JPH0559366A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 （１）フルオロフェニルオキシメチレンビ
フェニル誘導体及び含フッ素ビフェニル誘導体を含有
し、更にフェニルピリミジン誘導体を含有してもよい
スメクチックＣ相を示す母体液晶、及び（２）光学活性
化合物から成るキラルドーパントを含有する強誘電性液
晶組成物 【効果】 本発明の強誘電性液晶組成物は、広い温度範
囲で強誘電性を示し、且つ低粘性であるため、高速応答
が得られるので液晶表示素子の材料として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な強誘電性液晶組成物に関し、更に詳しくは、従
来の液晶材料と比較してその応答性に優れ、液晶表示素
子の構成材料として有用な強誘電性液晶組成物を提供す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】現在広く用いられている液晶表示素子
は、主にネマチック液晶を利用したＴＮ型、あるいはＳ
ＴＮ型と呼ばれるものであり、多くの利点を有している
ものの、その応答性においてはＣＲＴ等の発光型の表示
方式と比較すると格段に遅いという大きな欠点があり、
そのためにその応用に大きな制限があった。その他の液
晶表示方式もいろいろと検討されているが、その応答性
における改善は余りなされていないのが実情である。

【０００３】ところが、最近見いだされた強誘電性キラ
ルスメクチック液晶を利用した液晶表示素子において
は、従来のＴＮ型などの表示素子の１００倍以上の高速
応答が可能となった。更に双安定性を有するため、電源
を切っても表示の記憶が得られることが明らかになっ
た。このため、大画面高解像度ディスプレイ、薄型テレ
ビ、光シャッター、プリンターヘッド等への利用可能性
が大きく、現在、その実用化に向けて活発に開発研究が
なされている。

【０００４】強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラ
ルスメクチック相に属するが、その中でも最も低粘性の
キラルスメクチックＣ（以下、ＳＣ^*と省略する。）相
が実用上望ましい。既に数多くのＳＣ^*相を示す液晶化
合物（以下、ＳＣ^*化合物という。）が合成され、検討
されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング素子
として用いるのに十分な性質を有するものは未だ知られ
ていない。よって他の液晶化合物と混合してＳＣ^*相を
示す液晶組成物（以下、ＳＣ^*液晶組成物という。）と
して用いられている。

【０００５】このようなＳＣ^*液晶組成物の検討は活発
に行われており、現在では、キラルでないスメクチック
Ｃ（以下、ＳＣと省略する。）相を示す母体液晶に、光
学活性化合物から成るキラルドーパントを添加する方法
が一般的である。これによって高速応答性、良好な配向
性、広い作動温度範囲等の特性を合わせ持つＳＣ^*液晶
組成物が得られるようになってきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｓ
Ｃ^*液晶組成物の応答性はまだ充分とはいい難く、更に
高速応答性が望まれている。強誘電性液晶において応答
を高速化するには、液晶組成物の自発分極を大きくする
か、粘度を小さくする必要があることは知られている。
しかしながら、このうち自発分極についてあまり大きく
するとメモリー性等に悪影響を与えるため、ある程度以
上に自発分極を大きくできないのが実情である。そこで
液晶組成物の粘度を小さくする必要があるが、そのため
には前記ＳＣ^*液晶組成物の大部分を占める母体液晶の
粘度を小さくすることが最も重要である。

【０００７】本発明が解決しようとする課題は、粘性の
小さい母体液晶にキラルドーパントを添加することによ
り、高速応答性と良好な配向性と、広い駆動温度範囲を
有するＳＣ^*液晶組成物を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、第１のＳＣ^*液晶組成物を提供する。

【０００９】即ち、（１）一般式（Ｉ）

【００１０】

【化４】

【００１１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は各々独立的に、炭素
原子数４〜１２のアルキル基を表わすが、好ましくは炭
素原子数４〜１２の直鎖状アルキル基を表わす。）で表
わされる化合物及び一般式（ＩＩ）

【００１２】

【化５】

【００１３】（式中、Ｒ³及びＲ⁴は、一方は炭素原子数
４〜１２の直鎖状アルキル基を表わし、他方は炭素原子
数４〜１２のアルコキシル基又はアルケニルオキシ基を
表わすが、好ましくはＲ³は炭素原子数４〜１２の直鎖
状アルキル基を表わし、Ｒ⁴は炭素原子数４〜１２の直
鎖状アルコキシル基を表わす。）で表わされる化合物を
を含有し、スメクチックＣ（ＳＣ）相を示す母体液晶、
及び （２）光学活性化合物から成るキラルドーパント を含有する強誘電性液晶組成物を提供する。

【００１４】更に本発明は、第２のＳＣ^*液晶組成物を
提供する。

【００１５】即ち、（１）一般式（Ｉ）で表わされる
化合物、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物及び一
般式（ＩＩＩ）

【００１６】

【化６】

【００１７】（式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、一方は炭素原子数
４〜１２の直鎖状アルキル基を表わし、他方は炭素原子
数４〜１２のアルコキシル基又はアルケニルオキシ基を
表わすが、好ましくはＲ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖
状アルキル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２の直
鎖状アルコキシル基を表わす。）で表わされる化合物を
含有し、ＳＣ相を示す母体液晶、及び （２）光学活性化合物から成るキラルドーパント を含有するＳＣ^*液晶組成物を提供する。

【００１８】母体液晶中の各化合物の含有量は、これら
の液晶組成物のＳＣ相を示す母体液晶中に、一般式
（Ｉ）で表わされる化合物を５〜４０重量％、一般式
（ＩＩ）で表わされる化合物を１０〜５０重量％の範囲
が好ましく、また、一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合
物を使用する場合には、その含有量は、母体液晶中の２
０〜７０重量％の範囲が好ましい。

【００１９】本発明のＳＣ^*液晶組成物で使用する一般
式(Ｉ）で表わされる化合物は、広い温度範囲且つ高い
温度域までＳＣ相を示す化合物であり、また、３環式化
合物の中でも非常に低粘性であるため、ＳＣ相を示す母
体液晶（以下、ＳＣ母体液晶と省略する。）を構成する
化合物として優れたものである。

【００２０】一般式（Ｉ）で表わされる化合物はＳＣ相
の高温域にスメクチックＡ（ＳＡ）相を示さない。一般
に、キラルドーパントとして用いるような大きい自発分
極を誘起する光学活性化合物は、その化合物を液晶組成
物中に加えることにより、ＳＡ相を拡大し、キラルネマ
チック（Ｎ^*）相を消失させやすい傾向を示すものが多
い。

【００２１】強誘電性液晶において、ＳＣ^*相の高温域
にＳＡ相及びＮ^*相を有する相系列は、良好な配向性を
得るために必要であるといわれている。従って、一般式
（Ｉ）で表わされる化合物は、このような相系列を有す
る液晶組成物を得るために、特に好ましい。

【００２２】本発明のＳＣ^*液晶組成物においては、こ
の一般式（Ｉ）で表わされる化合物を母体液晶の主成分
として含有するが、その含有量が５重量％未満であると
効果が少なく、４０重量％を超えると母体液晶の融点が
高くなり、結晶が析出しやすくなる傾向にあるので、母
体液晶中に５〜４０重量％の範囲で含有することが好ま
しい。

【００２３】一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表的
なものの例を第１表に掲げる。

【００２４】

【表１】

【００２５】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｉは等方性液体
相を、Ｎはネマチック相を、ＳＣはスメクチックＣ相を
それぞれ表わす。）

【００２６】一方、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、融点が低く、粘度も非常に低い化合物である。この
化合物は、ＳＣ相を比較的低い温度域で示すか、あるい
は示さない化合物も多いが、液晶組成物に添加した場合
にＳＣ相の温度範囲をそれほど低下させることもないの
で、低粘性の母体液晶を得るために優れた化合物であ
る。

【００２７】本発明の液晶組成物においては、この一般
式（ＩＩ）で表わされる化合物も母体液晶の主成分とし
て含有するが、その含有量が１０重量％以下であると効
果が少なく、５０重量％を超えると母体液晶のＳＣ相の
温度範囲が低くなりすぎる傾向にあるので、母体液晶中
に１０〜５０重量％の範囲で含有することが好ましい。

【００２８】一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の代表
的なものの例を第２表に掲げる。

【００２９】

【表２】

【００３０】一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物は、
室温からやや高温域でＳＣ相を示し、比較的低粘性の化
合物であるので、強誘電性液晶における母体液晶とし
て、現在最もよく用いられている化合物である。

【００３１】本発明の第２のＳＣ^*強誘電性液晶組成物
は、一般式（Ｉ）で表わされる化合物、一般式（ＩＩ）
で表わされる化合物に加えて、一般式（ＩＩＩ）で表わ
される化合物を第三の成分として含有することにより、
液晶組成物の相溶性を高め、非常に低融点の液晶組成物
を得ることが可能となる。

【００３２】本発明の第２の液晶組成物においては、こ
の一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物を母体液晶の主
成分として含有するが、その含有量が２０重量％以下で
あると効果が少ないので、母体液晶中に２０〜７０重量
％含有することが好ましい。

【００３３】本発明のＳＣ^*液晶組成物においては、一
般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち、以下の化合
物が好ましい。

【００３４】（ａ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状
アルキル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２の直鎖
状のアルコキシル基を表わす一般式（ＩＩＩａ）の化合
物。

【００３５】（ｂ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状
アルキル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２の分岐
状のアルコキシル基を表わす一般式（ＩＩＩｂ）の化合
物。

【００３６】（ｃ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状
アルキル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２の直鎖
状のアルケニルオキシ基を表わす一般式（ＩＩＩｃ）の
化合物。

【００３７】（ｄ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状
のアルコキシル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２
の直鎖状のアルキル基を表わす一般式（ＩＩＩｄ）の化
合物。

【００３８】（ｅ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の分岐状
のアルコキシル基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２
の直鎖状のアルキル基を表わす一般式（ＩＩＩｅ）の化
合物。

【００３９】（ｆ）Ｒ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状
のアルケニルオキシ基を表わし、Ｒ⁶が炭素原子数４〜
１２の直鎖状のアルキル基を表わす一般式（ＩＩＩｆ）
の化合物。

【００４０】一般式（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）及び
（ＩＩＩｃ）の化合物の例を第３表及び第４表に掲げ
る。

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】

【００４３】また、一般式（ＩＩＩｄ）、（ＩＩＩｅ）
及び（ＩＩＩｆ）の化合物の例を第５表に掲げる。

【００４４】

【表５】

【００４５】これらの化合物のうち、本発明のＳＣ^*液
晶組成物においては、一般式（ＩＩＩａ）で表わされる
化合物が特に好ましい。

【００４６】このような化合物を含有する本発明のＳＣ
^*液晶組成物の特徴は、低粘性でその応答が非常に高速
であることである。

【００４７】後述の実施例にも示したように、一般式
（Ｉ）で表わされる化合物５０重量％及び一般式（Ｉ
Ｉ）で表わされる化合物５０重量％から成る母体液晶
（Ｂ−１）を調製した。この母体液晶（Ｂ−１）９５重
量％及びキラルドーパントとして式（Ｐ）

【００４８】

【化７】

【００４９】で表わされる光学活性化合物５重量％から
成るＳＣ^*液晶組成物（Ｍ−１）は、２５℃で３３μ秒
という高速応答を示した。

【００５０】これに対して、一般式（ＩＩＩ）で表わさ
れる化合物から成る母体液晶（Ｂ−２）９５重量％及び
上記の式（Ｐ）の化合物５重量％から成るＳＣ^*液晶組
成物（Ｎ−１）は、２５℃における応答速度は５１μ秒
と、やや遅いものであった。

【００５１】このことから、本発明のＳＣ^*液晶組成物
は、非常に低粘性であることが明らかである。

【００５２】次に、一般式（Ｉ）で表わされる化合物２
５重量％、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物２５重量
％及び一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物５０重量％
から成る母体液晶（Ｂ−３）を調製した。

【００５３】この母体液晶（Ｂ−３）９５重量％及びキ
ラルドーパントとして、式（Ｑ）

【００５４】

【化８】

【００５５】で表わされる光学活性化合物５重量％から
成るＳＣ^*液晶組成物（Ｍ−３）は、２５℃で４５μ秒
という高速応答を示した。この組成物（Ｍ−３）は融点
が０℃と（Ｍ−１）に比べて低くなり、１０〜１５℃の
低温で長時間放置しても析出や相分離はなかった。

【００５６】また、本発明は上記のＳＣ^*液晶組成物を
用いた液晶表示素子を提供する。

【００５７】本発明のＳＣ^*液晶組成物は、ポリイミド
等の有機薄膜をコーティングし、これにラビング等の処
理を施すか、あるいはＳｉＯ等の斜め蒸着等による配向
処理を施した２枚のガラス透明電極板間に封入すること
により、液晶表示用素子として使用できる。セル（液晶
層）の厚みは１〜２０μｍの範囲が好ましく、１．５〜
１０μｍの範囲が特に好ましい。

【００５８】液晶デバイスの高いコントラストを得るた
めには、液晶材料の均一な配向が必要であるが、このた
めには液晶材料として、高温側からＩ−Ｎ^*−ＳＡ−Ｓ
Ｃ^*の相系列を示すことが必要であるといわれている。
大きい自発分極を誘起するような光学活性化合物を添加
した液晶組成物では、高温域のＮ^*が消失しやすいが、
本発明のＳＣ^*液晶組成物における母体液晶は、ＳＣ相
の高温域に広い範囲でＮ相を有し、ＳＡ相は存在しない
か、あるいは非常に狭い温度範囲であるので、そのよう
な光学活性化合物を添加しても、上記の好ましい相系列
が容易に得ることができ、そのために配向性にも優れて
いる。

【００５９】

【実施例】

【００６０】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説
明するが、本発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例
によって制限されるものではない。

【００６１】実施例において、相転移温度の測定は温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計
（ＤＳＣ）を併用して行った。また、組成物中における
「％」はすべて「重量％」を表わすものとする。

【００６２】（実施例１） 第１表中のＮｏ．（Ｉ）−２の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（Ｉ）−３の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（Ｉ）−４の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（Ｉ）−５の化合物 １２．５％ 第２表中のＮｏ．（ＩＩ）−１の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−２の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−３の化合物 １２．５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−４の化合物 １２．５％ から成るＳＣ相を示す母体液晶（Ｂ−１）を調製した。

【００６３】この母体液晶（Ｂ−１）は、６５℃までＳ
Ｃ相を、７２℃までＮ相を示した。

【００６４】次いで、母体液晶（Ｂ−１）９５％及びキ
ラルドーパントとして式（Ｐ）

【００６５】

【化９】

【００６６】で表わされる光学活性化合物５％から成る
ＳＣ^*液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。このＳＣ^*液晶
組成物（Ｍ−１）は４９．０℃までＳＣ^*相を、５０．
５℃までＳＡ相を、５８．０℃までＮ^*相を、それぞれ
示した。また、融点は約１３℃であった。

【００６７】次に、ＩＴＯ蒸着ガラス板（電極面積７０
mm²）にポリイミド形成溶液を塗布し、ポリイミド被膜
を作成した（基板Ａ）。同様にして、グラスファイバー
のスペーサーを混合した上記のポリイミド形成溶液を用
いてスペーサーを含んだポリイミド被膜を作成した（基
板Ｂ）。基板Ａ及び基板Ｂをナイロン布でラビング処理
を施し、一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布し
て、基板Ａ及び基板Ｂをそのラビング方向が互いに平行
かつ逆向きになるように重ね合わせ、加熱硬化させ、セ
ルを作成した。

【００６８】こうして得られたセルに、ＳＣ^*液晶組成
物（Ｍ−１）を加熱して等方性液体（Ｉ）相とした状態
で注入し、次いで徐冷を行い、Ｎ^*相、ＳＡ相、ＳＣ^*相
を配向させ、液晶表示素子を得た。配向状態は非常に良
好であった。この液晶表示素子のセル厚を測定したとこ
ろ、約２．０μｍであった。

【００６９】この液晶表示素子に電界強度１０Ｖ_p-p／
μｍの矩形波を印加して、その電気光学的応答速度を測
定したところ、２５℃で３３μ秒と高速応答を確認でき
た。このときの自発分極は１３．６ｎＣ／ｃｍ²、チル
ト角は２４．１゜であった。コントラストは非常に良好
であった。

【００７０】（比較例１） 第３表中のＮｏ．（ＩＩＩａ）−１の化合物 ３０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−２の化合物 ２０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−３の化合物 ３０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−４の化合物 ２０％ から成る母体液晶（Ｂ−２）を調製した。

【００７１】この母体液晶（Ｂ−２）９５％及び式
（Ｐ）の光学活性化合物５％から成るＳＣ^*液晶組成物
（Ｎ−１）を調製した。このＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−
１）は４６．５℃までＳＣ^*相を、６４．０℃までＳＡ
相を、６６．５℃までＮ^*相を、それぞれ示した。

【００７２】このＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−１）を用い
て、実施例１と同様にして液晶表示素子を作成し、その
電気光学的応答速度を測定したところ、２５℃で５１μ
秒と遅くなった。また、実施例１と比較して、用いたキ
ラルドーパントが同一で且つ同量であることから、実施
例１の母体液晶（Ｂ−１）が（Ｂ−２）よりも低粘性で
あることが明らかである。

【００７３】（実施例２）前記母体液晶（Ｂ−１）９５
％及び式（Ｑ）

【００７４】

【化１０】

【００７５】で表わされる光学活性化合物５％から成る
ＳＣ^*液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。このＳＣ^*液晶
組成物は５０．０℃までＳＣ^*相を、５１．５℃までＳ
Ａ相を、５８．０℃までＮ^*相をそれぞれ示した。

【００７６】実施例１と全く同様にして測定した電気光
学応答速度は、２５℃において４１μ秒であり、やはり
高速応答性が確認できた。また、このときの自発分極は
１１．２ｎＣ／ｃｍ²であり、チルト角は２４．６゜で
あった。コントラストは良好であった。

【００７７】（実施例３） 第１表中のＮｏ．（Ｉ）−２の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（Ｉ）−３の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（Ｉ）−４の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（Ｉ）−５の化合物 ６．２５％ 第２表中のＮｏ．（ＩＩ）−１の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−２の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−３の化合物 ６．２５％ Ｎｏ．（ＩＩ）−４の化合物 ６．２５％ 第３表中のＮｏ．（ＩＩＩａ）−１の化合物 １５．０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−２の化合物 １０．０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−３の化合物 １５．０％ Ｎｏ．（ＩＩＩａ）−４の化合物 １０．０％ から成る母体液晶（Ｂ−３）を調製した。

【００７８】この母体液晶（Ｂ−３）は５０．５℃まで
ＳＣ相を、５２℃までＳＡ相を、６１．５℃までＮ相を
示した。また、その融点は０℃以下であった。この母体
液晶（Ｂ−３）９５％及びキラルドーパントとして式
（Ｑ）

【００７９】

【化１１】

【００８０】で表わされる化合物５％から成るＳＣ^*液
晶組成物（Ｍ−３）を調製した。このＳＣ^*液晶組成物
は５１℃までＳＣ^*相を、５６．５℃までＳＡ相を、６
１℃までＮ^*相をそれぞれ示し、また、その融点は０℃
以下であった。この液晶組成物を５〜１０℃で１ヶ月放
置しても相分離等は生じなかった。

【００８１】実施例１と全く同様にして測定した電気光
学応答速度は、２５℃において４６μ秒と高速であっ
た。また、このときの自発分極は８．８ｎＣ／ｃｍ²で
あり、チルト角は２３．４゜であった。コントラストは
良好であった。

【００８２】

【発明の効果】本発明の強誘電性液晶組成物は、広い温
度範囲でＳＣ^*相を示し、３０〜４０μ秒という高速応
答が可能である。従って、表示用光スイッチング素子の
材料として極めて有用である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹及びＲ²は各々独立的に、炭素原子数４〜１
   ２のアルキル基を表わす。）で表わされる化合物及び
   一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ³及びＲ⁴のうち、一方は炭素原子数４〜１２
   の直鎖状アルキル基を表わし、他方は炭素原子数４〜１
   ２のアルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表わ
   す。）で表わされる化合物を含有し、スメクチックＣ相
   を示す母体液晶及び （２）光学活性化合物から成るキラルドーパントを含有
   する強誘電性液晶組成物。
2. 【請求項２】 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒ⁵及びＲ⁶のうち、一方は炭素原子数４〜１２
   の直鎖状アルキル基を表わし、他方は炭素原子数４〜１
   ２のアルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表わ
   す。）で表わされる化合物を含有することを特徴とする
   請求項１記載の強誘電性液晶組成物。
3. 【請求項３】 Ｒ³が炭素原子数４〜１２の直鎖状アル
   キル基であり、Ｒ⁴が炭素原子数４〜１２の直鎖状アル
   コキシル基である一般式（ＩＩ）で表わされる化合物及
   びＲ⁵が炭素原子数４〜１２の直鎖状アルキル基であ
   り、Ｒ⁶が炭素原子数４〜１２の直鎖状アルコキシル基
   である一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物を含有する
   ことを特徴とする請求項２記載の強誘電性液晶組成物。
4. 【請求項４】 スメクチックＣ相を示す母体液晶中に、
   一般式（Ｉ）で表わされる化合物を５〜４０重量％、一
   般式（ＩＩ）で表わされる化合物を１０〜５０重量％、
   一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物を２０〜７０重量
   ％含有する請求項２又は３記載の強誘電性液晶組成物。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の強誘電性
   液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子。