JPH04286839A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH04286839A JPH04286839A JP5104491A JP5104491A JPH04286839A JP H04286839 A JPH04286839 A JP H04286839A JP 5104491 A JP5104491 A JP 5104491A JP 5104491 A JP5104491 A JP 5104491A JP H04286839 A JPH04286839 A JP H04286839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- vane
- magnetron
- strap ring
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマグネトロンの陽極構
体に関するものである。
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のマグネトロンの陽極構体（
実開昭５８−８８４８号公報）を示す図である。図にお
いて、１は陽極円筒、２は陽極円筒１に設けられた複数
の陽極ベインで、陽極ベイン２は陽極円筒１の内壁面か
ら内方に向かって放射状に設けられている。３は内スト
ラップリング、４は外ストラップリングで、陽極ベイン
２が内ストラップリング３、外ストラップリング４によ
って１つおきに連結されている。
実開昭５８−８８４８号公報）を示す図である。図にお
いて、１は陽極円筒、２は陽極円筒１に設けられた複数
の陽極ベインで、陽極ベイン２は陽極円筒１の内壁面か
ら内方に向かって放射状に設けられている。３は内スト
ラップリング、４は外ストラップリングで、陽極ベイン
２が内ストラップリング３、外ストラップリング４によ
って１つおきに連結されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなマグネトロ
ンの陽極構体においては、マグネトロンが作動している
ときに、陽極ベイン２の先端の温度は３００〜５００℃
に達するから、陽極ベイン２の熱膨張により、陽極ベイ
ン２の先端で構成されるベイン内径が大きくなる。この
結果、電子能率が低下するので、発振効率、安定度等が
低下し、マグネトロン特性が低下する。
ンの陽極構体においては、マグネトロンが作動している
ときに、陽極ベイン２の先端の温度は３００〜５００℃
に達するから、陽極ベイン２の熱膨張により、陽極ベイ
ン２の先端で構成されるベイン内径が大きくなる。この
結果、電子能率が低下するので、発振効率、安定度等が
低下し、マグネトロン特性が低下する。
【０００４】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、マグネトロン特性が低下することがない
マグネトロンの陽極構体を提供することを目的とする。
されたもので、マグネトロン特性が低下することがない
マグネトロンの陽極構体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
、この発明においては、陽極円筒の内側に複数の陽極ベ
インを放射状に配置し、ストラップリングにより上記陽
極ベインを１つおきに連結したマグネトロンの陽極構体
において、上記ストラップリングに上記陽極ベインの材
料より熱膨張係数の小さい材料からなる熱膨張抑制層を
設ける。
、この発明においては、陽極円筒の内側に複数の陽極ベ
インを放射状に配置し、ストラップリングにより上記陽
極ベインを１つおきに連結したマグネトロンの陽極構体
において、上記ストラップリングに上記陽極ベインの材
料より熱膨張係数の小さい材料からなる熱膨張抑制層を
設ける。
【０００６】
【作用】このマグネトロンの陽極構体においては、マグ
ネトロンが作動しているときに、熱膨張抑制層によりベ
イン内径が大きくなるのを抑制することができるから、
電子能率が低下しない。
ネトロンが作動しているときに、熱膨張抑制層によりベ
イン内径が大きくなるのを抑制することができるから、
電子能率が低下しない。
【０００７】
【実施例】図３はマグネトロンの縦断面図である。図３
において図２と同一部品には同一番号を付す。陰極１０
から放出した電子は永久磁石１３による直流磁界の影響
を受けて円運動しながら各陽極ベインに高周波の電位を
形成する。この高周波電位はアンテナリード１１を介し
てアンテナ１２より外部に放出される。
において図２と同一部品には同一番号を付す。陰極１０
から放出した電子は永久磁石１３による直流磁界の影響
を受けて円運動しながら各陽極ベインに高周波の電位を
形成する。この高周波電位はアンテナリード１１を介し
てアンテナ１２より外部に放出される。
【０００８】図１はこの発明に係るマグネトロンの陽極
構体のストラップリングを示す断面図である。図におい
て、５はＦｅからなる熱膨張抑制層、６は熱膨張抑制層
５の内側に設けられたＣｕ層で、熱膨張抑制層５とＣｕ
層６とは銀メッキにより接合されており、熱膨張抑制層
５とＣｕ層６とで内ストラップリング３が構成されてい
る。なお、外ストラップリング４も同様の構成である。 そして、このような内ストラップリング３、外ストラッ
プリング４を陽極ベイン２に接合するには、熱膨張抑制
層５とＣｕ層６とが嵌合されたのちに銀メッキが施され
たもの、あるいは銀メッキが施された熱膨張抑制層５と
銀メッキが施されたＣｕ層６とが嵌合されたものを陽極
ベイン２に組み込んだのち、ブレージングを行なえば、
熱膨張抑制層５とＣｕ層６とを銀メッキにより接合する
ことができるとともに、内ストラップリング３、外スト
ラップリング４を陽極ベイン２に接合することができる
。
構体のストラップリングを示す断面図である。図におい
て、５はＦｅからなる熱膨張抑制層、６は熱膨張抑制層
５の内側に設けられたＣｕ層で、熱膨張抑制層５とＣｕ
層６とは銀メッキにより接合されており、熱膨張抑制層
５とＣｕ層６とで内ストラップリング３が構成されてい
る。なお、外ストラップリング４も同様の構成である。 そして、このような内ストラップリング３、外ストラッ
プリング４を陽極ベイン２に接合するには、熱膨張抑制
層５とＣｕ層６とが嵌合されたのちに銀メッキが施され
たもの、あるいは銀メッキが施された熱膨張抑制層５と
銀メッキが施されたＣｕ層６とが嵌合されたものを陽極
ベイン２に組み込んだのち、ブレージングを行なえば、
熱膨張抑制層５とＣｕ層６とを銀メッキにより接合する
ことができるとともに、内ストラップリング３、外スト
ラップリング４を陽極ベイン２に接合することができる
。
【０００９】このマグネトロンの陽極構体においては、
マグネトロンが作動しているときに、陽極ベイン２の先
端の温度が３００〜５００℃に達したとしても、内スト
ラップリング３、外ストラップリング４の熱膨張抑制層
５によってベイン内径が大きくなるのを抑制することが
できる。この結果、電子能率が低下するのを防止するこ
とができるから、発振効率、安定度等が低下することが
なく、マグネトロン特性が低下することがない。また、
内ストラップリング３、外ストラップリング４がＣｕ層
６を有しているから、マイクロ波損失による内ストラッ
プリング３、外ストラップリング４自体の発熱が生ずる
ことがなく、内ストラップリング３、外ストラップリン
グ４が破損することはない。
マグネトロンが作動しているときに、陽極ベイン２の先
端の温度が３００〜５００℃に達したとしても、内スト
ラップリング３、外ストラップリング４の熱膨張抑制層
５によってベイン内径が大きくなるのを抑制することが
できる。この結果、電子能率が低下するのを防止するこ
とができるから、発振効率、安定度等が低下することが
なく、マグネトロン特性が低下することがない。また、
内ストラップリング３、外ストラップリング４がＣｕ層
６を有しているから、マイクロ波損失による内ストラッ
プリング３、外ストラップリング４自体の発熱が生ずる
ことがなく、内ストラップリング３、外ストラップリン
グ４が破損することはない。
【００１０】なお、上述実施例においては、内ストラッ
プリング３、外ストラップリング４の外側に熱膨張抑制
層５を設けたが、内ストラップリング３、外ストラップ
リング４の内側に熱膨張抑制層を設けてもよい。
プリング３、外ストラップリング４の外側に熱膨張抑制
層５を設けたが、内ストラップリング３、外ストラップ
リング４の内側に熱膨張抑制層を設けてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るマ
グネトロンの陽極構体においては、電子能率が低下しな
いので、発振効率、安定度等が低下することがなく、マ
グネトロン特性が低下することがない。このように、こ
の発明の効果は顕著である。
グネトロンの陽極構体においては、電子能率が低下しな
いので、発振効率、安定度等が低下することがなく、マ
グネトロン特性が低下することがない。このように、こ
の発明の効果は顕著である。
【図１】この発明に係るマグネトロンの陽極構体のスト
ラップリングを示す断面図である。
ラップリングを示す断面図である。
【図２】従来のマグネトロンの陽極構体を示す図である
。
。
【図３】マグネトロンの縦断面図である。
１…陽極円筒
２…陽極ベイン
３…内ストラップリング
４…外ストラップリング
５…熱膨張抑制層
Claims (1)
- 【請求項１】陽極円筒の内側に複数の陽極ベインを放射
状に配置し、ストラップリングにより上記陽極ベインを
１つおきに連結したマグネトロンの陽極構体において、
上記ストラップリングが上記陽極ベインの材料より熱膨
張係数の小さい材料からなる熱膨張抑制層を有すること
を特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5104491A JPH04286839A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5104491A JPH04286839A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286839A true JPH04286839A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12875806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5104491A Pending JPH04286839A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670761B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-12-30 | Lg Electronics Inc. | Magnetron having straps of different materials to enhance structural stability |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5104491A patent/JPH04286839A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670761B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-12-30 | Lg Electronics Inc. | Magnetron having straps of different materials to enhance structural stability |
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