JPH0428140B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は集積回路の製造方法に関し、特にそ
のような方法において集積回路の製造されつつあ
るサブストレートが可動不純物のためのゲツタリ
ング位置を含むか否かを判断するステツプに関す
るものである。

理想的には、集積回路が製造される半導体サブ
ストレートは砒素または燐のような非常に少量の
Ｐ型またはＮ型のドーパント原子を除けば純シリ
コンからなつている。しかし、実際のサブストレ
ートにおいては、種々の他の元素も痕跡としての
量だけ望まざる不純物として存在する。たとえ
ば、通常は銅や鉄の痕跡が存在する。

そのような不純物がもし処理されなければ、集
積回路を誤動作させる。通常は、それらの不純物
はイオン化していて動くことができ、したがつ
て、それらは回路の動作中においてその回路内に
望まざる電流を生じる。これらの電流を除くため
に、ゲツタリング位置がサブストレートの背面内
に導入され、そして集積回路はそのサブストレー
トの反対側または前面上に製造される。

サブストレート内にゲツタリング位置を導入す
る一般的な方法は背面にサンドペーパをかけるこ
とである。これはサブストレートの結晶格子内に
機械的な応力または欠陥を生じる。そして、これ
はその結晶の導電帯と価電子帯の間に新しく許容
されるエネルギレベルを形成する効果を有し、こ
れらの新しいエネルギレベルはそのサブストレー
ト内で動き得る不純物イオンのトラツプとして働
く。可動不純物イオンがサブストレート内でゲツ
タリング位置の近くを移動するとき、それは新し
いエネルギレベル内にトラツプされ、そして移動
が停止される。したがつて、回路内の望まざる電
流が停止する。

しかし、集積回路が製造されてテストされる後
まで、サブストレート内のゲツタリング位置の存
否を検知することが今まで不可能ではないにして
も困難であつたという問題がある。粗い背面を有
するサブストレートはゲツタリング位置を持たな
いこともあるし多くのゲツタリング位置を持つこ
ともあり、平滑な背面を有するサブストレートに
ついても同じことが言える。

したがつて、ゲツタリング位置を含むと思える
が実際には含まない半導体サブストレートを需要
者が購入すれば、その需要者はそのサブストレー
ト上に回路を作つてそれらの回路が不調であるこ
とを発見するまでこのことを知らないであろう。
しかし、半導体上の回路の製造は費用と時間のか
かるプロセスである。

したがつて、本発明の主な目的は集積回路の製
造方法を提供することであり、それはサブストレ
ート内のゲツタリング位置の存否を検知する新規
なステツプを導入する。

発明の概要 これらの目的とその他の目的は、本発明に従つ
て半導体サブストレート上に集積回路を製造する
プロセスに次のステツプを導入することによつて
達成される。すなわち、サブストレートのブラグ
角から小さな角度のずれで半導体サブストレート
上に電磁放射線を照射し、半導体サブストレート
からそのずれで反射される放射線の強度を測定
し、そしてその測定された強度が半導体サブスト
レートの無欠陥結晶からその角度ずれで反射され
る強度よりかなり大きい場合にのみ半導体サブス
トレート上の回路の製造を続けるステツプであ
る。

照射し、測定し、そして続けるこれらのステツ
プは半導体サブストレート上の任意のトランジス
タの製造に先立つて実行されてもよく、または半
導体サブストレート上のトランジスタの形成が始
まつた後に実行されてもよい。適切には、放射線
が照射される角度のずれは10分から40分であり、
その電磁放射線は0.5Åから４Åの波長を有する。
また、適切には、回路の製造は測定された強度が
無欠陥結晶から反射する強度より少なくとも25％
大きい場合にのみ続けられる。

実施例の詳細な説明 ここで第１図を参照して、本発明のステツプを
実行するための装置の詳細が説明される。この装
置はＸ線１１が放射されるＸ線ソース１０を含ん
でいる。適切には、ソース１０はフイリツプス・
エレクトロニツク・インスツルメンツ・コーポレ
ーシヨンによつて販売されているモデル
XRG3500である。また、Ｘ線１１の一部が通過
する幅の広いスリツト１３を有するＸ線コリメー
タ１２が含まれている。適切には、コリメータ１
２は鉛製であつて、スリツト１３は１mm×５mmで
ある。

スリツト１３を通過するＸ線の部分はビーム１
４を形成する。それは単色化結晶１５に対してそ
の結晶のブラグ角θ_Bで照射される。角度θ_Bは数式
nλ＝2dSINθ_Bで規定される。この式において、λ
は最大強度で結晶１５から反射されるビーム１４
内のＸ線の波長であり、ｄは結晶１５内の原子の
格子間隔である。言い換えれば、結晶１５はビー
ム１４内の或る波長のみをもう１つのビーム１６
として反射するフイルタとして働く。

ビーム１６はもう１つの表面１７へ照射され
る。本発明の１つのステツプにおけるこのサブス
トレートは半導体ウエハであり、それは可動イオ
ンのためのゲツタリング位置を含むか否かを判断
するためにテストされている。本発明のもう１つ
のステツプにおいて、サブストレート１７はテス
トされている半導体の無欠陥結晶である。

サブストート１７はクランプ１８によつてギヤ
１９に取付けられる。サブストレート１７ととも
に、このギヤ１９は電気モータ２０によつて時計
方向に回転させられる。ギヤ１９とモータ２０
は、サブストレート１７が時間あたり約1/3度の
一定速度で回転するように選択される。

サブストレート１７の回転が始まる前に、ビー
ム１６とサブストレート１７の間の角度はブラグ
角θ_Bから小さな角度偏倚（たとえば、0.1度から
2.0度）だけ引いたものに手動的にセツトされる。
その後に、サブストレート１７は、ビーム１６が
サブストレート１７と成す角度がブラグ角に２〜
３度加えた角度に増大するまで、ギヤ１９とモー
タ２０によつて時計方向へ回転させられる。この
回転の間に、ビープ１６内のＸ線の一部はウエハ
１７からもう１つのＸ線ビーム２１として反射さ
れ、Ｘ線検知器２２はビーム２１の強度を測定す
るために与えられている。適切には、検知器２２
はフイリツプス・コーポレーシヨンによつて販売
されているシンチレーシヨン検知器モデル
＃85010100である。そのような検知器は数度の角
度範囲にわたつてＸ線を感知し、そしてサブスト
レート１７が回転するときにその検知器は静止し
て保持されている。

検知器２２は出力リード２３上に信号を生じ、
その大きさはビーム２１の強度に比例する。その
信号はボルトメータ２４に送られ、それはビーム
２１の強度の可視的な表示を与える。それは、サ
ブストレート１７がビーム１６と成す最初の角度
を手動的にセツトするために、第１図の装置のオ
ペレータによつて用いられる。具体的には、オペ
レータはボルトメータ２４が最大信号を示す位置
までサブストレート１７を回転し、そしてその位
置から最初の位置へ近づくように反時計方向へ小
さな角度偏倚だけサブストレート１７を回転させ
る。

リード２３はアナログ・デイジタル変換器２５
へも接続されている。それはビーム２１の強度の
大きさを表わすデイジタル信号が発生される出力
リード２６を有している。リード２６上の信号は
１対のメモリ２７と２８の入力端子に送られ、そ
れらのメモリはどちらもアドレスライン３０を介
してマイクロプロセツサ２９によつてアドレスさ
れる。

メモリ２７と２８からのデータは出力ライン３
１を通してプロセツサ２９によつて読出される。
マイクロプロセツサ２９からの１組の制御ライン
２７ａ上の信号は読出と書込のためにメモリ２７
を選択的に能動化し、プロセツサ２９からのもう
１組の制御ライン２８ａ上の信号は読出と書込の
ためにメモリ２８の選択的に能動化する。

リード２６上の強度信号がメモリ２７と２８内
へ書込まれかつそこから読出されるシーケンスの
すべては、制御パネル３２によつて制御される。
パネル３２は＃１，＃2A、および＃2Bで示され
た３つのプツシユボタンスイツチを有している。
ボタン＃１が押されたとき、プロセツサ２９はメ
モリ３３内の制御プログラムCP＃１を実行し、
ボタン＃2Aが押されたとき、プロセツサ２９は
もう１つの制御プログラムCP＃2Aを実行し、そ
してボタン＃2Bが押されたとき、プロセツサ２
９はもう１つの制御プログラムCP＃2Bを実行す
る。

ここで、各制御プログラムが第２図と関連して
詳細に説明される。まずプログラムCP＃１を考
えよう。通常、その機能は無欠陥結晶１７がギヤ
１９とモータ２０によつてブラグ角のまわりに回
転される間にリード２６上の強度信号でメモリ２
７をロードすることである。

ボタン＃１を押す前に、オペレータはクランプ
１８内に結晶を置かねばならず、そして上述のよ
うにボルトメータ２４を利用することによつてブ
ラグ角より少し小さな角度にそれを位置決めしな
ければならない。その後に、ボタン＃１が押され
たときに、プロセツサ２９はモータ２０をスター
トさせる信号をそのモータに送り、それによつて
サブストレート１７を一定の速度で時計方向に回
転させる。この回転が起こるとき、プロセツサ２
９はリード２７ａ上に周期的に制御信号を送り、
それはメモリ２７がリード２６上の強度信号を連
続的な記憶場所にストアするようにさせる。

好ましくは、サブストレート１７の回転の各度
について少なくとも600のサンプルがメモリ２７
内にストアされる。これらのサンプルは、ビーム
１６とサブストレート１７の間の角度がブラグ角
を数度越えるまでとられ続ける。次に、プロセツ
サ２９はモータ２０にもう１つの信号を送つて、
それをターンオフする。

ここで、制御プログラムCP＃2Aの詳細を考え
よう。このプログラムを働かすために、ゲツタリ
ング位置についてテストされるべき半導体ウエハ
がクランプ１８によつて保持されなければなら
ず、そしてブラグ角から小さな偏倚だけ引いた角
度に位置決めされなければならない。その後に、
ボタン＃2Aが押し下げられるとき、プロセツサ
２９はモータ２０をスタートさせ、サブストレー
ト１７を一定速度で時計方向に回転させる。

この回転が起こつているとき、プロセツサ２９
はリード２８ａ上に周期的に制御信号を送り、そ
れはメモリ２８がリード２６上の強度信号を連続
的な記憶場所へストアするようにさせる。好まし
くは、これらの強度信号はそれらが制御プログラ
ムCP＃１によつてメモリ２７内にストアされた
のと同じ速度でメモリ２８内へストアされる。次
に、サブストレート１７がブラグ角を通過して約
１度回転した後に、プロセツサ２９はモータ２０
へ信号を送つてそれをターンオフさせる。

次に、プロセツサ２９はピーク強度を見つける
ためにメモリ２７内の強度信号をスキヤンする。
これはプロセツサ２９を介して行なわれ、制御リ
ード２７ａ上の読出コマンドとともにリード３０
上の連続的なメモリアドレスを送り、そして最大
強度が見つけられるまでメモリ２７から強度信号
をリード３１上に読出して比較することによつて
なされる。

プロセツサ２９はピーク強度が起こるメモリ２
７内のアドレスをとり、それにインクリメントを
加え、そしてビーム１６とウエハ１７の間の角度
がブラグ角から10分ないし30分であつたときにス
トアされた強度のメモリ２７内におけるアドレス
を生じる。たとえば、もしウエハ１７が時間あた
り10度の速度で回転されて時間あたり600のサン
プルがとられれば、10から30のインクリメントが
そのピーク強度のアドレスに加えられる。そのイ
ンクリメントされたアドレスにあるメモリ２７内
の強度は、プロセツサ２９内でレジスタR1内に
ストアされる。

メモリ２８内にストアされている強度サンプル
について同様なステツプがプロセツサ２９によつ
て実行される。すなわち、まずプロセツサ２９は
メモリ２９内にストアされている強度のピークの
アドレスを判断するためにそのメモリ２８内の強
度をスキヤンし、次にそのピークから10分ないし
30分の強度のアドレスを得るためにピーク強度の
アドレスをインクリメントし、そして次にそのイ
ンクリメントされたアドレスでレジスタR2内へ
その強度をストアする。

次に、プロセツサ２９はレジスタR1とR2内の
２つの強度を比較する。もしレジスタR2内の強
度がレジスタR1内の強度のよりかなり大きけれ
ば、プロセツサ２９はゲツタリング位置の存在を
示すランプGSEを点灯する信号を制御パネル３
２に送る。これが起こるためには、レジスタR2
内の強度はレジスタR1内の強度より少なくとも
25％以上大きいことが好ましい。これに応答し
て、サブストレート１７上の集積回路の製造プロ
セスが続けられる。

逆に、もしレジスタR2内の強度がレジスタR1
内の強度よりかなり大きくなければ、プロセツサ
２９はゲツタリング位置が存在しないことを示す
ランプNGSEを点灯する信号を制御パネル３２に
送る。これに応答して、ウエハ１７は廃棄される
か、またはウエハ１７はそのウエハ内にゲツタリ
ングを導入するもう１つのプロセスを通してサイ
クルされる。そして、この修正されたウエハは集
積回路が製造されるプロセスにおいて用いられ
る。

制御プログラムCP＃１とCP＃２が基づく理論
を理解するために、ここで第３図が参照されるべ
きである。それは、これらの制御プログラムが実
行されるときにライン２３上に起こる信号を表わ
す１対の曲線２３ａと２３ｂを含んでいる。曲線
２３ａは制御プログラムCP＃１が実行されると
きに起こり、曲線２３ａまたは２３ｂのいずれか
の１つが制御プログラムCP＃2Aの実行の間に起
こる。

第３図において、ビーム１６とサブストレート
１７の間の角度は、ブラグ角θ_Bからの角度偏倚と
して水平軸上にプロツトされている。ライン２３
上の強度信号は垂直軸上にプロツトされている。
もしサブストレート１７が無欠陥結晶であれば、
曲線２３ａが示しているように、その強度はブラ
グ角において非常に高く、そしてそのブラグ角か
らのわずか非常に小さな角度偏倚（たとえば、10
秒以下の角度偏倚）で急速に落込む。

これに対して、サブストレート１７が表面近く
（すなわち、表面の50ミクロン以内）にランダム
に分布する結晶格子欠陥を有していれば、そこか
ら反射されるＸ線の強度は曲線２３ａより緩かに
落ちる。すなわち、ブラグ角から10秒ないし30秒
の範囲内において、強度２３ｂは強度２３ａより
少なくとも25％以上大きい。

ここで第２図に戻つて、制御プログラムCP
＃2Bの詳細が説明される。このプログラムを実
行するために、ゲツタリング位置についてテスト
されるべき半導体ウエハはクランプ１８によつて
保持され、そしてブラグ角から小さな偏倚を引い
た角度で位置決めされなければならない。その後
に、ボタン＃2Bが押されるとき、プロセツサ２
９はサブストレート１７を時計方向に回転させる
モータ２０をスタートさせる。

その後に、サブストレート１７がブラグ角を通
過して数度回転したとき、プロセツサ２９はモー
タ２０をターンオフさせる信号をそのモータに送
る。

次に、プロセツサ２９はピーク強度を見つける
ためにメモリ２７内の強度信号を読出して比較す
る。そして、それはそのピーク強度のメモリ２７
内のアドレスをレジスタR1内にストアする。次
に、プロセツサ２９はそこにストアされているピ
ーク強度を見つけるためにメモリ２８内の強度信
号を読出して比較する。そして、それはピーク強
度のメモリ２８のアドレスを２つのレジスタR2
とR3内にストアする。

次に、プロセツサ２９は、ピーク強度から約10
分引いたアドレスを得るために、所定の量だけレ
ジスタR1とR2内のアドレスをデクリメントす
る。それらのアドレスにおいて、ストアされてい
る強度は、テスト中のサブストレートがゲツタリ
ング位置を含んでいるか否かによつて確実に異な
る。

その後に、プロセツサ２９はレジスタR1とR2
内のアドレスを１だけデクリメントし、それらの
アドレスでメモリ２７と２８内にストアされてい
る強度を比較する。このデクリメントと比較の動
作は、R1とR2のアドレスにおける強度が等しく
なるまで続く。ここで、この等しいことが意味す
ることは、２つの強度間の任意の違いが或る所定
の最小値内にあることを意味する。

次に、プロセツサ２９は、ゲツタリング位置に
関してテストされているサブストレート１７内に
生じる最大歪Ｓを、式Ｓ＝SINθ_B÷（SINθ_B＋Δθ）
−１で計算する。この式において、θ_Bはブラグ角
であり、Δθはメモリ２７と２８内の強度が等し
くなるθ_Bからの最も小さな角度ずれである。ずれ
Δθは、レジスタR2とR3内のアドレスを差し引い
てその差にサブストレート１７の角度の移動量を
掛け合わせることによつて計算され、その角度の
移動量はメモリ２８内にストアされている各強度
サンプル間で起こるものである。

次に、プロセツサ２９は計算された最大歪Ｓを
所定の限界（たとえば、0.010または１％）と比
較する。もしその限界が越されているならば、プ
ロセツサ２９はランプGSEを点する信号を制御
パネル３２へ送り、それに応答して、テストされ
ているサブストレート１７上の回路の製造が続け
られる。逆に、もし最大歪Ｓが限界以下であれ
ば、プロセツサ２９はランプNGSEを点灯する信
号を制御パネル３２へ送り、これに応答してテス
トされているサブストレートは廃棄されるか、ま
たはゲツタリング位置がその中に導入されてその
上の回路の製造が続けられる。

制御プログラムCP＃2Bが基づく理論を理解す
るために、以下の式１−６が与えられる。

Ｓ＝Δd／ｄ＝（d′−ｄ）／ｄ ……(1) nλ＝2dSINθ_B＝2d′SINθ′_B ……(2) d′＝dSINθ_B／SINθ′_B ……(3) Ｓ＝ ｛（dSINθ_B／SINθ′_B）−ｄ｝／ｄ ＝（SINθ_B／SINθ′_B）−１ ……(4) θ′_B＝θ_B＋Δθ ……(5) Ｓ＝｛（SINθ_B／SIN（θ_B＋Δθ）｝−１ ……(6) 式１は歪の定義を与える。それにおいて、ｄは
歪まされていない結晶の原子の格子間隔であり、
d′は歪まされた結晶の原子の格子間隔である。

式２は歪まされた結晶と歪まされていない結晶
の両方に適応するブラグの式である。それにおい
て、θ_Bは歪まされていない結晶格子に関するブラ
グ角であり、θ′_Bは歪まされた結晶格子に関する
ブラグ角である。

式２を用いて、d′はｄ，θ_B，θ′_Bで書換えられ得
る。これは式３として与えられている。次に、式
５を式４に代入することによつて最大歪に関する
式である式６が得られる。

本発明の１つの特徴は、第２図のステツプが集
積回路の製造プロセスの任意に段階において実行
され得るということである。これは、サブストレ
ート１７上に製造される任意の回路または部分的
に製造される任意の回路に対してＸ線が非破壊的
だからである。

第４Ａ図ないし第４Ｆ図は、本発明のステツプ
が実施され得る例示的なIC製造プロセスにおけ
るいくつかの特定の段階を示している。これらの
図はバロース・コーポレーシヨンに譲渡された米
国特許第4345307号からとられたものであり、そ
の特許は高密度LSI／VLSIチツプ内に微小の電
界効果トランジスタを大量生産する方法を述べて
いる。

第４Ａ図はゲツタリング位置を作るためにサブ
ストレートの背面内へアルゴン原子が注入される
ステツプを示している。しかし、この開示の背景
で説明されたように、ゲツタリング位置を作るた
めに表面にサンドペーパをかけることも用いられ
得る。いずれの場合にも、もしゲツタリング位置
がサブストレートの販売人によつて導入されて、
残りのステツプ４Ｂないし４Ｆがそのサブストレ
ートの購買者によつて実行されるならば、それら
のゲツタリング位置が実際に存在するか否かを購
買者が判断し得ることは非常に重要である。この
判断は、本発明に従つて上述の第２図のプロセス
ステツプによつてなされる。

この代わりに、ICの製造プロセスのいくつか
の高温ステツプが完了された後に本発明のステツ
プを実行することが好まれるかもしれない。高温
ステツプの間に、ゲツタリング位置は消失する傾
向にあり、任意のそのような消失は第２図のステ
ツプを続いて実行することによつて検知され得
る。たとえば、第２図のステツプは、サブストレ
ートが1000℃の温度に加熱される間の第４Ａ図な
いし第４Ｃ図のステツプの後に実行してもよい。

もう１つの代わりとして、本発明のステツプ
は、完全な集積回路の製造が完了した後（たとえ
ば、第４Ｆ図のステツプの後）に実行されてもよ
い。プロセスのこの遅い段階において、第２図の
ステツプによつてゲツタリング位置の存在をチエ
ツクしても、それはサブストレート上の回路に悪
影響を及ぼさない。

これで、本発明による集積回路の好ましい種々
の製造方法が詳細に述べられた。しかし、これら
に加えて、いくつかの変更や修正が本発明の性質
と精神から離れることなくこれらの詳細に対して
なされ得る。したがつて、本発明は前記詳細に限
定されるのではなくて特許請求の範囲によつて規
定されることを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のステツプを実行するための装
置を示している。第２図、第２Ａ図および第２Ｂ
図は第１図の装置が実行するいくつかの制御プロ
グラムのフローチヤートを示す。第３図は第１図
の装置が測定する反射Ｘ線ビームの強度を示す。
第４Ａ図ないし第４Ｆ図は集積回路の製造方法を
図解しており、その方法において第２図のステツ
プが実行されるいくつかの段階を示している。 図において、１０はＸ線ソース、１２はＸ線コ
リメータ、１３はスリツト、１４はビーム、１５
は単色化結晶、１６はビーム、１７はサブストレ
ート、１８はクランプ、１９はギヤ、２０はモー
タ、２１はビーム、２２は検知器、２３は出力リ
ード、２４はボルトメータ、２５はアナログ・デ
イジタル変換器、２６は出力リード、２７と２８
はメモリ、２９はマイクロプロセツサ、３０はア
ドレスライン、３１は出力ライン、３２はパネ
ル、３３はメモリを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体サブストレート上の集積回路の製造に
   おいて用いる方法であつて、 サブストレートのブラグ角からわずかな角度の
   ずれで前記半導体サブストレート上に電磁放射線
   を照射し、 前記半導体サブストレートから前記ずれで反射
   された放射線の強度を測定し、 その測定された強度が前記半導体の無欠陥結晶
   から前記角度ずれで反射される強度より所定量だ
   け大きい場合にのみ前記半導体サブストレート上
   に前記回路を製造するステツプを含むことを特徴
   とする集積回路の製造において用いる方法。 ２ 前記測定された強度が前記無欠陥結晶から反
   射する強度よりかなり大きくない場合に、前記半
   導体サブストレート中に可動イオンのためのゲツ
   タリング位置を生じさせ、その後に、 前記ゲツタリング位置で修正された前記半導体
   サブストレート上に前記回路を製造するステツプ
   をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の方法。 ３ 前記測定された強度が前記無欠陥結晶から反
   射する強度よりかなり大きくない場合に前記半導
   体サブストレートを廃棄するステツプをさらに含
   むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   方法。 ４ 前記すべてのステツプは前記半導体サブスト
   レート上の任意のトランジスタの形成に先立つて
   実行されることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の方法。 ５ 前記すべてのステツプは前記半導体サブスト
   レート上のトランジスタの形成が開始された後に
   実行されることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の方法。 ６ 前記角度ずれは10分から40分であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７ 前記放射線は0.5Aから4Aの波長を有するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
   法。 ８ 前記半導体材料はシリコン、ゲルマニウム、
   およびガリウム砒素から選択されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ９ 前記製造ステツプは、前記測定された強度が
   前記無欠陥結晶から反射する強度より少なくとも
   25％大きい場合にのみ実行されることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の方法。 １０ 半導体サブストレート上に集積回路を製造
   するためのプロセスにおいて、 前記サブストレートのブラグ角から10分ないし
   40分の小さな角度ずれで前記半導体サブストレー
   ト上に電磁放射線を照射し、 前記角度ずれにおいて前記半導体サブストレー
   トから反射される放射線が前記サブストレートの
   無欠陥結晶が同じ前記角度ずれにおいて反射する
   基準放射線より所定量だけ越えている場合にのみ
   前記半導体サブストレート上の前記回路の製造を
   続けるサブステツプを含むことを特徴とする集積
   回路を製造するための方法。 １１ 前記回路の製造は、前記半導体サブストレ
   ートから反射された放射線が前記無欠陥結晶の反
   射する放射線より少なくとも25％大きな場合にの
   み続けられることを特徴とする特許請求の範囲第
   １０項記載の方法。 １２ 前記回路の製造は、Ｓ＝SINθ_B÷SIN（θ_B
   ＋Δθ）−１によつて計算される前記半導体サブス
   トレート内の最大応力が所定の最小値を越える場
   合にのみ続けられ、ここでθ_Bはブラグ角であり、
   Δθは前記半導体サブストレートと前記無欠陥結
   晶から放射が収束するθ_Bから最も小さな角度ずれ
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１０項
   記載の方法。