JPH0452925B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0452925B2 JPH0452925B2 JP58182718A JP18271883A JPH0452925B2 JP H0452925 B2 JPH0452925 B2 JP H0452925B2 JP 58182718 A JP58182718 A JP 58182718A JP 18271883 A JP18271883 A JP 18271883A JP H0452925 B2 JPH0452925 B2 JP H0452925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lines
- drive circuit
- circuit board
- display device
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜トランジスタ（TFT）アレイ
を用いた表示装置に関する。
を用いた表示装置に関する。
近年、多結晶または非晶質半導体薄膜を用いた
TFTアレイを集積形成して駆動回路基板とした
結晶表示装置が注目されている。特にこの種の表
示装置は、半導体薄膜が低温で形成できることか
らガラス基板を用いることができ、従つて低コス
ト化が可能であり、また従来の露光技術、エツチ
ング技術等をそのまま適用して大面積化を図るこ
とができるといつた利点を有する。
TFTアレイを集積形成して駆動回路基板とした
結晶表示装置が注目されている。特にこの種の表
示装置は、半導体薄膜が低温で形成できることか
らガラス基板を用いることができ、従つて低コス
ト化が可能であり、また従来の露光技術、エツチ
ング技術等をそのまま適用して大面積化を図るこ
とができるといつた利点を有する。
第１図に従来の駆動回路基板の一画素部分の構
造を示す。ａは平面図であり、ｂはそのＡ−
A′断面図である。１はガラス基板であり、この
上にゲート電極２が形成され、この上にSiO2膜
等によるゲート絶縁膜３を介して例えば非晶質シ
リコン（ａ−Si）膜４が形成されている。ａ−Si
膜４には、ドレイン電極５、ソース電極６が形成
され、ソース電極６は透明導電膜からなる表示画
素電極７に接続されている。ゲート電極２は、マ
トリクスの行方向に配設されるアドレス線Xiと一
体形成され、これにより行方向のTFTのゲート
電極は全て共通接続される。またドレイン電極５
は、マトリクスの列方向に配設されるデータ線
Yjと一体形成され、これにより列方向のTFTの
ドレイン電極は全て共通接続される。
造を示す。ａは平面図であり、ｂはそのＡ−
A′断面図である。１はガラス基板であり、この
上にゲート電極２が形成され、この上にSiO2膜
等によるゲート絶縁膜３を介して例えば非晶質シ
リコン（ａ−Si）膜４が形成されている。ａ−Si
膜４には、ドレイン電極５、ソース電極６が形成
され、ソース電極６は透明導電膜からなる表示画
素電極７に接続されている。ゲート電極２は、マ
トリクスの行方向に配設されるアドレス線Xiと一
体形成され、これにより行方向のTFTのゲート
電極は全て共通接続される。またドレイン電極５
は、マトリクスの列方向に配設されるデータ線
Yjと一体形成され、これにより列方向のTFTの
ドレイン電極は全て共通接続される。
図では省略したが、実際にはこの駆動回路基板
は表示画素電極７の部分を除いてSiO2等の保護
膜でおおわれる。そしてこの駆動回路基板と、全
面に対向電極を形成した対向基板との間に液晶を
挟持してマトリクス形液晶表示装置が構成され
る。
は表示画素電極７の部分を除いてSiO2等の保護
膜でおおわれる。そしてこの駆動回路基板と、全
面に対向電極を形成した対向基板との間に液晶を
挟持してマトリクス形液晶表示装置が構成され
る。
ところでこの種の液晶表示装置が大面積化する
に伴つて、電極配線数や配線長が増大すると、電
極配線パターン形成時のゴミやマスク傷などによ
り短絡や断線事故が増大する。短絡の場合はスポ
ツト露光等を利用して修正することが比較的容易
であるが、断線の場合、直接的な修正はできな
い。そのため一般的には、駆動回路基板の背後に
電極補修用基板を設け、ボンデイング等を利用し
て配線の線欠陥を点欠陥に補正する手段が採られ
ている。
に伴つて、電極配線数や配線長が増大すると、電
極配線パターン形成時のゴミやマスク傷などによ
り短絡や断線事故が増大する。短絡の場合はスポ
ツト露光等を利用して修正することが比較的容易
であるが、断線の場合、直接的な修正はできな
い。そのため一般的には、駆動回路基板の背後に
電極補修用基板を設け、ボンデイング等を利用し
て配線の線欠陥を点欠陥に補正する手段が採られ
ている。
しかしながらこの従来法では、駆動回路基板と
は別に補修用基板を設けなければならないため、
全体として構造、製造工程ともに複雑になる。ま
た、配線の両端部付近で共に断線がある場合に
は、補修用基板では補修ができない。
は別に補修用基板を設けなければならないため、
全体として構造、製造工程ともに複雑になる。ま
た、配線の両端部付近で共に断線がある場合に
は、補修用基板では補修ができない。
本発明は上記の点に鑑み、補修用基板を用いる
ことなく、駆動回路基板の断線による表示品位の
低下を防止した表示装置を提供することを目的と
する。
ことなく、駆動回路基板の断線による表示品位の
低下を防止した表示装置を提供することを目的と
する。
本発明は、前述のようなTFTアレイを集積形
成してなる駆動回路基板のアドレス線、データ線
のいずれか一方を、TFTアレイの各行または各
列に２本ずつ対をなして、かつこれらの対をなす
２本がTFT部で短絡された状態として配設した
ことを特徴とする。
成してなる駆動回路基板のアドレス線、データ線
のいずれか一方を、TFTアレイの各行または各
列に２本ずつ対をなして、かつこれらの対をなす
２本がTFT部で短絡された状態として配設した
ことを特徴とする。
本発明によれば、対をなすアドレス線またはデ
ータ線の一方が断線しても他方が正常である限
り、表示欠陥とはならず、２本が同時に断線する
確率は十分小さいものとなるから、高い表示品位
が得られる。しかも駆動回路基板と別に補修用基
板を用意する従来のものに比べ、全体として構造
および製造工程は簡単であるという利点を有す
る。
ータ線の一方が断線しても他方が正常である限
り、表示欠陥とはならず、２本が同時に断線する
確率は十分小さいものとなるから、高い表示品位
が得られる。しかも駆動回路基板と別に補修用基
板を用意する従来のものに比べ、全体として構造
および製造工程は簡単であるという利点を有す
る。
また、アドレス線またはデータ線の対をなす２
本は、TFTアレイ内部の各TFT部で互いに短絡
された状態で配設され、同時に使用されるから、
アドレス線やデータ線の配線抵抗が従来に比べて
小さいものとなる。これは特に大面積表示装置を
実現する場合に大きな利点になる。
本は、TFTアレイ内部の各TFT部で互いに短絡
された状態で配設され、同時に使用されるから、
アドレス線やデータ線の配線抵抗が従来に比べて
小さいものとなる。これは特に大面積表示装置を
実現する場合に大きな利点になる。
第２図は、本発明を液晶表示装置に適用した一
実施例の駆動回路基板の一画素部分の構造を示す
ものである。ａは平面図、ｂはそのＡ−A′断面
図であり、第１図と対応する部分には第１図と同
一符号を付して詳細な説明を省く。第１図と異な
る点は、TFTのゲート電極２を行方向に共通接
続する信号線として、対をなす２本のアドレス線
Xi，Xi′を、表示画素電極７を挟むようにして配
設していることである。ゲート電極２とアドレス
線Xi，Xi′は、例えばMp膜をスパツタ法により堆
積しこれをパターニングすることにより、一体的
に形成される。すなわち対をなすアドレス線Xi，
Xi′は、ゲート電極２によつて短絡された形で配
設されて、実質１本のアドレス線として機能す
る。
実施例の駆動回路基板の一画素部分の構造を示す
ものである。ａは平面図、ｂはそのＡ−A′断面
図であり、第１図と対応する部分には第１図と同
一符号を付して詳細な説明を省く。第１図と異な
る点は、TFTのゲート電極２を行方向に共通接
続する信号線として、対をなす２本のアドレス線
Xi，Xi′を、表示画素電極７を挟むようにして配
設していることである。ゲート電極２とアドレス
線Xi，Xi′は、例えばMp膜をスパツタ法により堆
積しこれをパターニングすることにより、一体的
に形成される。すなわち対をなすアドレス線Xi，
Xi′は、ゲート電極２によつて短絡された形で配
設されて、実質１本のアドレス線として機能す
る。
このような駆動回路基板と対向基板との間に液
晶層を挟持してマトリクス形液晶表示装置を構成
することは、従来と同様である。
晶層を挟持してマトリクス形液晶表示装置を構成
することは、従来と同様である。
この実施例によれば、対をなす２本のアドレス
線Xi，Xi′のうち一方が断線していても、他方が
導通している限り動作に支障はない。従つてゴミ
やマスク傷等の影響が少なく、高い表示品位を得
ることができる。また、補修用基板を用いる従来
例に比べて、製造工程や製造が簡単である。
線Xi，Xi′のうち一方が断線していても、他方が
導通している限り動作に支障はない。従つてゴミ
やマスク傷等の影響が少なく、高い表示品位を得
ることができる。また、補修用基板を用いる従来
例に比べて、製造工程や製造が簡単である。
また２本のアドレス線Xi，Xi′は、並列接続さ
れて実質１本のアドレス線として用いられるか
ら、低い配線抵抗が得られる。
れて実質１本のアドレス線として用いられるか
ら、低い配線抵抗が得られる。
第３図は別の実施例の駆動回路基板を示すもの
で、ａが平面図、ｂがそのＡ−A′断面図である。
第１図と対応する部分にはやはり第１図と同一符
号を付して詳細な説明は省く。この実施例では、
TFTのドレイン電極５を列方向に共通接続する
信号線として、対をなす２本のデータ線Yj，
Yj′を配設している。
で、ａが平面図、ｂがそのＡ−A′断面図である。
第１図と対応する部分にはやはり第１図と同一符
号を付して詳細な説明は省く。この実施例では、
TFTのドレイン電極５を列方向に共通接続する
信号線として、対をなす２本のデータ線Yj，
Yj′を配設している。
このデータ線Yj，Yj′も、ドレイン電極５によ
り短絡された形であり、実質１本のデータ線とし
て配設されたことになる。
り短絡された形であり、実質１本のデータ線とし
て配設されたことになる。
従つてこの実施例によつても、データ線Yj，
Yj′の一方の断線は表示動作に影響がなく、先の
実施例と同様の効果が得られる。
Yj′の一方の断線は表示動作に影響がなく、先の
実施例と同様の効果が得られる。
なお実施例では、アドレス線とデータ線のうち
一方のみを、２本で対をなすようにしたが、双方
共に２本で対をなすようにしてもよい。これによ
り更に表示品位の向上が図られる。
一方のみを、２本で対をなすようにしたが、双方
共に２本で対をなすようにしてもよい。これによ
り更に表示品位の向上が図られる。
また本発明は、表示媒体として液晶の他例えば
EL層を用いた表示装置にも同様に適用すること
ができる。
EL層を用いた表示装置にも同様に適用すること
ができる。
第１図ａ，ｂは従来例の駆動回路基板を示す
図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例の駆動回路
基板を示す図、第３図ａ，ｂは他の実施例の駆動
回路基板を示す図である。 １……ガラス基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……ａ−Si膜、５……ドレイン
電極、６……ソース電極、７……表示画素電極、
Xi，Xi′……アドレス線、Yi，Yi′……データ線。
図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例の駆動回路
基板を示す図、第３図ａ，ｂは他の実施例の駆動
回路基板を示す図である。 １……ガラス基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……ａ−Si膜、５……ドレイン
電極、６……ソース電極、７……表示画素電極、
Xi，Xi′……アドレス線、Yi，Yi′……データ線。
Claims (1)
- １ 薄膜トランジスタアレイと、各トランジスタ
のゲートおよびドレインをそれぞれ互いに直交す
る方向に共通接続するアドレス線およびデータ線
と、各トランジスタのソースに接続される表示画
素電極とを集積形成した駆動回路基板を用いて表
示媒体を駆動する表示装置において、前記アドレ
ス線またはデータ線のうちいずれか一方が、前記
トランジスタアレイの各行または各列に２本ずつ
対をなして、かつ対をなす２本が各トランジスタ
部で短絡された状態で配設されていることを特徴
とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182718A JPS6073617A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182718A JPS6073617A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073617A JPS6073617A (ja) | 1985-04-25 |
| JPH0452925B2 true JPH0452925B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=16123223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182718A Granted JPS6073617A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073617A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245222A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| NL194848C (nl) * | 1992-06-01 | 2003-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
| CN106681059B (zh) * | 2017-02-09 | 2019-09-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种液晶显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182718A patent/JPS6073617A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6073617A (ja) | 1985-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3401589B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置 | |
| JP2963529B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JP3433779B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| JP2008107849A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH06160904A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP2682997B2 (ja) | 補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶表示装置の製造方法 | |
| US6580474B1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| JPS63208896A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
| KR0142781B1 (ko) | 능동액정표시소자의 능동 매트릭스 구조 | |
| JP2800958B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH0452925B2 (ja) | ||
| JPH06258668A (ja) | マトリクスアレイ基板とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 | |
| KR100318534B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4252126B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS58186720A (ja) | 電気光学装置 | |
| CN113138487B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| JP3202342B2 (ja) | アレイ基板の製造方法 | |
| JPH01134345A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JP3033758B1 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR20020076400A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100599961B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 | |
| KR100318540B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 | |
| JP2881868B2 (ja) | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法 | |
| JPH0568708B2 (ja) | ||
| JP3287070B2 (ja) | 液晶表示パネルと配線パターンの修復方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |