JPH0428114A - 透明導電積層体 - Google Patents
透明導電積層体Info
- Publication number
- JPH0428114A JPH0428114A JP13498990A JP13498990A JPH0428114A JP H0428114 A JPH0428114 A JP H0428114A JP 13498990 A JP13498990 A JP 13498990A JP 13498990 A JP13498990 A JP 13498990A JP H0428114 A JPH0428114 A JP H0428114A
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- Japan
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- transparent conductive
- thin film
- transparent
- film layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基板上に透明な導電層を有する積層体に関し、
詳細には、基板上に形成した導電層が高い耐環境性を有
して安定であるので、透明タッチパネルや透明面状発熱
体として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロル
ミネッセンスの電極材料等として有効に用いることので
きる透明導電積層体に関するものである。
詳細には、基板上に形成した導電層が高い耐環境性を有
して安定であるので、透明タッチパネルや透明面状発熱
体として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロル
ミネッセンスの電極材料等として有効に用いることので
きる透明導電積層体に関するものである。
（従来の技術）
透明導電積層体は、透明タッチパネルや透明面状発熱体
として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロルミ
ネッセンスの電極材料等として。
として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロルミ
ネッセンスの電極材料等として。
広い分野で数多く用いられている。
このような透明導電積層体は透明なガラス又は高分子フ
ィルム等の基板上に、主として、スパッタ法、蒸着法等
の真空成膜技術を用い、透明で導電性の金属または金属
酸化物系の薄膜層を形成したものである。一般に、高い
透明性と優れた導電性を有するという点で金属酸化物系
の薄膜層が用いられており、金属酸化物系の薄膜層とし
ては。
ィルム等の基板上に、主として、スパッタ法、蒸着法等
の真空成膜技術を用い、透明で導電性の金属または金属
酸化物系の薄膜層を形成したものである。一般に、高い
透明性と優れた導電性を有するという点で金属酸化物系
の薄膜層が用いられており、金属酸化物系の薄膜層とし
ては。
酸化インヂウムに錫をドープした金属酸化物（ＩＴｏ）
よりなるものが用いられている。
よりなるものが用いられている。
しかしながら、このＩＴＯは透明性と導電性には優れて
いるが、高温、多湿、酸化性の雰囲気等の厳しい環境条
件の下では安定性に劣っており。
いるが、高温、多湿、酸化性の雰囲気等の厳しい環境条
件の下では安定性に劣っており。
導電性が失われてしまうことが多かった。
また、ＩＴＯは安定性に欠けるという点で、透明導電積
層体を用いた最終製品を調製するまでの様々な工程中に
おいても、高温、高湿及び酸化性等の悪条件下の工程を
経ると、導電性等の特性に変化をきたしてしまうことも
あった。したがって透明導電積層体を用いた製品を製造
する場合には。
層体を用いた最終製品を調製するまでの様々な工程中に
おいても、高温、高湿及び酸化性等の悪条件下の工程を
経ると、導電性等の特性に変化をきたしてしまうことも
あった。したがって透明導電積層体を用いた製品を製造
する場合には。
好適な条件や適切な工程を正確に選んでやらねばならず
、多大の時間や労力を要した。
、多大の時間や労力を要した。
（発明が解決しようとする課題）
このような状況に鑑み１本発明の課題は、厳しい環境条
件下においても安定な透明導電層を有している積層体の
提供にある。
件下においても安定な透明導電層を有している積層体の
提供にある。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく研究を重ねた結果、後述するよう
に透明導電層をＩＴＯ単独層ではなく１７０層の下に酸
化錫にアンチモンをドープした金属酸化物（ＡＴＯ）の
層を設けた積層構造にすると、上記課題を達成すること
ができるという知見を得１本発明に到達した。すなわち
本発明の要旨はつぎに述べるとおりである。
に透明導電層をＩＴＯ単独層ではなく１７０層の下に酸
化錫にアンチモンをドープした金属酸化物（ＡＴＯ）の
層を設けた積層構造にすると、上記課題を達成すること
ができるという知見を得１本発明に到達した。すなわち
本発明の要旨はつぎに述べるとおりである。
透明な基板上に、第一層としてＡＴＯよりなる透明で導
電性の薄膜層を形成させ、この薄膜層上に第二層として
ＩＴＯよりなる透明で導電性の薄膜層を形成させたもの
であることを特徴とする透明導電積層体。
電性の薄膜層を形成させ、この薄膜層上に第二層として
ＩＴＯよりなる透明で導電性の薄膜層を形成させたもの
であることを特徴とする透明導電積層体。
次に１本発明を詳述する。
本発明における透明な基板としてはガラス又は高分子フ
ィルムが用いられ１種類や形状はなんら限定されない。
ィルムが用いられ１種類や形状はなんら限定されない。
これらの基板上に、まず第一層として透明で導電性のＡ
ＴＯの薄膜層を形成し、このＡＴＯの薄膜層上に第二層
として透明で導電性のＩＴＯの薄膜層を形成させる。Ｉ
ＴＯは酸化物系の透明な導電体の中では導電率が高いが
安定性に欠ける。
ＴＯの薄膜層を形成し、このＡＴＯの薄膜層上に第二層
として透明で導電性のＩＴＯの薄膜層を形成させる。Ｉ
ＴＯは酸化物系の透明な導電体の中では導電率が高いが
安定性に欠ける。
方ＡＴＯはＩＴＯに比べると安定性が高いが、導電率が
ＩＴＯの１０分の１程しかなく電気を通しにくい。その
ため、安定性の高い導電層を得ようとしてＡＴＯ単独で
導電層を形成させて、導電性のよい透明導電積層体を作
るには膜厚をかなり厚くしなくてはならないなどの問題
がある。そこで。
ＩＴＯの１０分の１程しかなく電気を通しにくい。その
ため、安定性の高い導電層を得ようとしてＡＴＯ単独で
導電層を形成させて、導電性のよい透明導電積層体を作
るには膜厚をかなり厚くしなくてはならないなどの問題
がある。そこで。
種々検討の結果、ＡＴＯ層の上に１７０層を積層すると
透明で導電性で安定性のよい積層体が得られた。そして
この積層体からは透明電極を効率よく作成することがで
きた。
透明で導電性で安定性のよい積層体が得られた。そして
この積層体からは透明電極を効率よく作成することがで
きた。
このとき、第一層のＡＴＯ層の膜厚は数１０〜数１００
人とするのが好ましく、第二層の１７０層の膜厚は数１
００〜数１０００人とするのが好ましい。そして、必要
に応じてその膜厚を変える。例えば。
人とするのが好ましく、第二層の１７０層の膜厚は数１
００〜数１０００人とするのが好ましい。そして、必要
に応じてその膜厚を変える。例えば。
より抵抗値の小さな積層体が必要なときには、ＩＴＯの
膜厚を厚くすればよい。また１例えば、透明導電積層体
から透明電極を作成する場合、第一層のＡＴＯ層が数１
００Å以下であれば電極全体としての導電性にはほとん
ど影響しない。また、第一層のＡＴＯ層が第二層の１７
０層よりも薄ければ透明電極全体としての導電性にも影
響しない。
膜厚を厚くすればよい。また１例えば、透明導電積層体
から透明電極を作成する場合、第一層のＡＴＯ層が数１
００Å以下であれば電極全体としての導電性にはほとん
ど影響しない。また、第一層のＡＴＯ層が第二層の１７
０層よりも薄ければ透明電極全体としての導電性にも影
響しない。
したがって、第二層の１７０層の膜厚を第一層のＡＴＯ
層の膜厚よりも厚く数１００〜数１０００人とすること
が好ましい。
層の膜厚よりも厚く数１００〜数１０００人とすること
が好ましい。
薄膜の形成方法としてはスパッタ法、蒸着法等様々な成
膜方法があるが、特にその成膜方法を限定するものでな
い。
膜方法があるが、特にその成膜方法を限定するものでな
い。
一般に、酸化物系の透明な導電薄膜層を、スＲ１１，タ
法、蒸着法等の真空成膜技術を用いて作成する場合、成
膜時の基板の温度は高い方が得られる導電薄膜層の安定
性はよい。しかし、ＰＥＴフィルム等の高分子フィルム
を基板として用いるどきは、高分子の特性上余り高温に
することはできない。その点１本発明による積層体構造
のものは。
法、蒸着法等の真空成膜技術を用いて作成する場合、成
膜時の基板の温度は高い方が得られる導電薄膜層の安定
性はよい。しかし、ＰＥＴフィルム等の高分子フィルム
を基板として用いるどきは、高分子の特性上余り高温に
することはできない。その点１本発明による積層体構造
のものは。
かなり低い温度で導電薄膜層を形成しても安定な導電層
を得ることができ、この導電薄膜層を有する積層体を用
いて最終製品を製造する工程においても導電薄膜層が安
定であるので厳しい環境下での経時変化が少ない。
を得ることができ、この導電薄膜層を有する積層体を用
いて最終製品を製造する工程においても導電薄膜層が安
定であるので厳しい環境下での経時変化が少ない。
（実施例）
以下１本発明を実施例にて具体的に説明する。
厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム上に９反応性真空蒸着
法により、ＡＴＯ層を膜厚が５０．１００．１５０゜２
００人になるように形成した。この際９組成比が５ｎ０
２： ５ｂ２０３＝９０：１０ （重量比）である焼結
ターゲットを用い、成膜の条件は、基板温度１００度、
成膜速度７人／ｓｅｃとし、 Ａｒガス、０．ガスの導
入量はそれぞれ２０ｓｃｃｍ、 １５ｓｃｃｍ、 ＲＦ
出力は８０Ｗとした。また、真空度は４ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒとしたた。続いてＡＴＯ層上に、前記と同様に
して反応性真空蒸着法により、ＩＴＯ層を膜厚が３００
人となるように形成した。この際９組成比がＩｎ２Ｏ。
法により、ＡＴＯ層を膜厚が５０．１００．１５０゜２
００人になるように形成した。この際９組成比が５ｎ０
２： ５ｂ２０３＝９０：１０ （重量比）である焼結
ターゲットを用い、成膜の条件は、基板温度１００度、
成膜速度７人／ｓｅｃとし、 Ａｒガス、０．ガスの導
入量はそれぞれ２０ｓｃｃｍ、 １５ｓｃｃｍ、 ＲＦ
出力は８０Ｗとした。また、真空度は４ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒとしたた。続いてＡＴＯ層上に、前記と同様に
して反応性真空蒸着法により、ＩＴＯ層を膜厚が３００
人となるように形成した。この際９組成比がＩｎ２Ｏ。
：ＳｎＯ□＝９５：５（重量比）である焼結ターゲット
を用い、成膜条件は、基板温度１００度、成膜速度１０
人／ｓｅｃとし、Ａｒガス、０２ガスの導入量はそれぞ
れ２０ｓｃｃｍ、 １５ｓｃｃｍ、 ＲＦ出力は８０
Ｗとした。また、真空度は４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒと
した。なお。
を用い、成膜条件は、基板温度１００度、成膜速度１０
人／ｓｅｃとし、Ａｒガス、０２ガスの導入量はそれぞ
れ２０ｓｃｃｍ、 １５ｓｃｃｍ、 ＲＦ出力は８０
Ｗとした。また、真空度は４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒと
した。なお。
ＡＴＯ層を形成せず、ＩＴＯ層のみのものを比較例とし
た。
た。
作製したそれぞれの透明導電積層体の特性について１次
に述べるようにして評価した。
に述べるようにして評価した。
得られた各積層体について９日立製作所製Ｕ−３４００
分光計にて５５０層ｍの波長の平行光線透過率を測定し
た。この結果を第１表に示す。
分光計にて５５０層ｍの波長の平行光線透過率を測定し
た。この結果を第１表に示す。
また、各積層体を、−辺５ｃｍに切取り、それぞれ５点
用意し、それぞれ１点につき５つの点で表面抵抗値を、
共和理研製に一７０５ＲＤ四探針表面抵抗測定器により
測定した。ＡＴＯ層の膜厚と表面抵抗値（平均値）の関
係を第１表に示す。
用意し、それぞれ１点につき５つの点で表面抵抗値を、
共和理研製に一７０５ＲＤ四探針表面抵抗測定器により
測定した。ＡＴＯ層の膜厚と表面抵抗値（平均値）の関
係を第１表に示す。
その後、６０℃、９５％ＲＨに調節したヤマ）ＩＨ−４
２Ｈ恒温恒湿槽内で５００時間保持した後１表面抵抗値
を前記と同様にして測定し、恒温恒湿槽に入れる前の表
面抵抗値と比較した。入れる前の値をＲ６，取り出した
後の値をＲ１とし、Ｒ，／Ｒ８Ｏ値を求め、その結果を
第１表に示す。
２Ｈ恒温恒湿槽内で５００時間保持した後１表面抵抗値
を前記と同様にして測定し、恒温恒湿槽に入れる前の表
面抵抗値と比較した。入れる前の値をＲ６，取り出した
後の値をＲ１とし、Ｒ，／Ｒ８Ｏ値を求め、その結果を
第１表に示す。
また、別に各積層体をそれぞれ５点ずつ用意し。
上記の方法で表面抵抗値を測定し、これを３Ｎの塩酸に
５分間漬けた後取り出し、水で洗浄、乾燥し２表面抵抗
値を測定し、５点のうち表面抵抗値の変化率が１０％以
内のものの数を数えた。この結果を第１表に示す。
５分間漬けた後取り出し、水で洗浄、乾燥し２表面抵抗
値を測定し、５点のうち表面抵抗値の変化率が１０％以
内のものの数を数えた。この結果を第１表に示す。
第１表から明らかなように本発明の透明導電積層体は、
導電層がＩＴＯ単独層よりなるもの（比較例）に比べて
高温、高湿及び酸化性環境下における安定性に優れてい
る。
導電層がＩＴＯ単独層よりなるもの（比較例）に比べて
高温、高湿及び酸化性環境下における安定性に優れてい
る。
第１表
（第二層の１７０層の膜厚は３００人とした）（発明の
効果） 以上のように構成されているので９本発明の透明導電積
層体は、高温、多湿、酸化性等の悪い環境下において安
定である。したがって、透明タッチパネル、透明面状発
熱体として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロ
ルミネッセンスの電極材料等と有効に利用できる。
効果） 以上のように構成されているので９本発明の透明導電積
層体は、高温、多湿、酸化性等の悪い環境下において安
定である。したがって、透明タッチパネル、透明面状発
熱体として、あるいは液晶表示素子や分散型エレクトロ
ルミネッセンスの電極材料等と有効に利用できる。
特許出願人 ユニチカ株式会社
Claims (1)
- （１）透明な基板上に、第一層として酸化錫にアンチモ
ンをドープした金属酸化物よりなる透明で導電性の薄膜
層を形成させ、この薄膜層上に第二層として酸化インヂ
ウムに錫をドープした金属酸化物よりなる透明で導電性
の薄膜層を形成させたものであることを特徴とする透明
導電積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13498990A JPH0428114A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 透明導電積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13498990A JPH0428114A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 透明導電積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428114A true JPH0428114A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15141333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13498990A Pending JPH0428114A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 透明導電積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0428114A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043492U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | ||
| FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| CN109501396A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 东莞市荣腾纳米科技有限公司 | 一种导光隔热膜及其制备方法 |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP13498990A patent/JPH0428114A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043492U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | ||
| FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| US7161171B2 (en) | 2002-09-03 | 2007-01-09 | Corning Incorporated | Material for use in the manufacturing of luminous display devices |
| CN109501396A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 东莞市荣腾纳米科技有限公司 | 一种导光隔热膜及其制备方法 |
| CN109501396B (zh) * | 2017-09-14 | 2021-06-22 | 东莞市荣腾纳米科技有限公司 | 一种导光隔热膜及其制备方法 |
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