JPH0428658B2 - - Google Patents
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- JPH0428658B2 JPH0428658B2 JP61087542A JP8754286A JPH0428658B2 JP H0428658 B2 JPH0428658 B2 JP H0428658B2 JP 61087542 A JP61087542 A JP 61087542A JP 8754286 A JP8754286 A JP 8754286A JP H0428658 B2 JPH0428658 B2 JP H0428658B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filler
- sealing
- glass
- thermal expansion
- sealing material
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/04—Particles; Flakes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、改良された特性を有するフイラーを
ガラスと混合してなり、半導体装置、蛍光表示
管、シリコンダイオード等の電子部品の封着に適
した封着材料に関するものである。 従来技術 従来より電子部品の封着に用いる封着用ガラス
としては、PbO−B2O3系、PbO−ZnO−B2O3系、
ZnO−B2O3−SiO2系のガラスに各種の低膨張性
のフイラーを混合した封着材料が広く使用されて
おり、フイラーとしてPbTiO3を用いた封着材料
も多く提案されているが、用途によつては熱膨張
係数、封着温度、作業性の面で未だ尚不十分な点
がある。例えば、特開昭49−89713号には、ガラ
スに比表面積径が実質的に10μ以下のPbO−TiO2
結晶を混合した封着材料が示され、特開昭58−
151374号には、低融点ガラス粉末、チタン酸鉛粉
末、硅酸ジルコニウム粉末、錫物質粉末からなる
低融点低膨張接着用組成物が示されているが、前
者は、熱膨張係数が54.5×10-7/℃以上と大きい
ため例えばシリコンチツプ(熱膨張係数約32〜35
×10-7/℃)とアルミナセラミツク(熱膨張係数
約70〜10-7/℃)を接着するのに用いるには不適
当であり、また後者は、熱膨張係数は小さいが、
平均粒径が15μ以上の粗粒のチタン酸鉛粉末を使
用するため、ペーストとしてスクリーンに印刷す
る際の作業性が悪く、また結晶物の周辺のガラス
にマイクロクラツクが生じやすくなるという問題
があつた。 発明の目的 本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので平
均粒径が小さいフイラーを用いても熱膨張係数が
低く、しかも450℃以下で封着できる封着材料を
提供することを目的とするものである。 発明の構成 本発明の封着材料は、PbTiO3のPbを40モル%
以下Caで置換したフイラーをガラスと混合して
なることを特徴とする。 本発明におけるフイラーのPbTiO3のPbをCaで
置換する量を40モル%以下にしたのは、フイラー
のCa置換量が40モル%以上になると、それを用
いた封着材料は、周知のPbTiO3をフイラーとし
て用いた封着材料に比べて熱膨張係数が同等ない
しは、大きくなるからである。 図面は、横軸に本発明のフイラーのPbTiO3の
PbをCaで置換する量を示し、縦軸に平均粒径が
約5μの該フイラー40体積%をPbO 85.3%,B2O3
12.7%,SiO2 1.0%,Al2O3 1.0%からなるガラ
ス60体積%と混合して得た封着材料の熱膨張係数
を示したものである。図面からCaの置換量が40
モル%以下のフイラーとして用いた封着材料は、
Caで置換しない周知のPbTiO3をフイラーとして
用いた封着材料に比べ熱膨張係数が低いことがわ
かる。 実施例 以下実施例において本発明を説明する。 第1表は、本発明におけるるフイラーの実施例
である。
ガラスと混合してなり、半導体装置、蛍光表示
管、シリコンダイオード等の電子部品の封着に適
した封着材料に関するものである。 従来技術 従来より電子部品の封着に用いる封着用ガラス
としては、PbO−B2O3系、PbO−ZnO−B2O3系、
ZnO−B2O3−SiO2系のガラスに各種の低膨張性
のフイラーを混合した封着材料が広く使用されて
おり、フイラーとしてPbTiO3を用いた封着材料
も多く提案されているが、用途によつては熱膨張
係数、封着温度、作業性の面で未だ尚不十分な点
がある。例えば、特開昭49−89713号には、ガラ
スに比表面積径が実質的に10μ以下のPbO−TiO2
結晶を混合した封着材料が示され、特開昭58−
151374号には、低融点ガラス粉末、チタン酸鉛粉
末、硅酸ジルコニウム粉末、錫物質粉末からなる
低融点低膨張接着用組成物が示されているが、前
者は、熱膨張係数が54.5×10-7/℃以上と大きい
ため例えばシリコンチツプ(熱膨張係数約32〜35
×10-7/℃)とアルミナセラミツク(熱膨張係数
約70〜10-7/℃)を接着するのに用いるには不適
当であり、また後者は、熱膨張係数は小さいが、
平均粒径が15μ以上の粗粒のチタン酸鉛粉末を使
用するため、ペーストとしてスクリーンに印刷す
る際の作業性が悪く、また結晶物の周辺のガラス
にマイクロクラツクが生じやすくなるという問題
があつた。 発明の目的 本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので平
均粒径が小さいフイラーを用いても熱膨張係数が
低く、しかも450℃以下で封着できる封着材料を
提供することを目的とするものである。 発明の構成 本発明の封着材料は、PbTiO3のPbを40モル%
以下Caで置換したフイラーをガラスと混合して
なることを特徴とする。 本発明におけるフイラーのPbTiO3のPbをCaで
置換する量を40モル%以下にしたのは、フイラー
のCa置換量が40モル%以上になると、それを用
いた封着材料は、周知のPbTiO3をフイラーとし
て用いた封着材料に比べて熱膨張係数が同等ない
しは、大きくなるからである。 図面は、横軸に本発明のフイラーのPbTiO3の
PbをCaで置換する量を示し、縦軸に平均粒径が
約5μの該フイラー40体積%をPbO 85.3%,B2O3
12.7%,SiO2 1.0%,Al2O3 1.0%からなるガラ
ス60体積%と混合して得た封着材料の熱膨張係数
を示したものである。図面からCaの置換量が40
モル%以下のフイラーとして用いた封着材料は、
Caで置換しない周知のPbTiO3をフイラーとして
用いた封着材料に比べ熱膨張係数が低いことがわ
かる。 実施例 以下実施例において本発明を説明する。 第1表は、本発明におけるるフイラーの実施例
である。
【表】
第1表に示したフイラーは、原料としてリサー
ジ、炭酸カルシウム、酸化チタンを第1表に示す
組成になるように調合した原料を乾式混合後、
1000℃で4時間仮焼した。こうしてできた仮焼品
を再粉砕し、約1トン/cm2の圧力でプレスした
後、200℃/Kgで1250℃まで昇温し、3時間保持
することにより焼成した。焼成品は粉砕後、350
メツシユ篩を通過させて平均粒径を約5μにした。 第2表は、本発明におけるガラスの実施例を示
したものである。
ジ、炭酸カルシウム、酸化チタンを第1表に示す
組成になるように調合した原料を乾式混合後、
1000℃で4時間仮焼した。こうしてできた仮焼品
を再粉砕し、約1トン/cm2の圧力でプレスした
後、200℃/Kgで1250℃まで昇温し、3時間保持
することにより焼成した。焼成品は粉砕後、350
メツシユ篩を通過させて平均粒径を約5μにした。 第2表は、本発明におけるガラスの実施例を示
したものである。
【表】
第2表に示したガラスは、鉛丹、硼酸、硅石
粉、アルミナ、亜鉛華を第2表に示す組成になる
ように調合し、白金るつぼに入れ、電気炉におい
て800℃で1時間溶融した後、薄板状に成形した。
得られた成形物は、ボールミルで粉砕し、200メ
ツシユ篩を通過させた。 第3表は第1表のフイラーを第2表のガラスに
混合した例である。
粉、アルミナ、亜鉛華を第2表に示す組成になる
ように調合し、白金るつぼに入れ、電気炉におい
て800℃で1時間溶融した後、薄板状に成形した。
得られた成形物は、ボールミルで粉砕し、200メ
ツシユ篩を通過させた。 第3表は第1表のフイラーを第2表のガラスに
混合した例である。
【表】
第3表の封着材料は、フイラー、ガラスを第3
表に示す割合(体積%)に混合し、通常行われる
ようにビークルを用いてペースト化して使用し
た。こうして出来た封着材料の熱膨張係数は、33
〜48×10-7/℃と小さく、また封着温度も430〜
450℃と低かつた。 発明の効果 以上のように本発明の封着材料は、平均粒径が
小さいにもかかわらず熱膨張係数小さく、しかも
450℃以下の低い温度で封着できるため電子部品
の封着に適しており、特にシリコンチツプを搭載
した半導体装置の封着に好適である。
表に示す割合(体積%)に混合し、通常行われる
ようにビークルを用いてペースト化して使用し
た。こうして出来た封着材料の熱膨張係数は、33
〜48×10-7/℃と小さく、また封着温度も430〜
450℃と低かつた。 発明の効果 以上のように本発明の封着材料は、平均粒径が
小さいにもかかわらず熱膨張係数小さく、しかも
450℃以下の低い温度で封着できるため電子部品
の封着に適しており、特にシリコンチツプを搭載
した半導体装置の封着に好適である。
図面は本発明におけるフイラーのPbTiO3のPb
をCaで置換する量とフイラーとガラスを混合し
た封着材料の熱膨張係数との関係を示す曲線図で
ある。
をCaで置換する量とフイラーとガラスを混合し
た封着材料の熱膨張係数との関係を示す曲線図で
ある。
Claims (1)
- 1 PbTiO3のPbを40モル%以下Caで置換したフ
イラーをガラスと混合してなる封着材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087542A JPS62256741A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 封着材料 |
| US07/036,072 US4710479A (en) | 1986-04-16 | 1987-04-09 | Sealing glass composition with lead calcium titanate filler |
| DE19873712569 DE3712569A1 (de) | 1986-04-16 | 1987-04-14 | Abdichtungsglaszusammensetzung mit einem blei-kalzium-titanat-fueller |
| KR1019870003586A KR900000624B1 (ko) | 1986-04-16 | 1987-04-15 | 티탄산 납칼슘 충전제로 된 봉착재료 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087542A JPS62256741A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 封着材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256741A JPS62256741A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0428658B2 true JPH0428658B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=13917867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61087542A Granted JPS62256741A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 封着材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4710479A (ja) |
| JP (1) | JPS62256741A (ja) |
| KR (1) | KR900000624B1 (ja) |
| DE (1) | DE3712569A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4883777A (en) * | 1988-04-07 | 1989-11-28 | Nippon Electric Glass Company, Limited | Sealing glass composition with filler containing Fe and W partially substituted for Ti in PbTiO3 filler |
| US4983839A (en) * | 1989-08-18 | 1991-01-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Pyroelectric materials |
| JP2971502B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-11-08 | 旭硝子株式会社 | コバール封着用ガラス組成物 |
| US5437808A (en) * | 1990-11-15 | 1995-08-01 | Lockheed Corporation | Nonflammable mild odor solvent cleaner |
| EP0539151B1 (en) * | 1991-10-24 | 1996-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramics composite material |
| US5281561A (en) * | 1993-02-09 | 1994-01-25 | Dumesnil Maurice E | Low temperature sealing glass composition |
| DE19833252C2 (de) * | 1998-07-23 | 2002-01-31 | Schott Glas | Komposit-Lotglas mit niedriger Aufschmelztemperatur, ein Füllstoff hierfür, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie deren Verwendung |
| US6127005A (en) * | 1999-01-08 | 2000-10-03 | Rutgers University | Method of thermally glazing an article |
| US6583079B1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-06-24 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | CRT frit capable of sealing a CRT bulb at a relatively low temperature and in a short time |
| US6218005B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-04-17 | 3M Innovative Properties Company | Tapes for heat sealing substrates |
| DE10159093C1 (de) * | 2001-12-01 | 2003-08-14 | Schott Glas | Verfahren zum hermetischen Einglasen einer Lichtleitfaser in eine metallische Durchführungs-Hülse und danach hergestellte hermetische Einglasung |
| CN100371510C (zh) * | 2003-10-14 | 2008-02-27 | 杰富意矿物股份有限公司 | 压电单晶、压电单晶元件及其制造方法 |
| CN100345786C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-10-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种低熔点、低膨胀系数焊料玻璃封接粉及其制备方法 |
| JP6409501B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2018-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置及び電子機器 |
| CN114249529B (zh) * | 2021-12-06 | 2024-03-01 | 北京北旭电子材料有限公司 | 锂铝硅系填料组合物、锂铝硅系填料及其制备方法、玻璃封接材料及其应用 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1149303A (en) * | 1966-02-04 | 1969-04-23 | Du Pont | Dielectric compositions and their use |
| JPS4924208A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-04 | ||
| DE2548736C3 (de) * | 1975-10-31 | 1978-05-18 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Composit-Passivierungsglas auf der Basis PbO-B2 Okskö-ab O3) m't einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (200-300 Grad C) zwischen 40 und 60 mal 10"7 / Grad C für Silicium-Halbleiterbauelemente mit Aufschmelztemperaturen von höchstens 600 Grad C |
| JPS5358512A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-26 | Asahi Glass Co Ltd | Sealant composition |
| JPS607907B2 (ja) * | 1977-07-25 | 1985-02-27 | ソニー株式会社 | スイツチングレギユレータ |
| US4186023A (en) * | 1978-05-01 | 1980-01-29 | Technology Glass Corporation | Sealing glass composition |
| US4405722A (en) * | 1979-01-23 | 1983-09-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Sealing glass compositions |
| US4415898A (en) * | 1981-06-26 | 1983-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of determining the material composition of a dielectrically coated radar target/obstacle |
| US4365021A (en) * | 1981-07-22 | 1982-12-21 | Owens-Illinois, Inc. | Low temperature sealant glass |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP61087542A patent/JPS62256741A/ja active Granted
-
1987
- 1987-04-09 US US07/036,072 patent/US4710479A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-14 DE DE19873712569 patent/DE3712569A1/de active Granted
- 1987-04-15 KR KR1019870003586A patent/KR900000624B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870009968A (ko) | 1987-11-30 |
| DE3712569A1 (de) | 1987-10-29 |
| US4710479A (en) | 1987-12-01 |
| DE3712569C2 (ja) | 1991-10-31 |
| KR900000624B1 (ko) | 1990-02-01 |
| JPS62256741A (ja) | 1987-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |