JPH04278218A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04278218A JPH04278218A JP4160291A JP4160291A JPH04278218A JP H04278218 A JPH04278218 A JP H04278218A JP 4160291 A JP4160291 A JP 4160291A JP 4160291 A JP4160291 A JP 4160291A JP H04278218 A JPH04278218 A JP H04278218A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- metal
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に係り、と
くに表面保護用の島状突起を有する磁気ディスクに関す
る。
くに表面保護用の島状突起を有する磁気ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＳＳ（コンタクト スタート
ストップ）方式の磁気ディスク装置では、ディスク
の停止時には磁気ヘッドがディスクに接触し、また、回
転の起動ならびに停止時には摺動してディスク表面を損
傷し易いので、図２の部分断面図に示すように、磁性膜
２を備えたディスク基板１の表面上に非晶質硬質炭素膜
４と潤滑膜５等を設けるようにしていた。
ストップ）方式の磁気ディスク装置では、ディスク
の停止時には磁気ヘッドがディスクに接触し、また、回
転の起動ならびに停止時には摺動してディスク表面を損
傷し易いので、図２の部分断面図に示すように、磁性膜
２を備えたディスク基板１の表面上に非晶質硬質炭素膜
４と潤滑膜５等を設けるようにしていた。
【０００３】また、表面の平滑度が良すぎるとの摩擦が
増えて磁気ヘッド部が吸着し、回転が阻害されたり磁気
ヘッドサスペンションが破損したりするので、ディスク
表面上にＲａが５０〜１００Åの凹凸を設けるようにし
ていた。
増えて磁気ヘッド部が吸着し、回転が阻害されたり磁気
ヘッドサスペンションが破損したりするので、ディスク
表面上にＲａが５０〜１００Åの凹凸を設けるようにし
ていた。
【０００４】このため、特開平１−１３４７２０号公報
では、磁気ディスク表面に島状の金属突起を生成しその
上に保護膜を生成するようにしていた。
では、磁気ディスク表面に島状の金属突起を生成しその
上に保護膜を生成するようにしていた。
【０００５】また、特開平１−２１１２３６号公報では
、磁気ディスク表面に微粒子を帯電させて附着し、その
上に保護膜を生成するようにしていた。
、磁気ディスク表面に微粒子を帯電させて附着し、その
上に保護膜を生成するようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２に示した従来の磁
気ディスクにおいては、上記表面の突起がヘッドとの接
触により摩耗し易いため、上記ＣＳＳ試験においてヘッ
ドとの摩擦係数が徐々に増加するという問題があった。 また、非晶質硬質炭素膜４まで摩耗すると磁性膜２が露
出してクラッシュが発生するという問題もあった。
気ディスクにおいては、上記表面の突起がヘッドとの接
触により摩耗し易いため、上記ＣＳＳ試験においてヘッ
ドとの摩擦係数が徐々に増加するという問題があった。 また、非晶質硬質炭素膜４まで摩耗すると磁性膜２が露
出してクラッシュが発生するという問題もあった。
【０００７】特開平１−１３４７２０号公報の磁気ディ
スクでは耐摩耗性が悪く、また、上記特開平１−２１１
２３６号公報の磁気ディスクでは、磁気ディスク表面と
微粒子間の密着性が低く剥離しやすいという問題があっ
た。
スクでは耐摩耗性が悪く、また、上記特開平１−２１１
２３６号公報の磁気ディスクでは、磁気ディスク表面と
微粒子間の密着性が低く剥離しやすいという問題があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、上記保護膜の耐摩耗性を
向上して上記突起の損傷を軽減することのできる磁気記
録媒体を提供することにある。
向上して上記突起の損傷を軽減することのできる磁気記
録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、上記磁気ディスク表面上の突起部を、Ａｌ
，Ｓｉ，Ｇｅ等の周期律表のＩＩＩｂ族、およびＩＶｂ
族金属の酸化物、およびＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族
、およびＶＩａ族金属の硬質の金属酸化物で形成するよ
うにする。
するために、上記磁気ディスク表面上の突起部を、Ａｌ
，Ｓｉ，Ｇｅ等の周期律表のＩＩＩｂ族、およびＩＶｂ
族金属の酸化物、およびＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族
、およびＶＩａ族金属の硬質の金属酸化物で形成するよ
うにする。
【００１０】さらに、上記金属酸化物の突起をプラズマ
ＣＶＤ法、あるいはイオンプレーティング法にて形成す
るようにする。
ＣＶＤ法、あるいはイオンプレーティング法にて形成す
るようにする。
【００１１】
【作用】以上のように構成した本発明による磁気ディス
ク等の磁気記録媒体は、その表面上に設けた硬質の金属
酸化物の突起が、磁気ヘッドのクラッシュによる磁気デ
ィスク表面の損傷を防止し、さらに、度重なる上記クラ
ッシュによる上記突起の摩耗を軽減する。
ク等の磁気記録媒体は、その表面上に設けた硬質の金属
酸化物の突起が、磁気ヘッドのクラッシュによる磁気デ
ィスク表面の損傷を防止し、さらに、度重なる上記クラ
ッシュによる上記突起の摩耗を軽減する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明による磁気ディスクの部分断面
図であり、磁性膜２ディスク基板１上の磁性膜２表面に
金属酸化突起物３が設けられ、その上に非晶質硬質炭素
膜４と潤滑膜５が設けられている。
図であり、磁性膜２ディスク基板１上の磁性膜２表面に
金属酸化突起物３が設けられ、その上に非晶質硬質炭素
膜４と潤滑膜５が設けられている。
【００１３】このような断面構造は上記した従来の磁気
ディスクと同様であるが、従来技術では上記突起部が比
較的軟質の金属材料で生成されていたのに対し、本発明
ではこれに硬質の金属酸化物を用いる点が異なっている
。
ディスクと同様であるが、従来技術では上記突起部が比
較的軟質の金属材料で生成されていたのに対し、本発明
ではこれに硬質の金属酸化物を用いる点が異なっている
。
【００１４】図１において、基板１、磁性膜２、非晶質
硬質炭化膜４および潤滑層５には従来の材料を用いる例
えば基板１には、アルミニューム製基板表面にＮｉＰを
略１０μｍの厚みにめっきして鏡面研磨したもの、アル
ミニューム製基板を熱処理してアルマイト層を設けたも
の、あるいは、表面粗さＲａ、略５ｎｍの強化ガラスや
セラミック等の表面にＣｒその他の合金非磁性金属また
はセラミック等の下地膜を設けた通常の基板を用いる。
硬質炭化膜４および潤滑層５には従来の材料を用いる例
えば基板１には、アルミニューム製基板表面にＮｉＰを
略１０μｍの厚みにめっきして鏡面研磨したもの、アル
ミニューム製基板を熱処理してアルマイト層を設けたも
の、あるいは、表面粗さＲａ、略５ｎｍの強化ガラスや
セラミック等の表面にＣｒその他の合金非磁性金属また
はセラミック等の下地膜を設けた通常の基板を用いる。
【００１５】また、磁性膜２には、例えば、ＣｏやＣｏ
酸化物、ＣｏＮｉやＣｏＣｒ等の合金またはこれらにＴ
ｉ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｖ，ＰｔＳｉ，Ｎｂ，Ｗ等の一部を加
えた複合金属を用いる。この他、Ｆｅ，γ−Ｆｅ２Ｏ３
，窒化鉄系統の材料を用いることがある。
酸化物、ＣｏＮｉやＣｏＣｒ等の合金またはこれらにＴ
ｉ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｖ，ＰｔＳｉ，Ｎｂ，Ｗ等の一部を加
えた複合金属を用いる。この他、Ｆｅ，γ−Ｆｅ２Ｏ３
，窒化鉄系統の材料を用いることがある。
【００１６】図１に示した本発明実施例の磁性膜２には
スパッタリング法により形成された膜厚０．２μｍのＣ
ｒと０．０５μｍのＣｏＣｒＴａの積層膜を用いた。
スパッタリング法により形成された膜厚０．２μｍのＣ
ｒと０．０５μｍのＣｏＣｒＴａの積層膜を用いた。
【００１７】本発明の金属酸化物突起３は、（１）加熱
蒸発させた金属酸化物に酸素を含む低温プラズマを当て
て磁性膜２上に生成するプラズマＣＶＤ法、（２）有機
金属化合物、または金属水素化物と酸素を主成分とする
プラズマにより生成される金属化合物微粒子を磁性膜２
に吹き付けて生成するイオンプレーティング法、（３）
金属酸化物の大電流スパッタリングにより生成する方法
（４）０．０５μｍ以下の粒径に粉砕した金属酸化物を
磁性膜２上に並べて生成する方法等により生成すること
ができる。
蒸発させた金属酸化物に酸素を含む低温プラズマを当て
て磁性膜２上に生成するプラズマＣＶＤ法、（２）有機
金属化合物、または金属水素化物と酸素を主成分とする
プラズマにより生成される金属化合物微粒子を磁性膜２
に吹き付けて生成するイオンプレーティング法、（３）
金属酸化物の大電流スパッタリングにより生成する方法
（４）０．０５μｍ以下の粒径に粉砕した金属酸化物を
磁性膜２上に並べて生成する方法等により生成すること
ができる。
【００１８】図１に示した本発明実施例では、電子ビー
ム蒸発法で生成した高速のＳｉの超微粒子を酸素ガスの
低温プラズマに当ててＳｉＯ２とし、これを磁性膜上に
付着させて金属酸化物突起３を生成した。
ム蒸発法で生成した高速のＳｉの超微粒子を酸素ガスの
低温プラズマに当ててＳｉＯ２とし、これを磁性膜上に
付着させて金属酸化物突起３を生成した。
【００１９】上記金属酸化物突起３は磁性膜２の全表面
積の０．０１〜３０％を占めるように成長され、その高
さは磁性膜２の表面より平均０．００１〜０．０５μｍ
の範囲内になるが、０．０２〜０．０５μｍの範囲に収
めるようにすることが望ましい。
積の０．０１〜３０％を占めるように成長され、その高
さは磁性膜２の表面より平均０．００１〜０．０５μｍ
の範囲内になるが、０．０２〜０．０５μｍの範囲に収
めるようにすることが望ましい。
【００２０】上記本発明の金属酸化物突起３には原理的
に全ての金属酸化物を用いることができるが、その中で
も、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ等の周期律表のＩＩＩｂ族、
およびＩＶｂ族に属する金属の酸化物や、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の周期律表の
ＩＶａ族、Ｖａ族、およびＶＩａ族に属する金属の酸化
物が比較的硬いうえ、非晶質硬質炭化膜４との間に金属
炭化物が形成されて密着性がよくなるので、とくに好適
である。
に全ての金属酸化物を用いることができるが、その中で
も、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ等の周期律表のＩＩＩｂ族、
およびＩＶｂ族に属する金属の酸化物や、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の周期律表の
ＩＶａ族、Ｖａ族、およびＶＩａ族に属する金属の酸化
物が比較的硬いうえ、非晶質硬質炭化膜４との間に金属
炭化物が形成されて密着性がよくなるので、とくに好適
である。
【００２１】上記金属酸化物突起３の生成後、表面に非
晶質硬質炭化膜４を生成する。
晶質硬質炭化膜４を生成する。
【００２２】非晶質硬質炭化膜４には、例えばグラファ
イトをターゲットとしたスパッタリング、炭化水素系ガ
スの高周波プラズマによるＣＶＤ、または炭化水素系ガ
スのイオン加速法等によりマイクロビッカースで１００
０Ｈｖ以上の硬さに生成したものを用いる。
イトをターゲットとしたスパッタリング、炭化水素系ガ
スの高周波プラズマによるＣＶＤ、または炭化水素系ガ
スのイオン加速法等によりマイクロビッカースで１００
０Ｈｖ以上の硬さに生成したものを用いる。
【００２３】この非晶質硬質炭化膜４は厚すぎると磁性
膜２と磁気ヘッド間の間隔が広がり過ぎるので５０ｎｍ
以下とする必要があるが、本発明では摩耗による接触面
積の増加を防止するために５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に収
めるようにする。
膜２と磁気ヘッド間の間隔が広がり過ぎるので５０ｎｍ
以下とする必要があるが、本発明では摩耗による接触面
積の増加を防止するために５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に収
めるようにする。
【００２４】非晶質硬質炭化膜４は金属酸化突起物３に
対してその界面にＡｌ４Ｃ３，ＳｉＣ，ＷＣ等の金属炭
化物が形成されるため優れた密着性を有する。金属酸化
突起物３における金属と酸素の比は化学量論的にみて１
：１ないし酸素が若干少ない方が良い密着性が得られる
。
対してその界面にＡｌ４Ｃ３，ＳｉＣ，ＷＣ等の金属炭
化物が形成されるため優れた密着性を有する。金属酸化
突起物３における金属と酸素の比は化学量論的にみて１
：１ないし酸素が若干少ない方が良い密着性が得られる
。
【００２５】非晶質硬質炭化膜４の表面に直鎖状有機高
分子の潤滑層５を設け摺動特性を向上するようにする。
分子の潤滑層５を設け摺動特性を向上するようにする。
【００２６】この潤滑層５には例えばパーフロロポリエ
ステルまたはパーフロロアルキの主鎖の少なくとも一方
の末端がエーテル基、水酸基、カルボニル基、アミノ基
、アミド基等で置換された分子量１０００〜１００００
程度の者が適している。また、この他に飽和脂肪酸やそ
の誘導体、高級アルコールやその誘導体等を用いること
もできる。
ステルまたはパーフロロアルキの主鎖の少なくとも一方
の末端がエーテル基、水酸基、カルボニル基、アミノ基
、アミド基等で置換された分子量１０００〜１００００
程度の者が適している。また、この他に飽和脂肪酸やそ
の誘導体、高級アルコールやその誘導体等を用いること
もできる。
【００２７】このようにして試作した磁気ディスクをＣ
ＳＳテストしたところ、３０ｋ回までクラッシュが発生
せず、ヘッド・磁気ディスク間の摩擦係数の増加は無視
できる程度であった。
ＳＳテストしたところ、３０ｋ回までクラッシュが発生
せず、ヘッド・磁気ディスク間の摩擦係数の増加は無視
できる程度であった。
【００２８】また、上記試作磁気ディスクの表面に主鎖
の末端を水酸基で置換した平均分子量が２０００のパー
フロロポリエステルを潤滑膜５として湿式法で塗布後、
同様にしてＣＳＳテストを行ったところ、１００ｋ回ま
でクラッシュが発生せず、この潤滑膜５がない場合に較
べてヘッドの汚れも少なかった。
の末端を水酸基で置換した平均分子量が２０００のパー
フロロポリエステルを潤滑膜５として湿式法で塗布後、
同様にしてＣＳＳテストを行ったところ、１００ｋ回ま
でクラッシュが発生せず、この潤滑膜５がない場合に較
べてヘッドの汚れも少なかった。
【００２９】また、上記試作磁気ディスクと同様な下地
膜と磁性膜を設けたディスク基板を回転治具に取付け、
高周波プラズマトーチを用いてＳｉＨ４とＯ２の混合プ
ラズマを生成して金属酸化突起物３を磁性膜２上に形成
し、その上にグラファイトをターゲットとするスパッタ
リングにより厚みが略２０ｎｍの非晶質硬質炭化膜４を
形成して磁気ディスクを試作した。
膜と磁性膜を設けたディスク基板を回転治具に取付け、
高周波プラズマトーチを用いてＳｉＨ４とＯ２の混合プ
ラズマを生成して金属酸化突起物３を磁性膜２上に形成
し、その上にグラファイトをターゲットとするスパッタ
リングにより厚みが略２０ｎｍの非晶質硬質炭化膜４を
形成して磁気ディスクを試作した。
【００３０】この磁気ディスクのＣＳＳテストを行った
ところ、３０ｋ回後でも摩擦係数の増加は１ｇ以下であ
り、ディスク傷はなく、ヘッドの汚れも殆ど認められな
かった。
ところ、３０ｋ回後でも摩擦係数の増加は１ｇ以下であ
り、ディスク傷はなく、ヘッドの汚れも殆ど認められな
かった。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ディスク等の磁気
記録媒体の表面上に設けた硬質の金属酸化物突起が、磁
気ヘッドのクラッシュによる磁気ディスク表面の損傷を
防止し、さらに、上記クラッシュによって摩耗すること
が少ないので、上記磁気記録媒体を超寿命化し、その信
頼性を高める。
記録媒体の表面上に設けた硬質の金属酸化物突起が、磁
気ヘッドのクラッシュによる磁気ディスク表面の損傷を
防止し、さらに、上記クラッシュによって摩耗すること
が少ないので、上記磁気記録媒体を超寿命化し、その信
頼性を高める。
【図１】本発明による磁気ディスクの部分断面図
【図２
】従来磁気ディスクの部分断面図
】従来磁気ディスクの部分断面図
１…基板、２…磁性膜、３…金属酸化突起物、４…非晶
質硬質炭化膜、５…潤滑膜。
質硬質炭化膜、５…潤滑膜。
Claims (5)
- 【請求項１】磁気記録媒体において、磁気記録媒体基板
の磁性膜上に金属酸化物の突起を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、上記突起を、Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ等の周期率表のＩＩＩｂ族、およびＩＶｂ族金
属の酸化物としたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１において、上記突起を、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ等の周期律
表のＩＶａ族、Ｖａ族、およびＶＩａ族金属の酸化物と
したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１において、上記金属酸化物の突起
をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法で形成するようにした
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項５】請求項１において、上記金属酸化物の突起
をイオンプレーティング法で形成するようにしたことを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160291A JPH04278218A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160291A JPH04278218A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278218A true JPH04278218A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12612929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160291A Pending JPH04278218A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG143046A1 (en) * | 2003-06-30 | 2008-06-27 | Shinetsu Chemical Co | Substrate for magnetic recording medium |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4160291A patent/JPH04278218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG143046A1 (en) * | 2003-06-30 | 2008-06-27 | Shinetsu Chemical Co | Substrate for magnetic recording medium |
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