JPH04279695A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
- Publication number
- JPH04279695A JPH04279695A JP3043400A JP4340091A JPH04279695A JP H04279695 A JPH04279695 A JP H04279695A JP 3043400 A JP3043400 A JP 3043400A JP 4340091 A JP4340091 A JP 4340091A JP H04279695 A JPH04279695 A JP H04279695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- crystal composition
- ferroelectric liquid
- smectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
- C09K2019/121—Compounds containing phenylene-1,4-diyl (-Ph-)
- C09K2019/123—Ph-Ph-Ph
Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な新規の強誘電性液晶組成物に関するもので、特
に従来の液晶材料と比較して、その応答速度の温度依存
性が極めて小さく、液晶表示素子の材料として有用な強
誘電性液晶組成物を提供するものである。
て有用な新規の強誘電性液晶組成物に関するもので、特
に従来の液晶材料と比較して、その応答速度の温度依存
性が極めて小さく、液晶表示素子の材料として有用な強
誘電性液晶組成物を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在広く用いられている液晶表示素子は
、主にネマチック液晶を利用したツイスティッド・ネマ
チック（ＴＮ）型、あるいはスーパー・ツイスティッド
・ネマチック（ＳＴＮ）型と呼ばれるものであり、多く
の利点を有しているものの、その応答速度はＣＲＴ等の
発光型の表示方式と比較すると、格段に遅いという大き
な欠点があり、そのためにその応用に大きな制限があっ
た。その他の液晶表示方式も多方面から検討されている
が、応答特性の改善は余りなされていないのが実状であ
る。
、主にネマチック液晶を利用したツイスティッド・ネマ
チック（ＴＮ）型、あるいはスーパー・ツイスティッド
・ネマチック（ＳＴＮ）型と呼ばれるものであり、多く
の利点を有しているものの、その応答速度はＣＲＴ等の
発光型の表示方式と比較すると、格段に遅いという大き
な欠点があり、そのためにその応用に大きな制限があっ
た。その他の液晶表示方式も多方面から検討されている
が、応答特性の改善は余りなされていないのが実状であ
る。
【０００３】ところが、最近見いだされた強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶表示素子においては、従来
のＴＮ型などの表示素子の１００倍以上の高速応答が可
能となった。さらに双安定性を有するため、電源を切っ
ても表示の記憶が得られることが明らかになった。この
ため、大画面高解像度ディスプレイ、薄型テレビ、光シ
ャッター、プリンターヘッド等への利用可能性が大きく
、現在、その実用化に向けて活発に開発研究がなされて
いる。
クチック液晶を利用した液晶表示素子においては、従来
のＴＮ型などの表示素子の１００倍以上の高速応答が可
能となった。さらに双安定性を有するため、電源を切っ
ても表示の記憶が得られることが明らかになった。この
ため、大画面高解像度ディスプレイ、薄型テレビ、光シ
ャッター、プリンターヘッド等への利用可能性が大きく
、現在、その実用化に向けて活発に開発研究がなされて
いる。
【０００４】強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系
のキラルスメクチック相に属するが、その中で最も低粘
性のキラルスメクチックＣ（以下、Ｓｃ＊と省略する。 ）相が実用上望ましい。既に数多くのＳｃ＊相を示す液
晶化合物（以下、Ｓｃ＊化合物という。）が合成、検討
されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング素子
として用いるのに十分な性質を有するものは未だ知られ
ていない。よって他の液晶化合物との混合によりＳｃ＊
相を示す液晶組成物（以下、Ｓｃ＊液晶組成物という。 ）として用いられている。このようなＳｃ＊液晶組成物
の検討は活発に行われており、現在では、キラルでない
スメクチックＣ（以下、Ｓｃと省略する。）相を示す母
体液晶に、光学活性化合物から成るキラルドーパントを
添加する方法が一般的である。これによって高速応答性
、良好な配向性、広い作動温度範囲等の特性を合わせ持
つＳｃ＊液晶組成物が得られるようになってきた。
のキラルスメクチック相に属するが、その中で最も低粘
性のキラルスメクチックＣ（以下、Ｓｃ＊と省略する。 ）相が実用上望ましい。既に数多くのＳｃ＊相を示す液
晶化合物（以下、Ｓｃ＊化合物という。）が合成、検討
されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング素子
として用いるのに十分な性質を有するものは未だ知られ
ていない。よって他の液晶化合物との混合によりＳｃ＊
相を示す液晶組成物（以下、Ｓｃ＊液晶組成物という。 ）として用いられている。このようなＳｃ＊液晶組成物
の検討は活発に行われており、現在では、キラルでない
スメクチックＣ（以下、Ｓｃと省略する。）相を示す母
体液晶に、光学活性化合物から成るキラルドーパントを
添加する方法が一般的である。これによって高速応答性
、良好な配向性、広い作動温度範囲等の特性を合わせ持
つＳｃ＊液晶組成物が得られるようになってきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｓ
ｃ＊液晶組成物は、応答速度の温度依存性において、そ
の変化が急峻なものがほとんどであり、実際のデバイス
作成上、大きな障害となっていた。そのため応答速度の
温度依存性が小さい液晶組成物が望まれていた。
ｃ＊液晶組成物は、応答速度の温度依存性において、そ
の変化が急峻なものがほとんどであり、実際のデバイス
作成上、大きな障害となっていた。そのため応答速度の
温度依存性が小さい液晶組成物が望まれていた。
【０００６】例えば、特開平２−３８４８５号公報、特
開平２−３８４８６号公報、および特開平２−３８４８
７号公報に記載のＳｃ＊液晶組成物が知られているが、
これらの液晶組成物の２５℃および４０℃における応答
速度は、２．５〜３倍もの差があり、応答速度の温度依
存性が極めて大きいものであった。
開平２−３８４８６号公報、および特開平２−３８４８
７号公報に記載のＳｃ＊液晶組成物が知られているが、
これらの液晶組成物の２５℃および４０℃における応答
速度は、２．５〜３倍もの差があり、応答速度の温度依
存性が極めて大きいものであった。
【０００７】本発明が解決しようとする課題は、高速応
答性と良好な配向性と、広い作動温度範囲を有し、さら
にその応答速度の温度依存性が小さい強誘電性液晶組成
物を提供することにある。
答性と良好な配向性と、広い作動温度範囲を有し、さら
にその応答速度の温度依存性が小さい強誘電性液晶組成
物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために下記の強誘電性液晶組成物を提供する。すな
わち、（１）一般式（Ｉ）
するために下記の強誘電性液晶組成物を提供する。すな
わち、（１）一般式（Ｉ）
【０００９】
【化３】
【００１０】（式中、Ｒ１およびＲ２は、各々独立的に
炭素原子数４〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基ま
たはアルコキシル基を表わすが、好ましくはＲ１は炭素
原子数４〜１２の直鎖状のアルコキシル基を表わし、Ｒ
２は炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルキル基を表す。 ）で表わされる化合物、及び一般式（ＩＩ）
炭素原子数４〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基ま
たはアルコキシル基を表わすが、好ましくはＲ１は炭素
原子数４〜１２の直鎖状のアルコキシル基を表わし、Ｒ
２は炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルキル基を表す。 ）で表わされる化合物、及び一般式（ＩＩ）
【００１１
】
】
【化４】
【００１２】（式中、Ｒ３およびＲ４は、各々独立的に
炭素原子数４〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基ま
たはアルコキシル基を表わすが、好ましくはＲ３、Ｒ４
の一方が炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルコキシル基
を表わし、他方が炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルキ
ル基を表す。）で表わされる化合物を含有し、Ｓｃ相を
示す母体液晶に、（２）光学活性化合物から成るキラル
ドーパントを加えてなる強誘電性液晶組成物を提供する
ものであり、さらに好ましくはＳｃ相を示す母体液晶中
に、一般式（Ｉ）で表わされる化合物を５〜５０重量％
、及び一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を１０〜８０
重量％含有する強誘電性液晶組成物を提供するものであ
る。
炭素原子数４〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基ま
たはアルコキシル基を表わすが、好ましくはＲ３、Ｒ４
の一方が炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルコキシル基
を表わし、他方が炭素原子数４〜１２の直鎖状のアルキ
ル基を表す。）で表わされる化合物を含有し、Ｓｃ相を
示す母体液晶に、（２）光学活性化合物から成るキラル
ドーパントを加えてなる強誘電性液晶組成物を提供する
ものであり、さらに好ましくはＳｃ相を示す母体液晶中
に、一般式（Ｉ）で表わされる化合物を５〜５０重量％
、及び一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を１０〜８０
重量％含有する強誘電性液晶組成物を提供するものであ
る。
【００１３】一般式（Ｉ）で表わされる化合物は比較的
広い温度範囲で、特に高い温度域までＳｃ相を示す化合
物であり、また３環型の化合物としては低粘性であるた
め、Ｓｃ相を示す母体液晶の調製に適した化合物である
。
広い温度範囲で、特に高い温度域までＳｃ相を示す化合
物であり、また３環型の化合物としては低粘性であるた
め、Ｓｃ相を示す母体液晶の調製に適した化合物である
。
【００１４】本発明に係わるＳｃ＊液晶組成物は、一般
式（Ｉ）で表される化合物を母体液晶の主成分として含
有しているが、含有量が５重量％以下であると効果が少
なく、５０重量％を超えると母体液晶の粘性が高くなり
、応答速度が遅くなるので、母体液晶中に５〜５０重量
％含有することが好ましい。一般式（Ｉ）で表わされる
化合物の例を第１表に示す。
式（Ｉ）で表される化合物を母体液晶の主成分として含
有しているが、含有量が５重量％以下であると効果が少
なく、５０重量％を超えると母体液晶の粘性が高くなり
、応答速度が遅くなるので、母体液晶中に５〜５０重量
％含有することが好ましい。一般式（Ｉ）で表わされる
化合物の例を第１表に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｉは等方性液体
相を、Ｎはネマチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を
、ＳｃはスメクチックＣ相を、ＳＢはスメクチックＢ相
を、Ｓ３、Ｓ４はそれぞれ帰属不明のスメクチック相を
表す。）一方、一般式（ＩＩ）の化合物は、非常に低い
温度域でＳｃ相を示すかあるいは示さない化合物である
が、粘性が非常に低く、高速応答を可能とするものであ
り、母体液晶の調製に適した化合物である。
相を、Ｎはネマチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を
、ＳｃはスメクチックＣ相を、ＳＢはスメクチックＢ相
を、Ｓ３、Ｓ４はそれぞれ帰属不明のスメクチック相を
表す。）一方、一般式（ＩＩ）の化合物は、非常に低い
温度域でＳｃ相を示すかあるいは示さない化合物である
が、粘性が非常に低く、高速応答を可能とするものであ
り、母体液晶の調製に適した化合物である。
【００１７】本発明に係わるＳｃ＊液晶組成物は、この
一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を母体液晶の主成分
として含有しているが、含有量が１０重量％以下である
と効果が少なく、８０重量％を超えると、母体液晶のＳ
ｃ相の温度範囲が低くなりすぎるので、母体液晶中に１
０〜８０重量％含有することが好ましい。一般式（ＩＩ
）で表わされる化合物の例を第２表に示す。
一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を母体液晶の主成分
として含有しているが、含有量が１０重量％以下である
と効果が少なく、８０重量％を超えると、母体液晶のＳ
ｃ相の温度範囲が低くなりすぎるので、母体液晶中に１
０〜８０重量％含有することが好ましい。一般式（ＩＩ
）で表わされる化合物の例を第２表に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｉは等方性液体
相を、Ｎはネマチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を
、ＳｃはスメクチックＣ相を表す。）本発明のＳｃ＊液
晶組成物の特徴は、その応答速度の温度依存性が非常に
小さいことである。
相を、Ｎはネマチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を
、ＳｃはスメクチックＣ相を表す。）本発明のＳｃ＊液
晶組成物の特徴は、その応答速度の温度依存性が非常に
小さいことである。
【００２０】ここで本発明に係わる一般式（Ｉ）及び一
般式（ＩＩ）で表わされる化合物から成る母体液晶（Ａ
）を調製した。この母体液晶（Ａ）は、４２℃までＳｃ
相を、５１．５℃までＳＡ相を、７２℃までＮ相を示す
。
般式（ＩＩ）で表わされる化合物から成る母体液晶（Ａ
）を調製した。この母体液晶（Ａ）は、４２℃までＳｃ
相を、５１．５℃までＳＡ相を、７２℃までＮ相を示す
。
【００２１】なお、母体液晶（Ａ）は、
【００２２】
【化５】
【００２３】から成るものである。（組成比は重量％を
表わす。以下同じ）この母体液晶（Ａ）９８％と、キラ
ルドーパントとして式
表わす。以下同じ）この母体液晶（Ａ）９８％と、キラ
ルドーパントとして式
【００２４】
【化６】
【００２５】で表される光学活性ラクトン誘導体２％か
ら調製したＳｃ＊液晶組成物は、４４．５℃以下でＳｃ
＊相を示す。この組成物を厚さ約２μｍのセルに充填し
、電界強度１０Ｖｐ−ｐ／μｍ印加時の応答速度を測定
し、その結果を第３表に示した。
ら調製したＳｃ＊液晶組成物は、４４．５℃以下でＳｃ
＊相を示す。この組成物を厚さ約２μｍのセルに充填し
、電界強度１０Ｖｐ−ｐ／μｍ印加時の応答速度を測定
し、その結果を第３表に示した。
【００２６】
【表３】
【００２７】この結果から明らかなように、温度が４０
℃から２５℃まで変化してもその応答速度は７６μ秒か
ら８８μ秒と約１５％程度しか変化しておらず、これは
従来の強誘電性液晶材料と比較して、極めて小さい変化
であるといえる。この応答速度の温度依存性が極めて小
さい点は、本発明の液晶組成物の優れた特徴であるとい
える。このため本発明の強誘電性液晶組成物は、実際の
表示用材料としてデバイス作成上、非常に好適である。
℃から２５℃まで変化してもその応答速度は７６μ秒か
ら８８μ秒と約１５％程度しか変化しておらず、これは
従来の強誘電性液晶材料と比較して、極めて小さい変化
であるといえる。この応答速度の温度依存性が極めて小
さい点は、本発明の液晶組成物の優れた特徴であるとい
える。このため本発明の強誘電性液晶組成物は、実際の
表示用材料としてデバイス作成上、非常に好適である。
【００２８】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明の主旨および適用範囲はこれらの実施例
によって制限されるものではない。
するが、本発明の主旨および適用範囲はこれらの実施例
によって制限されるものではない。
【００２９】本実施例において、相転移温度の測定は温
度調節ステージを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量
計（ＤＳＣ）を併用して行った。また組成物中における
％はすべて重量％を表わすものとする。 （実施例１）母体液晶（Ａ）９８％と、式
度調節ステージを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量
計（ＤＳＣ）を併用して行った。また組成物中における
％はすべて重量％を表わすものとする。 （実施例１）母体液晶（Ａ）９８％と、式
【００３０】
【化７】
【００３１】で表される（２Ｒ，４Ｒ）−２−［４−（
３−フルオロ−４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）
フェニル］−４−デカノリド２％から成るＳｃ＊液晶組
成物を調製した。このＳｃ＊液晶組成物は４４．５℃ま
でＳｃ＊相を、５０℃までＳＡ相を、７４℃までＮ＊相
をそれぞれ示した。またその融点は明瞭ではなかった。
３−フルオロ−４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）
フェニル］−４−デカノリド２％から成るＳｃ＊液晶組
成物を調製した。このＳｃ＊液晶組成物は４４．５℃ま
でＳｃ＊相を、５０℃までＳＡ相を、７４℃までＮ＊相
をそれぞれ示した。またその融点は明瞭ではなかった。
【００３２】次にこの液晶組成物を用いて、以下の手順
で液晶セルを作成した。まず、ＥＨＣ社より市販されて
いるＩＴＯ蒸着ガラス板（電極面積７０ｍｍ２）を洗浄
、乾燥した。これにポリイミド形成溶液「ＰＩＱ」（日
立化成工業社製）をスピナー塗布機で塗布し、ポリイミ
ド被膜を形成した（基板Ａ）。
で液晶セルを作成した。まず、ＥＨＣ社より市販されて
いるＩＴＯ蒸着ガラス板（電極面積７０ｍｍ２）を洗浄
、乾燥した。これにポリイミド形成溶液「ＰＩＱ」（日
立化成工業社製）をスピナー塗布機で塗布し、ポリイミ
ド被膜を形成した（基板Ａ）。
【００３３】同様にして、グラスファイバーのスペーサ
ーを混合した、上記のポリイミド形成溶液を用いて、ス
ペーサーを含んだポリイミド被膜を形成した（基板Ｂ）
。基板Ａ及び基板Ｂをナイロン布でラビング処理を施し
た後、一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布して
、基板Ａ及びＢをそのラビング方向が互いに平行かつ逆
向きになるように重ね合わせ、８０℃で３時間放置し、
硬化させ、セルを作成した。
ーを混合した、上記のポリイミド形成溶液を用いて、ス
ペーサーを含んだポリイミド被膜を形成した（基板Ｂ）
。基板Ａ及び基板Ｂをナイロン布でラビング処理を施し
た後、一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布して
、基板Ａ及びＢをそのラビング方向が互いに平行かつ逆
向きになるように重ね合わせ、８０℃で３時間放置し、
硬化させ、セルを作成した。
【００３４】こうして作成したセルに、上記液晶組成物
を加熱して等方性液体相とした状態で注入し、次いで１
分間に１℃の割合で徐冷を行い、Ｎ＊相、ＳＡ相、次い
でＳｃ＊相を配向させ、液晶表示素子を得た。このセル
厚を測定したところ、２．０μｍであった。
を加熱して等方性液体相とした状態で注入し、次いで１
分間に１℃の割合で徐冷を行い、Ｎ＊相、ＳＡ相、次い
でＳｃ＊相を配向させ、液晶表示素子を得た。このセル
厚を測定したところ、２．０μｍであった。
【００３５】このセルに電界強度１０Ｖｐ−ｐ／μｍの
矩形波を印加してその電気光学応答速度、自発分極、チ
ルト角を測定した。
矩形波を印加してその電気光学応答速度、自発分極、チ
ルト角を測定した。
【００３６】
【表４】
【００３７】コントラストは良好であった。この結果か
ら本発明に係わるＳｃ＊液晶組成物の２５℃および４０
℃における応答時間の差は約１５％しか認められず、本
発明の液晶組成物の応答速度の温度依存性は非常に小さ
いことが判明した。 （実施例２）母体液晶（Ａ）８０％と、以下の組成から
なるキラルドーパント
ら本発明に係わるＳｃ＊液晶組成物の２５℃および４０
℃における応答時間の差は約１５％しか認められず、本
発明の液晶組成物の応答速度の温度依存性は非常に小さ
いことが判明した。 （実施例２）母体液晶（Ａ）８０％と、以下の組成から
なるキラルドーパント
【００３８】
【化８】
【００３９】２０％から成るＳｃ＊液晶組成物を調製し
た。このＳｃ＊液晶組成物は４４℃までＳｃ＊相を、６
０．５℃までＳＡ相を、７１．５℃までＮ＊相を、それ
ぞれ示した。 実施例１と全く同様にして液晶表示素
子を作成し、その電気光学応答速度を測定したところ、
応答速度は２５℃において３４μ秒、４０℃において２
４μ秒であり、温度依存性の非常に小さい高速応答が確
認できた。
た。このＳｃ＊液晶組成物は４４℃までＳｃ＊相を、６
０．５℃までＳＡ相を、７１．５℃までＮ＊相を、それ
ぞれ示した。 実施例１と全く同様にして液晶表示素
子を作成し、その電気光学応答速度を測定したところ、
応答速度は２５℃において３４μ秒、４０℃において２
４μ秒であり、温度依存性の非常に小さい高速応答が確
認できた。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係わる強誘電性液晶組成物は、
広い温度範囲でＳｃ＊相を示し、１００μ秒以下という
高速応答が可能であり、しかもその応答速度の温度依存
性は極めて小さい。従って、本発明の強誘電性液晶組成
物は、表示用光スイッチング素子の材料として極めて有
用である。
広い温度範囲でＳｃ＊相を示し、１００μ秒以下という
高速応答が可能であり、しかもその応答速度の温度依存
性は極めて小さい。従って、本発明の強誘電性液晶組成
物は、表示用光スイッチング素子の材料として極めて有
用である。
Claims (5)
- 【請求項１】 （１）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１およびＲ２は、各々独立的に炭素原子数４
〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基またはアルコキ
シル基を表わす。）で表わされる化合物、及び一般式（
ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ３およびＲ４は、各々独立的に炭素原子数４
〜１２の直鎖または分岐状のアルキル基またはアルコキ
シル基を表わす。）で表わされる化合物を含有するスメ
クチックＣ（Ｓｃ）相を示す母体液晶と、（２）光学活
性化合物から成るキラルドーパントを含有することを特
徴とする強誘電性液晶組成物。 - 【請求項２】 Ｒ１が炭素原子数４〜１２の直鎖状の
アルコキシル基であり、Ｒ２が炭素原子数４〜１２の直
鎖状のアルキル基である請求項１記載の強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項３】 Ｒ３又はＲ４の一方が炭素原子数４〜
１２の直鎖状のアルコキシル基であり、他方が炭素原子
数４〜１２の直鎖状のアルキル基である請求項２記載の
強誘電性液晶組成物。 - 【請求項４】 スメクチックＣ（Ｓｃ）相を示す母体
液晶中に一般式（Ｉ）で表わされる化合物を５〜５０重
量％、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を１０〜８０
重量％含有することを特徴とする請求項１記載の強誘電
性液晶組成物。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の強誘電
性液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043400A JPH04279695A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043400A JPH04279695A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279695A true JPH04279695A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12662728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043400A Pending JPH04279695A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04279695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005007775A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines medium mit monofluor-terphenylverbindungen |
| WO2006038443A1 (ja) | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Chisso Corporation | 液晶組成物および液晶表示素子 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3043400A patent/JPH04279695A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005007775A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines medium mit monofluor-terphenylverbindungen |
| JP2007526931A (ja) * | 2003-07-11 | 2007-09-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | モノフルオロターフェニル化合物を含む液晶媒体 |
| US7390538B2 (en) | 2003-07-11 | 2008-06-24 | Merck Patent Gmbh | Liquid-crystal medium containing monofluoroterphenyl compounds |
| WO2006038443A1 (ja) | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Chisso Corporation | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| EP1808472A4 (en) * | 2004-10-04 | 2009-03-18 | Chisso Corp | Liquid crystalline composition and liquid crystal display element |
| US7638174B2 (en) | 2004-10-04 | 2009-12-29 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display element |
| EP2366756A2 (en) | 2004-10-04 | 2011-09-21 | JNC Corporation | Liquid Crystal Composition and Liquid Crystal Display Element |
| EP2366756A3 (en) * | 2004-10-04 | 2012-11-21 | JNC Corporation | Liquid Crystal Composition and Liquid Crystal Display Element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0343488A (ja) | 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 | |
| KR970006721B1 (ko) | 강유전성 액정 조성물 | |
| JP2547857B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| KR970008264B1 (ko) | 강유전성 액정 조성물 및 이를 사용한 광스위칭 소자 | |
| KR100354351B1 (ko) | 액정조성물및이것을함유한액정소자 | |
| JP2796753B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JPH04279695A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0243283A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH04272989A (ja) | 液晶組成物、それを有する液晶素子、それ等を用いた表示方法及び表示装置 | |
| KR0167333B1 (ko) | 강유전성 액정 조성물 및 이를 이용한 광 스윗칭 소자 | |
| JPH02255635A (ja) | 液晶性化合物およびこれを含む液晶組成物、液晶素子 | |
| JPH04296386A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH04304293A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0426679A (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JPH0559366A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0726101B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物および光スイッチング素子 | |
| JP2901026B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物及び光スイッチング素子 | |
| JPH0532972A (ja) | フエニルシクロヘキセン誘導体を含有する強誘電性液晶組成物 | |
| JPH02261893A (ja) | 強誘電性液晶組成物およびそれを用いた液晶素子 | |
| JPH01207280A (ja) | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 | |
| JPH0446991A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0543878A (ja) | 減粘性液晶を含有する強誘電性液晶組成物 | |
| JPH0680603A (ja) | アルキリデンシクロヘキサン誘導体及びそれを含有する強誘電性液晶組成物 | |
| JPH07102253A (ja) | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 | |
| JPH03259992A (ja) | 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶素子 |