JPH0427683B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0427683B2
JPH0427683B2 JP58005184A JP518483A JPH0427683B2 JP H0427683 B2 JPH0427683 B2 JP H0427683B2 JP 58005184 A JP58005184 A JP 58005184A JP 518483 A JP518483 A JP 518483A JP H0427683 B2 JPH0427683 B2 JP H0427683B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
mark
wafer
mask
alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58005184A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59132126A (ja
Inventor
Junji Hazama
Shoichi Tanimoto
Kinya Kato
Hisao Izawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP58005184A priority Critical patent/JPS59132126A/ja
Priority to US06/570,189 priority patent/US4636626A/en
Publication of JPS59132126A publication Critical patent/JPS59132126A/ja
Publication of JPH0427683B2 publication Critical patent/JPH0427683B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マスクのパターンをウエハ上に露光
する際、マスクとウエハとの位置合わせを行なう
ための位置合わせ装置に関し、特にプロキシミテ
イー露光装置に於ける位置合わせ装置に関する。
従来のプロキシミテイー露光に於ける位置合わ
せ方式として、特開昭53−111280公報に示される
ように、レーザービームを開口数の小さな対物レ
ンズで絞ることにより、マスクとウエハの双方に
焦点の合つたスポツトを形成し、そのスポツトを
走査して、マスクとウエハ上のアライメントマー
クからの散乱光を検出する方式が知られている。
ところがこの方式のようにマスクとウエハの双方
に焦点を合わせる為にレーザビームを開口数の小
さな対物レンズで絞ると必然的にレーザースポツ
トが大きくなり、高い分解能が得られず高精度な
位置合わせを行うことが難しくなる。
そこで特公昭56−1777号公報に示されているよ
うに二重焦点レンズを用いてレーザービームを大
きな開口数の対物レンズで絞り、マスクとウエハ
を別々に焦点合わせするという方法も考えられ
る。しかしながら単に二重焦点レンズを用いたの
ではマスク上のマークとウエハ上のマークとがレ
ーザビームの光束等と干渉してしまい、十分な精
度での位置合わせができないという欠点が避けら
れない。
また、高精度で位置合わせを行う為には、上記
の方式では走査機構に高精度が要求され、例えば
振幅100μmで走査し0.01μmの位置精度を得るに
は、走査機構に0.01/100=0.01%の精度が要求さ
れることになり、従来の捜査機構では高精度な位
置合わせには不十分であつた。
本発明は、マスクとウエハのように対面した2
つの平板の位置合わせを高精度で可能とする位置
合わせ装置を提供することを目的とする。
すなわち本発明の位置合わせ装置では、少なく
とも一方の平板が光透過性であると共に、位置合
わせ用の第1マークを有する第1平板と、位置合
わせ用の第2マークを有する第2平板とを対面さ
せて、両平板の相対的な位置を合わせる装置にお
いて、所定間隙で対面した第1平面上及び第2平
面上に各々結像すると共に、それら結像位置が前
記第1、第2平面の広がり方向に所定距離離れた
第1光束と第2光束とを射出する光束射出手段
と;第1平板と第2平板を対面させて、前記第
1,第2光束を光透過性の平板側から入射させた
とき、両平板上の各光束の結像状態に基づいて、
第1、第2平板が各々前記第1、第2平面と一致
するように制御する第1制御手段と;前記第1光
束が第1マークを照射し、前記第2光束が第2マ
ークを照射するように、第1平板と第2平板とを
前記第1、第2平面の広がり方向に相対的に変位
させるための第2制御手段とを備えてなるもので
ある。ひとつの態様において前記光束射出手段
は、前記第1、第2光束の波長において焦点深度
が前記第1平面と第2平面との所定間隙よりも小
さい対物レンズを有し、該対物レンズを介して前
記第1、第2光束を射出するようになされてい
る。
また前記光束射出手段は、前記第1,第2光束
を得るために、コヒーレント光束を偏光により2
光束に分離する偏光分離光学系と分離された2光
束の光路長を前記第1、第2平面の所定間隙に対
応して異ならせる光路長補正光学系とを備えてい
る。
前記第1制御手段は、第1、第2平板の各々に
照射された第1、第2光束の反射光を偏光によつ
て分離し、分離された各光束を個別に受光して、
第1、第2平板上に結像された第1、第2光束の
スポツト像の大きさを検出する一次元イメージセ
ンサーを含んでおり、一方前記第2制御手段は、
第1、第2平板の第1、第2マークからの光情報
を偏光によつて分離し、分離された光情報を個別
に受光して各マークを検出する光電検出器を含ん
でいる。
本発明を実施側面図と共に詳述すれば以下の通
りである。
第1図乃至第5図は本発明の実施例による位置
合わせ装置のアライメント光学系を示す光路図で
ある。
第1図において、レーザ光源1から射出したレ
ーザ光はビームエクスパンダ2、偏光板3 及び
1/4波長板4、を介して平行光束となり、円筒レ
ンズ5に入射する。このとき偏光板3と1/4波長
板4によつてレーザ光は円偏光となる。円筒レン
ズ5によつて、断面が細長い帯状光束に変換され
た光束は、振動ミラー6に達する。尚、円筒レン
ズ5の焦点位置は振動ミラー6の中心と一致して
いる。円筒レンズ5を射出したレーザ光束は振動
ミラー6の反射面上では紙面内に収束された帯状
スポツト光となる。すなわち、円筒レンズ5は第
1図の紙面内ではパワーをもたず、紙面と垂直な
方向にパワーを有する。振動ミラー6で反射され
た光束は第1図中、紙面と垂直な方向に広がり、
振動ミラー6の中心に焦点が一致するレンズ7を
通り、光束を紙面内でシフトする平行平板ガラス
HGを通つてビームスプリツタ8に達する。尚、
振動ミラー6は第1図の紙面と垂直に振動回転の
回転軸Cを有し、レンズ7に達する光束を紙面
内で上下に微小振動させる。また第2図は第1図
中のAA矢視部分の光路図であり、振動ミラー6
は全体が反射面ではなく、帯状スポツト光の断面
形状に合わせた細長い反射部6aと、透明部6b
とから構成されている。このように反射部6aを
細長くしたのは、レーザ光源1に戻り光が逆入射
(バツクトーク)しないようにするためである。
このバツクトーク防止は偏光板3と1/4波長板4
によつても行なわれる。
ここで、円筒レンズ5、振動ミラー6、及びレ
ンズ7によつて形成される各光束について詳述す
ると、第8図のようになる。第8図において円筒
レンズ5を射出した光束は、振動ミラー6の反射
面上で細長い帯状のスポツト光SPに収束される。
その後、スポツト光SPは一定の角度で広がり、
レンズ7に入射するときには、同図中、斜線部の
ようにスポツト光SPの長手方向と直交する方向
に延びた光束SP′となる。従つて、光束SP′が矢
印aのように微小振動するためには、スポツト光
SPの長手方向と直交する振動ミラー6の回転軸
Cを中心としてスポツト光SPを往復回転させ
ればよい。
さて、第1図の説明に戻つて、ビームスプリツ
タ8に入射した帯状光束は2つに分割されて、一
方の光束はウエハ照射用の光束BWとして1/2波
長板9を通りミラー10で反射されて、光路長補
正プリズム11を通つてビームスプリツタ12に
達する。またビームスプリツタ8で分割された他
方の光は、マスク照射用の光束BMとして、1/2
波長板13と、光束のシフトを行なうために傾斜
可能な平行平板ガラス14(以下、ハービングガ
ラス14とする)とを通り、ミーラ15で反射さ
れてビームスプリツタ12に達する。尚、本実施
例では、ビームスプリツタ8,12として、光電
信号のS/Nを向上させるために、光束を偏光に
よつて分離する偏光ハーフプリズムを用いるもの
とする。そして、この分離のために1/2波長板9,
13の後に、偏光方向が直交した偏光板9,1
3′を設ける。
さて、ビームスプリツタ12に入射した光束
BWとBMは再び1つの光束に合成され、合成さ
れた光束はレンズ16、ハーフミラー17を介し
てミラー18に達する。ミラー18はハーフミラ
ー17からの光束を紙面の下方へ反射するように
45°傾いて設けられている。また、ミラー15は、
ビームスプリツタ12で合成された光束BMの光
束中心が後述するウエハ上のアライメントマーク
とマスク上のアライメントマークとの所定のずれ
量に対応して、光束BWの光束中心に対して偏芯
するように設定されている。
さて、第3図はミラー18をB方向から見た
図、第4図はミラー18をC方向から見た図であ
り、対物レンズ19は合成された光束BM、BW
を各々マスク20のパターン面とウエハ21の表
面とに収束させ、各面上に細長い帯状のスポツト
光を結像する。マスク20とウエハ21との間隙
(いわゆるブロキシミテイ・ギヤツプ)をgとす
ると、対物レンズ19の焦点深度が、このギヤツ
プgよりも十分小さくなるように、その開口数が
大きく定められている。また、ギヤツプgは露光
装置によつて最適に定められる固有値である。そ
こで光束BM、BWが各々ギヤツプgだけ対物レ
ンズ19の光軸方向に離れた位置で、帯状スポツ
ト光結像されるように、光路長補正プリズム11
の2つの台形プリズム11a,11bを光軸に対
して垂直方向(第1図中、紙面内の上下方向)に
相対移動させて調整する。尚プリズム11a,1
1bを通る光束は円筒レンズ5の作用で、紙面内
ていは収束光となり、紙面と垂直な方向では平行
光束となる。また、レンズ7とレンズ16はアフ
オーカル系を構成するが、レンズ7の焦点位置に
は振動ミラー6の中心が一致し、レンズ16の焦
点位置には対物レンズ19の瞳19aが一致する
ように定められている。このため、光路長補正プ
リズム11の有無にかかわらず、振動ミラー6と
対物レンズ19の瞳19aとは光学的に共役とな
り、テレセントリツクな照射光学系が形成され
る。
このような構成された光束射出手段によつてマ
スク20、ウエハ21上に結像された帯状のスポ
ツト光が、各々マスク20上のアライメントマー
クとウエハ21上のアライメントマークとを照射
すると、各マークからは光情報として0次光を含
む回析光が生じる。また、マスク20とウエハ2
1上でマークのない平坦面であつても、反射光が
生じる。この光情報は対物レンズ19に逆入射
し、ミラー18、ハーフミラー17及びミラー2
2で反射されて、レンズ23に達する。レンズ2
3を通つた光情報の一部は、ハーフミラー24を
透過してレンズ25に達する。尚、レンズ23の
焦点位置は対物レンズ19の瞳19aと一致する
ように定められている。そしてレンズ2連とレン
ズ25とによつてアフオーカル系が形成され、そ
の平行な光路中にハーフミラー24が配置され
る。
なお、レンズ23に達する逆入射光束は第1図
の紙面内ではほぼ平行であり、紙面と垂直な方向
では収束光となる。従つて、レンズ23と25の
光路光は紙面と垂直な方向では平行光束となつて
いる。ハーフミラー24で反射された光情報は、
ハーフプリズム8,12と同様の偏光ハーフプリ
ズム26に入射する。偏光ハーフプリズム26は
マクス20からの0次光DMoとウエハ21から
の0次光DWoと偏光によつて2つに分離して、
各々CCD等の一次元イメージセンサー27と2
8の受光面に導びく。一次元イメージサンセー2
7,28は、マスク20上のスポツト光とウエハ
21上のスポツト光の大きさを検出するための光
電変換器である。第1制御手段はこの一次元イメ
ージセンサー27,28によつて、対物レンズ1
9の焦点位置に対するマスク20とウエハ21と
の位置ずれを検出し、マスク20とウエハ21と
を対物レンズ19の光軸方向(以下、Z方向とす
る)に相対的に移動させることによつて、スポツ
ト光をマスク20とウエハ21上に正確に合焦さ
せる。これはさらにギヤツプgの自動設定にも利
用することができる。
さて、レンズ25を通つたマスク20とウエハ
21とからの光情報はミラー29で反射されて、
0次光DMo,DWoをカツトし、他の次数の回折
光を透過する空間フイルター30に達する。空間
フイルター30を通つた1次以上の回折光は集光
レンズ31によつて集光されて、偏光ハーフプリ
ズム32に入射する。偏光ハーフプリズム32は
その回折光をマスク20からの回折光DMとウエ
ハ21からの回折光DWとに偏光により分離し
て、各々光源検出器33と34に導びく。
第5図は空間フイルター30、集光レンズ31
及び光電検出器34の配置と、0次元DWoと回
折光DWとの関係を示す図である。ここで空間フ
イルター30はレンズ25の焦点位置に配置され
る。このため対物レンズ19の瞳19aと空間フ
イルター30とは共役になり、空間フイルター3
0上には対物レンズ19の瞳像が結像する。尚、
空間フイルター30としては、スポツト光の形状
に合わせて0次元カツトのための細長い遮光部を
設けた透明板でよい。第1図の光学系の場合、ビ
ームスプリツタ8に入射したレーザ光束のうち、
偏光方向のP成分はビーユスプリツタ8を透過
し、S成分は反射する。もし、1/2波長板9,1
3がないと、光束BMはS成分となり、ミラー1
5で反射された後、ビームスプリツタ12で反射
されずに透過してしまう。一方、光束BWはP成
分となり、ミラー10で反射された後、ビームス
プリツタ12で透過せずに反射してしまう。そこ
で1/2波長板9,13を入れて光束BM,BWの
偏光方向をそれぞれ90°回転させ、第1図のよう
にビームスプリツタ12から図中左側に光束
BM,BWを合成して射出するようにしてある。
尚、ビームスプリツタ12から図中下方に光束
BM,BWを合成して射出する場合には、上記1/
2波長板9,13は不要となる。
次に、対物レンズ19によつて結像されたスポ
ツト光とマスク20、ウエハ21の各マークとの
関係について、第6図、第7図に基づき説明す
る。第6図aは第4図の拡大図であり、第6図b
は第3図の拡大図である。第7図は対物レンズ1
9の視野19b内でのスポツト光と各マークの配
置を示す。
さて、光束BWはその中心が対物レンズ19の
光軸と一致するように対物レンズ19に入射す
る。光束BWによる帯状のスポツト光WSは、マ
スク20の透明部分を通つてウエハ21上に形成
された幅5μm、長さ100μm程度の回折格子状パタ
ーンのマーク21aに結像される。一方、光束
BMによる帯状のスポツト光MSは、対物レンズ
19の光軸から水平方向に距離dだけ偏芯した位
置に結像し、マスク20に形成された幅5μm、長
さ100μm程度の格子状パターンのマーク20aに
結像される。また、スポツト光WSとMSは互い
に平行となるように定められ、その長手方向はマ
ーク20a,21aの格子の配列方向とも一致し
ている。さらにスポツト光WS,MSの幅はマー
ク20a,21aの幅とほぼ等しく定められてい
る。そして、スポツト光WS,MSは、その長手
方向と直交する方向に同時に振動する。尚、本実
施例では、この振動の振幅は、マーク20a,2
1aの幅と略等しく定められている。従つて本実
施例ではマーク20a,21aからの回折光
DM、DWは第6図bのように、スポツト光MS,
WSの長手方向に広がるような角度で対物レンズ
19に逆入射する。尚、スポツト光MS,WSの
幅に対する長さhを大きくすることによつて、マ
ーク20aとマーク21aの位置検出精度が向上
する。これは長さhが大きいと、回折光が多く生
じることになり、検出信号のS/Nが向上するか
らである。また、マスク20にはマーク20aの
平行に同様のマーク20bが形成されている。こ
のマーク20aと20bの間隔は、対物レンズ1
9の開口数とギヤツプgとによつて決まる光束
BWの光路を遮へいしないように定められてい
る。またマーク20bは実際には光電的なマーク
検出に寄与しない。しかしながら、マーク20a
と20bとの間隔が2dとなるようにマーク20
bを設けておけば、目視で位置合わせする際極め
て都合がよい。
また、第1図、第2図において、対物レンズ1
9に逆入射した0次の光束DMo,DWo及び回折
光DM,DWのうち、光束DMo,DWoはミラー
18,ハーフミラー17,ビームスプリツタ1
2,8を通つて振動ミラー6に達し、レーザ光源
1にバツクトークとなつて入射してしまう。そこ
で第9図に示すように、光束DMo,DWoが振動
ミラー6の透明部6bを通るように、レーザ光源
1からの帯状光束BM,BWと光束DMo,DWo
との光路をわずかにずらせる。このために本実施
例では第1,3,4図に示したミラー18を45°
からわずかに傾ける。具体的には、第3図に示し
たミラー18の位置を紙面内でわずかに回転させ
るようにする。このようにすると、第7図のスポ
ツト光MS,WSが共に視野19b内で若干長手
方向にシフトする。しかしながらこのシフトはス
ポツト光MS,WSの間隙dを変えるものではな
いので、マーク20a,21aの検出において何
ら誤差要因とはならず、精度を低下させることは
ない。
次に、本発明の実施例によるアライメント光学
系を備えたマスクとウエハの位置合わせ装置につ
いて、第10図を参照して説明する。第10図は
位置合わせ装置の構成を一部ブロツク図の形式で
示した模式図である。第10図において、ベース
50上にはウエハ21を2次元移動するためのス
テージ51が配置され、ステージ51は2次元駆
動手段52(以下、ACT52とする)によつて
ベース50上をxy平面(図中x方向と、これと
垂直な方向(紙面表裏方向)によつてできる面)
に沿つて移動可能とされている。このステージ5
1の座標位置はレーザ干渉計53によつて検出さ
れている。またステージ51上にはウエハ21を
載置するとともに、ウエハ21をステージ51に
対して微小回転させたり、傾けたり、あるいは
xy平面と垂直なz軸方向に上下動させたりする
ためのウエハホルダ54が設けられている。これ
はウエハホルダ54の各運動はステージ51に設
けられた駆動部55によつて行なわれる。またウ
エハホルダ54上にはアライメント光学系の校正
やマスク20とウエハ21のギヤツプgを検定す
るために、マーク20a,21aと同様の回折格
子状の基準マーク56(以下FM56とする)が
設けられている。
一方、ベース50から延びたコラム57の先端
にはマスク20の位置を調整するための駆動部5
8が設けられている。この駆動部58はマスク5
0を保持するマスクホルダ59を回転させたり、
z方向に上下動させたり、あるいは、傾かせたり
するように作動する。またマスク20の上方には
前述の対物レンズ19が位置するように、アライ
メント光学系60が配置される。アライメイト光
学系60はマスク20の上方に出し入れできるよ
うに駆動部61によつて矢印のように移動する。
また駆動部61はその出し入れの量も検出する。
尚、アライメント光学系60は第1〜4図全体の
構成を含むものとするが、出し入れのために対物
レンズ19,ミラー18,ハーフミラー17,レ
ンズ16,ミラー22,及びレンズ23のみを一
体として移動させるようにしてもよい。検出装置
62は、アライメント光学系60の内、すなわち
第1図の構成で一次元イメージセンサー27,2
8,光電検出器33,34の各光電信号を入力と
して受けとつて、マークの検出や焦点検出を行な
う。すなわち、一次元イメージセンサー27,2
8の出力信号に基づいてマスクやウエハ上のスポ
ツト像の大きさを検出するほか、光束BM,BW
のマスクやウエハ上の結像状態、すなわち位置ず
れを検出する。また検出装置62は第1図に示し
た平行平板ガラスHGの傾きも制御する。また
ACT52,レーザ干渉計53,駆動部55,5
8,61及び検出装置62は全体を統括制御する
マイクロ・コンピユータ等の制御手段63によつ
て制御される。本実施例ではこれら検出装置62
と制御装置63の各機能で第1と第2の制御手段
の役目を果たすようにしてある。
尚、第10図にはアライメント光学系が1つし
か表わされていないが、実際には第11図のよう
に3つのアライメント光学系60x,60y,6
0θがマスク20のまわりに配置される。第11
図で丸印で示されたアライメント光学系60x,
60y,60θは各々対物レンズ19の視野を表
わすものとし、各対物レンズ19は矢印のように
マスク20上に出し入れされる。またこの場合、
マスク20としては図中斜線部のようにストリー
トラインSLで区切られた4つの回路パターン領
域CP(以下チツプCPとする)が形成されたもの、
いわゆるマルチ・ダイのものが使用できる。そし
て、ストリートラインSL上のマスク20の周辺
部には、第7図で示したマーク20a,20bが
アライメント光学系60x,60y,60θの位
置に対応して3ケ所に設けられている。また、マ
スク20上のマーク20a,20bはマスク20
の中心から放射方向に延びるように定められてい
る。そして、3ケ所のマーク20a,20bは同
時に観察され、アライメント光学系60xはマス
ク20とウエハ21のx方向の位置を検出し、ア
ライメント光学系60yは同様にy方向の位置を
検出し、アライメント光学系60θは60yと共
にマスク20及びウエハ21の回転を検出する。
尚、3つのアライメント光学系60x,60
y,60θは各々第1図で示した一次元イメージ
センサ27,28を備えており、マスク20上の
3ケ所でマスク20とウエハ21とのギヤツプg
も検出する。
また第10図のFM56としては、第12図の
ようにxy方向のアライメントのために、各々xy
方向に延びた2つの格子状パターンを設けたもの
が使われる。さらに、FM56としては、レーザ
光の2つのスポツト光MS,WSの各結像位置に
対応するように第13図a,bのようなものとし
てもよい。この場合、2つの平行な格子状パター
ンは間隔dだけ離れており、かつギヤツプgに相
当する分だけ段差となるように配置されている。
このようなFM56を用いると、アライメント光
学系の校正やアライメント動作が極めて簡単にで
きるという利点がある。
さて、第10図において、検出装置62に組み
込まれた検出回路の一例を第14図により説明す
る。
第14図はマスク20のマーク20aを検出す
る回路のブロツク図である。尚、ウエハ21のマ
ーク21aの検出もほぼ同じ構成の回路で行なわ
れるので説明を省略する。
第14図において、マーク20aからの回折光
DMを受光する光電検出器33の出力信号はプリ
アンプ100に入力され、DMの光量に応じた電
圧信号として出力される。プリアンプ100の出
力信号は位相検波回路(PSD)101に入力さ
れる一方、コンパレータ103にも入力されて基
準電圧102と比較される。PSD101の出力
信号はローパスフイルタ(LPF)104に入力
され、LPF104からマーク20aとスポツト
光MSとの位置ずれに対応した直流レベル信号と
して出力される。
発振器(OSC)105は同一周波数の矩形波
信号S1と正弦波信号S2とを出力し、矩形波信号S1
はPSD101に基準信号として入力されてプリ
アンプ101の出力信号との位相差の検出に用い
られ、正弦波信号S2はパワーアンプ106で電力
増幅されて第1図の振動ミラー6の駆動信号に用
いられる。前記PSD101は一般的には乗算器
などで構成することができ、その出力信号にはリ
ツプル(高周波成分)が含まれるためLPF10
4で直流レベル信号のみとり出すようにするのは
前述の通りである。
コンパレータ103はプリアンプ101の出力
信号と基準電圧102とを比較してスポツト光
MSとマーク20aが概ね重なつたかどうかを判
定するものであり、この結果をもつて粗位置合わ
せに利用可能である。即ち第15図aに示すよう
に、振動ミラー6の振動を止めておき、マーク2
0aをスポツト光MSで走査すると第15図bに
示すようにスポツト光MSがマーク20aと一致
したときに最大の回折光が発生してプリアンプ1
00の出力信号の時間的変化にピークが現れる。
これを基準電圧102と比較することによりコン
パレータ103は第15図cに示す様なパルス信
号を出力する。
このパルス信号は「H」レベルである間はスポ
ツト光MSとマーク20aとが概ね重なつている
ことを示しており、これによりラフな位置合わせ
が達成可能である。尚、プリアンプ100の出力
信号をローパスフイルタを介してコンパレータ1
03に入力するようにすれば、振動ミラー6を振
動させたままでも同様のラフな位置合わせが果さ
れよう。
次に高精度の位置合わせを行なうためには、振
動ミラー6を振動させたままスポツト光MSをマ
ーク20aに対して走査する。このとき振動ミラ
ー6によつてスポツト光MSはマーク面において
微小振動するが、その振幅はほぼマーク20aの
幅に定められている。この場合のマーク20aと
スポツト光MSの様子および得られる信号波形を
第16図aおよびbに示す。すなわち第16図a
のようにスポツト光MSが微小振動しながらマー
ク20aを走査すると、LPF104の出力信号
は第16図bのようにSカーブ信号となる。つま
りスポツト光MSの中心とマーク20aの中心が
完全に一致したときにはプリアンプ100の出力
信号とOSC105の矩形波信号との位相差が零
となる。尚、厳密にはこのときのプリアンプ10
0の出力信号の周波数成分はOSC105の発振
周波数に対しては零となり、OSC105の発振
周波数の倍の周波数成分だけとなる。さらにこの
場合、マーク20aの中心Oに対して両側で位相
が反転した波形が得られ、従つてマーク20aの
中心とスポツト光MSの中心が完全に一致した状
態ではLPF104の出力は零となり、ずれてい
るときはその方向に応じてLPF104の出力に
正または負の信号が現われ、この零点合わせを行
なうことで極めて正確な位置合わせが達成され
る。
尚、ウエハ21上のマーク21aもスポツト光
WSによる光電検出器34の出力を全く同様の検
出回路で信号処理することで検出される。
次に本実施例による装置の全体的な動作を実際
の位置合わせ手順に従つて説明する。
まず、前述の如くウエハ20のマーク20aと
マスク21のマーク21aはスポツト光MS,
WSによつて位置合わせされるため、間隔dが正
確に決定されていないと位置合わせ誤差が生じ
る。この誤差を除くため高精度の調整によつて間
隔dを決定することもできるが、長期的安定性の
点では問題がある。従つて本実施例ではまず第1
に以下の方式によつて2つのスポツト光MS,
WSの間隔決定を行なう。
第17図はこの間隔決定の説明に必要な部分を
第10図から抜き出して示した模式図で、同一符
号は同一部分を示す。
はじめにステージ51を移動して第12図に示
した基準マーク(FM)56とウエハアライメン
ト用光束BWによるスポツト光WSとの位置合わ
せを行なう。このときスポツト光WSの焦点位置
とFM56の高さとが一致するように一次元イメ
ージセンサ28によつてフオーカス合わせを行な
う。またFM56との位置合わせは、光束BWの
中心とFM56の中心とが一致するように第14
図の回路を用いてステージ51を移動させて行な
う。このようにしてFM56の回折格子状パター
ンとスポツト光WSとが一致したら、次にプロキ
シミテイーのギヤツプgに相当する量だけウエハ
ホルダ54の上方に移動し、さらにマーク20a
と21aの所定の間隔dに等しい量だけステージ
51をマスクアライメント用の光束BM側に移動
する。この移動はレーザ干渉計53の測定値を読
み取りながら行ない、従つて1/100μmオーダーの
制御が可能である。
次にFM56の格子状パターンの中心にマスク
アライメント用の光束BMによるスポツト光MS
の中心が一致するように光束BMを移動する。光
束BMの移動は、第14図のLPF104のSカー
ブ信号の零点合わせをとりながら、第1図のハー
ピングガラス14の回転で行なう。
このような手順によつて2つのスポツト光MS
とWSとの間隔は、マスク20のマーク20aと
ウエハ21のマーク21aとの間隔dに正確に等
しく決定され、以後のマスク20とウエハ21と
の位置合わせはこの2つのスポツト光MSとWS
を基準として行なわれる。
尚、以上の手順に際してFM56として第13
図のものを用いるとステージ51の移動等の必要
がなくなり、その分だけ間隔dの設定が短時間に
済む。
また前述の手順に際してFM56を用いて第1
1図に示したアライメント光学系60yと60θ
の平行出しも行なう。すなわちアライメント光学
系60yのスポツト光の長手方向とアライメント
光学系60θのスポツト光の長手方向とを結ぶ線
分が、ステージ51のx方向と一致するように調
整する。
具体的には、アライメント光学系60yの光束
BWによるスポツト光WSがFM56と一致する
ようにステージ56を位置決めしたのち、ステー
ジ56をx方向に移動させて、FM56がアライ
メント光学系60θの直下にくるようにする。そ
して、アライメント光学系60θの光束BWによ
るスポツト光WSがFM56と一致するように、
アライメント光学系60θ中の対物レンズ19の
視野19b内でスポツト光WSとMSをy方向
(微小信号の方向)に変位させる。この変位は、
第1図で示したハーピングガラスHGを回転させ
て行なう。
以上のようにして、アライメント光学系60y
の検出中心(スポツト光の微小振動中心)と、ア
ライメント光学系60θの検出中心とを結ぶ線分
を、ステージ51のx方向の移動軌跡と一致(又
は平行)させる。
さて、以上のように2つのスポツト光MS,
WSの中心が間隔d,ギヤツプgに設定される
と、第10図のようにウエハホルダ54上にウエ
ハ21が載置され、マスクホルダ59にはマスク
20が支持される。尚、マスク20は一度ウエハ
ホルダ54上に載置された後、ウエハホルダ54
を上方へ(又はマスクホルダ59を下方へ)移動
させることによつてマスクホルダ59に受け渡さ
れる。
次に、第10,11図のようにアライメント光
学系60(60x,60y,60θ)がマスク2
0の上方にくり出される。このくり出される位置
は、マスク20上の3ケ所のマーク位置に対応し
ている。
こうして、各アライメント光学系60でマスク
20の3つのマーク20aを光束BMのスポツト
光MSにより検出して、スポツト光MSの微小振
動の中心が、マーク20aの中心と一致するよう
にマスクホルダ59を駆動部58によつて動か
す。このとき、アライメント光学系60の3カ所
の位置で、同時に焦点検出を行ない、その3ケ所
のマーク20aが共にスポツト光MSと合焦する
ように、マスク20の傾きも調整する。
このようにマスク20を各アライメント光学系
60からの光束BMに対して位置決めし、以後マ
スクホルダ59はその位置に固定される。
一方、ウエハ21にはマスク20のチツプCP
に対応したパターン領域がマトリツクス状に形成
されており、またストリート線上にはアライメン
ト用のマーク21aが形成されているものとす
る。
また、ウエハ21は通常平坦な切欠き部、すな
わちフラツトを有し、ウエハホルダ54に載置さ
れる時、ウエハ21はこのフラツトを用いてウエ
ハホルダ54上の所定位置に位置決めされる。こ
のため、ウエハ21内のパターン領域の配列が予
めわかつていれば、FM56からウエハ21内の
各パターン領域までの距離や方向は概ね求めるこ
とができる。それには、各アライメント光学系6
0の光束BWのスポツト光WSがFM56と一致
したとき、レーザ干渉計53によつてステージ5
1の座標値を計測して記憶しておけばよい。
そこで、そのFM56の座標値に応じてステー
ジ51を移動させて、マスク20のチツプCPの
直下にウエハ21のパターン領域が位置するよう
にする。これによりチツプCPとパターン領域と
は数十μm程度の誤差で位置合わせされる。
そして、3つのアライメント光学形60x,6
0y,60θによつてウエハ21上の3つのマー
ク21aの検出を開始する。
次に、第14図に示した処理回路で、ウエハ2
1上のスポツト光WSの振動中心とマーク21a
の中心とが一致するようにステージ51をxy平
面内で移動する。これによつて、ウエハ21上の
3ケ所のマーク21aとマスク20上の3ケ所の
マーク20aとが各々間隔dで位置合わせされ、
マスク20上のチツプCPとウエハ21上のパタ
ーン領域とが精密に重ね合わされる。
こうして、マスク20とウエハ21が位置合わ
せされると、アライメント光学系60が退避し、
マスク20の上方から露光用の照明光やx線等を
照射して、マスク20のパターンをウエハ21上
の感光層に転写する。ウエハ21の一部の領域に
転写が行なわれると、ステージ51は一定距離だ
け移動する。そして再びアライメント光学系60
がマスク20の上方の所定位置までくり出され
る。このくり出し位置は、光束BMのスポツト光
MSの振動中心がマスク20のマーク20aと一
致するように定められている。ところが、アライ
メント光学系60のくり出しは機械的に行なわれ
るため、機械的な位置ずれが生じてしまう。そこ
でアライメント光学系60を所定位置までくり出
した後、スポツト光MSの振動中心とマスク20
のマーク20aとが正確に一致するように、第1
図に示したハーピングガラスHGを回転させる。
その後、前述のようにウエハ21上のマーク21
aとスポツト光WSの振動中心とが一致するよう
にステージ51を移動して位置合わせを行なう。
このようにして順次露光してはステージ51を一
定距離動かすことを繰り返す、いわゆるステツ
プ・アンド・リピートによつて、ウエハ21上の
全領域にマスク20のパターンが転写される。
以上のように本実施例ではアライメント用のマ
ークとして回折格子状のパターンを使い、このマ
ークを帯状の細長いスポツト光で微小振動走査し
て、マークからの回折光を検出しているので、振
動中心とマークの中心とを正確に一致させること
ができる。しかも、スポツト光の振動振幅をマー
ク幅とほぼ等しくしたので、振動ミラー6の振動
も小さくてすみ、極めて高精度なアライメントが
達成される。また、マスク20とウエハ21は、
ギヤツプgよりも焦点深度の浅い対物レンズ19
から射出する間隔dだけ離れた2つの光束BM,
BWによつてマーク検出が行なわれるから、マス
ク20からの回折光とウエハ21からの回折光と
が互いに干渉することなく極めて高精度の位置決
めができる。さらに、光束BM,BWはレーザ光
を偏光によつて2つに分離され、回折光DM,
DWも偏光によつて2つに分離されたものである
から、アライメント動作中、ウエハ21を照射す
る光束BW中にマスク20のマーク20a位置し
たとしても、ウエハ21からの回折光DWの強さ
が低下するのみで、位置合わせ精度を低下させる
ことはない。
尚、上記実施例ではマスク20とウエハ21と
の位置合わせを、小領域の露光毎に行なつている
がこれに限られるものではない。例えばアライメ
ント光学系60y,60θの平行出しを行なつて
マスク20の位置を決めた後、ウエハ21上でx
方向に離れた2ケ所(例えばウエハ21の周辺付
近)にあるマーク21aをアライメント光学系6
0yで相互に検出するようにステージ51をx方
向に移動させて、ウエハ21の回転を検出しても
よい。そしてその回転量だけ、ウエハホルダ54
又はマスクホルダ59を相対的に回転させて、マ
スク20とウエハ21の相対位置を合わせ込むよ
うにした後、順次露光してもよい。いわゆるグロ
ーバル・アライメントのみで露光してもよい。ま
たウエハホルダ54又はマスクホルダ59を回転
させたとしても、その回転誤差は機械的な精度以
上には向上しない。そこでアライメント光学系6
0yでウエハ21上でx方向に離れた2ケ所のマ
ーク21aを交互に検出するとき、一方のマーク
21aを60yの検出中心に合わせたときのステ
ージ51のy方向の位置y1と、他方のマーク21
aを60yの検出中心に合わせたときのステージ
51の位置y2とから、σ=y1−y2/x(ただし、 xは2つのマーク21aのx方向の間隔)を計算
する。これによつてウエハ21上の2つのマーク
21aを結ぶ線分とステージ51のx方向の移動
軌跡との微小な傾き角σが検出できる。そこで、
ステージ51を露光するために歩進させる際、そ
の傾き角σに応じてステージ51をxy座標軸に
対して斜めに送るようにすれば、傾き角σ、すな
わちウエハローテーシヨンを補正したステツプ・
アンド・リピート露光ができ、高精度で高速度の
アライメントが達成される。また、第1図中のハ
ーピングガラスHGは3つのアライメント光学系
60x,60y,60θの全ての設けなくとも、
少なくともアライメント光学系60θに設けてお
けばよく、まつたく同様の効果が得られる。
次に本発明の第2の実施例について第18図に
基づいて説明する。
第18図は第14図の回路を変形したものであ
り、第14図と同様の作用、効果を有するブロツ
クには同一の番号をつけてある。ただし、第18
図の回路はウエハ21からの回折光DWを検出す
るのに適した実施例である。
さて、第18図の回路で第14図と異なる点
は、プリアンプ100の出力信号がローパスフイ
ルタ(LPF)200に入力された後、コンパレ
ータ103に印加される点である。コンパレータ
201にはLPF104の出力信号を入力して、
PSD101からのSカーブ信号の零クロス点を
検出する。アンドゲート202はコンパレータ1
03とコンパレータ201の出力信号を入力し
て、ウエハ21上のマーク21aの中心とスポツ
ト光WSの振動中心とが一致したときに検出パル
ス信号を出力する。カウンタ204は第10図の
制御手段63中に設けられ、レーザ干渉計53か
ら得られる干渉縞を計数するとともに、アンドゲ
ート202からの検出パルス信号の立上りでの計
数値をラツチして出力する。
さて、このような構成で微小振動するスポツト
光WSに対してステージ51を振動させ、第19
図aのように、マーク21aを矢印のように走査
すると、LPE104は第19図bのようにSカ
ーブ信号を出力する。一方、LPF200は第1
9図cのようなピーク信号を出力し、コンパレー
タ103の出力信号は基準レベル102と比較さ
れて、第19図dのようなパルス信号となる。ま
たコンパレータ201は第19図eのようにSカ
ーブ信号の正極性のみハイ・レベルとなるパルス
信号を出力する。従つてアンド・ゲート202は
第19図fのようなパルス信号を出力し、その立
上りはSカーブ信号の零クロス点あるいは、
LPF200のピーク信号の最大点に一致してい
る。このように、アンド・ゲート202の検出パ
ルス信号の立上りでカウンタ204の計数値をラ
ツチすると、スポツト光WSの振動中心とマーク
21aの中心とが一致したときのステージ51の
位置、すなわちマーク21aの位置が求められ
る。その後、ラツチした計数値にするようにステ
ージ51を戻せば、正確なアライメントが達成さ
れる。この第2の実施例によればスポツト光WS
に対してマーク21aを一度通過させるだけで、
後はレーザ干渉計53の計測値によつて位置合わ
せができるから、高速のアライメントが可能とな
る。さらに、PSD101のSカーブ信号の零ク
ロス点のパルス信号と、回折光DWの光強度に対
応したパルス信号とのアンドによつて、マーク2
1aの中心の位置を検出しているため、ステージ
51を走査するとき、ことさら等速度に移動させ
なくても正確な位置検出ができる。
もちろん、この第2の実施例はウエハ21上の
マーク21aの検出のみに有効なのではなく、
FM56を用いた2つのスポツト光MS,WSの調
整の際にも極めて有効である。
尚、本発明の各実施例では、第7図のように2
つのスポツト光MS,WSが対物レンズの視野1
9b内で平行に並ぶように位置させた場合を述べ
ている。しかしなから、マスク20とウエハ21
との一方向の位置決めのためには2つのスポツト
光MS,WSは単に長手方向が一致しさえすれば
よいから、例えば第20図aのように、2つのス
ポツト光MS,WSの中心が一直線上になるよう
にしてもよく、また第20図bのように一直線上
の位置から左右(長手方向と直交する方向)にず
らしてもよい。もちろん、アライメント用の各マ
ークは、このスポツト光MS,WSの位置に合わ
せて、マスク20上やウエハ21上に設けておけ
ばよい。
また各実施例において2つの光束BMとBWは
マスクやウエハ上に垂直に照射させているが、こ
れも必ずしもそうする必要はなく、2つの光束の
結像位置がマスクとウエハのギヤツプgだけ間隙
方向に離れ、この方向と垂直なマスクやウエハの
面方向に所定間隔dだけ離れていれば、2つの光
束の入射角は0°である必要はない。さらにスポツ
ト光の形状も帯状に限らず円形であつてもよいこ
とは述べるまでもない。
以上のように本考案によれば、2つの対面する
平板の各々に、ギヤツプg,間隔dとなるように
スポツト光を結像させ、両平板からの光情報に基
づいて、2つの平板の相対位置(間隙方向と、そ
の方向と垂直なアライメント方向)を制御するの
で、両平板からの光情報は互いに干渉し合うこと
がなく、極めて高精度な位置合わせができる。ま
た、2つのスポツト光を各平板に独立に結像させ
るので、スポツトサイズも極めて小さなものとな
り、アライメントが高精度になるとともに、2つ
の平板を高速に位置合わせできる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る位置合わせ装置
のアライメント光学系を示す光路図、第2図、第
3図、第4図、および第5図はそれぞれ第1図中
の要部の部分光路図、第6図aは第4図を拡大し
て示した光路図、第6図bは第3図を拡大して示
した光路図、第7図は対物レンズの視野内でのス
ポツト光とマークの位置関係を示す説明図、第8
図は振動ミラー部分での光束の様子を示す模式説
明図、第9図はレーザー光源へのバツクトーク防
止のための振動ミラーの工夫を示す模式説明図、
第10図は本発明の装置構成の一例を一部ブロツ
ク図の形式で示す模式図、第11図はアライメン
ト光学系のマスク、ウエハに対する配置例を示す
模式平面図、第12図は基準マークの一例を示す
拡大平面図、第13図a,bは基準マークの別の
例を示す拡大平面図および正面図、第14図は検
出回路の一例を示すブロツク図、第15図aは振
動ミラーを振動させないで位置合わせする際のマ
ークとスポツト光との様子を示す模式図、第15
図b,cは前図の場合の検出信号を示す波形図、
第16図aは振動ミラーを振動させて位置合わせ
する際のマークとスポツト光との様子を示す模式
図、第16図bは前図の場合の検出信号を示す波
形図、第17図は2つのスポツト光の間隔決定の
説明のために第10図から一部を抜き出して示し
た模式図、第18図は別の実施例に係る検出回路
のブロツク図、第19図aは前図の例による場合
の位置合わせにおけるマークとスポツト光との様
子を示す模式図、第19図b,c,d,e,fは
前図の場合の検出信号を示す波形図、第20図
a,bは対物レンズ視野内での2つのスポツト光
の配列のそれぞれ別の例を示す説明図である。 1……レーザー光源、6……振動ミラー、8,
12……ビームスプリツタ、11……光路長補正
プリズム、19……対物レンズ、20……マス
ク、21……ウエハ、20a,21a……マー
ク、27,28……一次元イメージセンサ、30
……空間フイルター、33,34……光電検出
器、51……ステージ、52,53……ステージ
駆動部、54……ウエハホルダ、55……ウエハ
駆動部、58……マスク駆動部、59……マスク
ホルダ、60,60x,60y,60θ……アラ
イメント光学系、62……検出装置、63……制
御装置、100……プリアンプ、101……位置
検波器、103,201……コンパレータ、10
4,200……ローパスフイルタ、105……発
振器、106……パワーアンプ、202……アン
ドゲート、204……カウンタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 少なくとも一方の平板が光透過性であると共
    に、位置合わせ用の第1マークを有する第1平板
    と、位置合わせ用の第2マークを有する第2平板
    とを対面させて、両平板の相対的な位置を合わせ
    る装置において、所定間隙で対面した第1平面上
    及び第2平面上に各々結像すると共に、それら結
    像位置が前記第1,第2平面の広がり方向に所定
    距離離れた第1光束と第2光束とを射出する光束
    射出手段と;第1平板と第2平板を対面させて、
    前記第1、第2光束を光透過性の平板側から入射
    させたとき、両平板上の各光束の結像状態に基づ
    いて、第1、第2平板が各々前記第1、第2平面
    と略一致するように制御する第1制御手段と;前
    記第1光束が第1マークを照射し、前記第2光束
    が第2マークを照射するように、第1平板と第2
    平板とを前記第1、第2平面の広がり方向に相対
    的に変位させるための第2制御手段とを備えたこ
    とを特徴とする位置合わせ装置。 2 前記光束射出手段は、前記第1、第2光束の
    波長において焦点深度が前記第1平面と第2平面
    との所定間隙よりも小さい対物レンズを有し、該
    対物レンズを介して、前記第1、第2光束を射出
    するようにしてなることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載の位置合わせ装置。 3 前記光束射出手段は、前記第1、第2光束を
    得るために、コヒーレント光束を偏光により2光
    束に分離する偏光分離光学系と;分離された2光
    束の光路長を前記第1、第2平面の所定間隙に対
    応して異ならせる光路長補正光学系とを備えるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の位
    置合わせ装置。 4 前記第1制御手段は、第1、第2平板の各々
    に照射された第1、第2光束の反射光を偏光によ
    つて分離し、分離された各光束を個別に受光し
    て、第1、第2平板上に結像された第1、第2光
    束のスポツト像の大きさを検出する一次元イメー
    ジセンサーを含むことを特徴とする特許請求の範
    囲第3項に記載の位置合わせ装置。 5 前記第2制御手段は、第1、第2平板の第
    1、第2マークからの光情報を偏光によつて分離
    し、分離された光情報を個別に受光して各マーク
    を検出する光電検出器を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第3項に記載の位置合わせ装置。
JP58005184A 1983-01-14 1983-01-18 位置合わせ装置 Granted JPS59132126A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58005184A JPS59132126A (ja) 1983-01-18 1983-01-18 位置合わせ装置
US06/570,189 US4636626A (en) 1983-01-14 1984-01-12 Apparatus for aligning mask and wafer used in semiconductor circuit element fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58005184A JPS59132126A (ja) 1983-01-18 1983-01-18 位置合わせ装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1234596A Division JPH02191314A (ja) 1989-09-12 1989-09-12 パターン検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59132126A JPS59132126A (ja) 1984-07-30
JPH0427683B2 true JPH0427683B2 (ja) 1992-05-12

Family

ID=11604142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58005184A Granted JPS59132126A (ja) 1983-01-14 1983-01-18 位置合わせ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59132126A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6262519A (ja) * 1985-09-13 1987-03-19 Canon Inc 位置検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59132126A (ja) 1984-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4636626A (en) Apparatus for aligning mask and wafer used in semiconductor circuit element fabrication
US5151750A (en) Alignment apparatus
US5004348A (en) Alignment device
JPH06188176A (ja) ギャップ制御装置及びギャップ制御方法
JPH08167559A (ja) アライメント方法及び装置
WO1998057362A1 (en) Sensor and method for sensing the position of the surface of object, aligner provided with the sensor and method of manufacturing the aligner, and method of manufacturing devices by using the aligner
JPH0455243B2 (ja)
JPH05243118A (ja) 位置検出方法及びそれを用いた位置検出装置
JPH0429213B2 (ja)
JP2906433B2 (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
JPH0427683B2 (ja)
JP2808595B2 (ja) 位置検出装置及び該装置を用いた投影露光装置
JPH02272305A (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JP3199042B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び露光方法
JPH07283110A (ja) 走査露光装置
JP7684163B2 (ja) 計測装置
JPH09138110A (ja) 回折格子を用いた位置合わせ方法およびその装置
JPS59132125A (ja) 位置合わせ装置
JP2814521B2 (ja) 位置検出装置
US4685805A (en) Small gap measuring apparatus
JPH11121351A (ja) 焦点位置検出装置のビーム調整法
JPH0340417A (ja) 投影露光装置
JPH0581358B2 (ja)
JPH1126359A (ja) 面位置検出装置、該装置を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
JPH0469508A (ja) 非接触式形状測定装置及び形状測定法