JPH04283727A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH04283727A JPH04283727A JP7231891A JP7231891A JPH04283727A JP H04283727 A JPH04283727 A JP H04283727A JP 7231891 A JP7231891 A JP 7231891A JP 7231891 A JP7231891 A JP 7231891A JP H04283727 A JPH04283727 A JP H04283727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- drive circuit
- display device
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
より詳しくは、全体がコンパクトで小型化でき、製造工
程における歩留まりのよい液晶表示装置に関する。
より詳しくは、全体がコンパクトで小型化でき、製造工
程における歩留まりのよい液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示装置として、図7(a)
に示すように液晶パネルのまわりにTAB(Tape
Automated Bonding)を用いて液
晶パネルと接続したものが知られている。
に示すように液晶パネルのまわりにTAB(Tape
Automated Bonding)を用いて液
晶パネルと接続したものが知られている。
【0003】また、図7(b)に示すように駆動回路と
液晶パネルを一体化した液晶表示装置が知られている。
液晶パネルを一体化した液晶表示装置が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、通常のLS
Iの出力数は160程度なので、図7(a)に示した液
晶表示装置においては、1枚の液晶表示装置あたり15
チップ程度必要となり、その実装コストも考慮すると液
晶パネルの低コスト化を妨げる要因の一つとなっている
。
Iの出力数は160程度なので、図7(a)に示した液
晶表示装置においては、1枚の液晶表示装置あたり15
チップ程度必要となり、その実装コストも考慮すると液
晶パネルの低コスト化を妨げる要因の一つとなっている
。
【0005】また、図7(b)の液晶表示装置では、液
晶パネル基板上に駆動回路部と液晶表示部を形成してい
るため非常にコンパクトになっているが駆動回路部と液
晶デバイス部を同一基板上に高歩留まりで作成すること
が困難であった。
晶パネル基板上に駆動回路部と液晶表示部を形成してい
るため非常にコンパクトになっているが駆動回路部と液
晶デバイス部を同一基板上に高歩留まりで作成すること
が困難であった。
【0006】本発明は上記の点を解決しようとするもの
でその目的は、より一層小型化が可能で、製造工程にお
ける歩留まりのよい液晶表示装置を提供することにある
。
でその目的は、より一層小型化が可能で、製造工程にお
ける歩留まりのよい液晶表示装置を提供することにある
。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の液晶表示
装置は、液晶を用いたフラットパネルディスプレイにお
いて、駆動回路部を画像表示部の基板とは別の基板上に
形成したTFTで形成し、それを画像表示部の基板と電
気的に接続したことを特徴とする。
装置は、液晶を用いたフラットパネルディスプレイにお
いて、駆動回路部を画像表示部の基板とは別の基板上に
形成したTFTで形成し、それを画像表示部の基板と電
気的に接続したことを特徴とする。
【0008】本発明の第2の液晶表示装置は、画像表示
部の基板にプラスチックフィルムを用いたPF−LCD
において駆動回路部がPF−LCDの保持体も兼ねてい
ることを特徴とする。
部の基板にプラスチックフィルムを用いたPF−LCD
において駆動回路部がPF−LCDの保持体も兼ねてい
ることを特徴とする。
【0009】図1に本発明の構成図を示す。図中1は画
像表示部、2は駆動回路部、3はプリント基板を示す。
像表示部、2は駆動回路部、3はプリント基板を示す。
【0010】液晶表示部1は、ガラスもしくはPF(プ
ラスチックフィルム)基板上に作製した透明電極間に液
晶デバイスを挟んだ構成になっており、その透明電極に
外部から画像信号を入力する。
ラスチックフィルム)基板上に作製した透明電極間に液
晶デバイスを挟んだ構成になっており、その透明電極に
外部から画像信号を入力する。
【0011】駆動回路部2は、コントローラから入力さ
れた画像信号に応じて液晶表示部の電極に電圧を印加す
る素子で、コントローラから入力されたシリアル信号を
各画素の信号(パラレル信号)に変換する役割を持つ。
れた画像信号に応じて液晶表示部の電極に電圧を印加す
る素子で、コントローラから入力されたシリアル信号を
各画素の信号(パラレル信号)に変換する役割を持つ。
【0012】駆動回路部2は、フォトリソグラフィー法
を用いた微細加工技術を用いているため、その基板幅は
1mm程度と非常に狭く、表示エリアに比べると無視で
きるほど小さい。また、出力端子のピッチと液晶表示部
の入力端子のピッチは、共通なので一括接続が可能にな
り低コストでコンパクトな構成になる。
を用いた微細加工技術を用いているため、その基板幅は
1mm程度と非常に狭く、表示エリアに比べると無視で
きるほど小さい。また、出力端子のピッチと液晶表示部
の入力端子のピッチは、共通なので一括接続が可能にな
り低コストでコンパクトな構成になる。
【0013】駆動回路部2の構成断面図を図2(a)に
示す。また、これと等価な回路図を図2(b)に示す。 これは、TFT(Thin Film Trans
istor)と呼ばれ、高温プロセスに耐えられる絶縁
基板11(石英ガラス、パイレックスガラスなど)上に
、Siを含む活性層12(Poly−Si,再結晶化S
i,a−Siなど)と活性層上に形成されたゲート絶縁
膜13(熱酸化膜、CVD膜など)とゲート絶縁膜上に
形成されたゲート電極14(不純物{リン、ボロンなど
}が注入されたSi)とゲート電極をマスクにして活性
層に形成されたソース電極15とドレイン電極16(ゲ
ート電極をもちいてセルファライン法で活性層にリンま
たはボロンを注入したもの)と電源や信号与えるメタル
電極17(アルミ、クロムなど)とメタル電極と活性層
あるいはゲート電極との短絡を防止する層間絶縁膜18
(SiO2 、Si3 N4など)とで形成される。
示す。また、これと等価な回路図を図2(b)に示す。 これは、TFT(Thin Film Trans
istor)と呼ばれ、高温プロセスに耐えられる絶縁
基板11(石英ガラス、パイレックスガラスなど)上に
、Siを含む活性層12(Poly−Si,再結晶化S
i,a−Siなど)と活性層上に形成されたゲート絶縁
膜13(熱酸化膜、CVD膜など)とゲート絶縁膜上に
形成されたゲート電極14(不純物{リン、ボロンなど
}が注入されたSi)とゲート電極をマスクにして活性
層に形成されたソース電極15とドレイン電極16(ゲ
ート電極をもちいてセルファライン法で活性層にリンま
たはボロンを注入したもの)と電源や信号与えるメタル
電極17(アルミ、クロムなど)とメタル電極と活性層
あるいはゲート電極との短絡を防止する層間絶縁膜18
(SiO2 、Si3 N4など)とで形成される。
【0014】また、ソース電極及びドレイン電極に注入
されている不純物によって特性が異なる。リンが注入さ
れている場合をNMOS、ボロンが注入されたものをP
MOSと呼びこれら2つを図2(b)のように接続した
ものをCMOSと呼ぶ。この回路構成は、低消費電力と
高速性と省スペースを兼ね備えたデバイスである。
されている不純物によって特性が異なる。リンが注入さ
れている場合をNMOS、ボロンが注入されたものをP
MOSと呼びこれら2つを図2(b)のように接続した
ものをCMOSと呼ぶ。この回路構成は、低消費電力と
高速性と省スペースを兼ね備えたデバイスである。
【0015】図3(a)にセグメント電極の駆動回路部
のブロック図を示す。シリアルな画像データを各画素に
展開するシフトレジスタ21とデータの保持を行うラッ
チ22と液晶デバイスを駆動する液晶ドライバ23から
構成されている。この場合、画像データは複数の箇所か
ら入力し駆動回路部の周波数を低くしTFTでも駆動可
能にしている。図3(b)にコモン電極の駆動回路部の
ブロク図を示す。コモン電極を1ラインづつHighレ
ベルにしていく。フレーム信号を伝達するシフトレジス
タ21と液晶デバイスを駆動する液晶ドライバ23とか
ら構成されている。
のブロック図を示す。シリアルな画像データを各画素に
展開するシフトレジスタ21とデータの保持を行うラッ
チ22と液晶デバイスを駆動する液晶ドライバ23から
構成されている。この場合、画像データは複数の箇所か
ら入力し駆動回路部の周波数を低くしTFTでも駆動可
能にしている。図3(b)にコモン電極の駆動回路部の
ブロク図を示す。コモン電極を1ラインづつHighレ
ベルにしていく。フレーム信号を伝達するシフトレジス
タ21と液晶デバイスを駆動する液晶ドライバ23とか
ら構成されている。
【0016】図4(a)にユニットの接続断面図を示す
。プリント基板3上に液晶表示パネル1と同等またはそ
れ以上の長さを有する駆動回路部2を固定しワイヤーボ
ンディング法を用いて電源、信号端子を入力する。また
、同様にして液晶表示部1と接続した後、接着剤でモー
ルドする。
。プリント基板3上に液晶表示パネル1と同等またはそ
れ以上の長さを有する駆動回路部2を固定しワイヤーボ
ンディング法を用いて電源、信号端子を入力する。また
、同様にして液晶表示部1と接続した後、接着剤でモー
ルドする。
【0017】図4(b)に別の接続法を用いた場合の接
続断面図を示す。プリント基板3上に駆動回路部2を同
様に固定し異方性導電樹脂を用いて駆動回路2と液晶表
示部1を接続する。
続断面図を示す。プリント基板3上に駆動回路部2を同
様に固定し異方性導電樹脂を用いて駆動回路2と液晶表
示部1を接続する。
【0018】図6に、画像表示部1の基板にプラスチッ
クフィルム1aを用いたPF−LCDの概略の構成を示
す。図6のPF−LCDにおいては、保護ガラス5とプ
ラスチックフィルム1aとの間に駆動回路部2と透明樹
脂6を介在させて一体に構成されている。ここで駆動回
路部2は、PF−LCDの保持材も兼ねており、このこ
とにより一層の小型化が可能になる。
クフィルム1aを用いたPF−LCDの概略の構成を示
す。図6のPF−LCDにおいては、保護ガラス5とプ
ラスチックフィルム1aとの間に駆動回路部2と透明樹
脂6を介在させて一体に構成されている。ここで駆動回
路部2は、PF−LCDの保持材も兼ねており、このこ
とにより一層の小型化が可能になる。
【0019】実施例1
石英基板上にLP−CVD法を用いてPoly−Siを
1000Å製膜した。フォトリソグラフィー法を用いて
所望のパターンにエッチングして1060℃の酸素雰囲
気中にさらし熱酸化膜を800Å作成した[図5(a)
]。LP−CVD法を用いてゲート電極を3000Å製
膜し、イオン注入法を用いてボロンを注入した。 フォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、
そのゲート電極をマスクにしてソース、ドレイン部にイ
オン注入法を用いて不純物を注入した[図5(b)]。 その後、1070℃の窒素雰囲気中で30分間さらし不
純物を活性化した。CVD法を用いてSiO2 をlμ
m製膜した。
1000Å製膜した。フォトリソグラフィー法を用いて
所望のパターンにエッチングして1060℃の酸素雰囲
気中にさらし熱酸化膜を800Å作成した[図5(a)
]。LP−CVD法を用いてゲート電極を3000Å製
膜し、イオン注入法を用いてボロンを注入した。 フォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、
そのゲート電極をマスクにしてソース、ドレイン部にイ
オン注入法を用いて不純物を注入した[図5(b)]。 その後、1070℃の窒素雰囲気中で30分間さらし不
純物を活性化した。CVD法を用いてSiO2 をlμ
m製膜した。
【0020】水素アニール処理を行いTFTの移動度を
向上させた。ウエットエッチング法でコンタクトホール
をあけ、スパッタリング法を用いてアルミ電極をlμm
製膜した。フォトリソグラフィー法を用いてパターニン
グした後、P−CVD法を用いてSi3 N4 をlμ
m製膜する。最後にドライエッチング法を用いてパッド
を作製して駆動回路基板を作製した[図5(c)]。電
気チェッカーで電気的評価をした後、スクライバーを用
いて所望のサイズに切り出した。配線がパターニングさ
れたプリント基板の所定の場所に前述の駆動回路基板を
接着剤を用いて固定し、ワイヤーボンディング法を用い
て電源ラインに電圧を供給した。また、同様にしてワイ
ヤーボンディング法を用いて1bit,240bit,
480bit,720bit,960bit,1200
bit,1440bit,1680bit目に接続し画
像データ信号を入力する。次に、液晶表示部をプリント
基板に固定し、ワイヤーボンディング法を用いて駆動回
路基板の出力端子と液晶表示部の入力部を接続する。最
後にワイヤーボンド部分をモールドして液晶表示ユニッ
トを作成した。
向上させた。ウエットエッチング法でコンタクトホール
をあけ、スパッタリング法を用いてアルミ電極をlμm
製膜した。フォトリソグラフィー法を用いてパターニン
グした後、P−CVD法を用いてSi3 N4 をlμ
m製膜する。最後にドライエッチング法を用いてパッド
を作製して駆動回路基板を作製した[図5(c)]。電
気チェッカーで電気的評価をした後、スクライバーを用
いて所望のサイズに切り出した。配線がパターニングさ
れたプリント基板の所定の場所に前述の駆動回路基板を
接着剤を用いて固定し、ワイヤーボンディング法を用い
て電源ラインに電圧を供給した。また、同様にしてワイ
ヤーボンディング法を用いて1bit,240bit,
480bit,720bit,960bit,1200
bit,1440bit,1680bit目に接続し画
像データ信号を入力する。次に、液晶表示部をプリント
基板に固定し、ワイヤーボンディング法を用いて駆動回
路基板の出力端子と液晶表示部の入力部を接続する。最
後にワイヤーボンド部分をモールドして液晶表示ユニッ
トを作成した。
【0021】実施例2
実施例1と同様にして駆動回路基板を作製した後、ワイ
ヤーボンディング法を用いてプリント基板と接続し、そ
の部分をモールドした。次に、異方性導電樹脂膜を駆動
回路基板の出力端子部に接着し液晶表示部の入力部と接
着する。最後にその部分に150℃程度の熱を加えて接
続させ液晶表示ユニットを作成した。
ヤーボンディング法を用いてプリント基板と接続し、そ
の部分をモールドした。次に、異方性導電樹脂膜を駆動
回路基板の出力端子部に接着し液晶表示部の入力部と接
着する。最後にその部分に150℃程度の熱を加えて接
続させ液晶表示ユニットを作成した。
【0022】
【発明の効果】(1)本発明の液晶表示装置は、駆動回
路部を別基板上に形成したTFTによって構成している
ため低コストでコンパクトになる。 (2)駆動回路部と液晶表示部を別基板上(別プロセス
)に作製しているため歩留まりが高い。 (3)駆動回路部においては、CMOS構成を有してい
るので、高速動作が可能になり且つ、安定性に優れてい
る。 (4)また、画像表示部の基板にプラスチックフィルム
を用いたPF−LCDの駆動回路部がPF−LCDの保
持材も兼ねているため、より一層小型化が可能になる。
路部を別基板上に形成したTFTによって構成している
ため低コストでコンパクトになる。 (2)駆動回路部と液晶表示部を別基板上(別プロセス
)に作製しているため歩留まりが高い。 (3)駆動回路部においては、CMOS構成を有してい
るので、高速動作が可能になり且つ、安定性に優れてい
る。 (4)また、画像表示部の基板にプラスチックフィルム
を用いたPF−LCDの駆動回路部がPF−LCDの保
持材も兼ねているため、より一層小型化が可能になる。
【図1】本発明の液晶表示装置の構成例を示す説明図で
ある。
ある。
【図2】(a)は本発明の液晶表示装置の駆動回路部の
構成の一例を示す断面構成説明図である。(b)は(a
)の回路部の等価回路図である。
構成の一例を示す断面構成説明図である。(b)は(a
)の回路部の等価回路図である。
【図3】(a)は本発明の液晶表示装置のセグメント用
駆動回路のブロック図である。 (b)は本発明の液晶表示装置のコモン用駆動回路のブ
ロック図である。
駆動回路のブロック図である。 (b)は本発明の液晶表示装置のコモン用駆動回路のブ
ロック図である。
【図4】(a)、(b)それぞれは本発明の液晶表示装
置の駆動回路部の基板(プリント基板)と、画像表示部
の基板との接続法の例を示す説明図である。
置の駆動回路部の基板(プリント基板)と、画像表示部
の基板との接続法の例を示す説明図である。
【図5】(a)、(b)、(c)は実施例1における駆
動回路部作成の際のプロセスフローを示す工程説明図で
ある。
動回路部作成の際のプロセスフローを示す工程説明図で
ある。
【図6】画像表示部の基板にプラスチックフィルムを用
いたPF−LCDの概略の構成を示す断面図である。
いたPF−LCDの概略の構成を示す断面図である。
【図7】(a)、(b)はそれぞれ従来の液晶表示装置
の構成例を示す説明図である。
の構成例を示す説明図である。
1a プラスチックフィルム
1 画像表示部
2 駆動回路部
3 プリント基板
4 モールド材
5 保護ガラス
6 透明樹脂
7 異方性導電樹脂
11 絶縁基板
12 活性層
13 ゲート絶縁膜
14 ゲート電極
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 メタル電極
18 層間絶縁膜
21 シフトレジスタ
22 ラッチ
23 液晶ドライバ
Claims (5)
- 【請求項1】 液晶を用いたフラットパネルディスプ
レイにおいて、駆動回路部を画像表示部の基板とは別の
基板上に形成したTFTで形成し、それを画像表示部の
基板と電気的に接続したことを特徴とする液晶表示装置
。 - 【請求項2】 画像表示部と駆動回路部の接続は、ワ
イヤーボンディング法あるいは異方性導電樹脂を用いて
いることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 駆動回路部は、CMOS構造のTFT
であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 駆動回路には、複数の箇所から画像デ
ータが入力されていることを特徴とする請求項1に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項5】 画像表示部の基板にプラスチックフィ
ルムを用いたPF−LCDにおいて、駆動回路部がPF
−LCDの保持材も兼ねていることを特徴とする駆動回
路一体型のPF−LCD。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7231891A JPH04283727A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7231891A JPH04283727A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283727A true JPH04283727A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=13485813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7231891A Pending JPH04283727A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734458A (en) * | 1993-08-12 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus with drive circuits on the substrate and with a shorting line |
| JP2005181830A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7027043B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-04-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring substrate connected structure, and display device |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP7231891A patent/JPH04283727A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734458A (en) * | 1993-08-12 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus with drive circuits on the substrate and with a shorting line |
| US7027043B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-04-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring substrate connected structure, and display device |
| JP2005181830A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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