JPS60236273A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS60236273A JPS60236273A JP59094880A JP9488084A JPS60236273A JP S60236273 A JPS60236273 A JP S60236273A JP 59094880 A JP59094880 A JP 59094880A JP 9488084 A JP9488084 A JP 9488084A JP S60236273 A JPS60236273 A JP S60236273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- drive source
- semiconductor element
- frequency drive
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、主として光通信用の光半導体装置に係り、
！に高周波駆動源にて効率良い光出力が得られる光半導
体装置に関するものである。
！に高周波駆動源にて効率良い光出力が得られる光半導
体装置に関するものである。
近年１元通信等元倍号による情報処理分野において、レ
ーザダイオードやＬＥＤ等の光半導体素子が用いられつ
つある。
ーザダイオードやＬＥＤ等の光半導体素子が用いられつ
つある。
そして、この光半導体素子を高い周波数で変調して使用
すればより多量の情報を伝達処理できる事になり非常に
有効なものである。
すればより多量の情報を伝達処理できる事になり非常に
有効なものである。
この様な観点から高周波で光半導体素子全駆動する方法
として第１図に示す様なものが考えられる。第１図にお
いて（１）はレーザダイオードやＬＥＤ等の光半導体素
子で、この例においては半導体レーザを用いた。（２１
（３１はこの光半導体素子の端子で。
として第１図に示す様なものが考えられる。第１図にお
いて（１）はレーザダイオードやＬＥＤ等の光半導体素
子で、この例においては半導体レーザを用いた。（２１
（３１はこの光半導体素子の端子で。
端子（３）は接地式れている。（４）は高周波駆動源。
（４ａ）はこの高周波駆動源のインピーダンス、（５）
はこの高周波駆動源（４）と上記光半導体素子の端子（
２１との間に接続された負荷抵抗である。
はこの高周波駆動源（４）と上記光半導体素子の端子（
２１との間に接続された負荷抵抗である。
一方、上記光半導体素子（１）のレーザ発振状態での等
価回路は第２因に示すようになるものである。
価回路は第２因に示すようになるものである。
第２図において（１ａ）は端子（２）及び端子（３）に
それぞれ接続式れたリード電極に基づくり一ドインダク
タンス、（ｉｂ）はリード電極と光半導体素子全構成す
るチップの電極との間全接続するワイヤリードインダク
タンス、（１りはレーザ発振動作時のチップの動作抵抗
、（１ｄ） はチップを収納しているパッケージの漂遊
容量である。
それぞれ接続式れたリード電極に基づくり一ドインダク
タンス、（ｉｂ）はリード電極と光半導体素子全構成す
るチップの電極との間全接続するワイヤリードインダク
タンス、（１りはレーザ発振動作時のチップの動作抵抗
、（１ｄ） はチップを収納しているパッケージの漂遊
容量である。
この様に構ｇでれたものにおいて高周波駆動源１１＋に
て光半導体素子（１）全駆動すると１元半導体素子（１
）力）ら高周波駆動１１１１ｆ１１の周波数に応じて光
出力？Ｉ−発生したが、ｆｔＳ出力が低いものであった
。
て光半導体素子（１）全駆動すると１元半導体素子（１
）力）ら高周波駆動１１１１ｆ１１の周波数に応じて光
出力？Ｉ−発生したが、ｆｔＳ出力が低いものであった
。
そこで１発明者らはより多量の情報全伝達できるように
尚周波駆動源ｆｉ＋からの周波数全変化芒ゼたところ、
第３図に示すような高周波駆動源ｆｉｌからの周波数と
光半導体素子（１）の光出力との関係が得られた。
尚周波駆動源ｆｉ＋からの周波数全変化芒ゼたところ、
第３図に示すような高周波駆動源ｆｉｌからの周波数と
光半導体素子（１）の光出力との関係が得られた。
この第３図から判るように高周波駆動源ｆｉ＋からの出
力が高周波領域になると光半導体素子（１１の光出力が
急激に低下してしまうものであった。
力が高周波領域になると光半導体素子（１１の光出力が
急激に低下してしまうものであった。
このことは高周波駆動源（１）からの周波数が高くなる
ほど、第２図に示した光半導体素子（１）の両端（≧×
３２ 子囮姪）間のインピーダンスが高くなることに起因する
からである。
ほど、第２図に示した光半導体素子（１）の両端（≧×
３２ 子囮姪）間のインピーダンスが高くなることに起因する
からである。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高
周波駆動源と光半導体素子との間に、高周波駆動源の周
波数に対してこの高周波駆動源のインピーダンスとの整
合ｔとるインピーダンス整合回路全接続して、高い周波
数でも高い光出力が得られる尤半導体装ｆｉｌｌ提案す
るものである。
周波駆動源と光半導体素子との間に、高周波駆動源の周
波数に対してこの高周波駆動源のインピーダンスとの整
合ｔとるインピーダンス整合回路全接続して、高い周波
数でも高い光出力が得られる尤半導体装ｆｉｌｌ提案す
るものである。
以下にこの発明の一実施例を第４図に基づいて（６）
説明すると図において靭は高周波駆動源（４）と光半導
体素子（１）との間に接続され、高周波駆動源（４）か
らの高い周波数に対して高周波駆動源（４）のインピー
ダンスと整合がとられたインピーダンス整合回路で９元
半導体素子（１１と同じパッケージ内に収納されている
ものであり、光半導体素子（１１と直列に接続式れたコ
ンデンサ（７）及びインダクタンス素子（８）と光半導
体素子（１）と並列に接続されたコンデンサ（９）とか
ら構ａ纏れているものである。（ｌ［ｌは上記（９ン コンデンサーの一方の電極に接続式れた端子、 （１１
１は光半導体素子の端子（３）Ｋ接続きれた端子である
。
体素子（１）との間に接続され、高周波駆動源（４）か
らの高い周波数に対して高周波駆動源（４）のインピー
ダンスと整合がとられたインピーダンス整合回路で９元
半導体素子（１１と同じパッケージ内に収納されている
ものであり、光半導体素子（１１と直列に接続式れたコ
ンデンサ（７）及びインダクタンス素子（８）と光半導
体素子（１）と並列に接続されたコンデンサ（９）とか
ら構ａ纏れているものである。（ｌ［ｌは上記（９ン コンデンサーの一方の電極に接続式れた端子、 （１１
１は光半導体素子の端子（３）Ｋ接続きれた端子である
。
そしてこれら両端子ａｔｘ ｕはパッケージ外に露出あ
るいは突出しているものでアリ、光半導体装置としての
端子となるものである。
るいは突出しているものでアリ、光半導体装置としての
端子となるものである。
この様に構成てれた光半導体装置にあっては。
高周波駆動源（４）からの高い周波数に対して、インピ
ーダンス整合回路（６）Ｋより高周波駆動源（４）のイ
ンピーダンスとの整合が行なわれているため、光半導体
素子（１１からの光出力の低下はなく、高い光出力が得
られるものである。その結果９光通信等に用いた場合高
い光出力で多量の情報を伝達処理できるものである。
ーダンス整合回路（６）Ｋより高周波駆動源（４）のイ
ンピーダンスとの整合が行なわれているため、光半導体
素子（１１からの光出力の低下はなく、高い光出力が得
られるものである。その結果９光通信等に用いた場合高
い光出力で多量の情報を伝達処理できるものである。
しかも１元半導体素子＋１１とインピーダンス整合回路
（６）と金回−パッケージ内圧収納したので、高周波駆
動源（４）に両端子＋１（１（１１１を接続するだけで
良く。
（６）と金回−パッケージ内圧収納したので、高周波駆
動源（４）に両端子＋１（１（１１１を接続するだけで
良く。
特別な外部回路を設ける等の必要はなく使い勝手が良い
ものである。
ものである。
第５図はこの発明の他の実施例を示すものであり、イン
ピーダンス整合回路（６）凱 光半導体素子に直列に接
続式れるコンデンサα２と、Ｐｉｈ望の分布定数で形成
されるキャパシタンス及びインダクタンスを有した整合
素子ａ３とで構成したものである。
ピーダンス整合回路（６）凱 光半導体素子に直列に接
続式れるコンデンサα２と、Ｐｉｈ望の分布定数で形成
されるキャパシタンス及びインダクタンスを有した整合
素子ａ３とで構成したものである。
このものにおいても、上記第４図に示した実施例と同様
の効果を奏するものである。
の効果を奏するものである。
この発明は以上述べたように、１％周波駆動源と光半導
体素子との間に、高周波駆動源と光半導体素子との間に
、高周波駆動源の周波数に対してこの高周波駆動源のイ
ンピーダンスとの整合金とるインピーダンス整合回路全
接続したので、高い周波数でかつ高い光出力が得られる
という効果全有するものである。
体素子との間に、高周波駆動源と光半導体素子との間に
、高周波駆動源の周波数に対してこの高周波駆動源のイ
ンピーダンスとの整合金とるインピーダンス整合回路全
接続したので、高い周波数でかつ高い光出力が得られる
という効果全有するものである。
従って、この発明の光半導体装置を光通信等に用いた場
合には高い光出力で多食の情報を伝達処理できるという
効果を有するものである。
合には高い光出力で多食の情報を伝達処理できるという
効果を有するものである。
第１図は光半導体素子（１）全駆動する回路を示す図、
第２図は光半導体素子の動作状態での等価回路を示す図
、第３図は高周波駆動源（４）の周波数と光半導体素子
＋１１の光出力との関係を示す図、第４図はこの発明の
一実施例を示す図、第５図はこの発明の他の実施例を示
す図である。 図において（Ｉｆは光半導体素子、（４）は高周波駆動
源、（６）はインピーダンス整合回路である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分會示す。 代理人 大 岩 増 雄（ほか２名） 第 １１！２Ｉ 周浪数ｆ
第２図は光半導体素子の動作状態での等価回路を示す図
、第３図は高周波駆動源（４）の周波数と光半導体素子
＋１１の光出力との関係を示す図、第４図はこの発明の
一実施例を示す図、第５図はこの発明の他の実施例を示
す図である。 図において（Ｉｆは光半導体素子、（４）は高周波駆動
源、（６）はインピーダンス整合回路である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分會示す。 代理人 大 岩 増 雄（ほか２名） 第 １１！２Ｉ 周浪数ｆ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 高周波駆動源と光半導体素子との間に、上記高
周波駆動源の周波数に対してこの高周波駆動源のインピ
ーダンスとの整合ケとるインピーダンス整合回路を接続
したことを特徴とする光半導体装置。 （２） 光半導体素子とインピーダンス整合回路とが同
一パッケージ内圧収納されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光半導体装置。 （３） インピーダンス整合回路は、光半導体素子に直
列に接続されるコンデンサ及びインダクタンス素子と光
半導体素子に並列に接続されるコンデンサとを有したも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の光半導体装置。 （４） インピーダンス整合回路は１元半導体素子に直
列に接続されるコンデンサと、所望の分布定数で形成場
れるキャパシタンス及びインダクタンスを有した整合素
子とを有したものとしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094880A JPS60236273A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094880A JPS60236273A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236273A true JPS60236273A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14122361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094880A Pending JPS60236273A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2621754A1 (fr) * | 1987-10-05 | 1989-04-14 | Gen Electric | Dispositif de generation de signal de haute et procede de fabrication |
| FR2621755A1 (fr) * | 1987-10-05 | 1989-04-14 | Gen Electric | Dispositif de traitement de signal de haute frequence et procede de fabrication |
| JPH04172427A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 短波長レーザ光源 |
| JPH04279075A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Yagi Antenna Co Ltd | レーザーダイオード駆動回路 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59094880A patent/JPS60236273A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2621754A1 (fr) * | 1987-10-05 | 1989-04-14 | Gen Electric | Dispositif de generation de signal de haute et procede de fabrication |
| FR2621755A1 (fr) * | 1987-10-05 | 1989-04-14 | Gen Electric | Dispositif de traitement de signal de haute frequence et procede de fabrication |
| JPH04172427A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 短波長レーザ光源 |
| JPH04279075A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Yagi Antenna Co Ltd | レーザーダイオード駆動回路 |
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