JPH04283909A - 高周波高漏洩リアクタンス変圧器 - Google Patents
高周波高漏洩リアクタンス変圧器Info
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- JPH04283909A JPH04283909A JP3307244A JP30724491A JPH04283909A JP H04283909 A JPH04283909 A JP H04283909A JP 3307244 A JP3307244 A JP 3307244A JP 30724491 A JP30724491 A JP 30724491A JP H04283909 A JPH04283909 A JP H04283909A
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- winding
- housing
- permeability
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/08—High-leakage transformers or inductances
- H01F38/10—Ballasts, e.g. for discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
- H01F2027/348—Preventing eddy currents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的に磁気回路部品
に関する。更に詳しくは、本発明は、制御可能な高漏洩
リアクタンスを有する高周波変圧器に関する。
に関する。更に詳しくは、本発明は、制御可能な高漏洩
リアクタンスを有する高周波変圧器に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気部品の大きさはその動作周波数を高
くすることによって小さくすることができることは周知
のことである。しかしながら、周波数が高くなるに従っ
て導体に発生する渦電流によって巻線損失が増大する。 これらの渦電流は表皮効果、近接効果および空隙からの
周辺磁界のような高い周波数で増大する交流効果によっ
て生ずる。
くすることによって小さくすることができることは周知
のことである。しかしながら、周波数が高くなるに従っ
て導体に発生する渦電流によって巻線損失が増大する。 これらの渦電流は表皮効果、近接効果および空隙からの
周辺磁界のような高い周波数で増大する交流効果によっ
て生ずる。
【０００３】低い周波数における通常の巻線は一般にソ
レノイドまたは螺旋形であり、円形、矩形または箔導体
で作られている。しかしながら、高い周波数においては
、このような導体の交流対直流抵抗比は表皮および近接
効果によって著しく増大する。導体の断面を有効に利用
するために、導体の１つの寸法を１または２の表皮深さ
に抑えることは有利なことである。この結果、低い周波
数の場合とは逆に、高い周波数において指定電流を流す
ように設計された電気部品の全体の大きさを最小にする
ように平面状巻線がしばしば使用される。不都合なこと
には、大電流を流すために、すなわち低い抵抗特性を得
るために、平面状巻線の他の断面寸法を制限することは
できない。従って、導体の体積効率は平面状巻線を使用
することによって改良されたが、渦電流およびそれに伴
う損失はまだ残存しており、このような渦電流の低減が
高い関心事になっている。
レノイドまたは螺旋形であり、円形、矩形または箔導体
で作られている。しかしながら、高い周波数においては
、このような導体の交流対直流抵抗比は表皮および近接
効果によって著しく増大する。導体の断面を有効に利用
するために、導体の１つの寸法を１または２の表皮深さ
に抑えることは有利なことである。この結果、低い周波
数の場合とは逆に、高い周波数において指定電流を流す
ように設計された電気部品の全体の大きさを最小にする
ように平面状巻線がしばしば使用される。不都合なこと
には、大電流を流すために、すなわち低い抵抗特性を得
るために、平面状巻線の他の断面寸法を制限することは
できない。従って、導体の体積効率は平面状巻線を使用
することによって改良されたが、渦電流およびそれに伴
う損失はまだ残存しており、このような渦電流の低減が
高い関心事になっている。
【０００４】インダクタのような従来の磁気構造体は空
隙が集中した高透磁率のコアを有している。また、従来
のコアは絶縁材料によって包まれた導体を収容する巻線
窓を有している。十分小さな大きさのコア内の空隙は全
体の窓の大きさに比較して大きいので、周辺磁束が導体
を貫通する。このような磁界の不均一性によって過度の
渦電流損が発生する。この結果、交流抵抗は直流抵抗よ
りもかなり大きくなる。
隙が集中した高透磁率のコアを有している。また、従来
のコアは絶縁材料によって包まれた導体を収容する巻線
窓を有している。十分小さな大きさのコア内の空隙は全
体の窓の大きさに比較して大きいので、周辺磁束が導体
を貫通する。このような磁界の不均一性によって過度の
渦電流損が発生する。この結果、交流抵抗は直流抵抗よ
りもかなり大きくなる。
【０００５】巻線窓の大きさを増大することなく、交流
巻線損失を低減する１つの方法として、パワー・エレク
トロニクス・スペシャリスト・コンファレンス・プロシ
ーディングズ（Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｒｏｎｉｃｓ Ｓ
ｐｅｃｉａｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ） 、１９８８年４月１１−１４日、
１１１２−１１１９に所載のケー・ディー・ンゴおよび
エム・エッチ・クオ（Ｋ．Ｄ．Ｔ．Ｎｇｏ ａｎｄ Ｍ
．Ｈ．Ｋｕｏ） による論文「高周波平面状磁気におけ
る巻線損失に対する空隙の影響（Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆ
Ａｉｒ Ｇａｐｓ Ｏｎ Ｗｉｎｄｉｎｇ Ｌｏｓｓ
ｉｎ Ｈｉｇｈ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｌａｎｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）」に説明されているように、磁気
コアの周りに均一に空隙を分配することが提案されてい
る。この分配された空隙の効果は制御可能な低透磁率を
有するフェライトコアでインダクタを構成することによ
って実現することができる。低透磁率コアは、絶縁材料
で包まれた平面状銅導体を収容する巻線窓を取り囲んだ
閉ループ構造を形成する。低透磁率コア構造は交流巻線
損失を低減するが、磁界の不均一性から発生する導体中
の不均一な電流分布によって依然として損失が生ずる。 特に、高磁界強度の領域が、磁気抵抗の最も少ない通路
を通る磁束のコア構造の隅部付近における集中によって
生じる。この高磁界強度は巻線の最も外側の導体に好ま
しくない渦電流の循環を生ずる。
巻線損失を低減する１つの方法として、パワー・エレク
トロニクス・スペシャリスト・コンファレンス・プロシ
ーディングズ（Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｒｏｎｉｃｓ Ｓ
ｐｅｃｉａｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ） 、１９８８年４月１１−１４日、
１１１２−１１１９に所載のケー・ディー・ンゴおよび
エム・エッチ・クオ（Ｋ．Ｄ．Ｔ．Ｎｇｏ ａｎｄ Ｍ
．Ｈ．Ｋｕｏ） による論文「高周波平面状磁気におけ
る巻線損失に対する空隙の影響（Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆ
Ａｉｒ Ｇａｐｓ Ｏｎ Ｗｉｎｄｉｎｇ Ｌｏｓｓ
ｉｎ Ｈｉｇｈ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｌａｎｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）」に説明されているように、磁気
コアの周りに均一に空隙を分配することが提案されてい
る。この分配された空隙の効果は制御可能な低透磁率を
有するフェライトコアでインダクタを構成することによ
って実現することができる。低透磁率コアは、絶縁材料
で包まれた平面状銅導体を収容する巻線窓を取り囲んだ
閉ループ構造を形成する。低透磁率コア構造は交流巻線
損失を低減するが、磁界の不均一性から発生する導体中
の不均一な電流分布によって依然として損失が生ずる。 特に、高磁界強度の領域が、磁気抵抗の最も少ない通路
を通る磁束のコア構造の隅部付近における集中によって
生じる。この高磁界強度は巻線の最も外側の導体に好ま
しくない渦電流の循環を生ずる。
【０００６】また、上述した論文に記載されている損失
を低減する他の方法は、分配した間隙を持つインダクタ
に多層巻線を使用することである。多層巻線を使用する
ことはコアの幾何学的形状のアスペクト比（縦横比）を
改良するだけでなく、コア損失を低減する。更に、同じ
電流および周波数定格の多層巻線を有するインダクタは
単層のものよりも大きな巻線窓を必要とし、それを使用
することによって磁界の不均一性の悪影響を軽減するこ
とができる。上述した利点にも関わらず、多層巻線を形
成するために導体を重ねると、大きな近接効果損失が生
ずるという不具合がある。しかしながら、総合的な結果
は単層の分配した間隙を持つインダクタと同等か又はそ
れよりもわずかに低い交流対直流抵抗比を有するインダ
クタである。
を低減する他の方法は、分配した間隙を持つインダクタ
に多層巻線を使用することである。多層巻線を使用する
ことはコアの幾何学的形状のアスペクト比（縦横比）を
改良するだけでなく、コア損失を低減する。更に、同じ
電流および周波数定格の多層巻線を有するインダクタは
単層のものよりも大きな巻線窓を必要とし、それを使用
することによって磁界の不均一性の悪影響を軽減するこ
とができる。上述した利点にも関わらず、多層巻線を形
成するために導体を重ねると、大きな近接効果損失が生
ずるという不具合がある。しかしながら、総合的な結果
は単層の分配した間隙を持つインダクタと同等か又はそ
れよりもわずかに低い交流対直流抵抗比を有するインダ
クタである。
【０００７】米国特許第４，９４３，７９３号には、低
い巻線損失および低い交流対直流抵抗比を有する高周波
磁気部品用の二重透磁率コア構造が開示されている。二
重透磁率コアは平面状巻線を収容する巻線窓を囲み、巻
線の表面に非常に均一なまたは均一に変化する磁界を発
生するように設けられた高透磁率部分および低透磁率部
分を有している。上記米国特許に記載されているような
磁気構造は高効率インダクタおよび変圧器を構成するの
に有益である。
い巻線損失および低い交流対直流抵抗比を有する高周波
磁気部品用の二重透磁率コア構造が開示されている。二
重透磁率コアは平面状巻線を収容する巻線窓を囲み、巻
線の表面に非常に均一なまたは均一に変化する磁界を発
生するように設けられた高透磁率部分および低透磁率部
分を有している。上記米国特許に記載されているような
磁気構造は高効率インダクタおよび変圧器を構成するの
に有益である。
【０００８】ある高周波回路用途では、インダクタおよ
び変圧器の両方を使用することを必要とする。例えば、
共振電源は一般にインダクタおよび分離変圧器を有する
共振回路を使用する。別の典型的な用途は蛍光灯のよう
な放電灯の安定器である。従って、インダクタおよび分
離変圧器の両方として機能し、回路の大きさを低減し、
回路の効率を増大する平面状巻線を使用した高周波高漏
洩リアクタンス変圧器を構成することが要望されている
。
び変圧器の両方を使用することを必要とする。例えば、
共振電源は一般にインダクタおよび分離変圧器を有する
共振回路を使用する。別の典型的な用途は蛍光灯のよう
な放電灯の安定器である。従って、インダクタおよび分
離変圧器の両方として機能し、回路の大きさを低減し、
回路の効率を増大する平面状巻線を使用した高周波高漏
洩リアクタンス変圧器を構成することが要望されている
。
【０００９】
【発明の目的】従って、本発明の目的は、低巻線損失を
示す平面状巻線を使用した高周波高漏洩リアクタンス変
圧器を提供することにある。
示す平面状巻線を使用した高周波高漏洩リアクタンス変
圧器を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、平面状巻線を使用し
、制御された漏洩リアクタンスを有し、変圧器およびイ
ンダクタの両方として機能することができ、変圧器が使
用される回路の部品の数および大きさを低減することが
できる高周波変圧器を提供することにある。
、制御された漏洩リアクタンスを有し、変圧器およびイ
ンダクタの両方として機能することができ、変圧器が使
用される回路の部品の数および大きさを低減することが
できる高周波変圧器を提供することにある。
【００１１】
【発明の概要】本発明の上述のおよび他の目的は、平面
状一次および二次巻線の間に低透磁率材料からなる部分
を使用した新規の改良された高周波高漏洩リアクタンス
変圧器において達成される。低透磁率部分は一次および
二次巻線の間に漏洩磁束用の制御し得る磁束通路を構成
する。この結果、過度の渦電流が平面状巻線に流れるこ
とが防止され、一次および二次巻線間の静電結合が実質
的に低減する。こうして、高効率動作が得られる。更に
、高漏洩リアクタンス変圧器は、例えば分離用の変圧器
として、またインダクタとしても機能する。このような
組合せ構造によって回路の大きさおよび部品の数を有効
に低減することができる。
状一次および二次巻線の間に低透磁率材料からなる部分
を使用した新規の改良された高周波高漏洩リアクタンス
変圧器において達成される。低透磁率部分は一次および
二次巻線の間に漏洩磁束用の制御し得る磁束通路を構成
する。この結果、過度の渦電流が平面状巻線に流れるこ
とが防止され、一次および二次巻線間の静電結合が実質
的に低減する。こうして、高効率動作が得られる。更に
、高漏洩リアクタンス変圧器は、例えば分離用の変圧器
として、またインダクタとしても機能する。このような
組合せ構造によって回路の大きさおよび部品の数を有効
に低減することができる。
【００１２】本発明の特徴および利点は本発明の次に示
す詳細な説明を添付図面とともに閲読することにより明
らかになるであろう。
す詳細な説明を添付図面とともに閲読することにより明
らかになるであろう。
【００１３】
【詳しい説明】本発明の原理を説明するため、図１およ
び図２はそれぞれＥ字形集中間隙磁気コア１０および本
発明による低透磁率部分１４を使用したコア１２に対し
てコンピュータシュミレーションによって得られた軸方
向に対称な磁束線を示す図である。各コア１０および１
２は、巻線窓１８を表すコアの部分を通過する１アンペ
アの電流を流す変圧器の一次巻線を表す平面状導体１６
を有するものとして示されている。特に、平面状導体１
６はそれぞれのコアのそれぞれの対称軸、すなわち中心
の脚部１７の周りに巻かれている。各コア１０および１
２上の二次巻線（図示せず）の影響は各々の場合におい
て同じであるので、図１および図２の磁束線はコアの脚
部の上に延出していない。更に、各コア１０および１２
は同じインダクタンスを有している。詳しくは、約５７
９μＪの励磁エネルギの場合、各コア１０および１２の
インダクタンスは約０．１１５８μＨである。コア１２
の巻線窓の領域におる漂遊磁束はコア１０のものよりも
かなり少ないことは磁束曲線から明らかである。渦電流
は漂遊磁束の二乗にほぼ比例するので、コア１２の渦電
流損失はコア１０のものよりもかなり少ない。図１およ
び図２の特殊な例においては、コア１２の渦電流損失は
コア１０の約３６％以下である。
び図２はそれぞれＥ字形集中間隙磁気コア１０および本
発明による低透磁率部分１４を使用したコア１２に対し
てコンピュータシュミレーションによって得られた軸方
向に対称な磁束線を示す図である。各コア１０および１
２は、巻線窓１８を表すコアの部分を通過する１アンペ
アの電流を流す変圧器の一次巻線を表す平面状導体１６
を有するものとして示されている。特に、平面状導体１
６はそれぞれのコアのそれぞれの対称軸、すなわち中心
の脚部１７の周りに巻かれている。各コア１０および１
２上の二次巻線（図示せず）の影響は各々の場合におい
て同じであるので、図１および図２の磁束線はコアの脚
部の上に延出していない。更に、各コア１０および１２
は同じインダクタンスを有している。詳しくは、約５７
９μＪの励磁エネルギの場合、各コア１０および１２の
インダクタンスは約０．１１５８μＨである。コア１２
の巻線窓の領域におる漂遊磁束はコア１０のものよりも
かなり少ないことは磁束曲線から明らかである。渦電流
は漂遊磁束の二乗にほぼ比例するので、コア１２の渦電
流損失はコア１０のものよりもかなり少ない。図１およ
び図２の特殊な例においては、コア１２の渦電流損失は
コア１０の約３６％以下である。
【００１４】図３は本発明による高周波高漏洩リアクタ
ンス変圧器２０の一好適実施例を示している。特に、図
１の変圧器は円筒形ハウジング２２および該ハウジング
の対向する端部の間に延在し、ハウジングと同心関係に
あるコア支柱２４を有するポットコア構造を有している
。円筒形のハウジングおよびコア支柱は各々高透磁率材
料で構成されている。ハウジングの内側には、コア支柱
の周りに巻回された一次巻線２８および二次巻線３０を
収容する円筒形巻線窓２６がある。ポットコア構造にお
いては、一次巻線および二次巻線は各々平面状導体、す
なわち箔導体で構成されることが好ましい。本発明によ
れば、一次巻線および二次巻線はハウジング２２の円筒
形周壁部と同心の円筒形内壁部を有する低透磁率部分３
２によって分離されている。この低透磁率部分は一次巻
線と二次巻線との間に漏洩磁束用の制御磁束通路を形成
している。この結果、過度の渦電流が平面状巻線に流れ
ることを防止する。更に、一次巻線と二次巻線との間の
静電結合は、巻線の物理的分離に加えて変圧器のコア材
料の高抵抗のために実質的に低減されている。このよう
にして、高効率動作が得られる。更に、高漏洩リアクタ
ンス変圧器は例えば分離用の変圧器およびインダクタの
両方として機能することができる。このような組合せ構
造は回路の大きさおよび部品の数を低減するのに有益で
ある。
ンス変圧器２０の一好適実施例を示している。特に、図
１の変圧器は円筒形ハウジング２２および該ハウジング
の対向する端部の間に延在し、ハウジングと同心関係に
あるコア支柱２４を有するポットコア構造を有している
。円筒形のハウジングおよびコア支柱は各々高透磁率材
料で構成されている。ハウジングの内側には、コア支柱
の周りに巻回された一次巻線２８および二次巻線３０を
収容する円筒形巻線窓２６がある。ポットコア構造にお
いては、一次巻線および二次巻線は各々平面状導体、す
なわち箔導体で構成されることが好ましい。本発明によ
れば、一次巻線および二次巻線はハウジング２２の円筒
形周壁部と同心の円筒形内壁部を有する低透磁率部分３
２によって分離されている。この低透磁率部分は一次巻
線と二次巻線との間に漏洩磁束用の制御磁束通路を形成
している。この結果、過度の渦電流が平面状巻線に流れ
ることを防止する。更に、一次巻線と二次巻線との間の
静電結合は、巻線の物理的分離に加えて変圧器のコア材
料の高抵抗のために実質的に低減されている。このよう
にして、高効率動作が得られる。更に、高漏洩リアクタ
ンス変圧器は例えば分離用の変圧器およびインダクタの
両方として機能することができる。このような組合せ構
造は回路の大きさおよび部品の数を低減するのに有益で
ある。
【００１５】図４に示す別のポットコア構造においては
、一次巻線３４および二次巻線３６の各々はコアの長手
方向に沿って積み重ねられた複数の円形の平面状導体を
有している。各巻線は組立中にコア支柱２４を通す孔を
有している。適当な巻線は米国特許第４，９５９，６３
０号および米国特許第５，０１７，９０２号に記載され
ている。本発明によれば、一次巻線を構成する積み重ね
られた平面状導体および二次巻線を構成する積み重ねら
れた平面状導体は円筒形ハウジング２２の対向端部に平
行に巻線窓内に設けられている低透磁率部分３８によっ
て分離されている。
、一次巻線３４および二次巻線３６の各々はコアの長手
方向に沿って積み重ねられた複数の円形の平面状導体を
有している。各巻線は組立中にコア支柱２４を通す孔を
有している。適当な巻線は米国特許第４，９５９，６３
０号および米国特許第５，０１７，９０２号に記載され
ている。本発明によれば、一次巻線を構成する積み重ね
られた平面状導体および二次巻線を構成する積み重ねら
れた平面状導体は円筒形ハウジング２２の対向端部に平
行に巻線窓内に設けられている低透磁率部分３８によっ
て分離されている。
【００１６】適当な高透磁率材料は適当な組成の、例え
ばマンガン−亜鉛フェライトの焼結フェライトのような
高い周波数において損失が低い高透磁率フェライトであ
る。適当な低透磁率材料は例えばフェライト粉末および
有機結合剤の混合物または焼結フェライトである。しか
しながら、適当な低透磁率および高透磁率磁気材料を使
用してもよい。典型的な高透磁率および低透磁率磁気材
料は上述した米国特許第４，９４３，７９３号に記載さ
れている。他の適当な低透磁率磁気材料はクリシチネル
社（Ｋｒｙｓｔｉｎｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
によって商標ＫＢ６として販売されている。二重透磁率
磁気構造を製造する方法は上述した米国特許第４，９４
３，７９３号およびその分割米国特許出願第５１９，９
９７号に記載されている。
ばマンガン−亜鉛フェライトの焼結フェライトのような
高い周波数において損失が低い高透磁率フェライトであ
る。適当な低透磁率材料は例えばフェライト粉末および
有機結合剤の混合物または焼結フェライトである。しか
しながら、適当な低透磁率および高透磁率磁気材料を使
用してもよい。典型的な高透磁率および低透磁率磁気材
料は上述した米国特許第４，９４３，７９３号に記載さ
れている。他の適当な低透磁率磁気材料はクリシチネル
社（Ｋｒｙｓｔｉｎｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
によって商標ＫＢ６として販売されている。二重透磁率
磁気構造を製造する方法は上述した米国特許第４，９４
３，７９３号およびその分割米国特許出願第５１９，９
９７号に記載されている。
【００１７】図５および図６は本発明による高周波高漏
洩リアクタンス変圧器４０の他の好適実施例を示してい
る。特に、図示の変圧器は高透磁率磁気材料からなる矩
形ハウジング４２を有している。内部の高透磁率部分４
４は巻線窓を２つの部分に分割している。低透磁率部分
４８ａおよび４８ｂがそれぞれ巻線窓の各部分内に設け
られ、低透磁率部分４８ａおよび４８ｂは内部の高透磁
率部分４４にほぼ平行である。端子５１および５２を有
する平面状一次巻線５０は内部の高透磁率部分４４の周
りに巻回されている。端子５５および５６を有する平面
状二次巻線５４は一次巻線５０の周りに巻回され、低透
磁率部分４８ａおよび４８ｂが一次巻線および二次巻線
を分離している。代わりとして、所望により一次巻線お
よび二次巻線の位置をコア内で逆にしてもよい。
洩リアクタンス変圧器４０の他の好適実施例を示してい
る。特に、図示の変圧器は高透磁率磁気材料からなる矩
形ハウジング４２を有している。内部の高透磁率部分４
４は巻線窓を２つの部分に分割している。低透磁率部分
４８ａおよび４８ｂがそれぞれ巻線窓の各部分内に設け
られ、低透磁率部分４８ａおよび４８ｂは内部の高透磁
率部分４４にほぼ平行である。端子５１および５２を有
する平面状一次巻線５０は内部の高透磁率部分４４の周
りに巻回されている。端子５５および５６を有する平面
状二次巻線５４は一次巻線５０の周りに巻回され、低透
磁率部分４８ａおよび４８ｂが一次巻線および二次巻線
を分離している。代わりとして、所望により一次巻線お
よび二次巻線の位置をコア内で逆にしてもよい。
【００１８】図７は本発明による高周波高漏洩リアクタ
ンス変圧器６０の更に他の好適実施例を示している。変
圧器６０は高透磁率磁気材料からなるほぼ矩形のハウジ
ング６２を有している。高透磁率部分６４は巻線窓６６
内に配設され、ハウジング６２の上部および底部にほぼ
平行になっている。また、高透磁率部分６４に垂直な低
透磁率部分６８が巻線窓６６内に配設されている。端子
７１および７２を有する一次巻線７０および端子７５お
よび７６を有する二次巻線７４はそれぞれ高透磁率部分
６４の周りに巻回され、低透磁率部分６８がそれらの巻
線間に設けられている。
ンス変圧器６０の更に他の好適実施例を示している。変
圧器６０は高透磁率磁気材料からなるほぼ矩形のハウジ
ング６２を有している。高透磁率部分６４は巻線窓６６
内に配設され、ハウジング６２の上部および底部にほぼ
平行になっている。また、高透磁率部分６４に垂直な低
透磁率部分６８が巻線窓６６内に配設されている。端子
７１および７２を有する一次巻線７０および端子７５お
よび７６を有する二次巻線７４はそれぞれ高透磁率部分
６４の周りに巻回され、低透磁率部分６８がそれらの巻
線間に設けられている。
【００１９】本発明の変圧器の利点は動作周波数、すな
わち少なくとも５０Ｈｚないし３０ＭＨｚの広い範囲に
おいて達成することができる。
わち少なくとも５０Ｈｚないし３０ＭＨｚの広い範囲に
おいて達成することができる。
【００２０】本発明の好適実施例について示し説明した
が、このような実施例は一例としてのみ示したものであ
ることは明らかであろう。本技術分野に専門知識を有す
る者にとっては本発明から逸脱することなく、多くの変
更、変形および置き換えを行うことができるであろう。 従って、本発明は特許請求の範囲によって限定されるも
のである。
が、このような実施例は一例としてのみ示したものであ
ることは明らかであろう。本技術分野に専門知識を有す
る者にとっては本発明から逸脱することなく、多くの変
更、変形および置き換えを行うことができるであろう。 従って、本発明は特許請求の範囲によって限定されるも
のである。
【図１】集中間隙磁気構造における磁束線図である。
【図２】本発明による一次巻線および二次巻線の間に低
透磁率部分が設けられている変圧器における磁束線図で
ある。
透磁率部分が設けられている変圧器における磁束線図で
ある。
【図３】本発明による高周波高漏洩リアクタンス変圧器
の一好適実施例の破断斜視図である。
の一好適実施例の破断斜視図である。
【図４】本発明による高周波高漏洩リアクタンス変圧器
の他の好適実施例の破断斜視図である。
の他の好適実施例の破断斜視図である。
【図５】本発明による高周波高漏洩リアクタンス変圧器
の他の好適実施例の部分破断斜視図である。
の他の好適実施例の部分破断斜視図である。
【図６】図５の実施例の側断面図である。
【図７】本発明による高周波高漏洩リアクタンス変圧器
の更に他の好適実施例の部分破断斜視図である。
の更に他の好適実施例の部分破断斜視図である。
２０ 変圧器
２２ 円筒形ハウジング
２４ コア支柱
２６ 巻線窓
２８ 一次巻線
３０ 二次巻線
３２ 低透磁率部分
Claims (8)
- 【請求項１】 巻線窓を有する高透磁率ハウジングと
、前記巻線窓内に設けられた一次巻線と、前記巻線窓内
に設けられた二次巻線と、前記ハウジングに取り付けら
れ、前記第１および第２の巻線の間に漏洩磁束の通路を
形成するように前記一次および二次巻線の間で前記巻線
窓内に配設された少なくとも１つの低透磁率部分と、を
有する高漏洩リアクタンス変圧器。 - 【請求項２】 前記ハウジングはほぼ円筒形であって
、円筒形周壁部および２つの対向する端部を有し、前記
ハウジングは更に前記円筒形周壁部と同心であって、前
記対向端部の間に延在している高透磁率コア支柱を有す
るものであり、前記低透磁率部分は前記円筒形周壁部と
同心の円筒形内壁部を有する請求項１記載の変圧器。 - 【請求項３】 前記一次巻線は前記コア支柱の周りに
巻回された平面状巻線を有し、前記二次巻線は前記円筒
形内壁部の周りに巻回された平面状巻線を有している請
求項２記載の変圧器。 - 【請求項４】 前記ハウジングはほぼ円筒形であって
、円筒形周壁部および２つの対向する端部を有し、前記
ハウジングは更に前記円筒形周壁部と同心であって、前
記対向端部の間に延在している高透磁率コア支柱を有す
るものであり、前記低透磁率部分は前記巻線窓を２つの
分離した部分に分割するとともに、前記ハウジングの前
記対向端部にほぼ平行であり、前記一次および二次巻線
の各々は前記コア支柱を受け入れる孔を有する積み重ね
られた平面状導体を有するとともに、前記ハウジングの
分離された部分の一方に配設されている請求項１記載の
変圧器。 - 【請求項５】 前記ハウジングは上部、底部および２
つの対向側部を有するほぼ矩形の構造を有するとともに
、更に前記上部および底部にほぼ平行な高透磁率部分を
有し、前記変圧器は前記高透磁率部分の対向側部に設け
られ、該高透磁率部分にほぼ平行な２つの低透磁率部分
を有し、前記一次巻線は前記高透磁率部分の周りに巻回
された平面状巻線を有し、前記二次巻線は前記一次巻線
の周りに巻回された平面状巻線を有し、前記低透磁率部
分によって前記両巻線は互いに分離されている請求項１
記載の変圧器。 - 【請求項６】 前記ハウジングは上部、底部および２
つの対向側部を有するほぼ矩形の構造を有するとともに
、更に前記上部および底部にほぼ平行な高透磁率部分を
有し、前記低透磁率部分は前記高透磁率部分にほぼ垂直
であり、前記一次および二次巻線はそれぞれ前記高透磁
率部分の周りに巻回された平面状巻線を有するとともに
、前記低透磁率部分の対向側部上に配置されている請求
項１記載の変圧器。 - 【請求項７】 前記高透磁率ハウジングおよび前記低
透磁率部分は各々焼結フェライトで構成されている請求
項１記載の変圧器。 - 【請求項８】 前記高透磁率ハウジングは焼結フェラ
イトで構成され、前記低透磁率部分はフェライト粉末お
よび有機結合剤の混合物で構成されている請求項１記載
の変圧器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60454990A | 1990-10-29 | 1990-10-29 | |
| US604,549 | 1990-10-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283909A true JPH04283909A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=24420047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3307244A Pending JPH04283909A (ja) | 1990-10-29 | 1991-10-28 | 高周波高漏洩リアクタンス変圧器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0484074A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04283909A (ja) |
| CA (1) | CA2053648A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080532A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 変圧器および変圧器を備えた点弧装置並びに変圧器を備えた高圧放電ランプ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4117288A1 (de) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Hella Kg Hueck & Co | Hochspannungs-zuenduebertrager zum zuenden und betreiben von wechselstrom-hochdruck-gasentladungslampen in kraftfahrzeugen |
| DE10317945A1 (de) * | 2002-04-19 | 2003-11-20 | Tyco Electronics France Sas Po | Impulstransformator für eine Hochintensitätsentladungslampe und Verfahren zum Herstellen von diesem |
| US7489219B2 (en) | 2003-07-16 | 2009-02-10 | Marvell World Trade Ltd. | Power inductor with reduced DC current saturation |
| US7023313B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-04-04 | Marvell World Trade Ltd. | Power inductor with reduced DC current saturation |
| US7307502B2 (en) | 2003-07-16 | 2007-12-11 | Marvell World Trade Ltd. | Power inductor with reduced DC current saturation |
| US7872454B2 (en) | 2003-08-21 | 2011-01-18 | Marvell World Trade Ltd. | Digital low dropout regulator |
| US7760525B2 (en) | 2003-08-21 | 2010-07-20 | Marvell World Trade Ltd. | Voltage regulator |
| FR2982068B1 (fr) * | 2011-11-02 | 2014-09-12 | Valeo Sys Controle Moteur Sas | Dispositif electromagnetique et actionneur electromagnetique correspondant |
| CN107025985B (zh) * | 2017-03-23 | 2019-02-05 | 西北核技术研究所 | 带缓冲层的Tesla变压器磁芯及变压器和该磁芯制备方法 |
| EP4100974A4 (en) * | 2020-02-04 | 2024-02-28 | Resonant Link, Inc. | MAGNETIC CORE STRUCTURES |
| CN114823094A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-07-29 | 广安领创华财电子科技有限公司 | 一种一体成型的高频变压器 |
| CN117476335B (zh) * | 2023-11-07 | 2025-07-11 | 惠州市磁极新能源科技有限公司 | Llc充变压器集成谐振电感磁路结构 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS58173999A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 動電形スピ−カ用振動板の加工方法 |
| JPS5936407A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Nec Corp | 半導体増幅器 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4613841A (en) * | 1983-11-30 | 1986-09-23 | General Electric Company | Integrated transformer and inductor |
| US4943793A (en) * | 1988-12-27 | 1990-07-24 | General Electric Company | Dual-permeability core structure for use in high-frequency magnetic components |
-
1991
- 1991-10-17 CA CA 2053648 patent/CA2053648A1/en not_active Abandoned
- 1991-10-28 JP JP3307244A patent/JPH04283909A/ja active Pending
- 1991-10-28 EP EP19910309923 patent/EP0484074A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0484074A2 (en) | 1992-05-06 |
| CA2053648A1 (en) | 1992-04-30 |
| EP0484074A3 (en) | 1993-02-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950404 |