JPH04279075A - レーザーダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザーダイオード駆動回路Info
- Publication number
- JPH04279075A JPH04279075A JP3042016A JP4201691A JPH04279075A JP H04279075 A JPH04279075 A JP H04279075A JP 3042016 A JP3042016 A JP 3042016A JP 4201691 A JP4201691 A JP 4201691A JP H04279075 A JPH04279075 A JP H04279075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- winding
- amplifier circuit
- drive circuit
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気信号を光信号に変換
するレーザーダイオード駆動回路に関する。
するレーザーダイオード駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザーダイオードの電流を変化
させて電気信号を光信号に光変調する場合、図６に示す
駆動回路が一般に用いられている。すなわち、レーザー
ダイオード６０８の直流バイアス電流は、端子６０４か
らチョークコイル６０６及び抵抗６０７を介して供給さ
れる。また、光信号に変調する高周波信号は、外部電源
より端子６０１に加えられ、増幅回路６０２で規定のレ
ベルに増幅した後、直流成分を阻止するコンデンサ６０
３を通してチョークコイル６０６と抵抗６０７との接続
点に加えられる。
させて電気信号を光信号に光変調する場合、図６に示す
駆動回路が一般に用いられている。すなわち、レーザー
ダイオード６０８の直流バイアス電流は、端子６０４か
らチョークコイル６０６及び抵抗６０７を介して供給さ
れる。また、光信号に変調する高周波信号は、外部電源
より端子６０１に加えられ、増幅回路６０２で規定のレ
ベルに増幅した後、直流成分を阻止するコンデンサ６０
３を通してチョークコイル６０６と抵抗６０７との接続
点に加えられる。
【０００３】この様な回路構成で、前記レーザーダイオ
ード６０８の直流バイアス電流に高周波信号が重畳され
ることとなり、レーザーダイオード６０８の発光強度、
すなわち輝度が変化することで光変調を行なう構成とな
っている。
ード６０８の直流バイアス電流に高周波信号が重畳され
ることとなり、レーザーダイオード６０８の発光強度、
すなわち輝度が変化することで光変調を行なう構成とな
っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記増幅回路６０２の
出力インピーダンスの値は、一般に５０Ωや７５Ωであ
り、高周波信号に対するレーザーダイオード６０８の入
力インピーダンスの値は約４〜１０Ωとなっているので
、抵抗６０７を挿入して増幅回路６０２の出力インピー
ダンスの値に近くなるように抵抗値を選び整合させてい
る。しかし、抵抗６０７の抵抗値はレーザーダイオード
６０８の高周波信号に対する入力インピーダンスの値と
比較して大きいために抵抗６０７による高周波信号の減
衰が大きく、その減衰量を補うために増幅回路６０２の
出力レベルを上げなければならなかった。このため増幅
回路６０２の回路構成部品が多くなり消費電力も増大す
ると共に、増幅回路６０２での高周波信号の歪みが増大
するという欠点があった。
出力インピーダンスの値は、一般に５０Ωや７５Ωであ
り、高周波信号に対するレーザーダイオード６０８の入
力インピーダンスの値は約４〜１０Ωとなっているので
、抵抗６０７を挿入して増幅回路６０２の出力インピー
ダンスの値に近くなるように抵抗値を選び整合させてい
る。しかし、抵抗６０７の抵抗値はレーザーダイオード
６０８の高周波信号に対する入力インピーダンスの値と
比較して大きいために抵抗６０７による高周波信号の減
衰が大きく、その減衰量を補うために増幅回路６０２の
出力レベルを上げなければならなかった。このため増幅
回路６０２の回路構成部品が多くなり消費電力も増大す
ると共に、増幅回路６０２での高周波信号の歪みが増大
するという欠点があった。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
、レーザーダイオードからの光信号を高周波信号で輝度
変調する場合、レーザーダイオードと増幅回路の間にイ
ンピーダンス整合用として挿入される直列抵抗による高
周波信号の損失を少なくし、低出力レベルの増幅回路で
駆動可能とし、さらに増幅回路で発生する歪みの低減を
図ったレーザーダイオード駆動回路を提供することを目
的とする。
、レーザーダイオードからの光信号を高周波信号で輝度
変調する場合、レーザーダイオードと増幅回路の間にイ
ンピーダンス整合用として挿入される直列抵抗による高
周波信号の損失を少なくし、低出力レベルの増幅回路で
駆動可能とし、さらに増幅回路で発生する歪みの低減を
図ったレーザーダイオード駆動回路を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号を
レーザーダイオードで輝度変調し光信号に変換するレー
ザーダイオード駆動回路において、高周波信号を増幅す
る増幅回路の出力とレーザーダイオードとの間にインピ
ーダンス整合用トランスを介して接続するように構成し
たことをした特徴とする。
レーザーダイオードで輝度変調し光信号に変換するレー
ザーダイオード駆動回路において、高周波信号を増幅す
る増幅回路の出力とレーザーダイオードとの間にインピ
ーダンス整合用トランスを介して接続するように構成し
たことをした特徴とする。
【０００７】
【作用】レーザーダイオードからの光信号を高周波信号
で輝度変調する場合、駆動用増幅回路とレーザーダイオ
ードとの間にインピーダンス整合用のトランスを介在す
ることにより、トランスの変成比が巻き線比の２乗に関
係することを利用して、インピーダンス整合用抵抗の値
を小さく設定できる。従って、高周波信号の損失を少な
くできると共に、増幅回路の出力レベルを小さくして高
周波信号の歪みを低減できる。
で輝度変調する場合、駆動用増幅回路とレーザーダイオ
ードとの間にインピーダンス整合用のトランスを介在す
ることにより、トランスの変成比が巻き線比の２乗に関
係することを利用して、インピーダンス整合用抵抗の値
を小さく設定できる。従って、高周波信号の損失を少な
くできると共に、増幅回路の出力レベルを小さくして高
周波信号の歪みを低減できる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【０００９】図１は、本発明によるレーザーダイオード
駆動回路の第１実施例を示す構成図である。光信号に変
調するテレビ放送信号等の高周波信号は、端子１０１よ
り入力される。この高周波信号は、増幅回路１０２より
レーザーダイオード１０７を駆動するのに必要な出力レ
ベルに増幅され、コンデンサ１０３を介してトランス回
路１０６に加えられる。上記コンデンサ１０３は、増幅
回路１０２の出力側に現れる直流バイアスを阻止し、高
周波信号を通過させるためのものである。
駆動回路の第１実施例を示す構成図である。光信号に変
調するテレビ放送信号等の高周波信号は、端子１０１よ
り入力される。この高周波信号は、増幅回路１０２より
レーザーダイオード１０７を駆動するのに必要な出力レ
ベルに増幅され、コンデンサ１０３を介してトランス回
路１０６に加えられる。上記コンデンサ１０３は、増幅
回路１０２の出力側に現れる直流バイアスを阻止し、高
周波信号を通過させるためのものである。
【００１０】トランス回路１０６は、高周波信号のイン
ピーダンスを変える整合用のトランスＴ１ と抵抗Ｒ１
とで構成される。この抵抗Ｒ１ は、トランスＴ１
でのインピーダンス変換の不完全分の補正とレーザーダ
イオード１０７の電流を制限する作用を有する。
ピーダンスを変える整合用のトランスＴ１ と抵抗Ｒ１
とで構成される。この抵抗Ｒ１ は、トランスＴ１
でのインピーダンス変換の不完全分の補正とレーザーダ
イオード１０７の電流を制限する作用を有する。
【００１１】レーザーダイオード１０７の直流バイアス
電流は、外部電源より端子１０４に加えられ、トランス
Ｔ１ の２次巻き線、抵抗Ｒ１ を介してレーザーダイ
オード１０７に流れる。ここでコンデンサ１０５は、ト
ランスＴ１ の１次巻き線により結合される高周波信号
を接地するバイアス用のコンデンサである。次にトラン
ス回路１０６の設定例について説明する。
電流は、外部電源より端子１０４に加えられ、トランス
Ｔ１ の２次巻き線、抵抗Ｒ１ を介してレーザーダイ
オード１０７に流れる。ここでコンデンサ１０５は、ト
ランスＴ１ の１次巻き線により結合される高周波信号
を接地するバイアス用のコンデンサである。次にトラン
ス回路１０６の設定例について説明する。
【００１２】増幅回路１０２に出力インピーダンスをＺ
１ ＝７５Ωとし、トランスＴ１ の１次巻き線と２次
巻き線の巻き線比をＮ＝１／２とした場合、トランスＴ
１ の２次巻き線側のインピーダンスＺ２ は、Ｚ２
＝Ｚ１ ×Ｎ２ ＝１８．７５Ω
…（１）
１ ＝７５Ωとし、トランスＴ１ の１次巻き線と２次
巻き線の巻き線比をＮ＝１／２とした場合、トランスＴ
１ の２次巻き線側のインピーダンスＺ２ は、Ｚ２
＝Ｚ１ ×Ｎ２ ＝１８．７５Ω
…（１）
【００１３】となる。レ
ーザーダイオード１０７の高周波信号に対するインピー
ダンスをＺｄ＝５Ωとした場合、抵抗Ｒ１ との直列イ
ンピーダンスはトランスＴ１ の２次巻き線側のインピ
ーダンスＺ２ と等しい場合に整合するので、Ｚ２ ＝
Ｒ１ ＋Ｚｄ
…（２）
ーザーダイオード１０７の高周波信号に対するインピー
ダンスをＺｄ＝５Ωとした場合、抵抗Ｒ１ との直列イ
ンピーダンスはトランスＴ１ の２次巻き線側のインピ
ーダンスＺ２ と等しい場合に整合するので、Ｚ２ ＝
Ｒ１ ＋Ｚｄ
…（２）
【００１４】で表される。したがって、（２）式より抵
抗Ｒ１ は１３．５Ωの抵抗を接続すれば、増幅回路１
０２の出力インピーダンスＺ１ ＝７５Ωとレーザーダ
イオード１０７の高周波信号に対するインピーダンスＺ
ｄ＝５Ωとは整合させることが出来る。この場合の高周
波信号の損失は、トランスＴ１の損失と、抵抗Ｒ１ で
消費される損失とであり、トランスＴ１ の損失は小さ
いので抵抗Ｒ１ で消費される損失が支配的となる。し
たがって、従来のトランスＴ１ が接続されない図６の
回路構成の場合、インピーダンス整合用の抵抗６０６の
値をＲ０ すると、Ｒ０ ＝Ｚ１ −Ｚｄ＝７５−５＝
７０Ω
抗Ｒ１ は１３．５Ωの抵抗を接続すれば、増幅回路１
０２の出力インピーダンスＺ１ ＝７５Ωとレーザーダ
イオード１０７の高周波信号に対するインピーダンスＺ
ｄ＝５Ωとは整合させることが出来る。この場合の高周
波信号の損失は、トランスＴ１の損失と、抵抗Ｒ１ で
消費される損失とであり、トランスＴ１ の損失は小さ
いので抵抗Ｒ１ で消費される損失が支配的となる。し
たがって、従来のトランスＴ１ が接続されない図６の
回路構成の場合、インピーダンス整合用の抵抗６０６の
値をＲ０ すると、Ｒ０ ＝Ｚ１ −Ｚｄ＝７５−５＝
７０Ω
【００１５】の時にインピーダンス整合はとれる
が、実際は高周波信号の抵抗による損失が大きいので、
抵抗６０６の値をＲ０ ＝３３〜４８Ωとして不整合で
使用することが多い。あるいは増幅回路１０２の出力イ
ンピーダンスＺ１をＺ１ ＝５０Ωと低くして整合させ
て構成していた。
が、実際は高周波信号の抵抗による損失が大きいので、
抵抗６０６の値をＲ０ ＝３３〜４８Ωとして不整合で
使用することが多い。あるいは増幅回路１０２の出力イ
ンピーダンスＺ１をＺ１ ＝５０Ωと低くして整合させ
て構成していた。
【００１６】しかし、その損失は多いので、本発明のト
ランス回路１０６を使用した場合のほうが損失が少ない
。したがって、増幅回路１０２の出力レベルも損失が少
ない分だけ小さくでき、増幅回路１０２の増幅段数の低
減、使用するトランジスタのコレクタ損失の低減などが
可能である。
ランス回路１０６を使用した場合のほうが損失が少ない
。したがって、増幅回路１０２の出力レベルも損失が少
ない分だけ小さくでき、増幅回路１０２の増幅段数の低
減、使用するトランジスタのコレクタ損失の低減などが
可能である。
【００１７】図２は、トランス回路１０６をオートトラ
ンスＴ２ で構成した場合の第２実施例を示す。レーザ
ーダイオード１０７の直流バイアスは外部電源より端子
１０４を介しオートトランスＴ２ に巻き線の片端より
、巻き線のタップＣ、抵抗Ｒ２ を経てレーザーダイオ
ード１０７に流される。また、高周波信号はオートトラ
ンスＴ２ の巻き線比で分割され抵抗Ｒ２ を介してレ
ーザーダイオード１０７に加えられる。しかし、オート
トランスＴ２ でのインピーダンスの変成比は巻き線比
の２乗に関係するので、レーザーダイオード１０７と直
列に接続する抵抗Ｒ２ は小さい値となるので、従来の
図６の回路構成より損失の低減が図られる。
ンスＴ２ で構成した場合の第２実施例を示す。レーザ
ーダイオード１０７の直流バイアスは外部電源より端子
１０４を介しオートトランスＴ２ に巻き線の片端より
、巻き線のタップＣ、抵抗Ｒ２ を経てレーザーダイオ
ード１０７に流される。また、高周波信号はオートトラ
ンスＴ２ の巻き線比で分割され抵抗Ｒ２ を介してレ
ーザーダイオード１０７に加えられる。しかし、オート
トランスＴ２ でのインピーダンスの変成比は巻き線比
の２乗に関係するので、レーザーダイオード１０７と直
列に接続する抵抗Ｒ２ は小さい値となるので、従来の
図６の回路構成より損失の低減が図られる。
【００１８】図３は、トランス回路１０６の構成を２巻
き線型のオートトランスＴ３ とした場合の第３の実施
例を示す。レーザーダイオード１０７の直流バイアスは
、外部電源より端子１０４を介して第１の巻き線Ｗ１
の一端に加えられ、直列接続した第２の巻き線Ｗ２ の
接続点から抵抗Ｒ３ を介してレーザーダイオード１０
７に供給される。また、高周波信号はオートトランスＴ
３ を構成する２つの巻き線Ｗ１，Ｗ２ の比で分割さ
れ、抵抗Ｒ３ を介してレーザーダイオード１０７に加
えられる。この場合もオートトランスＴ３ でのインピ
ーダンス変成比は、巻き線比の２乗に関係するので、２
つの巻き線比を等しくした場合は、増幅回路１０２と接
続したコンデンサ１０３側に対し、レーザーダイオード
１０７と接続する抵抗Ｒ３側の巻き線比は１／２となる
。従って、インピーダンスは１／４の値となるので、レ
ーザーダイオード１０７と直列に接続する抵抗Ｒ３ は
小さい値となり、従来の図６の回路構成より高周波信号
の損失の低減が図られる。
き線型のオートトランスＴ３ とした場合の第３の実施
例を示す。レーザーダイオード１０７の直流バイアスは
、外部電源より端子１０４を介して第１の巻き線Ｗ１
の一端に加えられ、直列接続した第２の巻き線Ｗ２ の
接続点から抵抗Ｒ３ を介してレーザーダイオード１０
７に供給される。また、高周波信号はオートトランスＴ
３ を構成する２つの巻き線Ｗ１，Ｗ２ の比で分割さ
れ、抵抗Ｒ３ を介してレーザーダイオード１０７に加
えられる。この場合もオートトランスＴ３ でのインピ
ーダンス変成比は、巻き線比の２乗に関係するので、２
つの巻き線比を等しくした場合は、増幅回路１０２と接
続したコンデンサ１０３側に対し、レーザーダイオード
１０７と接続する抵抗Ｒ３側の巻き線比は１／２となる
。従って、インピーダンスは１／４の値となるので、レ
ーザーダイオード１０７と直列に接続する抵抗Ｒ３ は
小さい値となり、従来の図６の回路構成より高周波信号
の損失の低減が図られる。
【００１９】図４は、トランス回路１０６の構成を３巻
き線型のオートトランスＴ４ とした場合の第４の実施
例を示す。レーザーダイオード１０７の直流バイアスは
、外部電源より端子１０４を介して巻き線の一端、すな
わち、直列接続した３つの巻き線Ｗ１ ，巻き線Ｗ２
，巻き線Ｗ３ の内の１つの巻き線Ｗ３ の一端に加え
られ、直列接続した巻き線Ｗ２ ，巻き線Ｗ３ の接続
点から抵抗Ｒ４ を介してレーザーダイオード１０７に
供給される。また、高周波信号は、オートトランスＴ４
の３つの巻き線の比で分割され、レーザーダイオード
１０７に抵抗Ｒ４ を介して加えられる。この場合もオ
ートトランスＴ３ でのインピーダンス変換比は巻き線
比の２乗に関係するので、例えば３つの巻き線比をそれ
ぞれ等しくした場合、インピーダンスの変成比は１／３
２ 、すなわち１／９となり、抵抗Ｒ４ は更に小さい
値となるので、従来の図６の回路構成より高周波信号の
損失の低減が図られる。
き線型のオートトランスＴ４ とした場合の第４の実施
例を示す。レーザーダイオード１０７の直流バイアスは
、外部電源より端子１０４を介して巻き線の一端、すな
わち、直列接続した３つの巻き線Ｗ１ ，巻き線Ｗ２
，巻き線Ｗ３ の内の１つの巻き線Ｗ３ の一端に加え
られ、直列接続した巻き線Ｗ２ ，巻き線Ｗ３ の接続
点から抵抗Ｒ４ を介してレーザーダイオード１０７に
供給される。また、高周波信号は、オートトランスＴ４
の３つの巻き線の比で分割され、レーザーダイオード
１０７に抵抗Ｒ４ を介して加えられる。この場合もオ
ートトランスＴ３ でのインピーダンス変換比は巻き線
比の２乗に関係するので、例えば３つの巻き線比をそれ
ぞれ等しくした場合、インピーダンスの変成比は１／３
２ 、すなわち１／９となり、抵抗Ｒ４ は更に小さい
値となるので、従来の図６の回路構成より高周波信号の
損失の低減が図られる。
【００２０】図５は、トランス回路１０６の構成を直並
列接続の巻き線で構成したシリパラ（シリアル／パラレ
ル）トランスとした場合の第５の実施例を示す。トラン
スＴ５ ，トランスＴ６ ，トランスＴ７ はそれぞれ
２つの巻き線で成り、コンデンサ１０３側はそれぞれの
巻き線が直列に接続され、抵抗Ｒ５ 側は並列に接続さ
れて構成される。いま、トランスＴ５ ，トランスＴ６
，トランスＴ７ の全ての巻き線数を同じとした場合
、インピーダンスの変成比は１／９となるので、抵抗Ｒ
５ の抵抗値を小さくできる。従って、前記図１〜図４
で示した構成例と同様に従来の図６の回路構成より高周
波信号の損失の低減が図られる。
列接続の巻き線で構成したシリパラ（シリアル／パラレ
ル）トランスとした場合の第５の実施例を示す。トラン
スＴ５ ，トランスＴ６ ，トランスＴ７ はそれぞれ
２つの巻き線で成り、コンデンサ１０３側はそれぞれの
巻き線が直列に接続され、抵抗Ｒ５ 側は並列に接続さ
れて構成される。いま、トランスＴ５ ，トランスＴ６
，トランスＴ７ の全ての巻き線数を同じとした場合
、インピーダンスの変成比は１／９となるので、抵抗Ｒ
５ の抵抗値を小さくできる。従って、前記図１〜図４
で示した構成例と同様に従来の図６の回路構成より高周
波信号の損失の低減が図られる。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳記したように本発明によれば、
駆動用の増幅回路とレーザーダイオードとの間にインピ
ーダンスを変成するトランスを接続することで、トラン
スの変成比が巻き線比の２乗に関係することを利用でき
、従来のようにレーザーダイオードに直列接続した抵抗
のみでインピーダンスの整合を行う場合と比較して抵抗
での損失を少なくできる。従って、増幅回路の出力レベ
ルを小さくできると共に、増幅回路に使用するトランジ
スタ等の半導体素子の価格を低減できる。更に増幅回路
の出力レベルが小さく、高周波信号の歪みを少なくでき
るので、光変調するテレビ信号の伝送チャンネル数を増
加することが可能となる。
駆動用の増幅回路とレーザーダイオードとの間にインピ
ーダンスを変成するトランスを接続することで、トラン
スの変成比が巻き線比の２乗に関係することを利用でき
、従来のようにレーザーダイオードに直列接続した抵抗
のみでインピーダンスの整合を行う場合と比較して抵抗
での損失を少なくできる。従って、増幅回路の出力レベ
ルを小さくできると共に、増幅回路に使用するトランジ
スタ等の半導体素子の価格を低減できる。更に増幅回路
の出力レベルが小さく、高周波信号の歪みを少なくでき
るので、光変調するテレビ信号の伝送チャンネル数を増
加することが可能となる。
【図１】本発明に係るレーザーダイオード駆動回路の第
１実施例を示す図。
１実施例を示す図。
【図２】本発明の第２実施例における整合回路を示す図
。
。
【図３】本発明の第３実施例における整合回路を示す図
。
。
【図４】本発明の第４実施例における整合回路を示す図
。
。
【図５】本発明の第５実施例における整合回路を示す図
。
。
【図６】従来のレーザーダイオード駆動回路を示す図。
１０１…入力端子、１０２…増幅回路、１０３…コンデ
ンサ、１０４…バイアス入力端子、１０５…バイパスコ
ンデンサ、１０６…整合回路、１０７…レーザーダイオ
ード。
ンサ、１０４…バイアス入力端子、１０５…バイパスコ
ンデンサ、１０６…整合回路、１０７…レーザーダイオ
ード。
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波の電気信号をレーザーダイオー
ドで輝度変調し光信号に変換するレーザーダイオード駆
動回路において、高周波信号を増幅する増幅回路の出力
とレーザーダイオードとの間にインピーダンス整合用ト
ランスを介して接続したことを特徴とするレーザーダイ
オード駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１において、インピーダンス整
合用トランスは、１次巻き線に増幅回路の出力を接続し
、２次巻き線の一端をバイアス電源に接続し、２次巻き
線の他端をレーザーダイオードに接続する構成としたこ
とを特徴とするレーザーダイオード駆動回路。 - 【請求項３】 請求項１において、インピーダンス整
合用トランスは、巻き線の途中に中間タップを設けたオ
ートトランスを使用し、巻き初めに増幅回路の出力を接
続し、上記中間タップをレーザーダイオードに接続し、
巻き終わりにバイアス電源を接続する構成としたことを
特徴とするレーザーダイオード駆動回路。 - 【請求項４】 請求項１において、インピーダンス整
合用トランスは、複数本の巻き線を直列に接続したオー
トトランスを使用し、巻き初めに増幅回路の出力を接続
し、巻き線の接続点をレーザーダイオードに接続し、巻
き終わりにバイアス電源を接続する構成としたことを特
徴とするレーザーダイオード駆動回路。 - 【請求項５】 請求項１において、インピーダンス整
合用トランスは、２本の巻き線を持つトランスを複数設
け、巻き線の接続を増幅回路の出力側を直列接続し、レ
ーザーダイオードを接続する側を並列接続し、直列接続
した一端に増幅回路の出力を、他端にバイアス電源を接
続する構成としたことを特徴とするレーザーダイオード
駆動回路。 - 【請求項６】 請求項２において、インピーダンス整
合用トランスとレーザーダイオードとの接続は、不整合
分補正用の抵抗を介して接続する構成としたことを特徴
とするレーザーダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3042016A JPH04279075A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レーザーダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3042016A JPH04279075A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レーザーダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279075A true JPH04279075A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12624378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3042016A Pending JPH04279075A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レーザーダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04279075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216839A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| JP2018156032A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 光変調器モジュール |
| KR20220012946A (ko) * | 2019-07-02 | 2022-02-04 | 오므론 가부시키가이샤 | 펄스형 방전을 위한 전자기기 드라이버 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236273A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JPS62222688A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザダイオ−ドのアナログ変調回路 |
| JPH03203820A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Sony Corp | マルチチャンネルレーザ |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3042016A patent/JPH04279075A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236273A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JPS62222688A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザダイオ−ドのアナログ変調回路 |
| JPH03203820A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Sony Corp | マルチチャンネルレーザ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216839A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| US7869479B2 (en) | 2005-02-04 | 2011-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| JP2018156032A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 光変調器モジュール |
| KR20220012946A (ko) * | 2019-07-02 | 2022-02-04 | 오므론 가부시키가이샤 | 펄스형 방전을 위한 전자기기 드라이버 |
| JP2022537067A (ja) * | 2019-07-02 | 2022-08-23 | オムロン株式会社 | パルス放電用電子機器ドライバ |
| US12283789B2 (en) | 2019-07-02 | 2025-04-22 | Omron Corporation | Electronics driver for pulsed discharge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4346349A (en) | Multi-channel audio power amplifier | |
| AU638119B2 (en) | Push-pull optical receiver | |
| EP0581351B1 (en) | Transceiver for the exchange of informations along lines for the transport of electric power | |
| US5347389A (en) | Push-pull optical receiver with cascode amplifiers | |
| JP3322889B2 (ja) | 給電伝送システム | |
| JPS60180308A (ja) | 電気信号グループの伝播時間の増幅器修正器及びこの種の増幅器を含むヘルツ波の中間周波数増幅チヤンネル | |
| US4249136A (en) | PWM Signal power amplifier | |
| US6711190B2 (en) | Laser transmitter bias circuit | |
| US4415863A (en) | Pulse width modulation amplifier | |
| US4560946A (en) | Power amplifier | |
| US20080260179A1 (en) | Active loudspeaker | |
| US10187022B2 (en) | RF class AB cascode amplifier with linearization and steering diodes | |
| US5278515A (en) | High bandwidth information channel with optocoupling isolation | |
| JPH04279075A (ja) | レーザーダイオード駆動回路 | |
| US3134080A (en) | Hybrid feedback amplifier | |
| US5235288A (en) | Amplifier stage for low-resistance ac voltage sources | |
| US5574404A (en) | Optical coupler galvanic isolation device, and modem incorporating it | |
| US4513250A (en) | Signal cuber | |
| US2393709A (en) | Distortion reduction on modulated amplifiers | |
| US4217556A (en) | Output amplifying circuit | |
| US4275360A (en) | Electronic amplifier circuit arrangements | |
| JP2606165B2 (ja) | インピーダンス整合回路 | |
| JPH08288772A (ja) | 送信電力増幅器のバイアス制御回路 | |
| US6445474B1 (en) | Optical transmitter using two or more optical sources | |
| EP0130664B1 (en) | Signal cuber |