JPH04276377A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPH04276377A JPH04276377A JP3037146A JP3714691A JPH04276377A JP H04276377 A JPH04276377 A JP H04276377A JP 3037146 A JP3037146 A JP 3037146A JP 3714691 A JP3714691 A JP 3714691A JP H04276377 A JPH04276377 A JP H04276377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bubble memory
- magnetic bubble
- memory device
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気バブルメモリ、特に
情報及び産業分野などに用いられる高信頼性、不揮発性
の磁気バブルメモリデバイスに関する。
情報及び産業分野などに用いられる高信頼性、不揮発性
の磁気バブルメモリデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気バブルメモリデバイスでは、
磁気バブルメモリチップをシリコーンレジンで覆い、そ
の周囲をトランスファーモールド技術等により、エポキ
シレジンで保護、封止していた。
磁気バブルメモリチップをシリコーンレジンで覆い、そ
の周囲をトランスファーモールド技術等により、エポキ
シレジンで保護、封止していた。
【０００３】なお、レジンモールドの磁気バブルメモリ
は例えば、特開昭５４−１４６４１号公報で知られてい
る。
は例えば、特開昭５４−１４６４１号公報で知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の構造の場合、ト
ランスファモ−ルドすると、チップが変形し、ひいては
チップの磁石板に対する傾斜角のばらつきをひきおこす
。傾斜角の微妙なばらつきがメモリ特性（スタ−ト／ス
トップ動作特性）に悪影響をおよぼすことは良く知られ
ている。
ランスファモ−ルドすると、チップが変形し、ひいては
チップの磁石板に対する傾斜角のばらつきをひきおこす
。傾斜角の微妙なばらつきがメモリ特性（スタ−ト／ス
トップ動作特性）に悪影響をおよぼすことは良く知られ
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような傾斜角のばら
つきは、実はチップのオ−バ−コ−トレジンにシリコ−
ンゲルを用いたときに生じていることを解明した。シリ
コ−ンゲルはボンディングワイヤ−のヒ−トサイクルに
対する信頼性の確保に必須である。本発明の１実施例に
よれば、傾斜角のばらつきを押えるのにオ−バ−コ−ト
レジンとして比較的硬度の高いシリコ−ンゴムを用い、
ボンディングワイヤ−のあるチップ周辺部にはシリコ−
ンゲルを用いた磁気バブルメモリが提供される。
つきは、実はチップのオ−バ−コ−トレジンにシリコ−
ンゲルを用いたときに生じていることを解明した。シリ
コ−ンゲルはボンディングワイヤ−のヒ−トサイクルに
対する信頼性の確保に必須である。本発明の１実施例に
よれば、傾斜角のばらつきを押えるのにオ−バ−コ−ト
レジンとして比較的硬度の高いシリコ−ンゴムを用い、
ボンディングワイヤ−のあるチップ周辺部にはシリコ−
ンゲルを用いた磁気バブルメモリが提供される。
【０００６】
【作用】このような構造にすることにより耐ヒ−トサイ
クル性が良く、チップ傾斜角ばらつきの少ない、十分な
メモリ動作特性を持つデバイスが得られる。
クル性が良く、チップ傾斜角ばらつきの少ない、十分な
メモリ動作特性を持つデバイスが得られる。
【０００７】
【実施例】図１には、この発明が適用される磁気バブル
メモリデバイスの１実施例の部分断面図が示されている
。同図の磁気バブルメモリデバイスは、ＤＩＬ（デュア
ル−イン−ライン）型パッケージ構造とされる。
メモリデバイスの１実施例の部分断面図が示されている
。同図の磁気バブルメモリデバイスは、ＤＩＬ（デュア
ル−イン−ライン）型パッケージ構造とされる。
【０００８】同図において、ＣＨＩは磁気バブルメモリ
チップであり、セラミックやエポキシ樹脂系の印刷回路
基板ＳＵＢの凹部にダイボンディングされている。上記
チップＣＨＩのボンディングパッドと印刷回路基板ＳＵ
Ｂとは金線等によって電気的に接続されている（図示せ
ず）。Ｃｘ及びＣｙはチップＣＨＩに面内回転磁界を印
加するためのＸ及びＹコイルであり、両者は直交して配
置されている。ＭＡＧ１とＭＡＧ２はチップＣＨＩの面
にほぼ垂直なバイアス磁界を与えるための永久磁石であ
り、ＨＯＭ１とＨＯＭ２は永久磁石から磁界をチップＣ
ＨＩに一様に（均一化して）印加するための整磁板であ
る。チップＣＨＩと上記永久磁石ＭＡＧ１とＭＡＧ２及
び整磁板ＨＯＭ１とＨＯＭ２の面は相対的に約１°〜３
°傾斜して配置され、チップＣＨＩの面内にもバイアス
磁界のベクトル成分（ホールディング磁界。磁気バブル
転送の停止、開始特性を上げるためのもの）が加わるよ
うにしている。ＢＩＣはチップＣＨＩの面にほぼ垂直な
バイアス磁界を与えるものでバイアスコイル或いはＺコ
イルと呼ばれるもので、磁気バブル転送のバイアスマー
ジンの測定やテスティング時の使用時のバブル消去（書
き込み情報の消去。この場合は強い磁界とする）に用い
られる。Ｌｂはバイアスコイル実装用リードである。
チップであり、セラミックやエポキシ樹脂系の印刷回路
基板ＳＵＢの凹部にダイボンディングされている。上記
チップＣＨＩのボンディングパッドと印刷回路基板ＳＵ
Ｂとは金線等によって電気的に接続されている（図示せ
ず）。Ｃｘ及びＣｙはチップＣＨＩに面内回転磁界を印
加するためのＸ及びＹコイルであり、両者は直交して配
置されている。ＭＡＧ１とＭＡＧ２はチップＣＨＩの面
にほぼ垂直なバイアス磁界を与えるための永久磁石であ
り、ＨＯＭ１とＨＯＭ２は永久磁石から磁界をチップＣ
ＨＩに一様に（均一化して）印加するための整磁板であ
る。チップＣＨＩと上記永久磁石ＭＡＧ１とＭＡＧ２及
び整磁板ＨＯＭ１とＨＯＭ２の面は相対的に約１°〜３
°傾斜して配置され、チップＣＨＩの面内にもバイアス
磁界のベクトル成分（ホールディング磁界。磁気バブル
転送の停止、開始特性を上げるためのもの）が加わるよ
うにしている。ＢＩＣはチップＣＨＩの面にほぼ垂直な
バイアス磁界を与えるものでバイアスコイル或いはＺコ
イルと呼ばれるもので、磁気バブル転送のバイアスマー
ジンの測定やテスティング時の使用時のバブル消去（書
き込み情報の消去。この場合は強い磁界とする）に用い
られる。Ｌｂはバイアスコイル実装用リードである。
【０００９】ＲＥＧはエポキシ系の樹脂であり、前述し
た各部品を固定、封止するためのもので、トランスファ
ーモールド技術等によって所定の型に形成される。Ｌｐ
は印刷回路基板ＳＵＢの配線及びＸ（Ｃｘ），Ｙ（Ｃｙ
），Ｚ（ＢＩＣ）コイルを外部に電気的に接続するため
のリードピンである。ＳＨＩは外部からの磁気シールド
するためのシールドケースである。このパッケージは平
面でみると（図示せず）ほぼ正方形となっており、その
上下辺にリードピンＬｐが配置され、上下辺を開放して
左右を巻くように円筒状のシールドケースＳＨＩが形成
される。
た各部品を固定、封止するためのもので、トランスファ
ーモールド技術等によって所定の型に形成される。Ｌｐ
は印刷回路基板ＳＵＢの配線及びＸ（Ｃｘ），Ｙ（Ｃｙ
），Ｚ（ＢＩＣ）コイルを外部に電気的に接続するため
のリードピンである。ＳＨＩは外部からの磁気シールド
するためのシールドケースである。このパッケージは平
面でみると（図示せず）ほぼ正方形となっており、その
上下辺にリードピンＬｐが配置され、上下辺を開放して
左右を巻くように円筒状のシールドケースＳＨＩが形成
される。
【００１０】図２にチップＣＨＩの周辺の拡大断面構造
を示す。まず製造方法から説明すると、ガラスエポキシ
製の基板ＳＵＢの上に４ＭｂｉｔバブルメモリチップＣ
ＨＩをエポキシ接着剤で均一に貼り付けた。中央部及び
周辺部３ヵ所に穴ＨＬ１及びＨＬ２〜ＨＬ４を持つガラ
スエポキシ製の蓋ＣＡＰをエポキシ接着剤で基板ＳＵＢ
に貼り付けた。次にこの中央部の穴ＨＬ１からシリコ−
ンゴムＳＩＬ１をチップの中央部分に注入し硬化した。 この時注入領域がチップのボンディングワイヤ−にかか
らないように半透明の蓋ＣＡＰから確認しながら注入作
業を行なった。その後、まず右上角の穴（ＨＬ２、図示
せず）から、引き続き右辺やや下方の穴（ＨＬ３、図示
せず）からシリコ−ンゲルＳＩＬ２（ＪＣＲ６１０９）
１３を注入し硬化した。左辺の穴ＨＬ４はシリコーンレ
ジンＳＩＬ２を注入するときの空気抜き穴として働く。 その後、Ｘ，ＹコイルＣｘ，Ｃｙと、永久磁石板ＭＡＧ
１，２等を配置して、エポキシ樹脂ＲＥＧのトランスフ
ァモ−ルドを行なった。
を示す。まず製造方法から説明すると、ガラスエポキシ
製の基板ＳＵＢの上に４ＭｂｉｔバブルメモリチップＣ
ＨＩをエポキシ接着剤で均一に貼り付けた。中央部及び
周辺部３ヵ所に穴ＨＬ１及びＨＬ２〜ＨＬ４を持つガラ
スエポキシ製の蓋ＣＡＰをエポキシ接着剤で基板ＳＵＢ
に貼り付けた。次にこの中央部の穴ＨＬ１からシリコ−
ンゴムＳＩＬ１をチップの中央部分に注入し硬化した。 この時注入領域がチップのボンディングワイヤ−にかか
らないように半透明の蓋ＣＡＰから確認しながら注入作
業を行なった。その後、まず右上角の穴（ＨＬ２、図示
せず）から、引き続き右辺やや下方の穴（ＨＬ３、図示
せず）からシリコ−ンゲルＳＩＬ２（ＪＣＲ６１０９）
１３を注入し硬化した。左辺の穴ＨＬ４はシリコーンレ
ジンＳＩＬ２を注入するときの空気抜き穴として働く。 その後、Ｘ，ＹコイルＣｘ，Ｃｙと、永久磁石板ＭＡＧ
１，２等を配置して、エポキシ樹脂ＲＥＧのトランスフ
ァモ−ルドを行なった。
【００１１】このようにして作ったデバイスを切断して
チップ傾斜角のばらつきを調べた。その結果、傾斜角の
設計値が１．７°に対し、従来品の平均値は１．８°、
本発明品は１．７°となり、また偏差値は従来品が０．
４°、本発明品が０．２°と改善された。
チップ傾斜角のばらつきを調べた。その結果、傾斜角の
設計値が１．７°に対し、従来品の平均値は１．８°、
本発明品は１．７°となり、また偏差値は従来品が０．
４°、本発明品が０．２°と改善された。
【００１２】なお、各種樹脂の硬度は、エポキシ樹脂Ｒ
ＥＧが最も高く、次にシリコーンゴムＳＩＬ１が高く、
液体と固体の中間にあるシリコーンゲルＳＩＬ２が最も
軟らかい。
ＥＧが最も高く、次にシリコーンゴムＳＩＬ１が高く、
液体と固体の中間にあるシリコーンゲルＳＩＬ２が最も
軟らかい。
【００１３】以上のように、本発明のデバイスの傾斜角
ばらつきが、比較用に切断した従来デバイスのそれより
少なくなっている。また、メモリ動作特性の上でも十分
効果のあることが確認された。
ばらつきが、比較用に切断した従来デバイスのそれより
少なくなっている。また、メモリ動作特性の上でも十分
効果のあることが確認された。
【００１４】
【発明の効果】このように、本発明の１実施例によれば
、チップのオ−バ−コ−ト剤として、中央部には比較的
硬度の高いレジンを、周辺部にはやわらかいゲルを用い
るという、２種類のレジン充填方式によって、バブルメ
モリの特性に悪影響を及ぼすチップ傾斜角ばらつきを低
減することができる。
、チップのオ−バ−コ−ト剤として、中央部には比較的
硬度の高いレジンを、周辺部にはやわらかいゲルを用い
るという、２種類のレジン充填方式によって、バブルメ
モリの特性に悪影響を及ぼすチップ傾斜角ばらつきを低
減することができる。
【図１】本発明によるバブルメモリデバイスの断面構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１の部分拡大断面構造を示す図である。
ＣＨＩはチップ、ＣＡＰは蓋、Ｃｘ，ＣｙはＸ，Ｙコイ
ル、ＭＡＧ１，ＭＡＧ２は永久磁石板、ＲＥＧはトラン
スファモ−ルド剤、ＳＨＩはシ−ルドケ−ス、Ｌｐはり
−ドピン、ＢＩＣはバイアスコイル、ＣＡＰは穴のある
蓋、ＳＩＬ１はシリコーンゴム、ＳＩＬ２はシリコーン
ゲルである。
ル、ＭＡＧ１，ＭＡＧ２は永久磁石板、ＲＥＧはトラン
スファモ−ルド剤、ＳＨＩはシ−ルドケ−ス、Ｌｐはり
−ドピン、ＢＩＣはバイアスコイル、ＣＡＰは穴のある
蓋、ＳＩＬ１はシリコーンゴム、ＳＩＬ２はシリコーン
ゲルである。
Claims (3)
- 【請求項１】情報を記憶する磁気バブルメモリチップと
、それぞれ、上記チップの第１と第２の表面を覆う第１
と第２の材質の異なる絶縁体とを具備して成ることを特
徴とする磁気バブルメモリデバイス。 - 【請求項２】上記第２の表面は上記第１の表面を囲う領
域であり、上記第１の絶縁体は上記第２の絶縁体より硬
度が高いことを特徴とする請求項１記載の磁気バブルメ
モリデバイス。 - 【請求項３】上記第１及び第２の絶縁体を第３の絶縁体
で覆って成ることを特徴とする請求項２記載の磁気バブ
ルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037146A JPH04276377A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037146A JPH04276377A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276377A true JPH04276377A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12489474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037146A Pending JPH04276377A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276377A (ja) |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3037146A patent/JPH04276377A/ja active Pending
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