JPH04277409A - 化合物超電導線およびその製造方法 - Google Patents

化合物超電導線およびその製造方法

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JPH04277409A
JPH04277409A JP3037568A JP3756891A JPH04277409A JP H04277409 A JPH04277409 A JP H04277409A JP 3037568 A JP3037568 A JP 3037568A JP 3756891 A JP3756891 A JP 3756891A JP H04277409 A JPH04277409 A JP H04277409A
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JP
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superconducting wire
alloy
compound superconducting
composite
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JP3037568A
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English (en)
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Takeshi Endo
壮 遠藤
Takuya Suzuki
卓哉 鈴木
Kinya Ogawa
欽也 小川
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物超電導線および
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】Nb3 Sn、V3 Gaのような化合
物超電導材料は、硬く脆いため金属もしくは合金材料の
ように直接線材に加工することができない。このため、
従来、化合物超電導材料を線材化して化合物超電導線を
製造する場合、表面拡散法または複合加工法(ブロンズ
法)が採用されている。このうちブロンズ法は、Nb/
Cu−Sn複合体等の金属複合体を固体間で拡散させる
ことにより行われる。この方法によれば、極細多芯線の
ように複雑な断面構造を有する線材を製造することがで
きる。
【0003】例えば、ブロンズ法によりNb3 Sn化
合物超電導線を製造する場合、主にダブルスタック方式
が用いられる。これは、まず、図2(a)に示すように
、1本ないし複数本のNb棒30をCu−14.3%S
n合金からなるブロンズ管32に挿入し、このブロンズ
管32に押出、引抜き、圧延等の加工および中間焼鈍を
繰り返し施して一次素線34を作製する。次いで、図2
(b)に示すように、得られた一次素線34の複数本を
上記の合金からなるブロンズ管36に挿入した後、押出
、引抜き、圧延等の加工および中間焼鈍を繰り返し施し
て二次素線38を作製する。次いで、図2(c)に示す
ように、得られた二次素線38の複数本をさらに上記の
合金からなるブロンズ管40に挿入した後、押出、引抜
き、圧延等の加工および中間焼鈍を繰り返し施して、ブ
ロンズ中に多数のNbフィラメント、すなわちNb棒3
0が分散配置された複合線42を作製する。その後、こ
の複合線42にNb3 Sn生成のための拡散熱処理を
施してNb3 Sn超電導線を製造する。
【0004】このようにして得られたNb3 Sn超電
導線は、Nb棒を数μm程度の径を有するNbフィラメ
ントにすることが可能である。また、Nb3 Snの超
電導層は、ブロンズマトリックスとNbフィラメント3
0の界面にSnの拡散により形成される。
【0005】なお、Nb棒またはブロンズ管にあらかじ
めTiまたはTaを添加しておくと、生成するNb3 
Snの結晶粒が微細になる。これにより、ピンニング効
果が高まり、Nb3 Sn超電導線の臨界電流密度を高
くすることができる。
【0006】また、最近、Nb管にSnを封入し、これ
に冷間加工を施して所望の形状にし、これに拡散処理を
施すチューブ法が注目されている。この方法では、Nb
中にSnを大量に拡散させることができるため、Nb3
 Sn超電導線内のNb3 Sn層を厚くすることがで
きる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ブロン
ズ法は量産性に優れているが、臨界電流密度がNb3 
Snの場合で16Tにおいて200A/mm2 程度で
あり、高磁界用の超電導線の要求特性に対応することが
できない。また、チューブ法では、Nb3 Snの場合
、16Tで600A/mm2 程度と高い臨界電流密度
を得ることができるが、量産性が悪いという問題がある
【0008】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、高い臨界電流密度を有する化合物超電導線および
そのような化合物超電導線を効率よく製造することがで
きる化合物超電導線の製造方法を提供することを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の金属を
主な構成材料として形成された複数本のフィラメント材
を第3の金属からなる金属部材内に埋設し、これに減面
加工を施して縮径化した後に熱処理により第1の金属と
第3の金属との間で拡散を行わせてなる化合物超電導線
において、前記フィラメント材は第1の金属内に該第1
の金属と実用上金属間化合物を生成しない第2の金属か
らなり、内部に第1の金属を充填した環状体が互いに接
触せずに複数散在している断面構造を有することを特徴
とする化合物超電導線を提供する。
【0010】また、本発明は、第1の金属からなる棒状
体の外側に第1の金属と実用上金属間化合物を生成しな
い第2の金属からなる第1の薄板を配置し、さらに該第
1の薄板の外側に前記第1の金属からなる第2の薄板を
配置し、次いでこれを金属シースに挿入して第1の複合
ビレットを形成し、該第1の複合ビレットにHIP処理
および減面加工を順次施して細径化した後に前記金属シ
ースを除去して一次複合素線を得て、次いで該一次複合
素線の複数本を束ねて前記第1の金属からなる管状体に
挿入して第2の複合ビレットを形成し、該第2の複合ビ
レットにHIP処理および減面加工を順次施して細径化
してフィラメント材を形成することを特徴とする化合物
超電導線の製造方法を提供する。
【0011】また、本発明は、上記方法において第2の
複合ビレットを第3あるいは第4の金属からなる管状体
に挿入して第3の複合ビレットを形成し、該第3の複合
ビレットにHIP処理および減面加工を順次施して細径
化してフィラメント材を形成する化合物超電導線の製造
方法を提供する。ここで、第1の金属としては、Nb等
の金属またはNb−Ta合金等の合金を用いることがで
きる。
【0012】第2の金属としては、第1の金属と同一で
なく、実用上第1の金属と金属間化合物を生成せず、化
合物超電導線においてピンニング効果を発揮するNb等
の金属またはそのような金属を含むNb−Ti合金、N
b−Ti−Ta合金等の合金を用いることができる。第
2の金属をNb−Ti合金とすることにより、Nb系金
属と良好に接合し、良好な加工性を維持することができ
る。これにより、極微細化して化合物超電導線を製造す
る際に断線が起こるのを防止することができる。第2の
金属がNb−Ti合金あるいはNb−Ti−Ta合金の
場合、Ti含有量が60重量%以下であることが好まし
い。Ti含有量が35〜55重量%であるNb−Ti合
金は、加工性に優れているので特に好ましい。
【0013】第3の金属としては、Sn等の金属または
Cu−Sn合金、Cu−Sn−Ti合金等の合金を用い
ることができる。第1の金属がNbあるいはその合金で
ある場合、NbとSn間の拡散反応を促進するので、第
3の金属としてCu−Sn系合金を用いることが好まし
い。
【0014】第4の金属としては、Cu、Cu合金、お
よび第3の金属等を用いることができる。特にCu、C
u合金は、第1の金属がNb、第3の金属がSnの場合
に低温における拡散を促進するので好ましい。第1およ
び第2の薄板を配置する場合、棒状体に巻き付けてもよ
いし、あらかじめ円筒成形体に成形しておき、それを棒
状体の外側に配置してもよい。
【0015】金属シースの材料としては、減面加工等の
塑性加工が容易にできるものを選ぶ。このような金属と
して、Cu、Cu合金等が用いられる。この金属シース
は、減面加工の前に必要に応じて配置される。
【0016】HIP(熱間等方圧加工)処理の条件は、
特に限定されるものではないが、処理温度が第2の金属
の融点以上であれば、第1と第2の金属を迅速に合金化
できるので好ましい。
【0017】金属シースを除去する手段としては、電解
除去等の電気的手段、ワイヤーブラッシングや皮剥伸線
等の機械的手段、または酸による溶解除去等の化学的手
段が挙げられる。
【0018】
【作用】本発明の化合物超電導線の製造方法は、例えば
、まず、第1の金属であるNbからなる棒に第2の金属
であるNb−Ti合金からなる薄板を配置し、さらにそ
の上に第1の金属であるNbからなる薄板を配置した後
、金属シースであるCu管に挿入・嵌合してNb/Nb
−Ti/Nb/Cu複合材を形成する。この複合材にお
いて、Nb−Ti合金は、両Nb層の密着性を向上させ
、Nb−Ti合金とCuとの間に配置されるNbは、N
b−Ti合金とCuとの反応により望ましくない金属間
化合物が発生することを防止する。
【0019】次いで、この複合材にHIP処理・減面加
工を施して細径化する。このとき、複合材にCuが配置
されているので、減面加工を容易にして生産性を向上さ
せることができる。その後、酸によりCuを溶解除去し
てNb/Nb−Ti/Nb一次複合素線を作製する。
【0020】次いで、一次複合素線を複数本束ねてNb
管内に挿入し、このNb管にHIP処理・減面加工を施
して細径化してフィラメントを作製する。このとき、フ
ィラメントの断面は、Nb中にNb−Tiからなるリン
グ状体となって分散配置された構造となっている。また
、HIP処理によるマイクロアロイングにより、Nb−
Ti中のTiはNb中に拡散し、Nb/Nb−Ti界面
に直角の方向にTiの濃度勾配が生じる。
【0021】次いで、フィラメントを第3の金属である
Cu−Sn合金からなる合金部材内に挿入して、この管
にHIP処理および減面加工を順次施して細径化して二
次複合素線を作製し、さらにその二次複合素線を複数本
束ねて第4の金属であるCu−Sn合金からなる管内に
挿入した後、HIP処理、並びに減面加工および中間焼
鈍を少なくとも1回ずつ施した後に熱処理を施してSn
を拡散させてNb3 Snを形成させる。その際、Ti
濃度の高い部分にはTi3 Snが形成される。このT
i3 Snは、液体He温度では非超電導状態にあるた
め、Nb3 Sn層の中に微細分散することによりいわ
ゆるピン止め点として機能する。また、Nb中に拡散し
たTiはNb3 Snの結晶粒を微細にさせる効果があ
り、これらの相乗効果として高い臨界電流密度が得られ
る。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
【0023】まず、図1(a)に示すように、外径が1
50mmφNb棒11の外側に厚さ2mmのNb−Ti
合金板で成形された円筒成形体12を配置した。この円
筒成形体12に厚さ0.5mmのNb箔13を巻き付け
た。これをCu管14に挿入し、Cu管14の両端の開
口部にCu製の蓋を付けて電子ビーム溶接により内部を
密閉した。このCu管14に1000℃、20kg/m
m2 の条件でHIP処理を施し、外径200mmφの
複合ビレット15を作製した。この複合ビレット15に
900℃の熱間押出加工を施して外径を30mmφとし
、さらに、これに縮径加工を施して外径を12.9mm
φとした。これを所定の寸法に整直、切断し、硝酸を用
いてCu部を溶解除去して、図1(b)に示すように外
径約10mmφの一次複合素線16を得た。
【0024】次いで、図1(c)に示すように、得られ
た一次複合素線16を285本束ねて、内径178mm
φ、肉厚5mmのNb管17に挿入し、Nb管17の両
端の開口部にNb製の蓋を付けて電子ビーム溶接により
内部を密閉した。
【0025】これに2000℃、1時間、20kg/m
m2 の条件でHIP処理を施し、外径160mmφの
複合ビレット18とした。このとき、複合ビレット18
の横断面は、図1(d)に示すように、六角形リング状
のNb−Ti円筒成形体12が分散配置されたようにな
っている。
【0026】次に、複合ビレット18を外径205mm
φ、内径165mmφのCu管19に挿入し、Cu管1
9両端の開口部にCu製の蓋を付けて電子ビーム溶接に
より内部を密閉した。これに900℃、20kg/mm
2 の条件でHIP処理を施し、外径を200mmφに
縮径し、さらに、図1(e)に示すように、これに90
0℃の熱間押出加工を施して外径を30mmφとした。 これを所定の寸法に抽伸、伸線、整直、および切断した
後、硝酸を用いてCu部を溶解除去して、外径9mmφ
のフィラメント20を得た。
【0027】次いで、130本のフィラメント20を、
外径200mmφのCu−14.3%Sn−0.2%T
i合金ビレット21の直径9.5mmφの複数個の穴に
挿入した。このビレット21の両端部に上記合金製の蓋
を付けて電子ビーム溶接により内部を密閉した。このビ
レット21に650℃の熱間押出加工を施して外径を3
0mmφとし、抽伸、焼鈍、伸線を繰り返し、4.0m
mφに整直、長さ760mmに切断して、図1(f)に
示すようにブロンズ/Nbの二次複合線22を得た。
【0028】次いで、外径210mmφ、内径180m
mφのCu管23内に外径178mmφ、内径170m
mφのNb管24を挿入して二重管を構成し、この二重
管のNb管24内に二次複合線22を1560本束ねて
挿入した。そして、図1(g)に示すように二重管の両
端の開口部にCu製の蓋を付けて電子ビーム溶接により
内部を密閉した。
【0029】これに650℃、10分間、20kg/m
m2 の条件でHIP処理を施した後、切削加加工を施
して外径200mmφとし、さらに650℃の熱間押出
加工を施して外径を30mmφとした。以後、減面加工
と焼鈍を繰り返して、断面が2mm×3mmの矩形であ
る複合線とした。その後、この複合線に690℃で3日
間、化合物超電導体となすための熱処理を施して本発明
の化合物超電導線を作製した。
【0030】この化合物超電導線について16T(4.
2K)での臨界電流密度を測定したところ、400A/
mm2 の高い値が得られた。比較のために従来のブロ
ンズ法により作製された化合物超電導線について上記と
同様にして臨界電流密度を測定したところ200A/m
m2 の低い値であった。本発明は、上記実施例に限定
されず、V3 Ga等他のA15型化合物超電導線の製
造に適用できることはいうまでもない。
【0031】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の化合物超電導
線は、高い臨界電流密度を有するものである。また、本
発明の化合物超電導線の製造方法は、そのような化合物
超電導線を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の一実施例の工程を示す概略説明
図。
【図2】従来の化合物超電導線の製造方法を説明するた
めの図。
【符号の説明】
11…Nb棒、12…円筒成形体、13…Nb箔、14
,19,23…Cu管、15,18…複合ビレット、1
6…一次複合素線、17,24…Nb管、20…フィラ
メント、21…合金ビレット、22…二次複合素線。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  第1の金属を主な構成材料として形成
    された複数本のフィラメント材を第3の金属からなる金
    属部材内に埋設し、これに減面加工を施して縮径化した
    後に熱処理により第1の金属と第3の金属との間で拡散
    を行わせてなる化合物超電導線において、前記フィラメ
    ント材は第1の金属内に該第1の金属と実用上金属間化
    合物を生成しない第2の金属からなり、内部に第1の金
    属を充填した環状体が互いに接触せずに複数散在してい
    る断面構造を有することを特徴とする化合物超電導線。
  2. 【請求項2】  第1の金属からなる棒状体の外側に第
    1の金属と実用上金属間化合物を生成しない第2の金属
    からなる第1の薄板を配置し、さらに該第1の薄板の外
    側に前記第1の金属からなる第2の薄板を配置し、次い
    でこれを金属シースに挿入して第1の複合ビレットを形
    成し、該第1の複合ビレットにHIP処理および減面加
    工を順次施して細径化した後に前記金属シースを除去し
    て一次複合素線を得て、次いで該一次複合素線の複数本
    を束ねて前記第1の金属からなる管状体に挿入して第2
    の複合ビレットを形成し、該第2の複合ビレットにHI
    P処理および減面加工を順次施して細径化してフィラメ
    ント材を形成することを特徴とする化合物超電導線の製
    造方法。
  3. 【請求項3】  前記第2の複合ビレットを第3あるい
    は第4の金属からなる管状体に挿入して第3の複合ビレ
    ットを形成し、該第3の複合ビレットにHIP処理およ
    び減面加工を順次施して細径化してフィラメント材を形
    成する請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  4. 【請求項4】  第1の金属がNbまたはNb−Ta合
    金である請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  5. 【請求項5】  第2の金属がNb、Nb−Ti合金、
    およびNb−Ti−Ta合金からなる群より選ばれた金
    属である請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  6. 【請求項6】  第2の金属は、Ti含有量が60重量
    %以下であるNb−Ti合金またはNb−Ti−Ta合
    金である請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  7. 【請求項7】  第3の金属がSn、Cu−Sn合金、
    およびCu−Sn−Ti合金からなる群より選ばれた金
    属である請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  8. 【請求項8】  第4の金属がCuまたはCu合金であ
    る請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  9. 【請求項9】  金属シースの材料がCuまたはCu合
    金である請求項2記載の化合物超電導線の製造方法。
  10. 【請求項10】  HIP処理が第2の金属の融点以上
    の温度で行われる請求項2記載の化合物超電導線の製造
    方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2808265A1 (fr) * 2000-04-28 2001-11-02 Schneider Electric Ind Sa Procede de fabrication de materiaux composites par deformations mecaniques repetees et materiau ainsi obtenu
KR100766877B1 (ko) * 2005-09-30 2007-10-15 한국기초과학지원연구원 초전도 관내연선도체의 조관장치 및 그 조관방법
JP2008166173A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Kobe Steel Ltd Nb3Sn超電導線材およびそのための前駆体並びに前駆体用Nb複合単芯線

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