JPH10135180A

JPH10135180A - 乾燥処理用リンス液、該乾燥処理用リンス液を用いた乾燥処理方法および該乾燥処理方法を用いた微小構造体の製造方法

Info

Publication number: JPH10135180A
Application number: JP8288397A
Authority: JP
Inventors: Yukihiko Shirakawa; 幸彦白川; Mihoko Sato; 美穂子佐藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1996-10-30
Filing date: 1996-10-30
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】サンプルを破壊するようなことがない歩留ま
りのよい乾燥処理方法であり、製造上の実用性から考え
て、作業が簡単で特殊な設備を必要としない簡便な乾燥
処理方法を提供し、そのような乾燥処理方法を利用する
ことで、微細加工の歩留りが上げる。【解決出段】 20 ℃において固体であり、かつ該温度
における蒸気圧が0.05 mmHg以上8 mmHg以下の有機化合
物であることを特徴とする乾燥処理用リンス液を用い
て、歩留りがよく簡便で低コストな乾燥処理方法を提供
し、この乾燥処理方法を利用したエッチング方法、さら
には、このエッチング方法を用いた微小構造体の製造方
法を提供するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、乾燥処理を必要と
する物品を製造する際に用いる乾燥処理用リンス液およ
びこのリンス液を使用する物品の製造方法に関する。特
に、半導体の製造に関わる微細加工技術において用いら
れるウェットエッチングによるエッチング方法およびそ
れを応用したマイクロマシーニングによる微小構造体の
製造方法に関し、なかでも空隙を有する微小構造体を効
率的に形成するための製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】

〔マイクロマシーニング技術〕現在、半導体の製造に用
いられている微細加工技術においては、サブミクロンと
いった大きさの非常に微細なパターンを形成することが
可能になっている。

【０００３】このような微細加工技術の進歩に伴い、そ
れを応用したいわゆるマイクロマシーニング技術が、最
近注目されてきている。ここで、マイクロマシーニング
技術とは、マイクロマシーンと呼ばれる立体構造を有す
る微小構造体を製造する微細加工技術である。そして、
このマイクロマシーニング技術は、従来の機械加工の限
界を超えた新たな高機能デバイスの製造を実現するため
の有力な基幹技術と考えられている。なお、マイクロマ
シーニング技術に関しては、マイクロマシン開発技術ノ
ートブック（藤正巖他3名著、1991年3月1日発行、秀潤
社）、マイクロマシーニングとマイクロメカトロニクス
（江刺正喜他3名著、1992年6月20日発行、培風館）など
に詳しい記述がある。

【０００４】ところで、このマイクロマシーニング技術
における重要な技術のひとつに、犠牲層エッチングと呼
ばれるエッチング方法がある。

【０００５】〔犠牲層エッチング〕以下、この犠牲層エ
ッチングについて説明する。

【０００６】犠牲層エッチングとは、いわば、立体構造
における空隙部分をつくるためのエッチング方法であ
る。そのために、犠牲層エッチングでは、空隙部分とな
る層を基板上に予め形成し、その層の一部または全部を
改めてエッチングし除去する。この方法において、空隙
部分となる層が選択的に除去されることから、その層を
犠牲層 sacrificial layerと呼んでいる。

【０００７】但し、この犠牲層は、基板上に形成される
場合と、基板の一部に形成される場合とがある。また、
上記のように、犠牲層は、その層の一部を除去する場合
と、層全部を除去する場合とがある。この点を考慮し
て、以下では、選択的に除去される部分を犠牲層部分と
呼ぶ。

【０００８】したがって、犠牲層エッチングでは、次の
各作業工程を経て、空隙を有する立体構造がつくられ
る。

【０００９】（工程A-1）犠牲層部分の形成基板上あるいは基板の一部に、所望の形状の該基板とは
異なる層を形成する。この基板とは異なる層が犠牲層と
なる。但し、基板とは異なる層とは、その層を構成する
物質の結晶構造および組成のうち少なくとも1つが、基
板を構成する物質とは異なる層を意味する。特に、組成
が異なるといった場合には、ドーピングによって形成さ
れる物質も含んでいる。

【００１０】（工程A-2）立体構造をなす層の形成形成された犠牲層部分の上に、所望の形状の該犠牲層部
分とは異なる層を形成する。この犠牲層部分とは異なる
層が立体構造をなす層となる。但し、犠牲層部分とは異
なる層とは、結晶構造および組成のうち少なくとも1つ
が、犠牲層部分とは異なる層を意味する。ここでも、前
記と同様に、組成が異なるといった場合には、ドーピン
グによって形成される物質も含んでいる。

【００１１】（工程A-3）犠牲層部分の除去立体構造をなす層の下部に形成されている犠牲層部分を
エッチングによって除去する。

【００１２】但し、上記の犠牲層部分および立体構造を
なす層の形状は、従来と同様のパターニング方法を用い
て形成する。

【００１３】このような犠牲層エッチングを用いること
により、サスペンション、片持ち梁などの部分的に基板
から浮いた状態で支持されている構造や、歯車、モータ
ーなどの基板上に回転する部分を含む構造などをつくる
ことができる。

【００１４】ところで、この犠牲層エッチングにおいて
は、多くの場合、ウェットエッチングが用いられてい
る。その理由を、次に説明する。

【００１５】犠牲層エッチングでは、犠牲層部分が他の
部分に比べて選択的に除去される必要がある。そのた
め、用いるエッチング方法としては、エッチングの選択
性を得やすいものが適している。

【００１６】〔犠牲層エッチングにおいて用いられるエ
ッチング方法〕ところで、一般的に用いられてるエッチ
ング方法としては、ウェットエッチングとドライエッチ
ングとがあるが、これら2つの中では、ウェットエッチ
ングの方がエッチングの選択性を得やすいことが知られ
ている。このため、犠牲層エッチングにおいては、ウェ
ットエッチングが多く用いられているのである。

【００１７】なお、ウェットエッチングとは、エッチャ
ントと呼ばれるエッチング溶液を用い、この溶液の化学
反応性を利用して、層を浸食し除去する方法である。こ
れに対して、ドライエッチングは、放電によって帯電し
た気体原子を層に衝突させるという物理的な作用を併せ
て利用する。つまり、ウェットエッチングは、化学反応
性のみを利用するという点で、物理的な作用を併せて利
用するドライエッチングよりもエッチングの選択性が得
やすいのである。

【００１８】〔一般のウェットエッチングの作業工程〕
ここで、ウェットエッチングを行う際に、一般にエッチ
ング処理として行われる一連の作業工程を説明する。な
お、下記のエッチング処理の前後にはそれぞれ、通常の
レジストパターン形成工程およびレジストパターン剥離
工程がある。

【００１９】（工程B-1）エッチング工程エッチングすべきサンプルをエッチャントに浸し、不要
部分を除去する。

【００２０】（工程B-2）洗浄工程エッチャントから取り出したサンプルを水などでリンス
することによって、付着しているエッチャントを除去す
る。この処理を洗浄処理リンスと呼ぶ。この洗浄処理リ
ンスによって、エッチングの進行が止まる。

【００２１】なお、洗浄処理リンスに用いられる水など
を洗浄処理用リンス液と呼ぶ。

【００２２】（工程B-3）乾燥工程続いて、洗浄工程においてサンプルに付着した洗浄処理
用リンス液を除去する。このとき、洗浄処理用リンス液
をそのまま除去することで乾燥処理を行う場合と、洗浄
処理用リンス液とは異なる別の物質を乾燥処理用リンス
液として用い、該乾燥処理用リンスを除去することで乾
燥処理を行う場合との2通りがある。

【００２３】ここで、乾燥処理用リンス液を用いる場
合、サンプルに付着している洗浄処理用リンス液を乾燥
処理用リンス液に置換する必要がある。そのために、洗
浄工程を終えたサンプルを乾燥処理用リンス液を用いて
リンスする作業が行われる。なお、ここでは、この処理
を乾燥処理リンスと呼ぶ。

【００２４】なお、用いる洗浄処理用リンス液と乾燥処
理用リンス液との物性的な相性によっては、洗浄処理用
リンス液を直接乾燥処理用リンス液に置換できない場合
がある。そのような場合には、次のような中間置換処理
を乾燥工程の最初の段階において行う必要がある。

【００２５】つまり、洗浄工程を終えたサンプルに乾燥
処理リンスを施す前に、洗浄処理用リンス液と乾燥処理
用リンス液との双方に置換し得る他の物質を用いてリン
スする。このような処理を行うことによって、乾燥処理
用リンス液に置換できるようにする。

【００２６】例えば、洗浄処理用リンス液として水を用
い、乾燥処理用リンス液として水溶性がないかあるいは
良好でない有機化合物を用いる場合には、乾燥処理用リ
ンス液として用いる有機化合物を用いてリンスする前
に、水溶性の有機化合物であるエタノールなどを用いて
中間置換処理を施しておけばよい。

【００２７】上記のウェットエッチングのエッチング処
理として行われる一連の作業工程は、犠牲層エッチング
の場合においても同様に行われる。

【００２８】〔ウェットエッチングを用いた犠牲層エッ
チングの問題点〕しかしながら、ウェットエッチングを
用いた犠牲層エッチングにおいては、次のような現象が
多発し、問題となっていた。その現象とは、上記の乾燥
工程において、洗浄処理用リンス液を乾燥させた際に、
立体構造をなす層が基板に張り付いてしまい、しかもそ
れを簡単には剥がすことができなくなるというものであ
る。

【００２９】このような場合に用いられていた乾燥処理
方法は、スピンドライヤーや蒸気洗浄あるいは蒸発など
の従来と同様の方法であった。ところで、このような現
象が多発した原因のひとつとして考えられるのは、該洗
浄処理用リンス液の表面張力の影響である。

【００３０】以上のような問題があっため、従来の乾燥
処理方法を用いた製造方法では、現実的に微小構造体を
作製することが非常に困難であった。

【００３１】〔凍結乾燥法〕上記の問題を回避するため
に、洗浄処理用リンス液を乾燥する方法として、凍結乾
燥法と呼ばれる乾燥処理方法が用いられた。

【００３２】この凍結乾燥法とは、物体を乾燥させるた
めに、該物体に付着した物質を凝固させ、該物質を固体
から気体へ状態変化させることによって、付着していた
物質を除去するという方法である。

【００３３】なお、固体から気体への状態変化を、以
下、固体からの気化と呼ぶ。

【００３４】〔水の凍結乾燥による乾燥処理〕従来用い
られていた凍結乾燥法において、乾燥処理によって除去
される物質は、洗浄処理用リンス液として用いられる水
であった。

【００３５】しかしながら、水を凍結乾燥法によって乾
燥処理する場合には、主に次にあげる2つの問題があっ
た。

【００３６】（1-1）凝固時の水の体積変化が大きい。

【００３７】水は、固体への状態変化すなわち凝固の際
に体積が膨張する。そのため、この体積変化に起因する
微小構造体の破壊が起こる危険性があり、実際の製造
上、安定した歩留りを得ることが期待できない。

【００３８】（1-2）乾燥するサンプルを0 ℃未満に保
持した状態で減圧する必要がある。

【００３９】凍結乾燥法は、固体からの気化を利用する
ため、水を固体の状態に維持しておかなければならな
い。そのためには、サンプルを0 ℃未満に保持したまま
減圧作業を行えるような特殊な装置を用いる必要があ
る。その結果として、製造コストが高くなる。

【００４０】以上の理由から、水を凍結乾燥法によって
乾燥処理するという方法は、実際の製造に際しては実用
化し得なかった。

【００４１】〔t-ブチルアルコールの凍結乾燥による乾
燥処理〕このような問題を解決するためのひとつの手段
として、次のような方法が、平成3年電気学会全国大会
講演集4-1 No.397に報告されている。その方法とは、洗
浄処理用リンス液である水とは別に、乾燥処理用リンス
液としてt-ブチルアルコールを用いるというものであ
る。

【００４２】前記の水を用いる場合には、洗浄処理後に
そのまま凍結乾燥を行っていた。それに対して、t-ブチ
ルアルコールを用いる場合には、乾燥工程として、ま
ず、t-ブチルアルコールを用いた乾燥処理リンスを行う
という作業が加わる。すなわち、水による洗浄処理後
に、t-ブチルアルコールでリンスし、サンプルに付着し
ていた水をt-ブチルアルコールに置換するのである。そ
の後、t-ブチルアルコールを凝固させ、固体から気体へ
状態変化させることによって乾燥する。

【００４３】t-ブチルアルコールを用いたこの方法は、
水を用いた前記の方法に比べて、固体の状態での取り扱
いが若干容易になった。その理由は、t-ブチルアルコー
ルの凝固点が25.6 ℃と室温に近い値であるため、固体
の状態を維持することが水の場合ほど困難でなくなった
からである。そのため、一見すると、t-ブチルアルコー
ルが乾燥処理用リンス液として、適しているように考え
られる。

【００４４】しかしながら、t-ブチルアルコールを用い
たこの方法には、以下に挙げる主に5つの問題点があっ
た。

【００４５】（2-1）固体からの気化に伴う微小構造体
の破壊が起こる。

【００４６】一般に、物質の状態変化は、温度、圧力、
あるいは物質の量などに依存するために、その速度を制
御することは簡単ではない。

【００４７】t-ブチルアルコールの場合、温度や圧力を
厳密に管理しておいたとしても、液量によっては、凍結
乾燥時に真空中での急激な固体からの気化が起こること
がある。ここで、急激な固体からの気化とは、サンプル
のまわりに付着したt-ブチルアルコールの層のある部分
のみが、局所的に気化に状態変化してしまうことを意味
する。そのために、固体から気化していない部分の固体
のt-ブチルアルコールが分離し、それがサンプル上を激
しく動き回るという現象が発生する。そのために、微小
構造体が破壊されることがあり、その結果として、製造
上の歩留まりの低下が起こる。

【００４８】実際の製造の観点から考えると、歩留りの
低下を招くというこの問題（2-1）が最も深刻な問題で
あるといえる。

【００４９】これに加えて、作業あるいは設備等の問題
として、さらに好ましい解決方法について次に述べる。

【００５０】まず、t-ブチルアルコールの凝固点が室温
近傍であるために、次のような問題点がある。

【００５１】（2-2）作業環境および保管場所の温度お
よび湿度を厳密に管理する必要がある。

【００５２】t-ブチルアルコールを用いる場合、作業環
境の温度を凝固点よりも十分低温に保持する必要がある
が、その理由は、作業環境温度が凝固点より十分低い温
度でなければ、融解し液体になってしまう危険性がある
からである。この問題について、具体的に述べる。

【００５３】i）安定した固体の状態を維持することが
困難である。

【００５４】特に夏期などは、安定した固体の状態を維
持するために、冷却装置を用いて作業環境の温度を低温
に維持する必要がある。そのためには、空調等の設備が
必要となり、製造コストが高くなる。

【００５５】ii）凝固点降下による影響を受けやすい。

【００５６】ここで、凝固点降下について説明する。凝
固点降下とは、溶質が溶媒に溶け込むことによって、溶
媒の凝固点が降下する現象をいう。なお、凝固点降下と
いう名称は、モル凝固点降下の一般的な略称である。

【００５７】t-ブチルアルコールの場合、凝固点降下が
起こると、融解し液体になってしまう可能性が非常に高
い。その理由は、前記のように凝固点が室温に近い値で
あるためである。

【００５８】例えば、水などが微量に混入すると、凝固
点が容易に室温以下に低下してしまう。この場合、水が
溶け込む溶質に、t-ブチルアルコールが凝固点降下を起
こす溶媒にそれぞれ相当する。特に、水は温度変化によ
る凝結によって、容易に混入される危険性があるため、
作業環境の湿度などを厳密に管理する必要がある。

【００５９】同様の理由から、溶液を保存する際にも、
温度や湿度などが厳密に管理された環境が必要とされ
る。

【００６０】さらに、作業の簡略化を考慮すると、次の
問題がある。

【００６１】（2-3）乾燥処理を行う際に真空装置が必
要となる。

【００６２】t-ブチルアルコールを用いる場合には、乾
燥処理は減圧状態のもとで行う必要がある。そのための
真空装置が必要になる。それに加えて、上記（2-2）で
述べた通り、作業環境の温度はt-ブチルアルコールの凝
固点以下に保持しなくてはならないため、真空装置を設
置する場所の温度を十分に低温にしておくか、あるい
は、真空装置のサンプル保持部に冷却機構を備えること
が必要となる。

【００６３】上記の2点（2-2）、（2-3）からわかるよ
うに、作業あるいは設備等の問題についても、コストの
大幅な軽減や、作業の簡略化等にはつながらなかった。

【００６４】以上から、このt-ブチルアルコールを用い
た凍結乾燥法は、従来の水を用いたそれと比べて、特に
優れているとはいえない。このような理由から、t-ブチ
ルアルコールを用いた乾燥処理も、実用性のある有効な
方法とはならなかった。

【００６５】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の技
術の問題から、求められる乾燥処理方法は、まず、サン
プルを破壊するようなことがない歩留まりのよい乾燥処
理方法である必要がある。それに加えて、製造上の実用
性から考えて、作業が簡単で特殊な設備を必要としない
簡便な乾燥処理方法であることが好ましい。そして、そ
のような乾燥処理方法を利用することで、微細加工の歩
留りが上がることが好ましい。

【００６６】したがって、本発明が解決しようとする課
題は、次の6点である。

【００６７】（課題1）急激な固体からの気化を起こさ
ない乾燥処理用リンス液を提供すること。

【００６８】（課題2）前記の乾燥処理用リンス液を用
いて、サンプルの破壊を起こさないような歩留りのよい
乾燥処理方法を提供すること。

【００６９】（課題3）前記の乾燥処理方法であって、
かつ、煩雑な温度や湿度の管理を必要とせず、冷却装置
などの装置および設備を特に必要としない、簡便で低コ
ストな乾燥処理方法を提供すること。

【００７０】（課題4）前記の乾燥処理方法であって、
かつ、乾燥処理に際して真空装置などの装置および設備
を特に必要としない、簡便で低コストな乾燥処理方法を
提供すること。

【００７１】（課題5）前記の乾燥処理方法を利用する
ことによって、歩留りのよい微細加工が可能なエッチン
グ方法を提供すること。

【００７２】（課題6）前記のエッチング方法を用い
て、安価で歩留まりのよい微小構造体の製造方法を提供
すること。

【００７３】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
従来の技術の問題点を解決するためになされたものであ
り、急激な固体からの気化を起こさない乾燥処理用リン
ス液を用いて、歩留りがよく簡便で低コストな乾燥処理
方法を提供し、この乾燥処理方法を利用したエッチング
方法、さらには、このエッチング方法を用いた微小構造
体の製造方法を提供するものである。

【００７４】すなわち、本発明は、乾燥処理を行うため
に用いられる乾燥処理用リンス液であって、20 ℃にお
いて固体であり、かつ、該温度における蒸気圧が0.05 m
mHg以上8 mmHg以下の有機化合物であることを特徴とす
る乾燥処理用リンス液である。

【００７５】前記有機化合物の融点が、40 ℃以上100
℃以下であることを特徴とする乾燥処理用リンス液であ
る。

【００７６】前記有機化合物が、常温常圧下において昇
華性を有することを特徴とする乾燥処理用リンス液であ
る。

【００７７】前記有機化合物が、p-トルイジンであるこ
とを特徴とする乾燥処理用リンス液である。

【００７８】前記有機化合物が、テトラヒドロフルフリ
ルアルコールであることを特徴とする乾燥処理用リンス
液である。

【００７９】前記有機化合物が、p-ジクロロベンゼンで
あることを特徴とする乾燥処理用リンス液である。

【００８０】ウェットエッチング工程後あるいは該ウェ
ットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の乾
燥工程において用いることを特徴とする乾燥処理用リン
ス液である。

【００８１】物体の乾燥処理方法であって、該物体を前
記の乾燥処理用リンス液を用い、該乾燥処理用リンス液
を凝固させた後に、固体の状態で気化させることによっ
て該物体を乾燥することを特徴とする乾燥処理方法であ
る。

【００８２】ウェットエッチング工程後あるいは該ウェ
ットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の乾
燥工程における乾燥処理方法であって、前記の乾燥処理
方法を用いて乾燥することを特徴とする乾燥処理方法で
ある。

【００８３】ウェットエッチングによるエッチング方法
であって、ウェットエッチング工程後あるいは該ウェッ
トエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後に前記
の乾燥処理方法を用いた乾燥工程を有することを特徴と
するエッチング方法である。

【００８４】前記エッチング方法が、選択的に除去され
る犠牲層部分をエッチングする犠牲層エッチングである
ことを特徴とするエッチング方法である。

【００８５】前記犠牲層部分が、空隙を有する微小構造
体を形成するために用いられる層であること特徴とする
エッチング方法である。

【００８６】前記犠牲層部分が、基板上に形成された該
基板とは異なる層の一部または全部、あるいは該基板の
一部に形成された該基板とは異なる層であることを特徴
とするエッチング方法である。

【００８７】前記基板とは異なる層が、前記基板を形成
する物質とは異なる結晶構造を有する物質からなること
を特徴とするエッチング方法である。

【００８８】前記基板とは異なる層が、前記基板を形成
する物質とは異なる組成の物質からなることを特徴とす
るエッチング方法である。

【００８９】空隙を有する微小構造体の製造方法であっ
て、前記のエッチング方法を用いることを特徴とする微
小構造体の製造方法である。

【００９０】前記微小構造体が、部分的に基板から浮い
た状態で支持されている構造を有することを特徴とする
微小構造体の製造方法である。

【００９１】前記微小構造体が、基板上に回転する部分
を含む構造を有することを特徴とする製造方法である。

【００９２】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を示
す。

【００９３】〔乾燥処理用リンス液に用いることができ
る物質〕従来の乾燥処理方法、すなわち、水やt-ブチル
アルコールを用いた従来の凍結乾燥法において発生した
種々の問題を詳細に検討した結果、乾燥処理用リンス液
として用いることができる物質が満足すべき条件は、以
下のようになった。

【００９４】（条件A）固体からの気化が穏やかである
ことここで、穏やかとは、t-ブチルアルコールを用いた場合
のように、急激な固体からの気化が起こり、それによっ
て分離した固体の一部がサンプル上を激しく動き回ると
いうようなことがない状態を意味する。

【００９５】この条件を満足すれば、乾燥処理に際し
て、微小構造体の基板への貼り付きあるいは微小構造体
の破壊の危険性を除外することができる。

【００９６】この条件を満足する物質としては、20 ℃
において固体であり、かつ、20 ℃における蒸気圧が0.0
5 mmHg以上8 mmHg以下の有機化合物がある。そのうち主
なものを、次の表1にまとめておく。但し、表1において
用いられている蒸気圧の単位の表記 mmHg/20℃ は、20
℃における蒸気圧を mmHg で表していることを意味す
る。また、昇華性の有無の昇華性とは常温常圧下におけ
る昇華性を意味し、○は昇華性有りを、×は昇華性なし
をそれぞれ表している。

【００９７】

【表１】

【００９８】上記表1の物質を乾燥処理用リンス液とし
て用いた凍結乾燥法による乾燥処理を行うことによっ
て、少なくとも、乾燥処理時の微小構造体の破壊という
課題は解決される。すなわち、微小構造体を破壊するこ
となく乾燥処理を行うことができる。

【００９９】なお、上記表1に示したような、20 ℃にお
いて固体であり、かつ、20 ℃における蒸気圧が0.05 mm
Hg以上8 mmHg以下の有機化合物については、それらのう
ちの少なくとも1種を含む共融混合物を乾燥処理用リン
ス液として用いることもできる。ここで、共融混合物と
は、2種類以上の結晶の混合物のうち、各成分が溶液か
ら同時に析出する言い換えれば各成分が同時融解するも
のを意味する。

【０１００】さらに、実際の作業上の困難から考えて、
満足することが好ましい条件は、次の（条件B）であ
る。

【０１０１】（条件B）融点（あるいは、凝固点）が室
温より適度に高く、かつ、高すぎないことまず、凝固点が室温より適度に高い物質であれば、冷却
装置を用いずに、室温において固体の状態を維持するこ
とができる。また、凝固点降下による影響も無視でき
る。特に、凝固点が40 ℃以上であれば、通常の作業環
境温度において問題なく用いられる。

【０１０２】また、融点が高すぎない物質であれば、室
温において固体であっても、簡単な加熱作業によって融
解させ、リンス液として用いることができる。特に、融
点が100 ℃以下であれば、加熱作業も特別な装置なしに
容易に行える。

【０１０３】前記（条件B）を満足する物質であれば、
作業環境あるいは保管場所の温度および湿度の特別な制
御や凝固のための冷却装置あるいは融解のための加熱装
置も必要とされない。

【０１０４】ところで、融点が40 ℃以上100 ℃以下の
物質であれば、上記（条件B）を満足することは明らか
であり、上記表1の中では、ナフタレン、p-トルイジ
ン、p-ジクロロベンゼン、テトラヒドロフルフリルアル
コールがそれに該当する。これらは全て融点が40 ℃以
上であるため、例えば、放置による自然冷却によって凝
固させることができ、凝固点降下が起こっても室温に以
下に下がることはまずない。また、これらは全て融点が
90 ℃以下であるため、加熱の際に水浴を用いることが
でき、危険性も少ない。特に、p-トルイジンおよびp-ジ
クロロベンゼンは、融点が60 ℃以下であるため、容易
に融解する。

【０１０５】以上2点に加えて、さらに望ましくは、次
の（条件C）を満足することである。

【０１０６】（条件C）非減圧状態において適度に昇華
することつまり、この条件を満足すれば、真空装置を用いること
なしに、適度に換気した場所に数時間放置することによ
って乾燥処理を行うことができる。

【０１０７】とこで、常温常圧下において昇華性を有す
る物質であれば、上記の（条件C）を満足することは明
らかであり、上記表1の中では、ナフタレン、樟脳、p-
ジクロロベンゼンがそれに該当する。

【０１０８】また、乾燥工程における中間置換処理の簡
略化を考えると、（条件D-1）水に可溶であることあるいは（条件D-2）エタノールなどの水溶性有機化合物に可溶
であることが、望ましい付加的条件として挙げられる。

【０１０９】上記表1の物質は全て、エタノールに対し
て可溶であり、（条件D-2）を満足する。また、テトラ
ヒドロフルフリルアルコールおよび1-メトキシ-2-プロ
パノールは水に対して可溶であり、（条件D-1）も併せ
て満足する。なお、p-トルイジンは、水に対して僅かに
溶ける。

【０１１０】〔乾燥処理用リンス液として用いることが
特に好ましい物質〕乾燥処理用リンス液として用いるこ
とが特に好ましい物質は、上記の条件（条件A）〜（条
件C）を全て満足する物質である。そのような物質を乾
燥処理用リンス液として用いることによって、上記の課
題全てが解決される。

【０１１１】ところで、上記の条件（条件A）〜（条件
C）を全て満足する物質とは、常温常圧下において穏や
かに昇華し、常温においては固体であるが、比較的容易
に融解し液体となるような物質であり、上記表1に示し
た例の中では、ナフタリンおよびp-ジクロロベンゼンが
それに該当する。

【０１１２】但し、加熱処理時の安全性を考えると、融
点が40 ℃により近いp-ジクロロベンゼンの方がより好
ましい。

【０１１３】〔p-ジクロロベンゼンに類似する他の物
質〕上記のp-ジクロロベンゼンと類似の性質を示す他の
物質とは、ナフタレンの他に、樟脳がある。樟脳は、融
点がp-ジクロロベンゼンほど低くないため、水浴を用い
た加熱はできないが、融解させるための加熱はさほど困
難ではなく、比較的容易に液体にできる。しかも、常温
常圧下での昇華性を有しているため、乾燥処理は容易で
あるという利点がある。

【０１１４】したがって、樟脳を乾燥処理用リンス液と
して用いた凍結乾燥法による乾燥処理を行うことによっ
ても、上記の課題全てが解決される。

【０１１５】〔p-ジクロロベンゼンを用いた場合の犠牲
層エッチングによる微小構造体の製造方法1〕以下に、
乾燥処理用リンス液として特に好ましいp-ジクロロベン
ゼンを用いた場合の犠牲層エッチングによる微小構造体
の製造方法に関する作業手順を示す。

【０１１６】（工程B-1）エッチング工程 i）犠牲層エッチングを行う。すなわち、サンプルを酸
あるいはアルカリなどのエッチャントに浸し、微小構造
体の空隙部分となる層を除去する。

【０１１７】（工程B-2）洗浄工程 ii）エッチング終了後、連続して、水を用いた洗浄処理
リンスを行う。すなわち、サンプルに付着したエッチャ
ントを洗浄処理用リンス液である水に置換する。

【０１１８】（工程B-3）乾燥工程 iii）洗浄後、まず中間置換処理を行う。すなわち、水
による洗浄処理後、エタノール中でリンスし、サンプル
に残った水をエタノールに置換する。つまり、エタノー
ルへの中間置換処理を行うことで、p-ジクロロベンゼン
への置換を可能にする。

【０１１９】iv）その後、連続して乾燥処理用リンス液
である液体のp-ジクロロベンゼン中でリンスする。この
とき、p-ジクロロベンゼンは予め70 ℃程度に加熱し、
液体にしておく。

【０１２０】v）続いて、サンプルの表面に付着してい
る液体のp-ジクロロベンゼンを冷却し、凝固させる。そ
のためには、液体のp-ジクロロベンゼンの中からサンプ
ルを取り出し、放置すればよい。放置することによっ
て、サンプルが室温程度になり、サンプルに付着した液
体のp-ジクロロベンゼンは凝固する。

【０１２１】vi）最後に、固体のp-ジクロロベンゼンを
昇華させることで、サンプルから除去し、乾燥処理が終
了する。この昇華も、上記の凝固の場合と同様に、適度
に換気された場所に放置すればよい。

【０１２２】以上i）〜 vi）の各工程を連続して行うこ
とで、エッチング処理が完了する。

【０１２３】但し、以上の工程のうち、i）〜 iv）ま
で、すなわち、サンプルを液体のp-ジクロロベンゼンの
中に移すまでは連続して行う必要がある。その理由は、
サンプルを非乾燥状態に保持する必要があるからであ
る。

【０１２４】上記のように、乾燥処理用リンス液として
p-ジクロロベンゼンを用いた乾燥工程が簡単な理由は、
上記において挙げた条件（条件A）〜（条件C）を全て満
足し、それに加えて付加的条件である（条件D-2）をも
満足しているからである。

【０１２５】上記のエッチング方法を用いることによっ
て、空隙を有する微小構造体を製造することができる。

【０１２６】〔p-ジクロロベンゼンを用いた場合の犠牲
層エッチングによる微小構造体の製造方法2〕上記の乾
燥処理用リンス液としてp-ジクロロベンゼンを用いた乾
燥工程において、特に乾燥に要する時間すなわち昇華に
要する時間を短縮したい場合には、真空装置を用いて減
圧作業を行いながら乾燥処理を行えばよい。

【０１２７】この場合には、簡単な油回転真空ポンプを
真空装置として用い、適度に減圧すればよい。このよう
な簡単な減圧作業を行うことで、完全に乾燥処理を終え
ることができる。なお、この乾燥処理に要する時間は、
サンプルの大きさやサンプルに付着しているp-ジクロロ
ベンゼンの量に依存するが、いずれにしても数分程度で
ある。

【０１２８】〔p-ジクロロベンゼン以外の物質を用いた
場合の犠牲層エッチングによる微小構造体の製造方法〕
上記p-ジクロロベンゼン以外の物質を用いた場合にも、
同様の方法で微小構造体の製造することができる。

【０１２９】特に、常温常圧下において昇華性を示すナ
フタリンあるいは樟脳については、p-ジクロロベンゼン
の場合と同様の手順で同様の効果が得られる。但し、こ
れらを用いる場合には、液体にするために、上記表1に
示したそれぞれの融点にまで加熱する必要がある。勿
論、乾燥に要する時間を短縮したい場合には、上記p-ジ
クロロベンゼンの場合と同様に、簡単な真空装置を用い
ればよい。

【０１３０】また、p-トルイジン、テトラヒドロフルフ
リルアルコール、シクロヘクサノール、1-メトキシ-2-
プロパノールなど上記表1に示した物質のうち常温常圧
下において昇華性を示さない物質については、真空装置
を用いて減圧作業を行いながら乾燥処理を行えばよい。
この場合にも、上記p-ジクロロベンゼンの場合と同様
に、簡単な真空装置を用いればよい。

【０１３１】さらに、上記表1に示した物質を少なくと
も1種含むような共融混合物を用いても、同様に乾燥処
理を行うことができる。

【０１３２】以上のような物質を乾燥処理用リンス液と
して用いることによって、歩留りよく、微小構造体を製
造することができる。

【０１３３】〔本発明の乾燥処理方法の適用例1〕な
お、上記の本発明の乾燥処理方法は、ウェットエッチン
グに用いるエッチャントの種類などに特に関係しないた
め、上記の犠牲層エッチングの他にも様々なエッチング
に用いることができる。

【０１３４】但し、多くの場合、洗浄処理用リンス液と
して水を用いるため、用いる乾燥処理用リンス液の水溶
性がないかあるいは良好でない場合には、乾燥処理用リ
ンスを行う前に、エタノールなどの水溶性有機化合物に
よる中間置換処理を行えばよい。

【０１３５】また、エッチャントとして有機溶剤を用い
た場合には、洗浄処理用リンスを乾燥処理用リンスとし
て代用することができる場合もある。あるいは、洗浄処
理用リンス液として、乾燥処理用リンス液と置換し得る
有機化合物を用いる場合もある。したがって、このよう
な場合には、上記のような中間置換処理は不必要とな
る。

【０１３６】さらに、上記の本発明の乾燥処理方法は、
乾燥させたいサンプルの形状や大きさについても特に限
定はなく、上記のようなマイクロマシーンよりも大きな
ものであれば、様々な形状の物体に用いることができ
る。特に、乾燥粒状物の製造などに適している。

【０１３７】〔本発明の乾燥処理方法の適用例2〕ここ
で、本発明の乾燥処理方法のひとつの適応例を示す。

【０１３８】本発明の乾燥処理方法は、例えば、セラミ
ック成型体などの多孔質の物体を凍結乾燥する際には、
特に有効である。その理由は、凍結乾燥法を用いること
により、次のような利点があるからである。

【０１３９】（3-1）汚染の少ない微粉体が得られる。

【０１４０】（3-2）微粉体が容易に形成できる。

【０１４１】（3-3）粉体組成が均一にできる。

【０１４２】（3-4）粉体の活性が大きくなる。

【０１４３】（3-5）多孔質粉体が得られる。

【０１４４】以上のような利点から、凍結乾燥法を用い
ることによって、高純度な多孔質セラミックが得られ
る。

【０１４５】しかしながら、従来の技術では、セラミッ
ク原料粉体を溶かす溶媒である水やベンゼンをなどを凍
結乾燥していたが、上記の課題に示した内容と同様な問
題があり、特殊な装置が必要とされた。そのため、製造
コストから考えて、特に有効な方法ではなく、一般的に
用いられることはあまりなかった。

【０１４６】それに対して、本発明の乾燥処理用リンス
液のひとつであるp-ジクロロベンゼンなどの常温常圧下
における昇華性を有する物質を用いれば、上記の特殊な
装置を必要とせず、簡単に凍結乾燥を行うことができ
る。

【０１４７】

【実施例】

〔実施例1〕以下に、本発明の乾燥処理用リンス液に用
いることができる物質の蒸気圧範囲に関する実施例を示
す。

【０１４８】本実施例では、単結晶Siからなる基板上に
多結晶Si膜からなるマイクロブリッジを作製した。ここ
で、マイクロブリッジをなす多結晶Si膜の膜厚は0.3μm
とした。また、乾燥処理の条件を統一するために、下記
表2の全ての物質について、20 ℃の減圧状態において乾
燥処理を行った。なお、減圧作業は、油回転真空ポンプ
を用いて行った。

【０１４９】乾燥処理後、それぞれの乾燥処理用リンス
液を用いた場合のマイクロブリッジを、顕微鏡を用いて
観察し、マイクロブリッジの基板への貼り付きや破壊な
どの不良の有無を調べた。

【０１５０】次の表2に、本実施例に際して、乾燥処理
用リンス液として用いた物質とその蒸気圧および観察の
結果すなわちサンプルの不良の有無などをまとめてお
く。

【０１５１】

【表２】

【０１５２】表2に示した通り、比較例に示したジフェ
ニルエーテル、t-ブチルアルコールを用いて乾燥処理を
行ったサンプルには不良が発見された。不良の内容は、
マイクロブリッジの一部または全部の破壊であった。そ
れに対して、本実施例のナフタレン、p-ジクロロベンゼ
ン、1-メトキシ-2-プロパノールを用いて乾燥処理を行
ったサンプルには、不良は発見されず、マイクロブリッ
ジは破壊されることなく形成されていた。

【０１５３】〔実施例2〕次に、本発明に係る微小構造
体の製造方法、特に、部分的に基板から浮いた状態で支
持されている構造を有する微小構造体の製造方法に関す
る実施例を示す。なお、本実施例では、乾燥処理用リン
ス液として特に好ましいp-ジクロロベンゼンを用いて、
マイクロブリッジを製造した例を示す。

【０１５４】図1は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成したマイクロブリッジの斜視図である。図1
において、1は基板を、3はマイクロブリッジをそれぞれ
表す。また、図2は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成したマイクロブリッジの製造工程を示す工程
図である。図2において、1は基板を、2は犠牲層部分
を、3はマイクロブリッジをそれぞれ表す。特に、図2の
（c）は、図1のA-A断面図になっている。

【０１５５】まず、図2の（a）に示した工程について説
明する。

【０１５６】単結晶Siからなる基板1上に、犠牲層部分2
となるSiO₂膜を成膜した。この犠牲層部分2となるSiO₂
膜の膜厚は3μmであり、プラズマCVD装置を用いて成膜
した。

【０１５７】続いて、このSiO₂膜をフォトエッチングに
よって所定の形状にパターニングし、犠牲層部分2を形
成した。なお、フォトエッチングとは、フォトリソグラ
フィーを用いたエッチング方法である。

【０１５８】次に、図2の（b）に示した工程について説
明する。

【０１５９】犠牲層部分2上に、マイクロブリッジ3とな
る多結晶Si膜を形成した。このマイクロブリッジ3とな
る多結晶Si膜の膜厚は0.3μmであり、LPCVD装置を用い
て成膜した。

【０１６０】続いて、この多結晶Si膜フォトエッチング
法によって所定の形状にパターニングし、マイクロブリ
ッジ3を形成した。但し、このマイクロブリッジ3は、幅
10μm、長さ200μmの架橋構造をしている。なお、エッ
チングには、CF4を用いたRIEで行った。但し、RIEと
は、反応性イオンエッチング Reactive Ion Etching の
ことである。

【０１６１】以上の工程により、犠牲層部分2およびマ
イクロブリッジ3が、基板1上に形成された。

【０１６２】ここで、次のように犠牲層エッチングを行
う。なお、以下の各工程のうち i）〜iv）は連続して行
い、サンプルが乾燥しないように注意する必要がある。

【０１６３】（工程B-1）エッチング工程 i）犠牲層部分2およびマイクロブリッジ3が形成されて
いるサンプルを、犠牲層エッチング用エッチャントに浸
し、エッチングを行う。このとき、犠牲層エッチング用
エッチャントとしては、犠牲層部分2を形成しているSiO
2膜のみを選択的にエッチングするようなエッチャント
を選ぶ。本実施例では、そのようなエッチャントとし
て、BHFを用いた。但し、BHFとはバッファードフッ酸 B
uffered Hydrofluoric acid のことである。

【０１６４】（工程B-2）洗浄工程 ii）BHFによるエッチング終了後、流水中で5分程度リン
スを行い、サンプルに付着したBHFを除去した。

【０１６５】（工程B-3）乾燥工程 iii）続いて中間置換処理を行った。本実施例では、水
による洗浄を終えたサンプルをエタノール中に移動し、
リンスした。この中間置換処理によって、サンプルに付
着していた水がエタノールに置換された。

【０１６６】iv）中間中間処理を終えたサンプルを、液
体のp-ジクロルベンゼン中に移動し、リンスした。この
とき、p-ジクロロベンゼンは、75 ℃に加熱し、融解さ
せておいた。なお、このとき、水浴を用いて温度を一定
に保っておいた。

【０１６７】v）その後、液体のp-ジクロロベンゼンを
用いてリンスしたサンプルを取り出し、放置し、室温に
冷却する。この際には、サンプルに付着したp-ジクロロ
ベンゼンが比較的短時間に凝固するように、冷却する必
要がある。なお、比較的短時間とは、融解したp-ジクロ
ロベンゼンが液体の状態で蒸発しない程度の時間を意味
する。

【０１６８】冷却の具体的な方法としては、そのまま室
温中に保持するという方法が最も簡単である。さらに、
より速やかに凝固させる必要がある場合には、例えば、
熱容量の大きな物質からなる板状の物体を下敷きに用い
てその上で冷却すれば良い。そのような下敷きとして
は、室温に水冷された銅板などがある。

【０１６９】vi）p-ジクロロベンゼンを凝固させた後、
サンプルを適度に換気された場所に2時間程度放置し
た。

【０１７０】以上の i）〜 vi）の工程を行った結果、p
-ジクロロベンゼンは完全に昇華し、乾燥処理が完了し
た。

【０１７１】乾燥処理後に、顕微鏡を用いてサンプルを
観察し、マイクロブリッジの破壊の有無などを調べた。
その結果、図1の（c）に示したようなマイクロブリッジ
が形成されていた。なお、本実施例において作製したサ
ンプルには、マイクロブリッジの基板への貼り付きや破
壊などの不良は発生しなかった。

【０１７２】したがって、本発明の乾燥処理用リンス液
であるp-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理方法を用い
ることによって、常圧常温の室内で凍結乾燥工程を簡単
に行うことができる。しかも、この乾燥処理方法を利用
した微小構造体の製造方法を用いることによって、歩留
まりよく部分的に基板から浮いた状態で支持されている
構造を有する微小構造体を作製することができる。

【０１７３】なお、上記実施例では、基板上にマイクロ
ブリッジを形成する場合を例にとって説明したが、本発
明はこれに限るものではなく、この他の部分的に基板か
ら浮いた状態で支持されている構造を有する微小構造
体、例えば、片持ち梁やダイアフラム、アクチュエータ
ーなどを、同様の微小構造体の製造方法によって作製す
ることができる。

【０１７４】〔実施例3〕上記実施例2に示したマイクロ
ブリッジの例に関して、乾燥処理に際して真空装置を用
いた例を以下に示す。

【０１７５】本実施例では、上記の工程 iv）すなわちp
-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理リンスまでは、実
施例2と全く同様に行った。その後、真空装置を用い
て、p-ジクロロベンゼンの凝固、昇華を行った。

【０１７６】つまり、p-ジクロロベンゼンを用いてリン
スしたサンプルを、真空装置に入れ、油回転真空ポンプ
を用いて104 Pa以下程度に減圧した。この状態を5分程
度続けた結果、p-ジクロロベンゼンは完全に昇華し、乾
燥処理が完了した。

【０１７７】この場合、p-ジクロロベンゼンは徐々にス
ポンジ状になって昇華した。

【０１７８】なお、本実施例についても、乾燥処理後、
上記実施例2と同様に、サンプルを顕微鏡で観察した
が、不良は全く発見されなかった。

【０１７９】上記のように、特に、p-ジクロロベンゼン
の昇華に要する時間を短縮したい場合に、単純な排気装
置の真空装置を用いて、凍結乾燥を行えばよい。

【０１８０】なお、本発明はこの例に限るものではな
く、実施例2と同様にこの他の部分的に基板から浮いた
状態で支持されている構造を有する微小構造体の製造に
用いることができる。

【０１８１】〔実施例4〕本発明に係る微小構造体の製
造方法、特に、基板上に回転する部分を含む構造を有す
る微小構造体の例として、微小歯車の製造方法に関する
実施例を示す。なお、本実施例では、乾燥処理用リンス
液として特に好ましいp-ジクロロベンゼンを用いて、微
小歯車を製造した例を示す。

【０１８２】図3は、本発明の微小構造体の製造方法を
用いて作成した微小歯車の斜視図である。図3におい
て、1は基板を、4は回転軸を、5は歯車をそれぞれ表
す。また、図4は、本発明の微小構造体の製造方法を用
いて作成した微小歯車の製造工程を示す工程図である。
図4において、1は基板を、2は犠牲層部分を、4は回転軸
を、5は歯車をそれぞれ表す。また、図4の（d）は、図3
のB-B断面図になっている。

【０１８３】まず、図4の（a）に示した工程について説
明する。

【０１８４】単結晶Siからなる基板1上に、回転軸4とな
る多結晶Si膜を成膜した。但し、この回転軸4は、下部
に歯車の支持部分を備えている。この回転軸4となる多
結晶Si膜の膜厚は、下部の支持部分が0.2μmであり、そ
れを除いた軸部分が3μmである。なお、この多結晶Si膜
は、LPCVD装置を用いて成膜した。

【０１８５】続いて、この多結晶Si膜を上記実施例2と
同様に、フォトエッチングによって所定の形状にパター
ニングし、歯車の支持部分を含む回転軸4を形成した。

【０１８６】次に、図4の（b）に示した工程について説
明する。

【０１８７】犠牲層部分2となるPSG膜を成膜した。この
犠牲層部分2となるPSG膜の膜厚は0.4μmであり、プラズ
マCVD装置を用いて成膜した。但し、PSGとは、リンガラ
ス Phosphosilicate Glassのことである。

【０１８８】次に、図4の（c）に示した工程について説
明する。

【０１８９】犠牲層部分2上に、歯車5となる多結晶Si膜
を形成した。この歯車5となる多結晶Si膜の膜厚は3μm
であり、LPCVD装置を用いて成膜した。なお、この多結
晶Si膜も上記実施例2と同様のフォトエッチング法によ
って所定の形状にパターニングし、歯車5を形成した。
但し、この歯車5は、最大の長径が100μm程度である。

【０１９０】以上の工程により、犠牲層部分2および回
転軸4、歯車5が、基板1上に形成された。

【０１９１】以下、上記実施例2と同様に犠牲層エッチ
ングを行い、微小構造体を作製した。

【０１９２】なお、本実施例についても、上記実施例2
と同様、サンプルを顕微鏡で観察した結果、歯車の基板
への貼り付きや破壊あるいは回転軸からのはずれなどの
不良が全く発見されなかった。

【０１９３】さらに、実施例3と同様の真空装置を用い
た乾燥処理に対しても、不良は発見されなかった。

【０１９４】なお、上記実施例では、基板上に微小歯車
を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれ
に限るものではなく、この他の基板上に回転する部分を
含む構造を有する微小構造体、例えば、モーター、回転
駆動体などを、同様の微小構造体の製造方法によって作
製することができる。

【０１９５】〔実施例5〕次に、本発明に係る微小構造
体の製造方法に関する他の実施例を示す。なお、本実施
例では、乾燥処理用リンス液として昇華性を有しないp-
トルイジンおよびテトラヒドロフルフリルアルコールを
用いて、マイクロブリッジおよび微小歯車を作製した例
を示す。

【０１９６】まず、マイクロブリッジは上記実施例2と
同様のパターニング方法で、また、微小歯車は上記実施
例4と同様のパターニング方法でそれぞれ作製した。

【０１９７】但し、乾燥処理に際しては、実施例3と同
様に、油回転真空ポンプなど用いて、104 Pa以下程度に
減圧して行った。

【０１９８】その結果、いずれについても不良は発見さ
れなかった。

【０１９９】さらに、テトラヒドロフルフリルアルコー
ルについては水溶性があるため、上記実施例2の iii）
の工程、すなわち、エタノールへの中間置換処理を省略
してに乾燥処理を行った。その結果も、不良はなかっ
た。

【０２００】なお、上記実施例では、基板上にマイクロ
ブリッジあるいは微小歯車を形成する場合を例にとって
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、この他
の微小構造体の製造方法に用いることができる。

【０２０１】〔実施例6〕さらに、本発明の乾燥処理方
法の微小構造体以外の物品への応用を示す実施例につい
て説明する。特に、本発明の乾燥処理用リンス液である
p-ジクロロベンゼンをセラミック成型体の製造に用いた
例を示す。但し、この場合には、本発明の乾燥処理用リ
ンス液であるp-ジクロロベンゼンを、セラミック原料粉
と混合する溶媒として用いた。

【０２０２】セラミック成型体は、基本的に従来の方法
に準じた次の手順にしたがって製造した。

【０２０３】（工程C-1）混合工程セラミック原料粉と溶媒であるp-ジクロロベンゼンを混
合した。但し、ここでは、原料粉として、La₂O₃、SrC
O₃、MnO₂を所望の組成となるように混合したものを用い
た。

【０２０４】（工程C-2）成型工程前記セラミック原料粉と溶媒の混合物を所望の形状に成
型し、グリーンシートとした。

【０２０５】（工程C-3）乾燥工程前記グリーンシートを冷却した。これによって、液体の
p-ジクロロベンゼンを凝固させた。

【０２０６】その後、適度に換気された場所に放置し、
p-ジクロロベンゼンを昇華させた。

【０２０７】以上によって、乾燥処理が終了した。

【０２０８】（工程C-4）焼成工程乾燥処理を終えたグリーンシートを焼成した。その結
果、多孔質のセラミック成型体が得られた。

【０２０９】以上のように、本発明の乾燥処理用リンス
液のひとつであるp-ジクロロベンゼンを用いた乾燥処理
を行うことによって、簡単に乾燥処理を行うことができ
た。なお、使用するセラミック材料には、上記のものに
限定する必要はなく、一般に用いられている種々のセラ
ミック材料を用いることができる。

【０２１０】したがって、本発明の乾燥処理用リンス液
を用いた乾燥処理方法は、セラミック成型体の製造に関
しても非常に簡単で、極めて有効であることは明らかで
ある。

【０２１１】

【発明の効果】本発明の効果は次の通りである。

【０２１２】（効果1）20 ℃において固体であり、かつ
該温度における蒸気圧が0.05 mmHg以上8 mmHg以下の有
機化合物を乾燥処理用リンス液として用いることによっ
て、微小構造体に破壊などの不良を発生させずに、乾燥
処理を行うことができた。

【０２１３】（効果2）特に、上記の乾燥処理用リンス
液であって、融点が40 ℃以上100 ℃以下のものを用い
ることによって、煩雑な温度管理および湿度管理を必要
とせず、冷却装置などの特殊な装置および設備を特に必
要としない、簡便で低コストな乾燥処理を行うことがで
きた。

【０２１４】（効果3）さらに、p-ジクロロベンゼンな
どの常温常圧下において昇華性を示す乾燥処理用リンス
液を用いることによって、真空装置などの特殊な装置お
よび設備を特に必要としない、簡便で低コストな乾燥処
理を行うことができた。

【０２１５】（効果4）前記の乾燥処理方法を利用する
ことによって、エッチングする物体の形状やエッチング
液の種類などに関係せずに歩留りのよい犠牲層エッチン
グによるエッチングを行うことができた。

【０２１６】（効果5）前記のエッチング法を利用する
ことによって、安価で歩留まりのよい微小構造体を製造
方法を提供することが可能になった。

【０２１７】（効果6）また、前記p-ジクロロベンゼン
などの常温常圧下において昇華性を示す乾燥処理用リン
ス液を用いることによって、上記のセラミックをはじめ
とする乾燥粒状物の簡便で低コストな製造方法を提供す
ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
たマイクロブリッジの斜視図である。

【図2】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
たマイクロブリッジの製造工程を示す工程図であり、特
に（c）は、図1のA-A断面図になっている。

【図3】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
た微小歯車の斜視図である。

【図4】本発明の微小構造体の製造方法を用いて作成し
た微小歯車の製造工程を示す工程図であり、特に（d）
は、図3のB-B断面図になっている。

【符号の説明】

1 基板 2 犠牲層部分 3 マイクロブリッジ 4 回転軸 5 歯車

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】乾燥処理を行うために用いられる乾燥処
理用リンス液であって、20 ℃において固体であり、か
つ、該温度における蒸気圧が0.05 mmHg以上8 mmHg以下
の有機化合物であることを特徴とする乾燥処理用リンス
液。
【請求項２】前記有機化合物の融点が、40 ℃以上100
℃以下であることを特徴とする請求項1記載の乾燥処理
用リンス液。
【請求項３】前記有機化合物が、常温常圧下において
昇華性を有することを特徴とする請求項1または2記載の
乾燥処理用リンス液。
【請求項４】前記有機化合物が、p-トルイジンである
ことを特徴とする請求項1または2記載の乾燥処理用リン
ス液。
【請求項５】前記有機化合物が、テトラヒドロフルフ
リルアルコールであることを特徴とする請求項1または2
記載の乾燥処理用リンス液。
【請求項６】前記有機化合物が、p-ジクロロベンゼン
であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載
の乾燥処理用リンス液。
【請求項７】ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の
乾燥工程において用いることを特徴とする請求項1〜6の
いずれか1項記載の乾燥処理用リンス液。
【請求項８】物体の乾燥処理方法であって、該物体を
請求項1〜6のいずれか1項記載の乾燥処理用リンス液を
用い、該乾燥処理用リンス液を凝固させた後に、固体の
状態で気化させることによって該物体を乾燥することを
特徴とする乾燥処理方法。
【請求項９】ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後の
乾燥工程における乾燥処理方法であって、請求項8記載
の乾燥処理方法を用いて乾燥することを特徴とする乾燥
処理方法。
【請求項１０】ウェットエッチングによるエッチング
方法であって、ウェットエッチング工程後あるいは該ウ
ェットエッチング工程に連続して行われる洗浄工程後に
請求項8または9記載の乾燥処理方法を用いた乾燥工程を
有することを特徴とするエッチング方法。
【請求項１１】前記エッチング方法が、選択的に除去
される犠牲層部分をエッチングする犠牲層エッチングで
あることを特徴とする請求項10記載のエッチング方法。
【請求項１２】前記犠牲層部分が、空隙を有する微小
構造体を形成するために用いられる層であること特徴と
する請求項11記載のエッチング方法。
【請求項１３】前記犠牲層部分が、基板上に形成され
た該基板とは異なる層の一部または全部、あるいは該基
板の一部に形成された該基板とは異なる層であることを
特徴とする請求項11または12記載のエッチング方法。
【請求項１４】前記基板とは異なる層が、前記基板を
形成する物質とは異なる結晶構造を有する物質からなる
ことを特徴とする請求項13記載のエッチング方法。
【請求項１５】前記基板とは異なる層が、前記基板を
形成する物質とは異なる組成の物質からなることを特徴
とする請求項13または14記載のエッチング方法。
【請求項１６】空隙を有する微小構造体の製造方法で
あって、請求項10〜15のいずれか1項記載のエッチング
方法を用いることを特徴とする微小構造体の製造方法。
【請求項１７】前記微小構造体が、部分的に基板から
浮いた状態で支持されている構造を有することを特徴と
する請求項16記載の微小構造体の製造方法。
【請求項１８】前記微小構造体が、基板上に回転する
部分を含む構造を有することを特徴とする請求項16また
は17記載の微小構造体の製造方法。