかに記載の光学式記録媒体。 ６ 挿間層の上に設けられた吸収材料層の厚さが
    実質的に均一であることを特徴とする、特許請求
    の範囲５に記載の光学式記録媒体。 ７ 凹陥部が、基板中にその主表面から５ナノメ
    ートル乃至200ナノメートルの距離まで延びてい
    ることを特徴とする、特許請求の範囲１，２，
    ３，４，５または６の何れかに記載の光学式記録
    媒体。 ８ 基板がプラスチツク材料から成ることを特徴
    とする、特許請求の範囲１，２，３，４，５，６
    または７の何れかに記載の光学式記録媒体。 ９ 吸収材料層の上を厚い上被層で覆つたことを
    特徴とする、特許請求の範囲１，２，３，４，
    ５，６，７または８の何れかに記載の光学式記録
    媒体。 １０ 吸収材料層の上を掩蓋層が覆い、この掩蓋
    層の上を厚い上被層で覆つたことを特徴とする、
    特許請求の範囲１，２，３，４，５，６，７，８
    または９の何れかに記載の光学式記録媒体。 １１ 吸収材料層が有機材料で構成されているこ
    とを特徴とする、特許請求の範囲１，２，３，
    ４，５，６，７，８，９または１０の何れかに記
    載の光学式記録媒体。 １２ 吸収材料層が、チタン、ロジウム、テル
    ル、セレン、テルルをベースとする合金、セレン
    をベースとする合金、３硫化砒素および３セレン
    化砒素から成る群から選んだ材料で構成されてい
    ることを特徴とする、特許請求の範囲１，２，
    ３，４，５，６，７，８，９，１０または１１の
    何れかに記載の光学式記録媒体。 １３ 凹陥部が、基板の主表面に溝の形に配設さ
    れていることを特徴とする、特許請求の範囲１，
    ２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１ま
    たは１２の何れかに記載の光学式記録媒体。 １４ 凹陥部が、第１領域と第２領域とが交番す
    る列を形成するように配設されていることを特徴
    とする、特許請求の範囲１，２，３，４，５，
    ６，７，８，９，１０，１１，１２または１３の
    何れかに記載の光学式記録媒体。 １５ 凹陥部の一部がその残部とは異なる距離だ
    け基板中に延びる深さを有し、それによつて第１
    および第２の領域における反射率とは異なる反射
    率を有する第３の領域が形成されていることを特
    徴とする、特許請求の範囲１，２，３，４，５，
    ６，７，８，９，１０，１１，１２，１３または
    １４に記載の光学式記録媒体。 １６ １または複数の凹陥部を有する主表面を具
    えた基板と、この凹陥部を充填して上記主表面上
    に在り記録用および読取用の光ビームの波長を有
    する光を吸収するような吸収層とを有し、それに
    よつて第２領域における記録感度よりも第１領域
    における記録感度が大となるように第１領域と第
    ２領域とが上記基板上に形成され、かつ列状に情
    報トラツクが形成されていることを特徴とする、
    情報トラツクを有する情報記録体または光学式デ
    イスクとしての光学式記録媒体。 １７ 凹陥部が、実質的に連続的で一様な深さを
    もつた凹溝より成りしかもこの凹溝が渦線状また
    は同心形状に形成されていることを特徴とする、
    特許請求の範囲１６に記載の光学式記録媒体。 １８ 凹溝が、半径方向に隔てられた渦線状のま
    たは同心形状のトラツク領域を構成していること
    を特徴とする、特許請求の範囲１７に記載の光学
    式記録媒体。 １９ 実質的に均一な深さを有する複数個の個別
    の情報細孔が、ほぼトラツク領域内の上記層中に
    形成されていることを特徴とする、特許請求の範
    囲１６に記載の光学式記録媒体。
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