JPS6262519A

JPS6262519A - 位置検出装置

Info

Publication number: JPS6262519A
Application number: JP60201492A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kaneda; 実金田; Ichiro Ishiyama; 一郎石山; Hideki Ine; 秀樹稲; Kazumi Yajima; 矢島　和巳
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-09-13
Filing date: 1985-09-13
Publication date: 1987-03-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［技術分野］本発明は、半導体焼付は装置のフォトマスクとウェハの
相対的アライメントのための位置検出、あるいはウェハ
検査装置のウェハの絶対アライメントのための位置検出
もしくはウエハブローバのスクライブライン検出等に使
用される高精度の位置検出装置に関する。

［従来技術］二物体の相対位置合せに適した方法は特開昭５３−９０
８７２や９１７５４号で知られている。

例えばアライメントマーク・パターンを有する半導体製
造用フ第１へマスクとウェハを微小間隙を置いて、また
は投影光学系を挾んで配置し、フォトマスクとウェハの
マーク・パターンをスポット状または線１べのレーずビ
ームで走査し、各マーク・パターンの相対位置を検出す
ることでマスクとウェハの位置ずれを測定する。

第４図（Ａ）はオートアライメントマーク・パターン（
以下、ＦＡＡパターン」と略称する）の縁を形成する段
差を示し、同図（Ｂ）、（Ｃ）は段差で得られるフォト
アライメント信号（以下、ＦＡＡ信号」と略称する）を
示す。同図（Ａ）はウェハの断面を拡大視しており、１
．２は段差で、Ｗはウェハであり、レーザビームを図面
に平行に走査すると、レーザビームは段差１．２のエツ
ジで回折散乱する。不図示の受光系で回折散乱光を受光
し、これを電気信号に変換したものを同図（Ｂ）に示し
ており、段差１と２によるパルスが１′と２′である。

これを所定のしきい値Ｖで制限し、二値化して整形した
パルスが１″と２″である。このパルスを、不図示のマ
スクからの信号あるいは受光系内の基準と比較すること
で、アライメントを完了させるのに必要な誤差信号を測
定できる。

ところで半導体焼付は工程ではアライメント完了侵、マ
スクを照明してマスクの実素子パターンをウェハに転写
するが、位置検出の時に既にウェハ上にフォトレジスト
が一様に塗布されており、この様な透光層を通してＡＡ
パターンを検出する場合、透光層の影響を無視できない
ことがわかって来た。例えばＡＡパターンのエツジ部か
らの信号の幅が、フォトレジストを塗布する以前より広
がる現象が発生し、これは信号検出精度を低下させる。

第５図はこの現象の発生原因を考慮したものである。同
図（Ａ＞において、フォトレジスト３が段差１のエツジ
を覆う様に塗布されているものとし、段差１に従ってフ
ォトレジスト３の表面は右下がりに傾斜している。上述
した公開特許公報に提案した暗視野下の走査方法では、
走査用のレーザビームをウェハＷの表面に対して垂直に
入射させる。従ってエツジが無い時には入射光は鏡面反
射し、入射した４の領域を再び戻って行く。一方、パタ
ーンのエツジがある時には入射光は散乱、回折し、広く
５〜６の領域にまでまたがった角度で反射し、広がる。

位置−合せ受光系（アライメントスコープ）の瞳面で空
間周波数フィルタリングすることにより領域４で示され
る鏡面反射による直接反射光（エツジで回折されていな
い反射光）を塞ぎエツジからの光５．６を透過させ光電
検出器に導く事ができる。従来公知の方法はこの様にし
て散乱光を検出器に導き、ＡＡ倍信号して用いていた。

ここでフォトレジスト３が塗布されている事によるエツ
ジ検出の影響について考える。フォトレジスト３が斜め
に塗布されている事で、例えばレーザビーム７．８はウ
ェハＷの真のエツジには当らない所でもレジスト面の屈
折作用で方向を曲げられ、領１１５あるいは６の方向に
向う様になる。

このため第５図（Ｂ）に示す様なフォトレジスト３塗布
前のＡＡ倍信号、塗布後は同図（Ｃ）に示す様に信号幅
が広がってしまう。この信号幅の広がりはフォトレジス
ト３の塗られ方によって変化するので各ＡＡマークのエ
ツジ部での信号の幅の変動はエツジの位置検出の際重大
な誤差要因となる。

従って検出器へ入射する光のうちから有害光を除去する
ことになるが、−回の走査中に信号光と有害光の検出面
上への入射位置が変化するため、検出面金分割して別々
の検出器へ導き、信号光の入ｒ：Ａする検出器の信号を
順次取出すのが現実的である。この検出器を分割測光す
るのは上述の現象に限らず塵埃や蒸着物質の屑で散乱し
た有害光を識別する場合等にも有効である。

また、フォトレジスト３が塗布されている事によるエツ
ジ検出の影響として、アラクメン１−光として使用する
レーザビームの波長が焼付光のそれと略同−である場合
、ウェハの処理工程によってはウェハに塗布されるフォ
トレジスト３がアライメント光を吸収するものや、多層
膜で構成されているものがあり、そのようなウェハ処理
工程においてはＡＡパターン゛のエツジ部からの反射光
は極めて微弱であり、エツジ検出不能となる欠点がある
。

［発明の目的］本発明の目的は、従来例の問題点に鑑み、位置検出装置
において、その検出性能の向上を計ることである。

上記目的を達成するため本発明では被検出物体からの回
折光の方向に合わせて、その受光位置に複数個の光電子
増倍管を配置し、各々の回折光の方向に対応して電気信
号を取り出した後、必要な信号のみを選択く処理）する
。また、被検出物体からの回折光を受光するための受光
系の光路中に光量調整装置を設け、回折光の強度変動を
ある範囲内に納めることによって検出する信号の安定化
を計り、さらに検出性能の向上を達成するものである。

以下、図面に従って前述のフォトレジスト層で信号幅が
広がる減少に対処する方法を説明し、その後で本発明の
詳細な説明する。

［信号幅が広がる現象に対処する方法］以下、図面を用
いて本発明の係る一実施例について説明する。

第５図（Ａ）に示すエツジ１を再び例として参照する。

入射光線７，８について考えるとフォトレジスト３によ
る影響は次の様な２つの現象に分解される。その１つは
７’　、８’で示され、フォトレジスト３を透過して、
ウェハ基板で反射し、フォトレジスト３を透過して行く
直接反射光である。もう１つはフォトレジスト３表面で
表面反射する光７　ｎ　、　８／Ｉである。良く知られ
ている様にフォトレジスト３と空気の界面での反射率は
４％而面と著しく小さく、殆どの光は直接反射光成分７
’　、８’　と考えて良い。一方エッジで散乱、回折さ
れる光は中心光線１００で示される様に広い範囲の角度
にわたって広がる。従って従来、領域５゜６で示される
光を一括してとってきたのであるが、この方式をそのま
ま使用している場合、第５図＜Ｃ）の様にパルス幅を大
きくしてきた主要因は透過反射光成分７’　、８’であ
る事がわかる。この７’　、８’　は反射してから進む
方向が領域５の方向である。従ってこの時従来検出して
いた領域５の光を無視し、領域６からの光のみを検出す
れば、エツジに対応したＳ／Ｎの良い信号が得られる事
になる。

なお、第５図（Ａ）のエツジは高い方から低い方への段
差の場合であるが、第６図の例は低い方から高い方への
段差のエツジの場合である。この時パルス幅を広げる主
要因となる透過反射光９′は反則した後右側の方向へ進
むため、領域６′に入る光に対応する。この場合には第
５図の場合と逆に領域５′の方の回折光を検出信号光と
する事によってエツジとの対応の良い信号を得る事がで
きる。

以上の要求を実現するための系を第７図に示す。

図中、ＡＳはレーザ光源と光走査器から成る周知の走査
光学系で、光源はレーザ以外のものも、可視不可視を問
わず使用でき、光走査器は回転多面鏡、ガルバノミラ−
１音響光学素子等種々のものが使用できる。左段差１と
右段差２はＡＡパターンを構成する。マスクとウェハの
相対アライメン１−の場合ウェハＷから若干離れてマス
クが配置されるが、マスクの検知については従来と同様
であるからこれを省略した。１０は顕微鏡対物レンズ、
１１はコンデンサレンズである。１２は空間周波数フィ
ルタで、不透明部１５と透明部１３と１４を持つ。１６
は投影光路と受光光路を分岐させるハーフミラ−で、Ｄ
は対物レンズ１１の焦点面に設けた絞りである。

走査光学系Ａｓを発したビーム（斜線を施しである）は
萌後２つの走査時間におけるものを同時に描いている。

レーザビームがフォトレジスト３の塗布されたウェハＷ
を走査し、段差１と２に入射すると、段差から回折した
光５．６．５’　。

６′は走査光学系Ａｓの瞳面すなわち検出面に置かれた
空間周波数フィルタ（以下、「フィルタ」と略称する）
１２の透明部１３．１４を透過する。被走査部に段差が
ない時の反則光はフィルタ１２の不透明部１５により遮
ぎられる。図示しである様にフィルタ１２は走査面に対
してフーリエ変換面＜　１１１面）に配置しであるので
被走査面から反射してくる角度成分が等しいもの（例え
ば回折光５と５′、回折光６と６′　）はフィルタの同
じ部分を通過する。

第７図では回折光５．５′は透明部１４、回折光６゜６
′は透明部１３をそれぞれ通過することになる。

第５図（Ａ）および第７図で示した様にレジストによる
段差部からの直接反射光は、段差１では、回折光５の中
に、段差２では回折光６′の中に含まれてしまう。この
ためフィルタ１２において、段差１の信号としては透明
部１３からの光のみを、段差２の信号としては透明部１
４からの光のみを検出することにより段差部の検出を高
精度に行なうことが可能となる。

第８図は△Ａパターンの１例を示し、ＡＡパターンを構
成するマークエレメント１７と１８は走査線ＳＬに対し
て４５°と一４５″を成している。レーザビームのスポ
ット状または線型の照明域は走査線ＳＬに沿ってＡＡパ
ターンを走査する。この時、４つの段差による回折光は
矢印２１．２１’　、　２２゜２２’　、　２３．２３
’　、　２４．２４’　に示される方向に回折される。

このＡＡパターンでは段差のエツジが走査線に対して斜
の方向性を持つため、回折光は走査線に対して斜方向く
エツジの線に垂直方向）へ進む。

そしてＡＡパターンがウェハ表面から突出しているか窪
んでいるかによってレジスト表面の傾きが異なるから、
段差近傍で反射し、レジスト層で屈折された透過反射光
の方向は異なる。第９図（Ａ＞は四部で△Ａパターンを
作成した場合、同図（Ｂ）は凸部でＡＡパターンを作成
した場合である。図中の矢印は直接反射光がレジスト層
で屈折された進む方向を指示しており、例えば同図（Ａ
＞の左端の段差では２１の方向へ進み、同図（Ｂ）では
２１′　の方向へ進む。

従って、ウェハ上にＡＡパターンを作成する際に、凹形
にするか凸形にするかを決定すれば、各段差ごとの直接
反射光の進む方向、従ってＡＡパターンからの光のうち
、どの領域に混入されるか予測できることになる。

第１０図は瞳面に配置したフィルタ１２の平面形態を描
いており、１３．１３’　、　１４．１４’　は回折光
を透過させる透明部で、括弧で囲んだ番号は、第８図の
矢印に付した番号と対応し、その方向の光がその透明部
を通過する。

第１図の装置では、フォトレジスト３で屈折された直接
反射光を取り込まないように、フィルタの透明部１３．
１４．１３’　、　１４’のうちの１つからの光を検出
する。すなわち第９図（Ａ）の凹形ＡＡパターンの場合
、この図に矢印を書いた回折光を取りこまない様に、レ
ーザビームが走査される段差の順序に従って１３’　−
１３−１４’　−１４の透明部の順に回折光を取り込む
ことにより、正規のＡＡ倍信号形成することができる。

また第９図（Ｂ）の凸形ＡＡパターンの場合、１３−１
３’−１４−１４’の透明部の順に回折光を取り込むこ
とにり、正規のＡＡ倍信号形成することができる。この
様にＡＡパターンの凹凸に応じて瞳面を透過する光を選
択検出することで正規のＡＡ倍信号得られる。後述する
が、ＡＡパターンからの光を選択する場合、各透明部に
対して独立の光電子増倍管を設け、各透明部を通過する
光を選択する。

第８図に形状を示すＡＡパターンで、凹形と凸形で形成
した場合の透明部１３．１４．１３’　、　１４’（第
１０図）を通過した信号を第１１図（凹形）と第１２図
（凸形）示す。第１１図（Ａ）は透明部１３の信号に対
応し、同図（Ｂ）は１４の信号に、同図（Ｃ）は１３′
の信号に、そして同図（Ｄ）は１４′の信号に対応し、
第１２図（Ａ）は１３の信号に、同図（Ｂ）は１４のＩ
ｇ　ｌに、同図（Ｃ）は１３′の信号に、そして同図（
Ｄ）は１４′の信号に対応する。

第１１図において、（Ａ）、（Ｃ）に、第８図左下のマ
ークエレメント１７のエツジからの回折光がそれぞれ２
１．２２と２１’　、　２２’　として取り込まれる。

ＡＡパターンの回折方向はエツジの方向により定まって
いるため、この時には透明部１４と１４′（第１０図）
からの光は検出されない。次に右下りのマークエレメン
ト１８のエツジからの回折光が透明部１４と１４′　を
透過して第１１図の（［３＞、（Ｄ）に２３’　、　２
４’　と２３．２４として取り込まれる。そして（Ａ）
〜（Ｄ）までの信号２１’　、　２２．２３．２４’を
合成して図（Ｅ）に示す信号を作り、これを基に演Ｈす
れば良い。凸形のＡＡパターンの場合も同様にしで　直
接反ｑ４光を避け、第１２図（Ｅ）に示す様に２１．２
２’　、　２３’−、２４の合成信号を基に演算すれば
良い。

［実施例］以下、本発明の詳細な説明する。第１図は、第７図のコ
ンデンサーレンズ１１以降の構成例を示す。第１図（Ａ
）は空間周波数フィルタ１２の透明部１３と１４をプリ
ズム３３と３４でそれ−ぞれ独立の光路に結合し、光電
子増倍管３５と３６へ導出する例である。同図（Ａ＞に
はフィルタ１２の２つの透明部に対応するプリズム３３
．３４と光電子増倍管３５．３６Ｌ。

か示されていないが、同図（Ｂ）に示すように、同図（
Ａ）の紙面と直交する方向にも同様のプリズム３３’　
、　３４’　と光電子増倍管３５’　、　３Ｂ’を設け
るものとし、空間周波数フィルタ１２の４つの透明部１
３．１４．１３’　、　１４’　はプリズム３３．３４
．３３’　。

３４′を介して、それぞれ独立に光電子増倍管の受光域
３５ａ　、　３６ａ　、　３５ａ　’　、　３６ａ　’
　に導出される。

また、本実施例においては被検出物体から来る回折光の
強度を安定化している。この安定化調整は、モータ４６
で偏光板４３を回転させ、透過率を変化させることによ
り行なう。

モー／；４６の駆動のは次の様な方法で与えられる。

すなわち、被検出物体からの回折光をハーフミラ−４１
で分岐させ、光電変換素子４２で受光し、該光電変換素
子４２の電気信号出力が光量検知回路４４に送られ七−
夕４６は、光量検知回路４４およびモータ駆動回路４５
からの制御出力によりＡＡ信号出力が最適になる様駆動
される。また、モータ４６の駆動ωは、光電子増倍管３
５．３５’　、　３６．３６’からの電気信号出力を光
量検知回路４４に送ることでも制御可能であり、その際
には、ハーフミラ−４１および光電変換素子４２は省略
できる。

また、被検出物体からの回折光の光ｍが極めて微弱な場
合には、偏光板４３を扇形に切欠いておくことにより、
簡単な構造で回折光を全て光電子増倍管３５．３５’　
、　３６．３６’　に取込むことができる。

なお、前記実施例゛では、被検出物体からの回折光の光
■調整手段として偏光板４３を用いたが、透過率が徐々
に変化するＮＤフィルタを変位間を変えて挿入してもよ
いことは勿論である。

第２図は本発明をステッパー型の半導体焼付装置に適用
した例を示す。

図中、５０はマスク、５１はウェハで、投影レンズ５２
はマスク５０の像をウェハ５１上に等倍または縮小投影
する。またアライメント光と露光光を別波長先にした場
合は、アライメント時にλ／４板５２ａを装着し、露光
時はレンズ５２ｂを交換的に装着する。レンズ５２ｂは
波長を異ならせたことによるピントのずれを補償し、λ
／４板は偏光方向によってマスク反射とウェハ反射を分
けるために設ける。

なお、アライメント光と露光光が同一波長である時また
は投影レンズ５２が２波長補正されている時は、レンズ
５２ｂは不要となり、λ／４板５２ａを固設する。

マスク５０とウェハ５１には、第３図に示すＡＡパター
ンを各２個ずつ設ける。例えば実線のエレメントをウェ
ハに、破線のエレメントをマスクに設ける。

５３はレーザ光源で、紙面に垂直方向に直線偏光してい
るものを使用する。５４はポリゴンミラーで等速回転す
る。５５はｆ−θレンズで、レーザビームを等速走査す
るのに役立つ。５６は観察系であり、５７はビームスプ
リッタである。５８は走査範囲分割プリズムで、このプ
リズムはビームの一回の走査の前半と後半を２つのＡＡ
パターンのそれぞれに充当する。以下の系は左手系と右
手系が対称であるから同じ番号を付ける。

５９は偏光ビームスプリッタで、直線偏光状態に応じて
反射と透過に分ける作用を持つ、６０は光路を曲折させ
るための反射部材、６１は集光レンズ、４１はハーフミ
ラ−１４２は光電変換素子でウェハから来る光の強度を
モニタする。４３はウェハから来る光の強度を調整する
ための偏光板、４４は光量検知回路、４５はモータ駆動
回路、４６は偏光板４３を回転させるためのモータであ
る。６２は第１０図に示すようなフィルタで瞳面に配さ
れ、その透明部はＡＡマークからの回折光の方向に合わ
せて設定する。

ら３はプリズム、４７は光電子増倍管である。プリズム
６３はフィルタ６２の透明部を独立の光路に結合し、光
電子増倍管４７は本図では２個しか示されていないが、
第１図（Ｂ）に示すように、フィルタ６２の透明部に対
応してそれぞれ配置するものとし、ウェハ５１から来る
回折光を受光する。６４は反射率の小さな半透鏡、６５
は偏光ビームスプリッタ、６６はコンデンサーレンズ、
６７は観察用光源である。６８はリレーレンズ、６９は
反射部材、７０は空間周波数フィルタ、７１は集光レン
ズ、７２は受光素子で、マスク５０からの反射光を受光
する。１３は顕微鏡対物レンズ（以下、「対物レンズ」
と略称する）で、マスク５０とウェハ５１とのＡＡマー
クを見込む位置にセットされている。

以上の構成で、レーザ光源５３からのレーザビームはポ
リゴンミラー５４へ入射してここで走査される。振れ走
査されたレーザビームはｆ−θレンズ５５で平行走査に
変換された後、ビームスプリッタ５７を透過してプリズ
ム５８へ入射し、例えば始めプリズム５８の左斜面で反
射して左側へ向い、途中から右斜面で反射して右側へ向
う。プリズム５８で反射したビームは偏光ビームスプリ
ッタ５９で反射し、半透鏡６４を透過して対物レンズ７
３へ入射してマスク５０上に集光され、さらに投影レン
ズ５２を介してつ１ハ５１上に集光され、両者を走査す
る。まずマスク５０のＡ△パターンで反ｍされた光は対
物レンズ７３へ入用し、続いて半透鏡６４で反射する。

その際、半透鏡６４を透過した光は、ウェハ検出用の光
電ｒ増倍管４７へ向うが、この光は図面に垂直な直線偏
光であるから偏光ビームスプリッタ５９で阻止される。

半透鏡６４で反射した光は偏光ビームスプリッタ６５へ
入射し、マスク５０で反射し図面に垂直な直線偏光は反
射するが雑音（後述するウェハ５１で反射し図面に平行
な直線偏光）は阻！トされる。

反射光はリレーレンズ６８と反射部材６９を経た後、直
接反射成分はフィルタ７０で遮断され、ＡＡパターンで
散乱された成分は集光レンズ７１で集光されて受光素子
７２に入射し、マスク側のＡＡ倍信号なる。

次にマスク５０を透過した走査ビームは投影レンズ５２
を屈折透過する際にλ／４板５２ａに入射し、円偏光に
変換され、ウェハ５１上を走査する。ウェハ５１のＡ　
Ａパターンで反射された光は逆方向からλ／４板５２ａ
を透過する際に先程とは位相が９０゜回転した直線偏光
となり、対物レンズ７３と半透鏡６４を経て偏光ビーム
スプリッタ５９へ入射する。λ／４板５２ａによって図
面に平行な直線偏光になっているのでウェハ５１の反射
光は偏光ビームスプリッタ５９を透過し、反射部材６０
と集光レンズ６１を経て、偏光板４３により光量を最適
に調整された後、フィルタ６２の透明部を通過して、プ
リズム６３により、独立の光路に導かれ、フィルタ６２
の４つの透明部に対応した位置に複数個配置された光電
子増倍管４７へ入射する。制御演筒回路８０は、光電子
増倍管４１からの出力信号を選択してウェハ５１に関す
るＡＡ倍信号確定するが、これは上述して来た規則に従
って、回折光の方向に合わせて配置された光電子増倍管
４７の電気信号を順次取り込んでＡΔ倍信号確定するか
、あるいは、複数個配置された全ての光電子増倍管４７
の出力信号を全て記憶した摂、選択構成するか、あるい
は両者の中間的な方法のいずれも採用し得る。この様に
して取り入れた△Ａ倍信号受光素子７２のマスク５０側
ＡＡ信号に基づいて演算を実行し、その結果（ｘ、ｙ、
θ誤差）により補正機構８１を駆動し、マスクチャック
８２を移動させてマスク５０とウェハ５１のアライメン
トを達成する。ただし、マスク５０の替りにウェハ５１
側を移動しても良い。

なお、ＡＡパターンとフィルタは上述のものに限られる
わけではなく、ＡＡパターンを構成する非平行のエレメ
ント数の２倍の透明部を設ければ、種々の形状に対処で
きる。

また、仮に信号のＳ／Ｎ特性を厳しく制限しなくても良
い場合には、第８図のＡＡパターンでも信号を４つに分
けて取込まずに所望の信号を得ることもできる。例えば
、第１１図（Ａ）と（Ｂ）に示す信号を一緒に、また同
図（Ｃ）と（Ｄ）に示す信号を一緒に取り込んでも良い
。

［発明の効果］以上述べたように本発明によれば、被検出物体からの回
折光を受光する受光素子として光電子増倍管を用い、こ
の光電子増倍管複数個を回折光の検出面に回折方向に合
わせて配置することにより、極めて微弱な信号光を検出
することが可能となり、被検出物体上にフォトレジスト
層の様な透過層が設けられている場合でも、フォトレジ
スト層の屈折作用による冗長な信号を信号処理に使用す
ることがないので、アライメントマークパターンの位置
を極めて正確に決定することが可能となる。さらに、ア
ライメントマークパターンからの光を受光する受光光学
系の光路中に偏光板を入れ光呈を調整することにより、
発生する信号の安定化を計ることが可能となるため、本
発明の位置検出装置を用いて位置検出し、アライメント
操作を行なった場合は、著しく高い精度で達成され、あ
るいは信号が正確であるため、アライメント完了までの
動作時間や操作回数を減少させられる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図＜Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一実施例に係る位置
検出装置の要部を示す図および受光部の平面図、第２図は、本発明の他の一実施例に係る位置検出装置を
組込んだステッパー型の半導体焼付装置の光学断面図、第３図は、ＡＡパターンの平面図、第４図（Ａ）〜（Ｃ）は、ウェハに設けられたＡＡパタ
ーン等の段差の断面図、走査時の出力信号図および整形
された出力信号、第５図（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ光学挙動を説明する
図、レジストが塗布させていないときの出力信号図およ
びレジストが塗布されているときの出力信号図、第６図は、光学挙動を説明する図、第７図は、従来の走査光学系を示す光学断面図、第８図
は、ＡＡパターン例を示す平面図。第９図（Ａ）、（Ｂ）は、凹型ＡＡパターン部の断面図
および凸型ＡＡパターン部の断面図、第１０図は、空間
周波数フィルタの正面図、第１１図（Ａ）〜（Ｅ）は、
出力信号図、そして第１２図（Ａ）〜（Ｅ）は、出力信
号図である。１．２：段差、４：鏡面反射の領域、５．６二回折散乱
の領域、Ａｓは走査光学系、１７．１８：Ａ△パターン
のエレメント、３５．３６：光電子増倍管、４２：光電
変換素子、４３：偏光板、４４：光値検知回路、４５：
モータ駆動回路、４６：モータ、４７：光電子増倍管、
５３：レーザ光源。

Claims

【特許請求の範囲】１、入射光に対して回折散乱を引起すパターンを有する
物体の位置を検出するための装置であつて、上記パターンを光走査する光走査系と、上記パターンからの反射光を受光する受光光学系と、該受光光学系に光学的に結合され、かつ上記パターンで
回折する回折光の回折方向に合わせて設置された該回折
光を検出する複数個の光電子増倍管とを具備することを特徴とする位置検出装置。２、前記受光光学系が光路中に光量調整手段を有する特
許請求の範囲第１項記載の位置検出装置。３、前記光量調整手段が前記光路中に配置された偏光板と、該偏光板を回転させ
るモータと、上記偏光板の入射または出射光量を検知す
る光量検知手段と、該光量検知手段の出力に基いて上記
モータを駆動制御するモータ駆動回路を有することを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の位置検出装置。