JPH04278515A - 縮小投影露光方法 - Google Patents
縮小投影露光方法Info
- Publication number
- JPH04278515A JPH04278515A JP3041472A JP4147291A JPH04278515A JP H04278515 A JPH04278515 A JP H04278515A JP 3041472 A JP3041472 A JP 3041472A JP 4147291 A JP4147291 A JP 4147291A JP H04278515 A JPH04278515 A JP H04278515A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coordinate system
- coordinate
- average
- pattern
- field
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上へパターン
を投影露光するための縮小投影露光方法に関する。
を投影露光するための縮小投影露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路を低価格に大量生
産し、かつ高性能なものとすべく、高集積化、微細化が
推進され、高密度記憶回路装置などが開発されている。 半導体集積回路回路のパターンを半導体ウェハー（以下
単にウェハーという）上に形成するためには、微細パタ
ーンを正確に形成する必要があるため、縮小投影露光装
置、いわゆるステッパーが用いられている。
産し、かつ高性能なものとすべく、高集積化、微細化が
推進され、高密度記憶回路装置などが開発されている。 半導体集積回路回路のパターンを半導体ウェハー（以下
単にウェハーという）上に形成するためには、微細パタ
ーンを正確に形成する必要があるため、縮小投影露光装
置、いわゆるステッパーが用いられている。
【０００３】図５は縮小投影露光に用いられるステッパ
ーの基本的な構成図である。図５において、防震台１１
０上に直交する２軸Ｘ，Ｙ方向に移動可能なステージ１
０９が設置されている。ステージ１０９上には露光を必
要とするウェハー１０７を載せるためのウェハー台１０
８が設置されている。光源１０１から発生した光１００
はコンデンサレンズ１０２で平行光束となり、ウェハー
１０７に形成される第２のパターン１０６がｎ倍に拡大
されて形成されている第１のパターン１０４を有するレ
ティクル１０３を通過する。
ーの基本的な構成図である。図５において、防震台１１
０上に直交する２軸Ｘ，Ｙ方向に移動可能なステージ１
０９が設置されている。ステージ１０９上には露光を必
要とするウェハー１０７を載せるためのウェハー台１０
８が設置されている。光源１０１から発生した光１００
はコンデンサレンズ１０２で平行光束となり、ウェハー
１０７に形成される第２のパターン１０６がｎ倍に拡大
されて形成されている第１のパターン１０４を有するレ
ティクル１０３を通過する。
【０００４】レティクル上の第１のパターン１０４は縮
小投影レンズ１０５によって１／ｎに、即ち実寸に縮小
されウェハー１０７上に結像露光される。ところで、縮
小投影レンズ１０５を用いて一度に露光可能な面積は通
常５〜２０ｍｍ□程度であり、それに対して用いられる
ウェハーは１００〜２００ｍｍφ程度で、ウェハー全面
に一度に露光することは不可能である。そこで、ある部
位に第１のパターン１０４を露光した後、ステージ１０
９を移動させて他の部位に再び第１のパターン１０４を
露光し、再びステージの移動、露光を繰り返し行ってウ
ェハー全面を露光している。
小投影レンズ１０５によって１／ｎに、即ち実寸に縮小
されウェハー１０７上に結像露光される。ところで、縮
小投影レンズ１０５を用いて一度に露光可能な面積は通
常５〜２０ｍｍ□程度であり、それに対して用いられる
ウェハーは１００〜２００ｍｍφ程度で、ウェハー全面
に一度に露光することは不可能である。そこで、ある部
位に第１のパターン１０４を露光した後、ステージ１０
９を移動させて他の部位に再び第１のパターン１０４を
露光し、再びステージの移動、露光を繰り返し行ってウ
ェハー全面を露光している。
【０００５】ウェハー１０７には半導体集積回路を構成
する第２のパターン１０６が多数形成されており、レテ
ィクル１０３に形成されている第１のパターン１０４を
、第２のパターン１０６の所望の位置に正確に合わせて
露光するためのアライメントは重要な問題である。
する第２のパターン１０６が多数形成されており、レテ
ィクル１０３に形成されている第１のパターン１０４を
、第２のパターン１０６の所望の位置に正確に合わせて
露光するためのアライメントは重要な問題である。
【０００６】次に、従来のフィールド・バイ・フィール
ドアライメント方法を図４に示す工程図を用いて説明す
る。ｎ枚のウェハーからなる１製造単位の露光を行う場
合、まずｌ枚目のウェハーをロードし、ウェハーのオリ
エンテーションフラット部を用いて、機械的な位置合わ
せであるプリアライメントを行う。次に、露光装置が持
つ位置測定系である第１座標系に基づき、特定の第２の
パターン１０６を抽出し、この内に作成されているアラ
イメント用マークの位置をアライメント光学系により位
置測定し、測定結果から、ウェハーの回転量を補正する
グローバルアライメントを行う。
ドアライメント方法を図４に示す工程図を用いて説明す
る。ｎ枚のウェハーからなる１製造単位の露光を行う場
合、まずｌ枚目のウェハーをロードし、ウェハーのオリ
エンテーションフラット部を用いて、機械的な位置合わ
せであるプリアライメントを行う。次に、露光装置が持
つ位置測定系である第１座標系に基づき、特定の第２の
パターン１０６を抽出し、この内に作成されているアラ
イメント用マークの位置をアライメント光学系により位
置測定し、測定結果から、ウェハーの回転量を補正する
グローバルアライメントを行う。
【０００７】次に、ウェハー上の全ての第２のパターン
位置をアライメントマークにより位置測定するフィール
ド・バイ・フィールドアライメントを行い（ｍ回）、こ
の測定位置に基づき露光を行う。以上を全ウェハーに対
して繰り返し（ｎ回）行ない１製造単位の露光を終了し
た後ウェハーをアンロードする。以下次の製造単位のウ
ェハーの露光に進む。
位置をアライメントマークにより位置測定するフィール
ド・バイ・フィールドアライメントを行い（ｍ回）、こ
の測定位置に基づき露光を行う。以上を全ウェハーに対
して繰り返し（ｎ回）行ない１製造単位の露光を終了し
た後ウェハーをアンロードする。以下次の製造単位のウ
ェハーの露光に進む。
【０００８】また、フィールド・バイ・フィールドアラ
イメントの代わりに、特定の第２のパターンを抽出し、
アライメントマークにより位置測定を行い、これより得
られた第２座標系と、第１座標系とのオフセット差，回
転差，直交度差，倍率差を算出し、これらを補正した第
３座標系を作成する第２のグローバルアライメントを行
い、次で第３の座標系により露光位置を決定し、露光す
るグローバルアライメント法もある。
イメントの代わりに、特定の第２のパターンを抽出し、
アライメントマークにより位置測定を行い、これより得
られた第２座標系と、第１座標系とのオフセット差，回
転差，直交度差，倍率差を算出し、これらを補正した第
３座標系を作成する第２のグローバルアライメントを行
い、次で第３の座標系により露光位置を決定し、露光す
るグローバルアライメント法もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィー
ルド・バイ・フィールドアライメント方法では、全ウェ
ハーで各露光フィールド毎に フィールド・バイ・フ
ィールド・アライメントを行うため、露光フィールド数
が多いとアライメントに長時間必要となり、スループッ
トが著しく低下するという欠点があった。またグローバ
ルアライメント法では、ウェハーの歪等に起因する位置
の歪分が補正できないという欠点があった。
ルド・バイ・フィールドアライメント方法では、全ウェ
ハーで各露光フィールド毎に フィールド・バイ・フ
ィールド・アライメントを行うため、露光フィールド数
が多いとアライメントに長時間必要となり、スループッ
トが著しく低下するという欠点があった。またグローバ
ルアライメント法では、ウェハーの歪等に起因する位置
の歪分が補正できないという欠点があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明の縮小投影露
光方法は、ガラス基板上に形成された第１のパターンに
対し半導体ウェハー上に形成された第２のパターンを位
置合わせして縮小投影露光を行う方法において、１製造
単位から複数枚の半導体ウェハーを抽出し露光装置が持
つ位置測定系からなる第１座標系に基ずいて前記第２の
パターン内のアライメント用マークをアライメント光学
系によって測定することにより半導体ウェハー上の全て
の第２のパターン配列位置を測定するフィールド・バイ
・フィールド測定を行う工程と、前記フィールド・バイ
・フィールド測定から得られた第２のパターン配列位置
を表す第２座標系と前記第１座標系との直交度差と倍率
差とを算出しこれらの値から線形成分を補正した第３座
標を作成する工程と、前記第２座標系と前記第３座標系
との差である座標歪を求める工程と、抽出した前記全半
導体ウェハーより求めた第３座標系と座標歪を平均して
平均第３座標系と平均座標歪とを求める工程と、露光を
行う各半導体ウェハー毎に荒いアライメントを行った後
第２のパターンの平行移動量及び回転量を測定するグロ
ーバルアライメントを行ないこれらの値と前記平均第３
座標系及び平均座標歪との合成により露光位置を算出す
る工程とを含んで構成される。
光方法は、ガラス基板上に形成された第１のパターンに
対し半導体ウェハー上に形成された第２のパターンを位
置合わせして縮小投影露光を行う方法において、１製造
単位から複数枚の半導体ウェハーを抽出し露光装置が持
つ位置測定系からなる第１座標系に基ずいて前記第２の
パターン内のアライメント用マークをアライメント光学
系によって測定することにより半導体ウェハー上の全て
の第２のパターン配列位置を測定するフィールド・バイ
・フィールド測定を行う工程と、前記フィールド・バイ
・フィールド測定から得られた第２のパターン配列位置
を表す第２座標系と前記第１座標系との直交度差と倍率
差とを算出しこれらの値から線形成分を補正した第３座
標を作成する工程と、前記第２座標系と前記第３座標系
との差である座標歪を求める工程と、抽出した前記全半
導体ウェハーより求めた第３座標系と座標歪を平均して
平均第３座標系と平均座標歪とを求める工程と、露光を
行う各半導体ウェハー毎に荒いアライメントを行った後
第２のパターンの平行移動量及び回転量を測定するグロ
ーバルアライメントを行ないこれらの値と前記平均第３
座標系及び平均座標歪との合成により露光位置を算出す
る工程とを含んで構成される。
【００１１】第２の発明の縮小投影露光方法は、ガラス
基板上に形成された第１のパターンに対し半導体ウェハ
ー上に形成された第２のパターンを位置合わせして縮小
投影露光を行う方法において、１製造単位から複数枚の
半導体ウェハーを抽出し露光装置が持つ位置測定系から
なる第１座標系に基ずいて前記第２のパターン内のアラ
イメント用マークをアライメント光学系によって測定す
ることにより半導体ウェハー上の全ての第２のパターン
配列位置を測定するフィールド・バイ・フィールド測定
を行う工程と、前記フィールド・バイ・フィールド測定
から得られた第２のパターン配列位置を表す第２座標系
と前記第１座標系との直交度差と倍率差とを算出しこれ
らの値から線形成分を補正した第３座標系を作成する工
程と、前記第２座標系と前記第３座標系との差である座
標歪を求める工程と、抽出した前記全半導体ウェハーよ
り求めた第３座標系と座標歪を平均して平均第３座標系
と平均座標歪とを求め工程と、露光を行う各半導体ウェ
ハー毎に荒いアライメントを行った後第２のパターンの
平行移動量及び回転量を測定するグローバルアライメン
トを行なう工程と、前記半導体ウェハー上の複数の第２
のパターンを抽出し位置を測定する第２のグローバルア
ライメントを行ない第２のパターンの平行移動量と回転
量と直交度及び倍率を算出して各半導体ウェハー毎に第
３座標系を求めこの値と前記平均座標歪との合成により
露光位置を算出する工程とを含んで構成される。
基板上に形成された第１のパターンに対し半導体ウェハ
ー上に形成された第２のパターンを位置合わせして縮小
投影露光を行う方法において、１製造単位から複数枚の
半導体ウェハーを抽出し露光装置が持つ位置測定系から
なる第１座標系に基ずいて前記第２のパターン内のアラ
イメント用マークをアライメント光学系によって測定す
ることにより半導体ウェハー上の全ての第２のパターン
配列位置を測定するフィールド・バイ・フィールド測定
を行う工程と、前記フィールド・バイ・フィールド測定
から得られた第２のパターン配列位置を表す第２座標系
と前記第１座標系との直交度差と倍率差とを算出しこれ
らの値から線形成分を補正した第３座標系を作成する工
程と、前記第２座標系と前記第３座標系との差である座
標歪を求める工程と、抽出した前記全半導体ウェハーよ
り求めた第３座標系と座標歪を平均して平均第３座標系
と平均座標歪とを求め工程と、露光を行う各半導体ウェ
ハー毎に荒いアライメントを行った後第２のパターンの
平行移動量及び回転量を測定するグローバルアライメン
トを行なう工程と、前記半導体ウェハー上の複数の第２
のパターンを抽出し位置を測定する第２のグローバルア
ライメントを行ない第２のパターンの平行移動量と回転
量と直交度及び倍率を算出して各半導体ウェハー毎に第
３座標系を求めこの値と前記平均座標歪との合成により
露光位置を算出する工程とを含んで構成される。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１〜図３は本発明の第１の実施例による縮小投影露
光手順を説明するための工程図である。本実施例では、
１製造単位のウェハー中から設定されたｌ枚のウェハー
を選択してフィールド・バイ・フィールド計測を行う。
。図１〜図３は本発明の第１の実施例による縮小投影露
光手順を説明するための工程図である。本実施例では、
１製造単位のウェハー中から設定されたｌ枚のウェハー
を選択してフィールド・バイ・フィールド計測を行う。
【００１３】まず図１に示すように、第１のウェハーを
ロードし、ウェハーのオリエンテーションフラット部を
用いたプリアライメントを行い、さらにグローバルアラ
イメントを行ってウェハーの平行移動と回転を補正する
。次に、各露光フィールドにおいて、アライメント用マ
ークをアライメント光学系により検出し、位置測定を行
うことにより、露光フィールドの中心位置を測定するフ
ィールド・バイ・フィールド計測を行ない第２座標系を
求める。次でこの値と装置が持つ第１座標系から直交度
と倍率を補正した第３座標系と座標歪を算出する。全て
のフィールド計測が終了した（ｍ回）後、ウェハーをア
ンロードし、第２のウェハーの計測に移る。
ロードし、ウェハーのオリエンテーションフラット部を
用いたプリアライメントを行い、さらにグローバルアラ
イメントを行ってウェハーの平行移動と回転を補正する
。次に、各露光フィールドにおいて、アライメント用マ
ークをアライメント光学系により検出し、位置測定を行
うことにより、露光フィールドの中心位置を測定するフ
ィールド・バイ・フィールド計測を行ない第２座標系を
求める。次でこの値と装置が持つ第１座標系から直交度
と倍率を補正した第３座標系と座標歪を算出する。全て
のフィールド計測が終了した（ｍ回）後、ウェハーをア
ンロードし、第２のウェハーの計測に移る。
【００１４】ｌ枚のウェハー全ての計測が終了した後、
ｌ枚のウェハーでの第３座標系と、座標系の平均値であ
る平均第３座標系と平均座標歪を求める。各ウェハーの
各フィールドにおいて、座標歪とそのフィールドでの平
均座標歪との差を求め、そのずれがあらかじめ設定され
た許容値以内であるか判定する。全ての点で許容値以内
であれば、座標歪の平均値による補正が適正であると判
断し、図２の露光手順に進む。
ｌ枚のウェハーでの第３座標系と、座標系の平均値であ
る平均第３座標系と平均座標歪を求める。各ウェハーの
各フィールドにおいて、座標歪とそのフィールドでの平
均座標歪との差を求め、そのずれがあらかじめ設定され
た許容値以内であるか判定する。全ての点で許容値以内
であれば、座標歪の平均値による補正が適正であると判
断し、図２の露光手順に進む。
【００１５】図２の露光手順では、露光を行う第１のウ
ェハーをロードし、プリアライメントとグローバルアラ
イメントを行う。グローバルアライメントによりウェハ
ーの平行移動と回転成分の値を求める。この値とフィー
ルド・バイ・フィールド計測で得られた平均第３座標系
と平均座標歪を合成し精密な露光位置を算出する。この
ようにして得られた各露光位置で、縮小投影露光を行う
。全露光フィールド（ｍ回）の露光が終了したら、ウェ
ハーをアンロードし、次のウェハーの露光に進む。この
ようにして、１製造単位の全ウェハー（ｎ枚）の露光を
行う。
ェハーをロードし、プリアライメントとグローバルアラ
イメントを行う。グローバルアライメントによりウェハ
ーの平行移動と回転成分の値を求める。この値とフィー
ルド・バイ・フィールド計測で得られた平均第３座標系
と平均座標歪を合成し精密な露光位置を算出する。この
ようにして得られた各露光位置で、縮小投影露光を行う
。全露光フィールド（ｍ回）の露光が終了したら、ウェ
ハーをアンロードし、次のウェハーの露光に進む。この
ようにして、１製造単位の全ウェハー（ｎ枚）の露光を
行う。
【００１６】また各ウェハーの各フィールドでの座標歪
の値と、平均座標歪の値との差が許容値を越えた場合は
、平均座標歪による補正は適切でないと判断し、図３に
示す従来と同様のフィールド・バイ・フィールドアライ
メントを行った後露光する。
の値と、平均座標歪の値との差が許容値を越えた場合は
、平均座標歪による補正は適切でないと判断し、図３に
示す従来と同様のフィールド・バイ・フィールドアライ
メントを行った後露光する。
【００１７】また第２の実施例としては、図２に示した
第１の実施例におけるグローバルアライメントを行った
後第２のグローバルアライメントを行い、平均移動，回
転，直交度及び倍率を補正した第３座標系を作成し、こ
の値と平均座標歪を合成して露光位置を算出し、露光を
行う。
第１の実施例におけるグローバルアライメントを行った
後第２のグローバルアライメントを行い、平均移動，回
転，直交度及び倍率を補正した第３座標系を作成し、こ
の値と平均座標歪を合成して露光位置を算出し、露光を
行う。
【００１８】通常１製造単位内での直交度、倍率のウェ
ハー間差は少ないため第１の実施例で十分であるが、こ
れらのウェハー間差が大きい場合はこの第２の実施例を
用いることにより、スループットは若干低下するが、ア
ライメント精度を向上させることができる。
ハー間差は少ないため第１の実施例で十分であるが、こ
れらのウェハー間差が大きい場合はこの第２の実施例を
用いることにより、スループットは若干低下するが、ア
ライメント精度を向上させることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、１製造単
位内から選んだウェハーにより、各フィールドでの位置
計測を行行い、各フィールドの座標歪分を計算し、実際
に露光を行う段階では、グローバルアライメントを行っ
た後、座標歪の計算による補正のみですぐに露光に移る
ため、フィールド・バイ・フィールドより短時間で露光
できるという効果がある。
位内から選んだウェハーにより、各フィールドでの位置
計測を行行い、各フィールドの座標歪分を計算し、実際
に露光を行う段階では、グローバルアライメントを行っ
た後、座標歪の計算による補正のみですぐに露光に移る
ため、フィールド・バイ・フィールドより短時間で露光
できるという効果がある。
【００２０】また、座標歪の要因には前露光工程での露
光装置の座標系の歪と、現露光を行おうとしている露光
装置自身の座標系の歪が含まれており、これらは同一製
造単位のウェハーでは全て同一装置で露光されるため、
同一の歪であり、又他の要因としては、前露光工程と現
露光工程間での製造工程によるウェハー自身の歪による
影響であり、これは、同一製造単位のウェハーは全て同
一製造装置によりほぼ同一条件でほぼ同時に処理されて
いるため、同一製造単位内のウェハーの歪は全て同様の
傾向を持つ。このため、１製造単位内から抽出したウェ
ハーにより求めた各フィールド座標歪の平均値は、同一
製造単位内の同一位置フィールド歪値を良い近似で表し
ており、この平均座標歪により座標歪を補正すれば、フ
ィールド・バイ・フィールドアライメントと同様の精度
で各フィールドをアライメントできるという効果がある
。
光装置の座標系の歪と、現露光を行おうとしている露光
装置自身の座標系の歪が含まれており、これらは同一製
造単位のウェハーでは全て同一装置で露光されるため、
同一の歪であり、又他の要因としては、前露光工程と現
露光工程間での製造工程によるウェハー自身の歪による
影響であり、これは、同一製造単位のウェハーは全て同
一製造装置によりほぼ同一条件でほぼ同時に処理されて
いるため、同一製造単位内のウェハーの歪は全て同様の
傾向を持つ。このため、１製造単位内から抽出したウェ
ハーにより求めた各フィールド座標歪の平均値は、同一
製造単位内の同一位置フィールド歪値を良い近似で表し
ており、この平均座標歪により座標歪を補正すれば、フ
ィールド・バイ・フィールドアライメントと同様の精度
で各フィールドをアライメントできるという効果がある
。
【図１】本発明の実施例を説明するための工程図である
。
。
【図２】本発明の実施例を説明するための工程図である
。
。
【図３】本発明の実施例を説明するための工程図である
。
。
【図４】従来の縮小投影露光方法を説明するための工程
図である。
図である。
【図５】ステッパーの構成図である。
１００ 光
１０１ 光源
１０２ コンデンサレンズ
１０３ レティクル
１０４ 第１のパターン
１０５ 縮小投影レンズ
１０６ 第２のパターン
１０７ ウェハー
１０８ ウェハー台
１０９ ステージ
１１０ 防震台
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に形成された第１のパタ
ーンに対し半導体ウェハー上に形成された第２のパター
ンを位置合わせして縮小投影露光を行う方法において、
１製造単位から複数枚の半導体ウェハーを抽出し露光装
置が持つ位置測定系からなる第１座標系に基ずいて前記
第２のパターン内のアライメント用マークをアライメン
ト光学系によって測定することにより半導体ウェハー上
の全ての第２のパターン配列位置を測定するフィールド
・バイ・フィールド測定を行う工程と、前記フィールド
・バイ・フィールド測定から得られた第２のパターン配
列位置を表す第２座標系と前記第１座標系との直交度差
と倍率差とを算出しこれらの値から線形成分を補正した
第３座標を作成する工程と、前記第２座標系と前記第３
座標系との差である座標歪を求める工程と、抽出した前
記全半導体ウェハーより求めた第３座標系と座標歪を平
均して平均第３座標系と平均座標歪とを求める工程と、
露光を行う各半導体ウェハー毎に荒いアライメントを行
った後第２のパターンの平行移動量及び回転量を測定す
るグローバルアライメントを行ないこれらの値と前記平
均第３座標系及び平均座標歪との合成により露光位置を
算出する工程とを含むことを特徴とする縮小投影露光方
法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に形成された第１のパタ
ーンに対し半導体ウェハー上に形成された第２のパター
ンを位置合わせして縮小投影露光を行う方法において、
１製造単位から複数枚の半導体ウェハーを抽出し露光装
置が持つ位置測定系からなる第１座標系に基ずいて前記
第２のパターン内のアライメント用マークをアライメン
ト光学系によって測定することにより半導体ウェハー上
の全ての第２のパターン配列位置を測定するフィールド
・バイ・フィールド測定を行う工程と、前記フィールド
・バイ・フィールド測定から得られた第２のパターン配
列位置を表す第２座標系と前記第１座標系との直交度差
と倍率差とを算出しこれらの値から線形成分を補正した
第３座標系を作成する工程と、前記第２座標系と前記第
３座標系との差である座標歪を求める工程と、抽出した
前記全半導体ウェハーより求めた第３座標系と座標歪を
平均して平均第３座標系と平均座標歪とを求める工程と
、露光を行う各半導体ウェハー毎に荒いアライメントを
行った後第２のパターンの平行移動量及び回転量を測定
するグローバルアライメントを行なう工程と、前記半導
体ウェハー上の複数の第２のパターンを抽出し位置を測
定する第２のグローバルアライメントを行ない第２のパ
ターンの平行移動量と回転量と直交度及び倍率を算出し
て各半導体ウェハー毎に第３座標系を求めこの値と前記
平均的座標歪との合成により露光位置を算出する工程と
を含むことを特徴とする縮小投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04147291A JP3168590B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 縮小投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04147291A JP3168590B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 縮小投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278515A true JPH04278515A (ja) | 1992-10-05 |
| JP3168590B2 JP3168590B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=12609306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1991
- 1991-03-07 JP JP04147291A patent/JP3168590B2/ja not_active Expired - Fee Related
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