JPH04287358A - モジュール構造 - Google Patents

モジュール構造

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Publication number
JPH04287358A
JPH04287358A JP9152147A JP5214791A JPH04287358A JP H04287358 A JPH04287358 A JP H04287358A JP 9152147 A JP9152147 A JP 9152147A JP 5214791 A JP5214791 A JP 5214791A JP H04287358 A JPH04287358 A JP H04287358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
terminal
module
conductor
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9152147A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Koga
健司 古賀
Kazuya Suzuki
一也 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Minebea Power Semiconductor Device Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Haramachi Electronics Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9152147A priority Critical patent/JPH04287358A/ja
Publication of JPH04287358A publication Critical patent/JPH04287358A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

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  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子を内
蔵したモジュールに係り、特に電圧測定に好適な端子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスイッチング素子を内蔵したモジ
ュールの構造は、富士電機技報Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ．１
１，１９８８　　１４頁に見るように主回路電流を流す
端子及び制御端子があるのみであった。
【０００３】これは基本的に素子から端子までの配線が
一本であり、この配線はモジュールの大きさによって異
なるがある程度の長さとなる。従って、インダクタンス
が存在することになる。
【０００４】この配線は主回路配線であるので電流が流
れる。従って、特にスイッチング時にはこの配線のイン
ダクタンスが電圧を受持ち、モジュールの端子と素子自
身の電圧とは異なってくる。
【０００５】例えば、今、スイッチング素子がターンオ
フしたとすると図１に示すようにモジュールの端子と素
子自身の電圧では素子自身の電圧の方が大きく出る。配
線で発生する電圧Ｖは、ターンオフ時の電流の変化率を
ｄｉ／ｄｔ、また配線のインダクタンスをＬで表すと、
【０００６】
【数１】Ｖ＝Ｌ×ｄｉ／ｄｔ となる。
【０００７】また、ターンオン時は逆にモジュールの端
子と素子自身の電圧では素子自身の電圧の方が低く出る
。
【０００８】いずれの場合も、従来のモジュール端子の
ように１端子しか無いような場合は実際の素子に印加さ
れる電圧は観測できないことになる。
【０００９】このため、モジュールの端子では耐圧以内
に観測されても、実際のスイッチング素子部では耐圧以
上の電圧が印加され、素子が破壊するという不具合があ
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】モジュールの端子では
耐圧以内に観測されても、実際のスイッチング素子部で
は耐圧以上の電圧が印加され、素子が破壊するという不
具合がある。
【００１１】本発明の目的は、これを解決することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、従来のモジュールの端子以外に別の端子を設けるこ
とにした。
【００１３】
【作用】従来のモジュールの端子以外の、本特許で設け
る別の端子には電流が流れないためモジュールの配線の
影響を受けない電圧を検出する。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の一実施例を説明する。
【００１５】図２に本発明の一実施例を示す。
【００１６】モジュールの構造は図２に示すように素子
５の下に導体（通常は銅）２がある。この導体２は素子
５が一個のみの場合は不要であるが、通常モジュールは
複数個の素子で構成され、素子同士が接続される場合が
多い。図２では別の素子１と接続されている。このよう
な場合、導体２が用いられる。さらに、この導体２の下
には絶縁物３がある。この絶縁物３は、その下にある放
熱板４との絶縁を行うために挿入するもので、これによ
り、このモジュールは外部に接続される放熱フィンと絶
縁されることになりユーザーにとって使用し易いものと
なる。
【００１７】素子５からは、先ず導体９へ導線６を用い
て接続される。さらに導体９から導線７が接続され、こ
れが外部端子となる。この導線７は、通常ストレートで
はなく図に示すように曲がっている。これは後で述べる
充填剤が熱ストレスで膨張，収縮を行うがそのストレス
を吸収するためのものである。また、半田１３，１４，
１５，１６は半田の上下にある物を接着させるものであ
る。
【００１８】素子１，５の上には素子１，５を保護する
保護剤１０，１８が覆われる。さらにその上には充填剤
１１，１２が覆われる。充填剤を２種類にするのは熱ス
トレスの緩和を行うためである。ここで導線７は、主回
路配線であり電流が流れる。このため、先にも述べたが
特にスイッチング時、素子端子と導線７の終端端子では
観測される電圧が異なる。この時、導線７とは別に導線
８を設けこれを端子１７に接続すれば、電圧測定用端子
となり、素子端子で観測される電圧が見られることにな
る。
【００１９】以上述べたように、主回路配線（導線７）
以外に電圧観測用端子（端子１７）を出すことにより、
配線のインダクタンスの影響が無く、素子に印加される
電圧を直接観測できることになる。
【００２０】このように電圧観測用端子１７を設けると
、図３に示すように正確な素子の端子電圧を制御回路に
取り込むことができ、過電圧が発生した場合ただちに過
電圧が発生しないような処置を取ることができる。
【００２１】また過電流保護を行う際、素子の両端の電
圧を検出して保護動作を行うことがあるが、この場合も
正確な素子の端子電圧を制御回路に取り込むことができ
るため過電流保護が行い易くなる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、素子に印加される電圧
を直接観測できることになり不用意に耐圧以上の電圧を
印加し破壊させるということがなくなる。
【００２３】また、正確な過電流保護が行い易くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】素子ターンオフ時の電圧分担の違いの説明図で
ある。
【図２】モジュール構造の断面図である。
【図３】電圧検出用端子を用いた応用例を示す図である
。
【符号の説明】
５…素子、７…導体、８…導体、１７…端子。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】主回路配線，制御回路配線とは別に、素子
    から導線を接続し、端子を取り出したことを特徴とする
    モジュール構造。
  2. 【請求項２】導線は素子の主端子から取り出すことを特
    徴とする請求項１記載のモジュール構造。
  3. 【請求項３】導線は素子の制御端子から取り出すことを
    特徴とする請求項１記載のモジュール構造。
JP9152147A 1991-03-18 1991-03-18 モジュール構造 Pending JPH04287358A (ja)

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JP9152147A JPH04287358A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 モジュール構造

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JP9152147A JPH04287358A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 モジュール構造

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JPH04287358A true JPH04287358A (ja) 1992-10-12

Family

ID=12906765

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JP9152147A Pending JPH04287358A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 モジュール構造

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