JPH04286165A - 微小機械及びその製造方法 - Google Patents
微小機械及びその製造方法Info
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- JPH04286165A JPH04286165A JP5007191A JP5007191A JPH04286165A JP H04286165 A JPH04286165 A JP H04286165A JP 5007191 A JP5007191 A JP 5007191A JP 5007191 A JP5007191 A JP 5007191A JP H04286165 A JPH04286165 A JP H04286165A
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- JP
- Japan
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- substrate
- sacrificial layer
- movable part
- movable
- film
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
- B81C1/0092—For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
- B81C2201/115—Roughening a surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ製造プロセスを用
いて作製される微小機械及びその製造方法に関する。
いて作製される微小機械及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における微小機械の製造方法として
は、例えば、その第一の従来例として、Ｌａｔｅｒａｌ
ｌｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｔ Ｍｉｃｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ なるタイ
トルで、Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ
，２０（１９８９）２５〜３２の中に記載されているも
のがある。これは、図３（ａ）〜（ｇ）に示すように、
Ｓｉ基板１上にＳｉＯ２ ２、Ｓｉ３Ｎ４３を順次積層
し（ａ）、その上部から窓開け４を行い（ｂ）、その窓
開け４された表面から第１ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５を形成し
（ｃ）、その第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５の上部からＰＳＧ
からなる第１犠牲層６を積層し（ｄ）、第１犠牲層６の
表面に第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７及び第２犠牲層８（ＰＳ
Ｇ）を形成し（ｅ）、第２犠牲層８の一部に窓開けを行
いこれにより第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７の一部のエッチン
グを行い（ｆ）、第１犠牲層６を除去し（ｇ）、これに
より、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７からなる可動部１０の形
成された微小機械を作製するものである。
は、例えば、その第一の従来例として、Ｌａｔｅｒａｌ
ｌｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｔ Ｍｉｃｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ なるタイ
トルで、Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ
，２０（１９８９）２５〜３２の中に記載されているも
のがある。これは、図３（ａ）〜（ｇ）に示すように、
Ｓｉ基板１上にＳｉＯ２ ２、Ｓｉ３Ｎ４３を順次積層
し（ａ）、その上部から窓開け４を行い（ｂ）、その窓
開け４された表面から第１ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５を形成し
（ｃ）、その第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５の上部からＰＳＧ
からなる第１犠牲層６を積層し（ｄ）、第１犠牲層６の
表面に第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７及び第２犠牲層８（ＰＳ
Ｇ）を形成し（ｅ）、第２犠牲層８の一部に窓開けを行
いこれにより第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７の一部のエッチン
グを行い（ｆ）、第１犠牲層６を除去し（ｇ）、これに
より、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７からなる可動部１０の形
成された微小機械を作製するものである。
【０００３】この場合、可動部１０を形成する方法とし
ては、第１犠牲層（ＰＳＧ）６を除去した後、第２ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜７と第１ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５との間の隙間
に残存したエッチング液を純粋な水で洗浄し、スピンド
ライヤーにてその水を乾燥、除去することにより形成し
ている。
ては、第１犠牲層（ＰＳＧ）６を除去した後、第２ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜７と第１ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜５との間の隙間
に残存したエッチング液を純粋な水で洗浄し、スピンド
ライヤーにてその水を乾燥、除去することにより形成し
ている。
【０００４】また、第二の従来例として、Ｆａｂｒｉｃ
ａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｄｅｖｉｃｅｓｆｒｏｍ Ｐｏｙｌｓｉｌｉｃｏｎ Ｆ
ｉｌｍｓ ｗｉｔｈ Ｓｍｏｏｔｈ Ｓｕｒｆａｃｅｓ
なるタイトルで、Ｓｅｎｓｏｒｓａｎｄ Ａｃｔｕａ
ｔｏｒｓ，２０（１９８９）１１７〜１２２の中に記載
されているものがある。この場合、前述したような可動
部を形成する方法としては、犠牲層を除去した後、洗浄
液（純粋な水）で残存したエッチング液を洗い流し、そ
の水を氷らせ真空中にて、昇華させることによりその水
を乾燥、除去することにより形成している。
ａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｄｅｖｉｃｅｓｆｒｏｍ Ｐｏｙｌｓｉｌｉｃｏｎ Ｆ
ｉｌｍｓ ｗｉｔｈ Ｓｍｏｏｔｈ Ｓｕｒｆａｃｅｓ
なるタイトルで、Ｓｅｎｓｏｒｓａｎｄ Ａｃｔｕａ
ｔｏｒｓ，２０（１９８９）１１７〜１２２の中に記載
されているものがある。この場合、前述したような可動
部を形成する方法としては、犠牲層を除去した後、洗浄
液（純粋な水）で残存したエッチング液を洗い流し、そ
の水を氷らせ真空中にて、昇華させることによりその水
を乾燥、除去することにより形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した第一の従来例
で述べたように、構造体の一部をなす可動部を形成する
ために、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を第１犠牲層としての
ＰＳＧ６｛この他に、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒｔ
ｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２ 、ＢＰＳＧ等｝ の
上部に形成し、最後に、そのＰＳＧ６を溶解しかつ第２
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を溶解しないエッチング液としての
希ＨＦを用いて、そのＰＳＧ６の犠牲層のみを除去する
ことにより、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を可動させるよう
にしている。この場合、希ＨＦにより犠牲層を除去後、
ＨＦ濃度を低めるために、純水による流水又はアルコー
ル置換を行っている。その後、純水、アルコール等の液
体を蒸発させる過程において、図４（ａ）に示すような
乾燥前の工程においては、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる可動
部１１と表面にＳｉ３ Ｎ４ １２の形成されたＣ−Ｓ
ｉ基板１３との間には液体１４が残存する。このような
液体１４は、図４（ｂ）に示すように乾燥させることに
より、その液体１４の表面張力により可動部１１の先端
が下方に押し付けられ基板１３の上部と接触してしまう
ことになる。このような問題を除去する方法として、第
一の従来例においては、スピンドライ（基板１３を高速
に回転させてその基板表面に平行に働く遠心力により液
体を振り切り乾燥させる装置）を用いて乾燥させている
。しかし、このような方法では、可動部１１の全体に力
を受けるため破壊しやすくなり、歩留りが悪くなる。
で述べたように、構造体の一部をなす可動部を形成する
ために、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を第１犠牲層としての
ＰＳＧ６｛この他に、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒｔ
ｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２ 、ＢＰＳＧ等｝ の
上部に形成し、最後に、そのＰＳＧ６を溶解しかつ第２
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を溶解しないエッチング液としての
希ＨＦを用いて、そのＰＳＧ６の犠牲層のみを除去する
ことにより、第２ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜７を可動させるよう
にしている。この場合、希ＨＦにより犠牲層を除去後、
ＨＦ濃度を低めるために、純水による流水又はアルコー
ル置換を行っている。その後、純水、アルコール等の液
体を蒸発させる過程において、図４（ａ）に示すような
乾燥前の工程においては、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる可動
部１１と表面にＳｉ３ Ｎ４ １２の形成されたＣ−Ｓ
ｉ基板１３との間には液体１４が残存する。このような
液体１４は、図４（ｂ）に示すように乾燥させることに
より、その液体１４の表面張力により可動部１１の先端
が下方に押し付けられ基板１３の上部と接触してしまう
ことになる。このような問題を除去する方法として、第
一の従来例においては、スピンドライ（基板１３を高速
に回転させてその基板表面に平行に働く遠心力により液
体を振り切り乾燥させる装置）を用いて乾燥させている
。しかし、このような方法では、可動部１１の全体に力
を受けるため破壊しやすくなり、歩留りが悪くなる。
【０００６】また、第二の従来例においては、液体（純
水＋メタノール）が付いたままの状態で液体を氷らせ真
空中において昇華させることにより氷のままの状態で液
体を除去している。このため、液体の表面張力の影響を
受けることなく除去することができるため可動部が基板
の表面に固着することを防止することができる。しかし
、この場合にも、液体が氷になる段階における体積膨張
により可動部が破壊されやすくなり、やはり歩留りが悪
くなる結果となる。
水＋メタノール）が付いたままの状態で液体を氷らせ真
空中において昇華させることにより氷のままの状態で液
体を除去している。このため、液体の表面張力の影響を
受けることなく除去することができるため可動部が基板
の表面に固着することを防止することができる。しかし
、この場合にも、液体が氷になる段階における体積膨張
により可動部が破壊されやすくなり、やはり歩留りが悪
くなる結果となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明では
、基板上に犠牲層を介して構造体を設け、この構造体の
直下の犠牲層を除去することにより構造体に前記基板の
表面から浮いた可動部の形成された微小機械において、
可動部の直下の犠牲層の下地となる基板の表面に可動部
の最小寸法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を形成
した。
、基板上に犠牲層を介して構造体を設け、この構造体の
直下の犠牲層を除去することにより構造体に前記基板の
表面から浮いた可動部の形成された微小機械において、
可動部の直下の犠牲層の下地となる基板の表面に可動部
の最小寸法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を形成
した。
【０００８】請求項２記載の発明では、基板の表面に可
動部の最小寸法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を
形成し、この波状部を含む基板の上部に犠牲層を介して
構造体を形成し、犠牲層を除去することにより構造体に
可動部を形成し、犠牲層除去後の可動部と基板との間の
隙間に残存する液体を基板表面の波状部を発泡核として
核沸騰させることにより除去することにより微小機械を
作製するようにした。
動部の最小寸法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を
形成し、この波状部を含む基板の上部に犠牲層を介して
構造体を形成し、犠牲層を除去することにより構造体に
可動部を形成し、犠牲層除去後の可動部と基板との間の
隙間に残存する液体を基板表面の波状部を発泡核として
核沸騰させることにより除去することにより微小機械を
作製するようにした。
【０００９】
【作用】本発明においては、可動部の下地表面となる基
板上部に可動部の最小寸法以下の空間的周期をもつ凹凸
からなる波状部を形成することによって、犠牲層除去後
、純水による流水やメタノール置換等によって残存した
液体を凹凸の突起部分を発泡核として核沸騰させて除去
することができるため、可動部が液体の表面張力の影響
を受けずに下地基板の表面に固着するようなことがなく
なり、これにより可動部の破損を防ぎ、歩留りを向上さ
せることが可能となる。
板上部に可動部の最小寸法以下の空間的周期をもつ凹凸
からなる波状部を形成することによって、犠牲層除去後
、純水による流水やメタノール置換等によって残存した
液体を凹凸の突起部分を発泡核として核沸騰させて除去
することができるため、可動部が液体の表面張力の影響
を受けずに下地基板の表面に固着するようなことがなく
なり、これにより可動部の破損を防ぎ、歩留りを向上さ
せることが可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１及び図２に基づいて
説明する。図１（ａ）〜（ｉ）に基づいて、微小機械を
作製するプロセスについて述べる。まず、基板１５とし
て単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）１５を用いる（ａ）。
説明する。図１（ａ）〜（ｉ）に基づいて、微小機械を
作製するプロセスについて述べる。まず、基板１５とし
て単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）１５を用いる（ａ）。
【００１１】次に、その基板１５の表面に凹凸からなる
波状部１６を形成する（ｂ）。この場合、凹凸を形成す
る方法としては、ＨＦ（４９．２３％）＋ＣＨ３ＣＯＯ
Ｈ＋ＨＮＯ３（６９．５％）の溶液に浸すことにより形
成することができる。溶液の混合比は、図２に示すよう
な３元体積Ａ，Ｂ，Ｃの組成図で、容量比でハッチング
領域が適している。また、基板１５の表面に凹凸を形成
する他の方法としては、機械的な手段によるものでもよ
い。ただし、前記波状部１６の凹凸の空間的周期は、作
製される構造体の可動部（後述する）の最小寸法以下に
設定する。
波状部１６を形成する（ｂ）。この場合、凹凸を形成す
る方法としては、ＨＦ（４９．２３％）＋ＣＨ３ＣＯＯ
Ｈ＋ＨＮＯ３（６９．５％）の溶液に浸すことにより形
成することができる。溶液の混合比は、図２に示すよう
な３元体積Ａ，Ｂ，Ｃの組成図で、容量比でハッチング
領域が適している。また、基板１５の表面に凹凸を形成
する他の方法としては、機械的な手段によるものでもよ
い。ただし、前記波状部１６の凹凸の空間的周期は、作
製される構造体の可動部（後述する）の最小寸法以下に
設定する。
【００１２】次に、基板１５の凹凸表面にＳｉＯ２ 膜
１７、Ｓｉ３Ｎ４膜１８を順次積層する（ｃ）。これに
より、順次積層される膜の表面は、下地のＣ−Ｓｉの凹
凸形状を反映して凹凸となっている。
１７、Ｓｉ３Ｎ４膜１８を順次積層する（ｃ）。これに
より、順次積層される膜の表面は、下地のＣ−Ｓｉの凹
凸形状を反映して凹凸となっている。
【００１３】次に、凹凸とされた最表面のＳｉ３Ｎ４膜
１８上部に犠牲層としてのＳｉＯ２ 膜（酸化膜）１９
を形成する（ｄ）。その例として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法を用いることができる。この方法
は、スピンコータを用いてＳＯＧ材（ＯＣＤｔｙｐｅ−
７、ｔｙｐｅ２−８０等）を塗布し、その後、１５０〜
３００°Ｃで１０〜７０分程度ベークすることにより形
成するものである。この方法は、ＬＳＩプロセスで言う
一種の平坦化プロセスであり、これにより下地（基板１
５）の凹凸の影響をあまり受けない比較的フラットな表
面状態を形成することができる。従って、その後、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ（後述する）をフォトリソやエッチングで加
工する場合に、パターン形成の解像度、ＲＩＥエッチン
グによるエッチングの異方性に悪影響を与えるようなこ
とがない。また、この他の方法として、エッチバック法
、リフロー法等により下地の凹凸の影響の少ない、比較
的フラットな表面をもつ酸化膜を得ることができる。な
お、この場合、可動部の基板への固定端となるところを
フォトリソや、エッチングにより除去する。
１８上部に犠牲層としてのＳｉＯ２ 膜（酸化膜）１９
を形成する（ｄ）。その例として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法を用いることができる。この方法
は、スピンコータを用いてＳＯＧ材（ＯＣＤｔｙｐｅ−
７、ｔｙｐｅ２−８０等）を塗布し、その後、１５０〜
３００°Ｃで１０〜７０分程度ベークすることにより形
成するものである。この方法は、ＬＳＩプロセスで言う
一種の平坦化プロセスであり、これにより下地（基板１
５）の凹凸の影響をあまり受けない比較的フラットな表
面状態を形成することができる。従って、その後、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ（後述する）をフォトリソやエッチングで加
工する場合に、パターン形成の解像度、ＲＩＥエッチン
グによるエッチングの異方性に悪影響を与えるようなこ
とがない。また、この他の方法として、エッチバック法
、リフロー法等により下地の凹凸の影響の少ない、比較
的フラットな表面をもつ酸化膜を得ることができる。な
お、この場合、可動部の基板への固定端となるところを
フォトリソや、エッチングにより除去する。
【００１４】次に、犠牲層であるＳｉＯ２ 膜１９の上
部に、構造体としてのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０をＬＰ−Ｃ
ＶＤ法等を用いて形成する（ｅ）。
部に、構造体としてのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０をＬＰ−Ｃ
ＶＤ法等を用いて形成する（ｅ）。
【００１５】次に、フォトリソ、ＲＩＥ法によるエッチ
ングを行い、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０を所望の形状に加工
して可動部２１を形成する（ｆ）。
ングを行い、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜２０を所望の形状に加工
して可動部２１を形成する（ｆ）。
【００１６】次に、希ＨＦ溶液を用いてｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜２０の直下のＳｉＯ２ 膜１９を除去し、液体として
の純水２２により洗浄した後、空気中に戻す（ｇ）。な
お、液体としては、純水２２の他に、例えばメタノール
等のアルコール類を用いることもできる。
膜２０の直下のＳｉＯ２ 膜１９を除去し、液体として
の純水２２により洗浄した後、空気中に戻す（ｇ）。な
お、液体としては、純水２２の他に、例えばメタノール
等のアルコール類を用いることもできる。
【００１７】次に、上述した工程（ｇ）の状態では、可
動部２１と下地（基板１５）との間に純水２２が残った
ままの状態となっている。そこで、ここでは、例えば、
ホットプレート等のヒータ２３を用いてその上部に基板
１５を載せ、これにより純水２２を温めて蒸発させる（
ｈ）。この場合、Ｓｉ３Ｎ４膜１８の表面の凹凸の突起
部分が発泡核となって純水２２を核沸騰させる。このよ
うに核沸騰により可動部２１を押し上げる力を働かせな
がら純水２２を蒸発させ徐々に減少させていくことによ
って、表面張力を打ち消し、可動部２１を変形させるこ
となく純水２２を完全に除去することが可能となる（ｉ
）。
動部２１と下地（基板１５）との間に純水２２が残った
ままの状態となっている。そこで、ここでは、例えば、
ホットプレート等のヒータ２３を用いてその上部に基板
１５を載せ、これにより純水２２を温めて蒸発させる（
ｈ）。この場合、Ｓｉ３Ｎ４膜１８の表面の凹凸の突起
部分が発泡核となって純水２２を核沸騰させる。このよ
うに核沸騰により可動部２１を押し上げる力を働かせな
がら純水２２を蒸発させ徐々に減少させていくことによ
って、表面張力を打ち消し、可動部２１を変形させるこ
となく純水２２を完全に除去することが可能となる（ｉ
）。
【００１８】従って、このように波状部１６により形成
される凹凸による突起を発泡核として核沸騰させこれに
より可動部２１の直下の純水２２を除去するようにした
ので、可動部２１が純水２２の表面張力の影響を受けず
下地の基板表面に固着するようなことがなくなり、これ
により構造体の歩留りを格段に向上させることが可能と
なる。
される凹凸による突起を発泡核として核沸騰させこれに
より可動部２１の直下の純水２２を除去するようにした
ので、可動部２１が純水２２の表面張力の影響を受けず
下地の基板表面に固着するようなことがなくなり、これ
により構造体の歩留りを格段に向上させることが可能と
なる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、基板の表面に可動部の最小寸
法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を形成し、この
波状部を含む基板の上部に犠牲層を介して構造体を形成
し、その後、犠牲層を除去することにより構造体に可動
部を形成し、犠牲層除去後の可動部と基板との間の隙間
に残存する液体を基板表面の波状部を発泡核として核沸
騰させ除去することにより微小機械を作製するようにし
たので、その犠牲層除去後、純水による流水やメタノー
ル置換等によって残存した液体を凹凸の突起部分を発泡
核として核沸騰させて除去することができるため、可動
部が液体の表面張力の影響を受けずに下地基板の表面に
固着するようなことがなくなり、これにより可動部の破
損を防ぎ、歩留りを向上させることができるものである
。
法以下の周期をもつ凹凸からなる波状部を形成し、この
波状部を含む基板の上部に犠牲層を介して構造体を形成
し、その後、犠牲層を除去することにより構造体に可動
部を形成し、犠牲層除去後の可動部と基板との間の隙間
に残存する液体を基板表面の波状部を発泡核として核沸
騰させ除去することにより微小機械を作製するようにし
たので、その犠牲層除去後、純水による流水やメタノー
ル置換等によって残存した液体を凹凸の突起部分を発泡
核として核沸騰させて除去することができるため、可動
部が液体の表面張力の影響を受けずに下地基板の表面に
固着するようなことがなくなり、これにより可動部の破
損を防ぎ、歩留りを向上させることができるものである
。
【図１】本発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】基板表面に凹凸を形成するための３溶液の混合
比の様子を示す三元体積組成図である。
比の様子を示す三元体積組成図である。
【図３】第一の従来例を示す工程図である。
【図４】従来における可動部の直下に残存した液体の除
去方法を示すものであり、（ａ）は液体を取り除く前の
状態を示す側面図、（ｂ）は乾燥させて液体を取り除い
た状態を示す側面図である。
去方法を示すものであり、（ａ）は液体を取り除く前の
状態を示す側面図、（ｂ）は乾燥させて液体を取り除い
た状態を示す側面図である。
１５ 基板
１６ 波状部
１９ 犠牲層
２０ 構造体
２１ 可動部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に犠牲層を介して構造体を設け
、この構造体の直下の前記犠牲層を除去することにより
前記構造体に前記基板の表面から浮いた可動部の形成さ
れた微小機械において、前記可動部の直下の前記犠牲層
の下地となる前記基板の表面に前記可動部の最小寸法以
下の周期をもつ凹凸からなる波状部を形成したことを特
徴とする微小機械。 - 【請求項２】 基板の表面に可動部の最小寸法以下の
周期をもつ凹凸からなる波状部を形成し、この波状部を
含む前記基板の上部に犠牲層を介して構造体を形成し、
前記犠牲層を除去することにより前記構造体に前記可動
部を形成し、前記犠牲層除去後の前記可動部と前記基板
との間の隙間に残存する液体を前記基板表面の前記波状
部を発泡核として核沸騰させることにより除去するよう
にしたことを特徴とする微小機械の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007191A JPH04286165A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 微小機械及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007191A JPH04286165A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 微小機械及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286165A true JPH04286165A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12848773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5007191A Pending JPH04286165A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 微小機械及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286165A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996001483A1 (de) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanisches bauelement und herstellungsverfahren |
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