JPH0428099B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0428099B2 JPH0428099B2 JP56113310A JP11331081A JPH0428099B2 JP H0428099 B2 JPH0428099 B2 JP H0428099B2 JP 56113310 A JP56113310 A JP 56113310A JP 11331081 A JP11331081 A JP 11331081A JP H0428099 B2 JPH0428099 B2 JP H0428099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- film
- point
- holes
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本発明は投影露光装置の改良に関し、特に帯状
フイルムの露光に好適の装置に関するものであ
る。 帯状の金属フイルムにICリードフレームを形
成するためフオトエツチング手段が良く用いられ
ている。この手段に用いる露光装置は従来、第１
図に概念的に示すように構成されている。即ち、
該装置においては両面にフオトレジストを塗布し
た金属フイルム１を角形環状の焼枠２，３で両面
から挟んで光軸に垂直な平坦面とし、表及び裏用
の図示しないフオトマスクの像をF1点にあるレ
ンズ及びF2点にあるレンズを介してフイルム１
上に結像露光するようになつている。このような
装置に適用するフイルムは通常第２図に示すよう
にフイルム１の両縁に一定間隔で孔４が形成され
ており、この孔４は露光時の位置合せ、フイルム
駆動等に用いられる。ところで、このような孔４
の形成にはプレス打抜きで行なうのが一般的であ
るが、孔４の単独の寸法精度及び孔間隔の精度に
一定の限度がある。このため孔４の間隔が第２図
に示す位置合せピン５1〜５3，５4〜５6のそれぞ
れの間隔より大きく形成されている場合、フイル
ム１は焼枠２及び３の自由な空間にしわ寄せさ
れ、例えばピン５1と５3，５4と５6の間でしわ寄
せされると第３図に示すように一方に張り出した
形状をとることがある。このように平坦度の不良
なフイルムに露光すると結像位置にずれを生じ、
本来一致する筈の表裏の結像パターンが一致しな
いこととなる。表裏のパターンが一致しないとエ
ツチングした場合、エツチング断面が垂直になら
ないのでパターンが微細になるに従い、この欠点
は致命的となる。このずれの大きさをモデルによ
り試算してみると次のようになる。 第４図において、点Ａは例えば第２図における
ピン５1の中心、点Ｂは同じくピン５3の中心とす
る。 今、ピン５1及び５3の間隔をＬmmとし、これら
のピンに相当する孔４の間隔が△Ｌmmだけ大きい
とき、フイルム１が近似的にAPBように湾曲す
るとする。そしてABの中心をＯとすると、Ｐ点
におけるＯ点からの張出し距離△Ｈは次式で表わ
される。 （△Ｈ）2＋（Ｌ／２）2＝（Ｌ＋△Ｌ／２）2 から
フイルムの露光に好適の装置に関するものであ
る。 帯状の金属フイルムにICリードフレームを形
成するためフオトエツチング手段が良く用いられ
ている。この手段に用いる露光装置は従来、第１
図に概念的に示すように構成されている。即ち、
該装置においては両面にフオトレジストを塗布し
た金属フイルム１を角形環状の焼枠２，３で両面
から挟んで光軸に垂直な平坦面とし、表及び裏用
の図示しないフオトマスクの像をF1点にあるレ
ンズ及びF2点にあるレンズを介してフイルム１
上に結像露光するようになつている。このような
装置に適用するフイルムは通常第２図に示すよう
にフイルム１の両縁に一定間隔で孔４が形成され
ており、この孔４は露光時の位置合せ、フイルム
駆動等に用いられる。ところで、このような孔４
の形成にはプレス打抜きで行なうのが一般的であ
るが、孔４の単独の寸法精度及び孔間隔の精度に
一定の限度がある。このため孔４の間隔が第２図
に示す位置合せピン５1〜５3，５4〜５6のそれぞ
れの間隔より大きく形成されている場合、フイル
ム１は焼枠２及び３の自由な空間にしわ寄せさ
れ、例えばピン５1と５3，５4と５6の間でしわ寄
せされると第３図に示すように一方に張り出した
形状をとることがある。このように平坦度の不良
なフイルムに露光すると結像位置にずれを生じ、
本来一致する筈の表裏の結像パターンが一致しな
いこととなる。表裏のパターンが一致しないとエ
ツチングした場合、エツチング断面が垂直になら
ないのでパターンが微細になるに従い、この欠点
は致命的となる。このずれの大きさをモデルによ
り試算してみると次のようになる。 第４図において、点Ａは例えば第２図における
ピン５1の中心、点Ｂは同じくピン５3の中心とす
る。 今、ピン５1及び５3の間隔をＬmmとし、これら
のピンに相当する孔４の間隔が△Ｌmmだけ大きい
とき、フイルム１が近似的にAPBように湾曲す
るとする。そしてABの中心をＯとすると、Ｐ点
におけるＯ点からの張出し距離△Ｈは次式で表わ
される。 （△Ｈ）2＋（Ｌ／２）2＝（Ｌ＋△Ｌ／２）2 から
【式】
そこでＯ点からｒだけ離れたAB上のＲ点に結
像すべきパターンにより露光すると実際はF1側
のパターンはQ1に結像し、F2側のパターンはQ2
に結像する。第５図にその部分を拡大して示す。
そしてＲ点を通る垂線が直線PBと交わる点をＱ
とすると、QP間の距離△ｈは次式で表わされる。 △ｈ＝△Ｈ・（１−2r／Ｌ） 点Q1及びQ2から直線OBに下ろした垂線の交点
をR1及びR2とすればＱ点からの点Q1及びQ2のず
れ△q1，△q2はそれぞれ点Ｒから点R1及びR2の
ずれ△r1，△r2に近似で、その値を△ｒに近似と
することができる。 この△ｒは第４図の三角形F1OR（F2OR）と三
角形Q1R1Ｒ（Q2R2Ｒ）の相似から OF1／ｒ＝Q1R1／△r1≒△ｈ／△ｒ 若くはOF2／ｒ＝Q2R2／△r2≒△ｈ／△ｒとなり △ｒ＝△ｈ・ｒ OF1 若しくは△ｒ＝△ｈ・ｒ／OF2となる。従つて、例 えばＬ＝40mm、△Ｌ＝0.005mm、OF1（OF2）＝100
mmとすると△ｈ＝0.316mmとなり、△ｈ，△ｒは
ｒの値０、５、10、15、20mmに対して次のように
なる。
像すべきパターンにより露光すると実際はF1側
のパターンはQ1に結像し、F2側のパターンはQ2
に結像する。第５図にその部分を拡大して示す。
そしてＲ点を通る垂線が直線PBと交わる点をＱ
とすると、QP間の距離△ｈは次式で表わされる。 △ｈ＝△Ｈ・（１−2r／Ｌ） 点Q1及びQ2から直線OBに下ろした垂線の交点
をR1及びR2とすればＱ点からの点Q1及びQ2のず
れ△q1，△q2はそれぞれ点Ｒから点R1及びR2の
ずれ△r1，△r2に近似で、その値を△ｒに近似と
することができる。 この△ｒは第４図の三角形F1OR（F2OR）と三
角形Q1R1Ｒ（Q2R2Ｒ）の相似から OF1／ｒ＝Q1R1／△r1≒△ｈ／△ｒ 若くはOF2／ｒ＝Q2R2／△r2≒△ｈ／△ｒとなり △ｒ＝△ｈ・ｒ OF1 若しくは△ｒ＝△ｈ・ｒ／OF2となる。従つて、例 えばＬ＝40mm、△Ｌ＝0.005mm、OF1（OF2）＝100
mmとすると△ｈ＝0.316mmとなり、△ｈ，△ｒは
ｒの値０、５、10、15、20mmに対して次のように
なる。
【表】
この結果を第６図に示す。図において横軸は点
Ｒの位置であり、縦軸はOR1−OR、又はOR2−
ORの値（μ）を示す。この図からフイルム１が
APBのようにたわむ時、結像の位置ずれは周辺
に向うにつれて一旦増加し、後減少する傾向を認
めることができる。 即ち、上記の試算によれば最大のずれはｒ＝10
mmの所で、約30ミクロンに達する。従つてパター
ンのライン幅が30ミクロンのとき、30ミクロンも
結像の位置がずれたのではエツチングした時、本
来第７図Ａのようになるべきものが、第７図Ｂの
ような断面となり正常なエツチング製品を得るこ
とができないことは明らかである。しかも、上記
試算に用いたピン孔４の形成誤差△Ｌ＝0.005mm
は少な目の数値であり、実際には最大で数十ミク
ロンになることがある。このため微細なパターン
を形成する位置に制約があり、パターン設計上の
大きな障害になつていた。 本発明は、このような従来の欠点を除去するた
め、被露光材の厚さより僅かに大きい隙間をもつ
ように配置され、かつ露光面より大きい平板を取
付け、その少くとも露光側を透光性て平板間に被
露光材を挟持して光軸に垂直になるように備えて
結像部とし、その結像の位置ずれを極力小さくす
るようにしたものである。以下本発明の一実施例
を図面により詳細に説明する。 第８図は本発明投影露光装置における結像部の
一実施例を示す断面図である。図に示すように、
この結像部は露光面よりやや大きい透光性の平板
８，９が被露光材となるフイルム１の厚さより僅
かに大きい隙間をもつように、かつ光軸に垂直に
なるように配置されており、この平板８，９はそ
れぞれ焼枠６，７にて支持され、焼枠７には隙間
調整兼露光位置決め用ピン５が設けられている。
このような構成の結像部を従来の焼枠の代りに用
いれば従来のものと全く同様の操作で使用でき
る。なお、平板８，９は透明であれば何でも良い
が、コスト的にはガラスが最も好ましい。また、
透光性平板の支持方法は特に限定されないが、繰
り返し使用する間に塵の付着が避けられないので
着脱可能にすると良い。 ２枚の平板８，９の間の隙間は少なくとも被露
光材１の厚さより大きくする必要があるが好まし
くい隙間の大きさは被露光材の厚さ＋100ミクロ
ン程度でよい。 このようにすると被露光材の湾曲を小さく矯正
できるので、△Ｈが小さくなり、従つて△ｈ及び
△ｒも小さくすることができる。一方隙間をおか
ず平板が被露光材に密着した場合は次のような問
題が生ずる。 即ち、本発明のような投影露光装置は駆動用ス
プロケツトが孔４に噛み込んだ状態で金属フイル
ム１を搬送するが、露光精度を確保するためには
スプロケツトと孔４が隙間なく正確に噛み込ませ
なければならない。しかし何らかの原因によつて
この正確な噛み込みが阻害されると金属フイルム
１には歪みやしわ等が発生する。この場合金属フ
イルムに平板を密着させておくとこの歪みやしわ
が増長されて結像位置でのずれの原因となる。本
発明では金属フイルム１に対して平板８，９を僅
かな隙間をもつて設けたため、この隙間で前記し
た金属フイルムの歪みやしわを吸収し結像位置で
の露光精度を大幅に向上できた。例えば露光範囲
40mm×40mm、ガラス板の隙間が170ミクロンであ
る結像部材を焦点距離100mmの投影露光装置に取
付け、両面にフオトレジストを塗布した70μ厚の
銅テープにテストパターンを連続して露光した
後、エツチングを施し、結像位置ずれを測定した
結果、表裏像のずれは最大で10μ、平均5μ以内に
納まることが確められた。なお、本発明によらな
い場合のずれは最大40μ、平均20μであつた。 以上の説明は、主に両面露光の場合について説
明したが、片面露光であつても有効に作用する。
即ち、片面露光の場合は表裏の結像位置ずれは無
いが、設計したパターンからずれて露光されエツ
チングされた場合不都合を生じることがある。し
かし本発明によればこのような不都合をも解消す
ることができる。この場合、結像部の少なくとも
露光側の平板を透光性にすれば良い。また、他方
の平板は単に焼台として用いられるので透光性、
不透光性の何れでもよい。 以上詳細に説明したように、本発明によれば結
像の位置ずれが大幅に改善された結果エツチング
パターン設計上の障害が解消し、任意のパターン
が精度良くフオトエツチングできる効果がある。
Ｒの位置であり、縦軸はOR1−OR、又はOR2−
ORの値（μ）を示す。この図からフイルム１が
APBのようにたわむ時、結像の位置ずれは周辺
に向うにつれて一旦増加し、後減少する傾向を認
めることができる。 即ち、上記の試算によれば最大のずれはｒ＝10
mmの所で、約30ミクロンに達する。従つてパター
ンのライン幅が30ミクロンのとき、30ミクロンも
結像の位置がずれたのではエツチングした時、本
来第７図Ａのようになるべきものが、第７図Ｂの
ような断面となり正常なエツチング製品を得るこ
とができないことは明らかである。しかも、上記
試算に用いたピン孔４の形成誤差△Ｌ＝0.005mm
は少な目の数値であり、実際には最大で数十ミク
ロンになることがある。このため微細なパターン
を形成する位置に制約があり、パターン設計上の
大きな障害になつていた。 本発明は、このような従来の欠点を除去するた
め、被露光材の厚さより僅かに大きい隙間をもつ
ように配置され、かつ露光面より大きい平板を取
付け、その少くとも露光側を透光性て平板間に被
露光材を挟持して光軸に垂直になるように備えて
結像部とし、その結像の位置ずれを極力小さくす
るようにしたものである。以下本発明の一実施例
を図面により詳細に説明する。 第８図は本発明投影露光装置における結像部の
一実施例を示す断面図である。図に示すように、
この結像部は露光面よりやや大きい透光性の平板
８，９が被露光材となるフイルム１の厚さより僅
かに大きい隙間をもつように、かつ光軸に垂直に
なるように配置されており、この平板８，９はそ
れぞれ焼枠６，７にて支持され、焼枠７には隙間
調整兼露光位置決め用ピン５が設けられている。
このような構成の結像部を従来の焼枠の代りに用
いれば従来のものと全く同様の操作で使用でき
る。なお、平板８，９は透明であれば何でも良い
が、コスト的にはガラスが最も好ましい。また、
透光性平板の支持方法は特に限定されないが、繰
り返し使用する間に塵の付着が避けられないので
着脱可能にすると良い。 ２枚の平板８，９の間の隙間は少なくとも被露
光材１の厚さより大きくする必要があるが好まし
くい隙間の大きさは被露光材の厚さ＋100ミクロ
ン程度でよい。 このようにすると被露光材の湾曲を小さく矯正
できるので、△Ｈが小さくなり、従つて△ｈ及び
△ｒも小さくすることができる。一方隙間をおか
ず平板が被露光材に密着した場合は次のような問
題が生ずる。 即ち、本発明のような投影露光装置は駆動用ス
プロケツトが孔４に噛み込んだ状態で金属フイル
ム１を搬送するが、露光精度を確保するためには
スプロケツトと孔４が隙間なく正確に噛み込ませ
なければならない。しかし何らかの原因によつて
この正確な噛み込みが阻害されると金属フイルム
１には歪みやしわ等が発生する。この場合金属フ
イルムに平板を密着させておくとこの歪みやしわ
が増長されて結像位置でのずれの原因となる。本
発明では金属フイルム１に対して平板８，９を僅
かな隙間をもつて設けたため、この隙間で前記し
た金属フイルムの歪みやしわを吸収し結像位置で
の露光精度を大幅に向上できた。例えば露光範囲
40mm×40mm、ガラス板の隙間が170ミクロンであ
る結像部材を焦点距離100mmの投影露光装置に取
付け、両面にフオトレジストを塗布した70μ厚の
銅テープにテストパターンを連続して露光した
後、エツチングを施し、結像位置ずれを測定した
結果、表裏像のずれは最大で10μ、平均5μ以内に
納まることが確められた。なお、本発明によらな
い場合のずれは最大40μ、平均20μであつた。 以上の説明は、主に両面露光の場合について説
明したが、片面露光であつても有効に作用する。
即ち、片面露光の場合は表裏の結像位置ずれは無
いが、設計したパターンからずれて露光されエツ
チングされた場合不都合を生じることがある。し
かし本発明によればこのような不都合をも解消す
ることができる。この場合、結像部の少なくとも
露光側の平板を透光性にすれば良い。また、他方
の平板は単に焼台として用いられるので透光性、
不透光性の何れでもよい。 以上詳細に説明したように、本発明によれば結
像の位置ずれが大幅に改善された結果エツチング
パターン設計上の障害が解消し、任意のパターン
が精度良くフオトエツチングできる効果がある。
第１図は従来の投影露光装置を示す概念的構成
図、第２図は同じくその結像部の平面図、第３図
は同じくその断面図、第４図は第３図における結
像状態の説明図、第５図は第４図の要部拡大図、
第６図は第４図における結像位置ずれ状態の一例
を示す説明図、第７図Ａは結像位置ずれのないエ
ツチング状態を示す断面図、Ｂは結像位置ずれし
たエツチング状態を示す断面図、第８図は本発明
投影露光装置における結像部の一例を示す断面図
である。 １……被露光材（フイルム）、５……隙間調整
兼露光位置決め用ピン、６，７……焼枠、８，９
……透光性の平板。
図、第２図は同じくその結像部の平面図、第３図
は同じくその断面図、第４図は第３図における結
像状態の説明図、第５図は第４図の要部拡大図、
第６図は第４図における結像位置ずれ状態の一例
を示す説明図、第７図Ａは結像位置ずれのないエ
ツチング状態を示す断面図、Ｂは結像位置ずれし
たエツチング状態を示す断面図、第８図は本発明
投影露光装置における結像部の一例を示す断面図
である。 １……被露光材（フイルム）、５……隙間調整
兼露光位置決め用ピン、６，７……焼枠、８，９
……透光性の平板。
Claims (1)
- １ 帯状フイルムの両縁に一定間隔で形成された
フイルム駆動用の孔を有する被露光材を、その孔
を位置合せ用としてフイルムの両面よりピンを介
して焼枠で挟持し、その露光面を光軸に垂直にな
るように備えて結像部とする露光装置において、
両焼枠には露光面より大きい平板を取付け、その
少なくとも露光側を透光性とし、ピンを介して被
露光材を挟持したとき、これら平板間にフイルム
の厚さより僅かに大きい隙間をもたせるようにし
た投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113310A JPS5814839A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113310A JPS5814839A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814839A JPS5814839A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0428099B2 true JPH0428099B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=14608989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113310A Granted JPS5814839A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814839A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4631133A (en) * | 1984-09-13 | 1986-12-23 | Axelrod R & D, Inc. | Waste treatment device and method using microwaves |
| JPS6490099A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-05 | Kaneyuki Suzuki | Night soil treating device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5114931Y2 (ja) * | 1971-03-18 | 1976-04-20 | ||
| JPS563702Y2 (ja) * | 1974-03-30 | 1981-01-27 | ||
| JPS513621A (en) * | 1974-06-28 | 1976-01-13 | Shigeru Usami | Reriifusakuseihoho |
| JPS5636179U (ja) * | 1979-08-28 | 1981-04-07 | ||
| JPS5667984A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-08 | Fujitsu Ltd | Method of printing printed board |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113310A patent/JPS5814839A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5814839A (ja) | 1983-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3336955B2 (ja) | 裏面アライメント機能を備えた露光装置 | |
| CN109725500B (zh) | 两面曝光装置及两面曝光方法 | |
| JP2009031561A (ja) | 投影露光装置及び分割露光方法 | |
| WO2007049640A1 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| KR910008768A (ko) | 노광방법 및 노광장치 | |
| JP2000155430A (ja) | 両面露光装置における自動アライメント方法 | |
| JPH0428099B2 (ja) | ||
| US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| US5793472A (en) | Exposure method using reference marks on both the mask and the substrate and capable of providing high alignment precision even after multiple exposures | |
| KR100250155B1 (ko) | 노광장치 | |
| JPH0147007B2 (ja) | ||
| JP2001022098A (ja) | 露光装置におけるアライメント装置、被露光基板、及びアライメントマーク | |
| JP2005003965A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000340482A (ja) | 露光方法及びこの方法を用いた露光装置 | |
| TW495861B (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JPH10312049A (ja) | レチクル | |
| JPWO2006137396A1 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| US3232202A (en) | Method for producing animated pictures | |
| US3829213A (en) | Artproof method for semiconductor devices | |
| JPH11133588A (ja) | 露光マスクおよび露光装置 | |
| SU884179A1 (ru) | Устройство дл контрол фотошаблонов | |
| JPS62183518A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0235445B2 (ja) | ||
| JP3413947B2 (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP3381334B2 (ja) | 投影露光装置 |