JPH04277664A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04277664A JPH04277664A JP3039682A JP3968291A JPH04277664A JP H04277664 A JPH04277664 A JP H04277664A JP 3039682 A JP3039682 A JP 3039682A JP 3968291 A JP3968291 A JP 3968291A JP H04277664 A JPH04277664 A JP H04277664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting part
- element mounting
- resin
- support
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、一例と
して図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の面に半導
体素子４をろう材９により搭載固着した金属製の素子搭
載部１ｅと、この素子搭載部１ｅの周辺の所定の位置に
形成されこの素子搭載部１ｅとつながり外側へ所定の長
さだけ伸びこの素子搭載部１ｅを支持するための複数の
金属製の搭載部支持部２ｅと、素子搭載部１ｅの外側に
設けられ半導体素子４の各電極とそれぞれ対応してボン
ディング線５により接続し外部回路と接続するための複
数のリード３と、半導体素子４，素子搭載部１ｅ，搭載
部支持部２ｅの先端部以外の部分，各リード３の所定の
部分，及び各ボンディング線５を搭載部支持部２ｅの先
端部及び各リード３の所定の部分以外の部分が露出する
ように封入するエポキシ系材料による封止樹脂部６ｂと
を有する構造となっていた。
して図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の面に半導
体素子４をろう材９により搭載固着した金属製の素子搭
載部１ｅと、この素子搭載部１ｅの周辺の所定の位置に
形成されこの素子搭載部１ｅとつながり外側へ所定の長
さだけ伸びこの素子搭載部１ｅを支持するための複数の
金属製の搭載部支持部２ｅと、素子搭載部１ｅの外側に
設けられ半導体素子４の各電極とそれぞれ対応してボン
ディング線５により接続し外部回路と接続するための複
数のリード３と、半導体素子４，素子搭載部１ｅ，搭載
部支持部２ｅの先端部以外の部分，各リード３の所定の
部分，及び各ボンディング線５を搭載部支持部２ｅの先
端部及び各リード３の所定の部分以外の部分が露出する
ように封入するエポキシ系材料による封止樹脂部６ｂと
を有する構造となっていた。
【０００３】この樹脂封止型半導体装置の組立工程にお
いて、半導体素子４を素子搭載部１ｅに接着固定すると
き、接着材料としてろう材９が使用されるが、この接着
は１５０〜３００℃の温度で行なわれる。
いて、半導体素子４を素子搭載部１ｅに接着固定すると
き、接着材料としてろう材９が使用されるが、この接着
は１５０〜３００℃の温度で行なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体装置は、素子搭載部１ｅ及び搭載部支持部２
ｅが金属製となっており、半導体素子４を素子搭載部１
ｅに接着固定する際、ろう材９を用いて１５０〜３００
℃に加熱する構造となっているので、素子搭載部１ｅは
半導体素子４とは熱膨張係数が異なるため、高温で加熱
し半導体素子４と素子搭載部１ｅとが接着固定された後
、常温になったとき、半導体素子４と素子搭載部１ｅと
の熱収縮率の差により、半導体素子４に反りが生じ、半
導体素子４が反り返ると半導体素子４に内部応力が生じ
てこれにより半導体素子４の電気的特性に悪影響を及ぼ
すという欠点がある。
止型半導体装置は、素子搭載部１ｅ及び搭載部支持部２
ｅが金属製となっており、半導体素子４を素子搭載部１
ｅに接着固定する際、ろう材９を用いて１５０〜３００
℃に加熱する構造となっているので、素子搭載部１ｅは
半導体素子４とは熱膨張係数が異なるため、高温で加熱
し半導体素子４と素子搭載部１ｅとが接着固定された後
、常温になったとき、半導体素子４と素子搭載部１ｅと
の熱収縮率の差により、半導体素子４に反りが生じ、半
導体素子４が反り返ると半導体素子４に内部応力が生じ
てこれにより半導体素子４の電気的特性に悪影響を及ぼ
すという欠点がある。
【０００５】例えば、半導体素子４が厚さ０．４ｍｍ，
長さ１０ｍｍ，幅５ｍｍのＳｉの単結晶から形成され、
素子搭載部１ｅが厚さ０．２５ｍｍの銅材を用い、ろう
材１０にエポキシ系の樹脂、接着温度を２００℃とした
場合、この反りの量は、曲率反径で表わすと９０〜１３
０ｍｍという大きな値となる。
長さ１０ｍｍ，幅５ｍｍのＳｉの単結晶から形成され、
素子搭載部１ｅが厚さ０．２５ｍｍの銅材を用い、ろう
材１０にエポキシ系の樹脂、接着温度を２００℃とした
場合、この反りの量は、曲率反径で表わすと９０〜１３
０ｍｍという大きな値となる。
【０００６】また、この樹脂封止型半導体装置を大気中
に放置すると、封止樹脂部６ｂは吸水し、封止樹脂部６
ｂと素子搭載部１ｅとの界面に水分がたまり、この状態
で、電子機器のプリント配線基板へ表面実装するために
、赤外線加熱方法などのように、樹脂封止型半導体装置
自体も加熱される方法によりはんだ付けを行うと、加熱
時に内部の水分が気化し、水蒸気圧の急激な上昇により
封止樹脂部６ｂにクラックが発生する。このクラックは
、樹脂封止型半導体装置内のボンディング線５を切断し
たり、クラックが封止樹脂部６ｂの外部へ達し外観を損
なったりするという問題があった。
に放置すると、封止樹脂部６ｂは吸水し、封止樹脂部６
ｂと素子搭載部１ｅとの界面に水分がたまり、この状態
で、電子機器のプリント配線基板へ表面実装するために
、赤外線加熱方法などのように、樹脂封止型半導体装置
自体も加熱される方法によりはんだ付けを行うと、加熱
時に内部の水分が気化し、水蒸気圧の急激な上昇により
封止樹脂部６ｂにクラックが発生する。このクラックは
、樹脂封止型半導体装置内のボンディング線５を切断し
たり、クラックが封止樹脂部６ｂの外部へ達し外観を損
なったりするという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、第１の面に半導体素子を搭載固着した素子搭
載部と、この素子搭載部の周辺の所定の位置に設けられ
この素子搭載部とつながり外側へ所定の長さだけ伸びこ
の素子搭載部を支持するための複数の搭載部支持部と、
前記素子搭載部の外側に設けられ前記半導体素子の各電
極とそれぞれ対応して接続し外部回路と接続するための
複数のリードと、前記半導体素子，素子搭載部，搭載部
支持部の先端部以外の部分，及び各リードの所定の部分
を前記搭載部支持部の先端部及び各リードの所定の部分
以外の部分が露出するように封入する封止樹脂部とを有
する樹脂封止型半導体装置において、前記素子搭載部及
び搭載部支持部を前記封止樹脂部と同種の樹脂で形成し
、前記素子搭載部の第１の面の裏側の第２の面、及びこ
の第２の面と続く前記搭載部支持部の面に、前記第２の
面の所定の範囲から前記搭載部支持部の先端部までの範
囲にかけて前記封止樹脂部とは接着接合しない材料で形
成した層を設けて構成される。
体装置は、第１の面に半導体素子を搭載固着した素子搭
載部と、この素子搭載部の周辺の所定の位置に設けられ
この素子搭載部とつながり外側へ所定の長さだけ伸びこ
の素子搭載部を支持するための複数の搭載部支持部と、
前記素子搭載部の外側に設けられ前記半導体素子の各電
極とそれぞれ対応して接続し外部回路と接続するための
複数のリードと、前記半導体素子，素子搭載部，搭載部
支持部の先端部以外の部分，及び各リードの所定の部分
を前記搭載部支持部の先端部及び各リードの所定の部分
以外の部分が露出するように封入する封止樹脂部とを有
する樹脂封止型半導体装置において、前記素子搭載部及
び搭載部支持部を前記封止樹脂部と同種の樹脂で形成し
、前記素子搭載部の第１の面の裏側の第２の面、及びこ
の第２の面と続く前記搭載部支持部の面に、前記第２の
面の所定の範囲から前記搭載部支持部の先端部までの範
囲にかけて前記封止樹脂部とは接着接合しない材料で形
成した層を設けて構成される。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例を示す部分断面平面図及び断面側面図である。
例を示す部分断面平面図及び断面側面図である。
【００１０】この実施例が図４（ａ）〜（ｃ）の樹脂封
止型半導体装置と相違する点は、素子搭載部１及び搭載
部支持部２を、封止樹脂部６と同種のエポキシ系の樹脂
で形成し、半導体素子４を接着剤８で素子搭載部２に接
着し、素子搭載部１の半導体素子４が搭載固着された面
の裏側の面、及びこの面と続く搭載部支持部２の面に、
素子搭載部１の裏側の面の所定の範囲から搭載部支持部
２の先端部までの範囲にかけて封止樹脂部６とは接着接
合しない材料の銀により形成した銀めっき層７を設けた
点にある。
止型半導体装置と相違する点は、素子搭載部１及び搭載
部支持部２を、封止樹脂部６と同種のエポキシ系の樹脂
で形成し、半導体素子４を接着剤８で素子搭載部２に接
着し、素子搭載部１の半導体素子４が搭載固着された面
の裏側の面、及びこの面と続く搭載部支持部２の面に、
素子搭載部１の裏側の面の所定の範囲から搭載部支持部
２の先端部までの範囲にかけて封止樹脂部６とは接着接
合しない材料の銀により形成した銀めっき層７を設けた
点にある。
【００１１】銀めっき層７の厚さは、１μｍ程度で封止
樹脂部６との接着，接合防止に十分効果がある。例えば
、素子搭載部１に厚さが０．１ｍｍのものを使用し、半
導体素子４と素子搭載部１との接着は、接着材として低
応力のものを用いて厚さ３０μｍ、接着温度を２４０℃
としたとき、半導体素子４の反りは従来の１／３以下と
なる。
樹脂部６との接着，接合防止に十分効果がある。例えば
、素子搭載部１に厚さが０．１ｍｍのものを使用し、半
導体素子４と素子搭載部１との接着は、接着材として低
応力のものを用いて厚さ３０μｍ、接着温度を２４０℃
としたとき、半導体素子４の反りは従来の１／３以下と
なる。
【００１２】このように、半導体素子４の反りも少なく
なり、半導体素子４内部の応力を低下させることができ
るため、半導体素子４に形成された電気回路の特性上の
歩留りを向上させることができ、また、プリント基板上
へ実装する際に熱が加えられても、封止樹脂部６内部の
水分が素子搭載部１と搭載部支持部２との封止樹脂部６
と接着接合しない銀めっき層７を伝わって外部へ逃げる
ため、水蒸気圧によって生ずるクラックを防ぐことがで
きる。
なり、半導体素子４内部の応力を低下させることができ
るため、半導体素子４に形成された電気回路の特性上の
歩留りを向上させることができ、また、プリント基板上
へ実装する際に熱が加えられても、封止樹脂部６内部の
水分が素子搭載部１と搭載部支持部２との封止樹脂部６
と接着接合しない銀めっき層７を伝わって外部へ逃げる
ため、水蒸気圧によって生ずるクラックを防ぐことがで
きる。
【００１３】さらに耐湿性の低下は、一般的に半導体素
子の電気回路面が封止樹脂部と剥がれ、この部分に水分
等の不純物がたまることによっておこるが、本発明では
、半導体素子４内部の応力も低下させることができるの
で、半導体素子４の電気回路部分と封止樹脂部６が剥れ
ることを防止でき、耐湿性も向上する。
子の電気回路面が封止樹脂部と剥がれ、この部分に水分
等の不純物がたまることによっておこるが、本発明では
、半導体素子４内部の応力も低下させることができるの
で、半導体素子４の電気回路部分と封止樹脂部６が剥れ
ることを防止でき、耐湿性も向上する。
【００１４】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施
例を示す部分断面平面図及び断面図である。
例を示す部分断面平面図及び断面図である。
【００１５】この実施例は、各リード３の間隔が狭い場
合の例であり、隣接するリード３の間に搭載部支持部を
配置することができないので、搭載部支持部２ａがリー
ド３の下側に重る構造となっている。
合の例であり、隣接するリード３の間に搭載部支持部を
配置することができないので、搭載部支持部２ａがリー
ド３の下側に重る構造となっている。
【００１６】図３（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第
３〜第５の実施例の素子搭載部及び搭載部支持部の平面
図である。
３〜第５の実施例の素子搭載部及び搭載部支持部の平面
図である。
【００１７】これら実施例の素子搭載部１ｂ〜１ｄは格
子状となっており、このように格子状とすることにより
、曲げに対して柔軟な構造とし、半導体素子を接着固定
した後に生ずる応力を吸収する効果を高めている。
子状となっており、このように格子状とすることにより
、曲げに対して柔軟な構造とし、半導体素子を接着固定
した後に生ずる応力を吸収する効果を高めている。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、素子搭載
部及び搭載部支持部を封止樹脂部と同種の樹脂で形成し
、素子搭載部及び搭載部支持部の半導体素子搭載面の裏
側となる面に、封止樹脂部と接着，接合しない材料によ
る層を形成する構造とすることにより、半導体素子固定
後の半導体素子の反りを少なくすることができるので、
半導体素子内部の応力が低下して電気的特性への悪影響
がなくなり、電気回路部分と封止樹脂部とが剥れるのを
防止できるので耐湿性が向上し、また実装時の熱による
封止樹脂部のクラックの発生を防止することができ、従
って歩留りの向上をはかることができる効果がある。
部及び搭載部支持部を封止樹脂部と同種の樹脂で形成し
、素子搭載部及び搭載部支持部の半導体素子搭載面の裏
側となる面に、封止樹脂部と接着，接合しない材料によ
る層を形成する構造とすることにより、半導体素子固定
後の半導体素子の反りを少なくすることができるので、
半導体素子内部の応力が低下して電気的特性への悪影響
がなくなり、電気回路部分と封止樹脂部とが剥れるのを
防止できるので耐湿性が向上し、また実装時の熱による
封止樹脂部のクラックの発生を防止することができ、従
って歩留りの向上をはかることができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す部分断面平面図及
び断面側面図である。
び断面側面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す部分断面平面図及
び断面側面図である。
び断面側面図である。
【図３】本発明の第３〜第５の実施例の素子搭載部及び
搭載部支持部の平面図である。
搭載部支持部の平面図である。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す部分
断面平面図及び断面側面図である。
断面平面図及び断面側面図である。
１，１ａ〜１ｅ 素子搭載部
２，２ａ〜２ｅ 搭載部支持部
３ リード
４，４ａ 半導体素子
５ ボンディング線
６，６ａ，６ｂ 封止樹脂部
７，７ａ 銀めっき層
８ 接着剤
９ ろう材
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の面に半導体素子を搭載固着した
素子搭載部と、この素子搭載部の周辺の所定の位置に設
けられこの素子搭載部とつながり外側へ所定の長さだけ
伸びこの素子搭載部を支持するための複数の搭載部支持
部と、前記素子搭載部の外側に設けられ前記半導体素子
の各電極とそれぞれ対応して接続し外部回路と接続する
ための複数のリードと、前記半導体素子，素子搭載部，
搭載部支持部の先端部以外の部分，及び各リードの所定
の部分を前記搭載部支持部の先端部及び各リードの所定
の部分以外の部分が露出するように封入する封止樹脂部
とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記素子搭
載部及び搭載部支持部を前記封止樹脂部と同種の樹脂で
形成し、前記素子搭載部の第１の面の裏側の第２の面、
及びこの第２の面と続く前記搭載部支持部の面に、前記
第２の面の所定の範囲から前記搭載部支持部の先端部ま
での範囲にかけて前記封止樹脂部とは接着接合しない材
料で形成した層を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039682A JPH04277664A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039682A JPH04277664A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277664A true JPH04277664A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12559859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039682A Pending JPH04277664A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277664A (ja) |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3039682A patent/JPH04277664A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3414017B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04277664A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2002289741A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10116936A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS6159660B2 (ja) | ||
| JP2002373961A (ja) | 樹脂封止型電子装置 | |
| JPH1126634A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63190363A (ja) | パワ−パツケ−ジ | |
| JPH1197569A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3331146B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 | |
| JP2712967B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03276788A (ja) | 集積回路搭載用セラミックス基板 | |
| JP2833152B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3902276B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2822446B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2779322B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2596387B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06314707A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH06260515A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2910312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH027469Y2 (ja) | ||
| JP2751365B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05235063A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05160198A (ja) | 半導体装置 |