JPH0428774B2 - - Google Patents
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- JPH0428774B2 JPH0428774B2 JP59279894A JP27989484A JPH0428774B2 JP H0428774 B2 JPH0428774 B2 JP H0428774B2 JP 59279894 A JP59279894 A JP 59279894A JP 27989484 A JP27989484 A JP 27989484A JP H0428774 B2 JPH0428774 B2 JP H0428774B2
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は改良されたアルミニウム合金から製作
されている、電子写真光導電部材精密加工支持体
に関する。
[従来の技術]
アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構
造体に幅広く利用されているが、とりわけ、光導
電部材の支持体等精密加工を要求される電気デバ
イス(電子デバイス)の構成部材として、その利
用度が高まりつつある。
しかしながら、例えば日本工業規格(JIS)に
より規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Mg、Cu、Mn、
Si、Zn等の積極的に添加される成分をはじめと
する各種組成成分と共に各種不純物成分が含有さ
れており、これらのうちのあるものは介在物とし
て組織中に局在したり、粒界段差を生起させた
り、あるいは表面近傍に粒状析出物として存在し
て、精密加工の際の加工性を損ない、その結果と
してアルミニウム合金を構成部材とする電子部品
等の特性を劣化させることになる。
この様な事情を、電子写真光導電部材について
更に詳しく説明すると、例えば電子写真感光体
は、通常、アルミニウム合金から成る円筒状等の
支持体表面上に光導電層を設けて構成さえる。
光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光
導電物質が用いられており、例えば1価の元素で
ダングリングボンドが修飾されたアモルフアスシ
リコン(以下a−Siという)は、その優れた光導
電性、耐擦性、耐熱性のために光導電層の材料と
しての応用が期待されている。このa−Siを実用
に供するためには、a−Siの光導電層に加えて、
支持体からの電荷の注入を阻止する電荷注入阻止
層、SiNx、SiCx等の表面保護層等を用い、目的
に応じた多層構成とする必要がある。そしてこの
際の光導電部材の均一性は極めて重要であり、光
導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が存在
すると美麗な画像が提供できないばかりでなく、
実用に耐えないものとなる。
[発明が解決しようとする課題]
特にa−Siは、膜の形態が支持体の表面形状に
大きく左右されることが知られている。とりわ
け、殆んどの部分でほぼ均一な光導電特性が必要
となる大面積の電子写真感光体ドラムにおいて
は、支持体の表面状態は極めて重要であり、支持
体表面に欠陥が存在すると膜の均一性が悪くな
り、柱状構造や球状突起が成形されるため、光導
電的不均一さの生じる原因となる。
そこで、アルミニウム合金の管材等を支持体と
して使用する場合、その表面に鏡面仕上げ、エン
ボス加工等の精密な各種切削乃至は研磨加工を施
す過程において、前述した各種介在物により、例
えばハードスポツトと呼ばれる固い部分が存在す
ると、例えば切削加工による鏡面化過程において
切削バイトに対する切削抵抗となり、アルミニウ
ムシリンダー表面に欠陥部分を生ずる原因とな
り、アルミニウム支持体表面上に1〜10μm程度
のひび割れ、エグレ状の傷、更には微細に凹凸、
あるいはスジ状キズを発生させる要因となつてい
る。
しかしながら、従来においては、介在物、H2
ガスによる空孔(Blister)を少なくするため、
種々の対策を施したAl合金素地を用いる必要が
あり、これらの対策を施すことによつて起こる、
工程の追加、コストの上昇を免れることができな
かつた。
更に、電子写真感光体は、電子プロセスにおい
て、残留するトナーの除法のためにブレード、フ
アーブラシ等のよつて摺擦を繰返し受る。このと
き、光導電層表面の耐摩耗特性と共に支持体の硬
度を上げることが感光体の耐久性向上には良いの
で、従来高硬度Al材等を使用する事例があつた
が、先に述べた様に、特にa−Si感光体において
は、Al組織中の析出物による問題点を生じてお
り、特に高濃度Si系Al合金においては顕著であ
つた。
そこで、本発明者らは、アルミニウム合金にお
けるケイ素含量を2〜7重量%とした場合に、ビ
ツカース硬度を50Hv〜100Hvとすることにより、
前述した従来の問題点が解決され、しかも含有す
る介在物の大きさを微細化することができること
を見出し、本発明を完成するに至つた。
本発明の第1の目的は、介在物による影響が抑
制されると共に成形方法を最適化することによ
り、更に精度加工への適応度が高められたアルミ
ニウム合金から製作されている、電子写真光導電
部材用精密加工支持体を提供することにある。
本発明の第2の目的は、とりわけ精密加工によ
る正確な表面形状並びに高い寸法精度が望まれる
電子写真感光体ドラムの支持体を提供することに
ある。
[課題を解決するための手段]
本発明の電子写真光導電部材用精密加工支持体
は、ケイ素を2重量%以上7重量%以下含み、残
部がアルミニウム及び不純物からなり、該不純物
としての水素がアルミニウム100グラムに対して
1.0c.c.以下であり、該不純物としての鉄が
2000ppm以下であり、ビツカース硬度が50Hv以
上100Hv以下である合金から製造されていること
を特徴とする。
汎用のアルミニウム合金中には、一般に、必要
に応じて積極的に添加される合金成分の外に、精
錬、溶製等の過程で止むを得ず混入する不純物な
どに起因する析出物、介在物が存在し、これらは
粒界等において異常成長したり、合金組織内にハ
ードスポツトを呼ばれる固い部分を生じたりして
精密加工の際の加工性を損じたりするので、精密
加工により得られる電子写真光導電部材用支持体
の特性を劣化させる原因となる。
例えばケイ素はアルミニウムと固溶しにくく、
Si、SiO2、Al−Si化合物、Al−Fe−Si化合物、
Al−Si−Mg化合物として、またAlはAl2O3とし
てアルミニウム組織中に例えば島状等の形態で介
在する。またFe、Ti等も酸化物等として堅い粒
界析出物やハードスポツトとして現れる。
一方、アルミニウム合金を精密加工する場合、
その加工上、アルミニウム合金の表面硬度がその
加工後の表面状態を大きく左右する一つの要因と
なる。
本発明においては、アルミニウム合金の硬度に
大きな影響を与え、しかもハードスポツトとして
の悪い要因ともなるケイ素に着目し、ケイ素含量
を7重量%以下に抑えることによつてアルミニウ
ム合金のハードスポツトの増加を許容範囲内に抑
え、またケイ素を2重量%以上添加することによ
つて達成されるその表面硬度の全体分布の安全化
によつて精密加工上の加工性を向上せしめること
で、全体としての精密加工性を実用上充分なもの
になし得ることを研究の結果成し遂げたものであ
る。
即ち、本発明で用いるアルミニウム合金は、ハ
ードスポツトの要因となる成分のケイ素をあえて
2重量%以上7重量%以下の範囲とし、表面硬度
の全体分布を安定化し、熱処理や圧縮処理等によ
つて硬度を調整して50Hv以上100Hv以下にした
アルミニウム合金である。このようにして得られ
たアルミニウム合金は前述した1〜10μm程度の
ヒビ割れ、エグレ状の傷、微細な凹凸、あるいは
スジ状傷の発生が抑えられるものである。
本発明のより好ましい実施態様において、ケイ
素含量が2〜7重量%のアルミニウム合金におい
て、ビツカース硬度を50Hv〜100Hvにすると共
に前述した各種介在物の大きさ(介在物粒子の最
大長さで代表される粒径)を10μm以下とした場
合、精密加工の際の加工性や精密加工により得ら
れる電子写真光導電部材用支持体の特性や耐久性
が予期せぬ程に向上するので好ましい。介在物の
更に好ましい大きさは5μm以下である。
本発明で用いられるアルミニウム合金を硬度を
50Hv以上100Hv以下とする具体的な方法として
は次の方法が挙げられる。
本発明で規定している合金組成を持つアルミニ
ウム合金は鋳造したままではビツカース硬度は
50Hv〜80Hv程度であるが、これは熱処理と塑性
加工の両方又は塑性加工のみを施すことによつて
ビツカース硬度を50Hv〜100Hvの範囲内の所望
の値に制御することができる。具体的な熱処理と
しては焼き鈍し処理、又は容体化処理及び焼戻し
処理等を施すことが望ましい。焼き鈍し処理とし
ては例えば350〜400℃程度の温度に例えば1〜2
時間程度保持した後、徐冷することが望ましく、
この処理によつて、鋳造で得られたアルミニウム
合金の硬度を低下させることができる。
アルミニウム合金中の合金元素を均一に固溶体
化する溶体化処理は好適には500〜525℃程度の温
度で、好適には8〜10時間程度実施することが望
ましく、溶体化処理に次いで行う焼戻し処理は好
適には150〜170℃程度の温度で5〜10時間程度実
施することが望ましい。これらの条件下で溶体化
処理及び焼戻し処理を実施することによりビツカ
ース硬度80Hv〜90Hv程度を得ることができる。
次いで塑性加工について説明する。鋳造により
得られたままのアルミニウム合金又は上記の熱処
理工程を経たアルミニウム合金に、アルミニウム
合金の使用用途に応じて圧延加工、押出加工、引
抜加工、絞り加工等の塑性加工を行う。これらの
塑性加工によつてアルミニウム合金の加工硬化が
生じる。
上記した熱処理条件、塑性加工方法及び条件等
を適宜選択し、場合によつては熱処理、塑性加工
を繰り返すことにより、アルミニウム合金の硬度
を50Hv以上100Hv以下に制御することができる。
アルミニウム合金中の介在物の大きさを10μm
以下に抑制する具体的な方法としては、例えば、
アルミニウム合金溶解時に使用するセラミツクフ
イルターの開孔径の小さいものを用いるととも
に、十分な管理のもとにフイルターの効果を十分
に活かす方法をとり、具体的にはフイルターがあ
る程度目詰まりを生じた時点でのロツトを使用す
る。更には、溶解炉材の混入防止対策、スラグの
面削厚みの増加などの方法が挙げられる。
アルミニウム合金中に含有される鉄は共存する
アルミニウムやケイ素とFe−Al系やFe−Al−Si
系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマトリ
ツクス中にハードスポツトとして現れる。特にこ
のハードスポツトは鉄含量2000ppmを境にして鉄
が増加すると急激に増加し、例えば鏡面切削加工
等の際に悪影響を及ぼす。従つて、本発明のアル
ミニウム合金における好ましい鉄含量は2000ppm
以下、更には1000ppm以下である。
更に、アルミニウム合金中に含有あれる水素
は、空孔(Blister)等の組織異常を生起させ、
精密加工の際の加工性を損じたり、精密加工によ
り得られる電子部品等の特性を劣化させる原因と
なる。この様な不都合は、特にアルミニウム合金
中の水素量をアルミニウム100グラムに対して1.0
c.c.以下、より好ましくは0.7c.c.以下に抑制するこ
とにより解消することができる。
アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を
2000ppm以下に抑える具体的な方法としては、原
料としてのAl地金の純度の高いもの、例えば、
電解精錬を繰返し行なつたものを使用する。ま
た、溶解、鋳込の各工程で十分管理を行なうなど
の方法が挙げられる。
アルミニウム合金中に含有される水素量を、ア
ルミニウム100グラムに対して、1.0c.c.以下に抑え
る具体的な方法としては、Al合金溶解時に脱ガ
ス工程として塩素ガスを溶湯中に吹き込み、合金
組織中に存在するH2ガスをHClとして除去する
方法、あるいは溶解したAl合金を真空炉中に一
定時間保持し、合金組織中に存在するH2ガスを
真空中へ拡散除去する方法など挙げられる。
上記したアルミニウム合金か製作されている本
発明の電子写真光導電部材用精密加工支持体は十
分に優れた所望の特性を奏するものであるが、所
望により上記特性を更に向上させるために又は更
にその他の特性を付与するためにその他の合金成
分を添加することもできる。そのような合金成分
(添加量)としてはMg(0.35〜1.5重量%)、Cu
(0.1〜0.4重量%)、Mn(0.03〜0.8重量%)、Cr
(0.03〜0.35重量%)、Zn(0.1〜0.25重量%)、Ti
(0.1〜0.15重量%)等がある。
本発明においては、アルミニウム合金の組成を
前記の組成範囲内から選択する際には、使用目的
に応じた特性として例えば精密加工性、寸法精
度、機械的強度、耐蝕性、耐熱性等を考慮して適
宜に選択すればよい。
本発明で用いるアルミニウム合金は、圧延、押
出等の塑性加工を経た後、切削乃至は研磨等の機
械的方法、乃至は化学エツチング等化学的乃至物
理的方法を伴なう精密加工を施し、必要に応じて
熱処理、調理等を随時組合せて、使用目的に応じ
た適宜の形状に賦形される。例えば電子写真感光
体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管状の
構成部材に賦形する場合は、通常の押出加工によ
り得られるポートホール押出管あるいはマンドレ
ル押出管を、更に冷間引抜加工して得られる引抜
管を使用するのが好ましい。この様な管を用い、
例えば管表面に鏡面仕上げ、エンボシング等のた
めの切削乃至は研磨等の機械的方法、乃至は化学
的エツチング等化学的乃至物理的方法を伴なう精
密加工を施した場合に、本発明で用いるアルミニ
ウム合金の特性が特い顕著に現れる。
前記のアルミニウム合金はダイヤバイトによる
鏡面仕上げ、円筒研削仕上げ、ラツピンク仕上げ
等の手段を用いてRnax=1μm以下の表面粗さ、
好ましくは、Rnax=0.05μm以下の平面度に仕上
げられる電子写真光導電部材用精密加工支持体と
し有用である。
以下、前記のアルミニウム合金から製作された
本発明の電子写真光導電部材用精密加工支持体を
用い、光導電物質としてa−Siを用いた電子写真
の光導電部材の構成例を説明する。
この様な光導電部材は、例えば支持体上に電荷
注入阻止層、光導電層(感光層)及び表面保護層
を順次積層した構成を有している。
支持体の形状は円筒状、ベルト状、板状等の任
意の形状出あり得るが、例えば電子写真用連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚みは、所望通りの光
導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光
導電部材として可撓性が要求される場合には、支
持体としての機能が十分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様
な場合にも、支持体の製造上及び取扱い上、更に
は機械的強度等の点から、通常は、10μm以上と
される。
支持体表面は、光導電部材の均一性を保つため
に例えば鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施
され、また、感光体の光源としてレーザー光等の
可干渉性単色光を使用するデジタル画像情報記録
に使用する場合に、干渉縞模様を防止するためな
どに、例えば旋盤、フライス盤等を用いたダイヤ
モンド切削等機械的精密加工あるいは化学エツチ
ング等他の精密加工により規則的乃至は不規則の
例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。
電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び/又は
ハロゲン原子を含有するa−Siで構成されると共
に、伝導性を支配する物質として、通常半導体の
不純物として用いられる周期律表第族乃至は第
族に族する元素の原子が含有される。電荷注入
阻止層の層厚は、好ましくは0.01〜10μm、より
好適には0.05〜8μm、最適には0.07〜5μmとされ
る。
電荷注入阻止層の代りに例えばAl2O3、SiO2、
Si3N4、ポリカーボネート等の電気絶縁材料から
成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電荷注入
阻止層と障壁層とを併用することもできる。
光導電層は、例えば水素原子とハロゲン原子を
含有するa−Siで構成され、所望により電荷注入
阻止層に用いるのとは別離の伝導性を支配する物
質が含有される。光導電層の層厚は、好ましくは
1〜100μm、より好適には1〜80μm、最適には
2〜50μmとされる。
表面保護層は例えばSiCx、SiNx等で構成され、
層厚は好ましくは0.01〜10μm、より好適には
0.02〜5μm、最適には0.04〜5μmとされる。
a−Siで構成される光導電層等を形成するには
例えばグロー放電法、スパツタリング法、あるい
はイオンプレーテイング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。
次にグロー放電分解法による光導電部材の製造
法の一例について説明する。
第1図はグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。堆積槽1は、ベースプレート2
と槽壁3とトツプレート4とから構成され、この
堆積槽1内には、カソード電極5が設けられてお
り、a−Si堆積膜が形成される特定を組成を有す
るアルミニウム合金製のドラム状支持体6はカソ
ード電極5の中央部に設置され、アノード電極と
しての役割も兼ねている。
この製造装置を使用してa−Si堆積膜をドラム
状支持体上に形成するには、まず、原料ガス流入
バルブ7及びリークバルブ8を閉じ、排気バルブ
9を開け、堆積槽1内を排気する。真空計10の
読みが約5×106Toorになつた時点で原料ガス流
入バルブ7を開して、マスフローコントローラ1
1内で所定の混合比に調整された、例えば、
SiH4ガス、Si2H6ガス、SiF4ガス等の原料混合ガ
スを堆積槽1内に流入させる。このとき堆積槽1
内の圧力が所望の値になる様に真空計10の読み
を見ながら排気バルブ9の開口度を調節する。そ
してドラム状支持体6の表面温度が加熱ヒーター
12により所定の温度に設定されていることを確
認した後、高周波電源13を所望の電力に設定し
て堆積槽1内にグロー放電を生起させる。
また、層形成を行なつている間は、層形状の均
一化を図るためにドラム状支持体6をモーター1
4により一定速度で回転させる。このようにして
ドラム状支持体6上に、a−Si堆積膜を形成する
ことができる。
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明
する。
実施例1〜4、比較例1
精密切削用のエアーダンパー付旋盤
(PNEUMOPRECISION INC.製)に、先端
部曲率0.01(mm-1)のダイアモンドバイトを、シ
リンダー中心角に対して5°の負のすくい角を得る
様にセツトした。次にこの旋盤の回転軸フランジ
に、第1表に示した種々のSi含量、種々のビツカ
ース硬度及び種々の介在物の大きさを持つ5種の
アルミニウム合金(Si以外の成分については、
Mg含量は何れも0.4重量%、Fe含量は何れも
1000ppm以下、水素含量は何れもアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下であり、残部はAlで
ある)製シリンダーを真空チヤツクし、付設した
ノズルからの白燈湯噴霧、同じく付設した真空ノ
ズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、周速1000
(m/min)、送り速度0.01(mm/R)の条件で、
外径が80mmφとなる様鏡面切削を施した。このよ
うにして鏡面加工したシリンダーにつき、鏡面加
工後に生じている表面欠陥(エグレ状の傷、ひび
割れ、スジ状キズ)を目視及び金属顕微鏡により
検査し、その数を調べた。なお、シリンダーに含
有される水素の量は作製したシリンダーの一部を
切りとり、これをサンプルとし、ラボラトリー・
イクイツプメンツ・コーポーレーシヨン製RH−
IE型を用い、その仕様書に従つて測定した。
次に、これらの鏡面加工したアルミニウム合金
製シリンダーのそれぞれの上に、第1図に示した
光導電部材の製造装置を用い、先に詳述したグロ
ー放電分解法に従い、下記の条件により光導電部
材を作製した。
堆積膜の積層順序 使用原料ガス 膜厚(μm)
電荷注入阻止層 SiH4/B2H6 0.6
光導電層 SiH4 20
表面保護層 SiH4/C2H4 0.1
アルミニウムシリンダー温度:250℃
堆積膜形成時の堆積室内内圧:0.3Torr
放電周波数:13.56MHz
堆積膜形成速度:20Å/sec
放電電力:0.18W/cm2
こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、
キヤノン(株)製400RE複写装置に設置してA−3紙
上に画出しを行ない、白点状の画像欠陥(0.3mm
φ以上)の評価を実施した。この評価結果を第1
表に示す。
なお、実施例1〜3の各電子写真感光体ドラム
については、更に100万枚の耐久試験を、23℃/
相対温度50%、30℃/相対湿度90%、5℃/相対
温度20%の各環境下で実施したが、画像欠陥、特
に白抜け等の欠陥の増加もなく、良好な耐久性を
有していることが確認された。
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD OF THE INVENTION This invention relates to electrophotographic photoconductive member precision-machined supports made from improved aluminum alloys. [Prior Art] Aluminum alloys are widely used in various structures such as building materials and automobile parts, but in particular, they are used as constituent members of electrical devices (electronic devices) that require precision processing, such as supports for photoconductive members. Its usage is increasing. However, for example, general-purpose aluminum alloys standardized by the Japanese Industrial Standards (JIS) for wrought materials, castings, die castings, etc. include Mg, Cu, Mn,
Various impurity components are contained together with various compositional components including actively added components such as Si and Zn, and some of these may be localized in the structure as inclusions or may cause grain boundary steps. or exist as granular precipitates near the surface, impairing workability during precision machining, and as a result, deteriorating the characteristics of electronic components etc. made of aluminum alloys. To explain this situation in more detail with respect to electrophotographic photoconductive members, for example, electrophotographic photoreceptors are usually constructed by providing a photoconductive layer on the surface of a cylindrical support made of an aluminum alloy. Various organic and inorganic photoconductive substances are used as materials for the photoconductive layer. For example, amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) whose dangling bonds are modified with a monovalent element has excellent optical properties. Due to its conductivity, abrasion resistance, and heat resistance, it is expected to be used as a material for photoconductive layers. In order to put this a-Si into practical use, in addition to the a-Si photoconductive layer,
It is necessary to use a charge injection blocking layer that prevents charge injection from the support, a surface protection layer such as SiN x or SiC x , and to form a multilayer structure depending on the purpose. The uniformity of the photoconductive member at this time is extremely important, and if there are defects such as non-uniform photoconductive properties or pinholes, it will not only be impossible to provide a beautiful image;
It becomes impractical. [Problems to be Solved by the Invention] It is known that the form of the film of a-Si in particular is greatly influenced by the surface shape of the support. In particular, the surface condition of the support is extremely important for large-area electrophotographic photoreceptor drums that require almost uniform photoconductive properties in most parts, and the presence of defects on the surface of the support will affect the uniformity of the film. The photoconductivity becomes poor and a columnar structure or spherical protrusion is formed, which causes photoconductive non-uniformity. Therefore, when using an aluminum alloy tube material as a support, in the process of performing various precision cutting or polishing processes such as mirror finishing or embossing on the surface, the various inclusions mentioned above may occur, for example, so-called hard spots. If a hard part exists, it will cause cutting resistance against the cutting tool during the mirror-finishing process, for example, and cause defects on the aluminum cylinder surface, resulting in cracks of about 1 to 10 μm, egre-like scratches, etc. on the aluminum support surface. Furthermore, fine irregularities,
Alternatively, it is a factor that causes streak-like scratches. However, in the past, inclusions, H 2
To reduce blister caused by gas,
It is necessary to use an Al alloy base with various measures taken, and these measures will cause
Addition of processes and increase in costs could not be avoided. Furthermore, electrophotographic photoreceptors are repeatedly rubbed by blades, fur brushes, etc. in electronic processes to remove residual toner. At this time, increasing the hardness of the support as well as the abrasion resistance of the surface of the photoconductive layer is good for improving the durability of the photoreceptor, so there have been cases of using high-hardness Al materials, etc. Similarly, in a-Si photoreceptors in particular, problems arise due to precipitates in the Al structure, and this is particularly noticeable in high-concentration Si-based Al alloys. Therefore, the present inventors set the Bitkers hardness to 50Hv to 100Hv when the silicon content in the aluminum alloy is 2 to 7% by weight.
The present invention has been completed based on the discovery that the above-mentioned conventional problems can be solved and that the size of the included inclusions can be made finer. The first object of the present invention is to produce an electrophotographic photoconductor manufactured from an aluminum alloy, which is suppressed from the influence of inclusions and whose adaptability to precision processing is further improved by optimizing the forming method. An object of the present invention is to provide a precisely processed support for a member. A second object of the present invention is to provide a support for an electrophotographic photosensitive drum, which is particularly desired to have an accurate surface shape and high dimensional accuracy through precision processing. [Means for Solving the Problems] The precision-processed support for electrophotographic photoconductive members of the present invention contains silicon in an amount of 2% by weight or more and 7% by weight or less, the balance being aluminum and impurities, and hydrogen as the impurity is for 100 grams of aluminum
1.0cc or less, and iron as an impurity is
2000 ppm or less, and is characterized by being manufactured from an alloy having a Bitkers hardness of 50 Hv or more and 100 Hv or less. General-purpose aluminum alloys generally contain precipitates and inclusions caused by impurities that are unavoidably mixed in during processes such as refining and melting, in addition to alloying ingredients that are actively added as necessary. There are This causes deterioration of the characteristics of the photoconductive member support. For example, silicon is difficult to form a solid solution with aluminum;
Si, SiO 2 , Al-Si compounds, Al-Fe-Si compounds,
Al exists as an Al-Si-Mg compound or as Al 2 O 3 in the aluminum structure, for example, in the form of an island. Fe, Ti, etc. also appear as oxides and hard grain boundary precipitates and hard spots. On the other hand, when precision machining aluminum alloy,
During processing, the surface hardness of the aluminum alloy is one of the factors that greatly influences the surface condition after processing. In the present invention, we focused on silicon, which has a great effect on the hardness of aluminum alloys and is also a factor in causing hard spots, and by suppressing the silicon content to 7% by weight or less, we can reduce the increase in the number of hard spots in aluminum alloys. By keeping the surface hardness within the allowable range and by adding 2% by weight or more of silicon, the overall distribution of surface hardness is made safer, which improves workability in precision machining, thereby improving overall precision. As a result of research, we were able to achieve sufficient processability for practical use. That is, in the aluminum alloy used in the present invention, silicon, which is a component that causes hard spots, is deliberately set in the range of 2% to 7% by weight, the overall distribution of surface hardness is stabilized, and the silicon content is made to be stable through heat treatment, compression treatment, etc. It is an aluminum alloy whose hardness has been adjusted to between 50Hv and 100Hv. The aluminum alloy thus obtained can suppress the occurrence of cracks of about 1 to 10 μm, rough scratches, fine irregularities, or streak scratches as described above. In a more preferred embodiment of the present invention, in an aluminum alloy having a silicon content of 2 to 7% by weight, the Vickers hardness is set to 50Hv to 100Hv, and the sizes of the various inclusions described above (represented by the maximum length of the inclusion particles) are determined. When the particle size (particle size) is 10 μm or less, it is preferable because the workability during precision processing and the properties and durability of the support for electrophotographic photoconductive members obtained by precision processing are improved to an unexpected degree. A more preferable size of the inclusions is 5 μm or less. The hardness of the aluminum alloy used in the present invention
Specific methods for setting the temperature to 50 Hv or more and 100 Hv or less include the following methods. The aluminum alloy having the alloy composition specified in this invention has a Vickers hardness of
The Vickers hardness can be controlled to a desired value within the range of 50 Hv to 100 Hv by performing both heat treatment and plastic working or only plastic working. As a specific heat treatment, it is desirable to perform an annealing treatment, a containerization treatment, a tempering treatment, or the like. As an annealing treatment, for example, 1 to 2
It is desirable to hold it for about an hour and then slowly cool it.
This treatment can reduce the hardness of the aluminum alloy obtained by casting. Solution treatment for uniformly solid solutionizing the alloying elements in the aluminum alloy is preferably carried out at a temperature of about 500 to 525°C, preferably for about 8 to 10 hours. It is preferable to carry out the reaction at a temperature of about 150 to 170°C for about 5 to 10 hours. By performing the solution treatment and tempering treatment under these conditions, a Vickers hardness of about 80 Hv to 90 Hv can be obtained. Next, plastic working will be explained. The aluminum alloy as obtained by casting or the aluminum alloy that has undergone the above heat treatment process is subjected to plastic working such as rolling, extrusion, drawing, and drawing depending on the intended use of the aluminum alloy. These plastic workings cause work hardening of the aluminum alloy. The hardness of the aluminum alloy can be controlled to 50 Hv or more and 100 Hv or less by appropriately selecting the heat treatment conditions, plastic working method, conditions, etc. described above, and repeating the heat treatment and plastic working in some cases. Reduce the size of inclusions in aluminum alloy to 10μm
For example, as a specific method to suppress the following,
In addition to using a ceramic filter with a small opening diameter when melting aluminum alloys, we take a method to fully utilize the effect of the filter under sufficient management. Specifically, when the filter becomes clogged to a certain extent, Use the lot. Further examples include measures to prevent mixing of melting furnace materials and increasing the thickness of the slag surface. The iron contained in aluminum alloys is a combination of aluminum and silicon that coexists with the Fe-Al system and Fe-Al-Si.
It forms intermetallic compounds and appears as hard spots in the aluminum matrix. In particular, these hard spots increase rapidly when the iron content increases beyond 2000 ppm, and have an adverse effect on, for example, mirror cutting. Therefore, the preferred iron content in the aluminum alloy of the present invention is 2000 ppm.
Below, it is further below 1000ppm. Furthermore, hydrogen contained in aluminum alloys causes structural abnormalities such as pores (blisters).
This may impair workability during precision machining or cause deterioration of the characteristics of electronic components obtained through precision machining. This inconvenience is caused especially when the amount of hydrogen in aluminum alloy is 1.0 per 100 grams of aluminum.
It can be solved by suppressing it to cc or less, more preferably 0.7cc or less. Iron content in aluminum alloy
As a specific method to keep it below 2000ppm, use a highly pure Al base metal as a raw material, for example,
Use products that have undergone repeated electrolytic refining. Another method is to thoroughly control each process of melting and casting. A specific method for suppressing the amount of hydrogen contained in aluminum alloy to 1.0 cc or less per 100 grams of aluminum is to blow chlorine gas into the molten metal as a degassing step when melting the Al alloy, and to Examples include a method in which the existing H 2 gas is removed as HCl, or a method in which the molten Al alloy is held in a vacuum furnace for a certain period of time, and the H 2 gas present in the alloy structure is diffused and removed into the vacuum. The precision-machined support for electrophotographic photoconductive members of the present invention made of the above-mentioned aluminum alloy exhibits sufficiently excellent desired properties, but if desired, in order to further improve the above properties, or in addition, other materials may be added. Other alloying components can also be added to impart these properties. Such alloy components (addition amount) include Mg (0.35-1.5% by weight), Cu
(0.1-0.4 wt%), Mn (0.03-0.8 wt%), Cr
(0.03-0.35 wt%), Zn (0.1-0.25 wt%), Ti
(0.1 to 0.15% by weight), etc. In the present invention, when selecting the composition of the aluminum alloy from within the above composition range, characteristics depending on the purpose of use, such as precision machinability, dimensional accuracy, mechanical strength, corrosion resistance, and heat resistance, are taken into consideration. You can select it as appropriate. The aluminum alloy used in the present invention undergoes plastic working such as rolling and extrusion, and then undergoes precision processing that involves mechanical methods such as cutting or polishing, or chemical or physical methods such as chemical etching. Depending on the purpose, heat treatment, cooking, etc. are combined as needed to shape the material into an appropriate shape depending on the purpose of use. For example, when forming a tubular component that requires strict dimensional accuracy such as an electrophotographic photoreceptor drum, a porthole extruded tube or a mandrel extruded tube obtained by ordinary extrusion processing is further cold-drawn. It is preferable to use a drawn tube obtained by Using a tube like this,
For example, when the tube surface is subjected to precision machining that involves a mechanical method such as cutting or polishing for mirror finishing, embossing, etc., or a chemical or physical method such as chemical etching, it is used in the present invention. The properties of aluminum alloys are particularly pronounced. The aluminum alloy described above is polished to a surface roughness of R nax = 1 μm or less using methods such as mirror finishing with diamond biting, cylindrical grinding, and rattan pink finishing.
Preferably, it is useful as a precisely processed support for electrophotographic photoconductive members that can be finished with a flatness of R nax =0.05 μm or less. Hereinafter, an example of the structure of an electrophotographic photoconductive member using a-Si as a photoconductive material will be described using the precision-machined support for an electrophotographic photoconductive member of the present invention made from the above-mentioned aluminum alloy. Such a photoconductive member has, for example, a structure in which a charge injection blocking layer, a photoconductive layer (photosensitive layer), and a surface protection layer are sequentially laminated on a support. The shape of the support may be any shape such as a cylinder, a belt, or a plate, but for example, in the case of continuous high-speed copying for electrophotography, it is preferably an endless belt or a cylinder. The thickness of the support is determined appropriately so that a desired photoconductive member is formed, but if flexibility is required as a photoconductive member, the thickness is determined within a range that allows the support to function adequately. If inside, it will be made as thin as possible. However, even in such cases, the thickness is usually set to 10 μm or more in view of manufacturing and handling of the support, as well as mechanical strength. The surface of the support is given a mirror finish by, for example, mirror cutting to maintain the uniformity of the photoconductive member, and digital image information using coherent monochromatic light such as a laser beam is used as the light source of the photoreceptor. When used for recording, in order to prevent interference fringes, regular or irregular patterns, such as a spiral pattern, are formed by mechanical precision processing such as diamond cutting using a lathe, milling machine, etc., or other precision processing such as chemical etching. Fine irregularities of the shape are added. The charge injection blocking layer is composed of, for example, a-Si containing hydrogen atoms and/or halogen atoms, and as a substance that controls conductivity, it is made of a group or group of the periodic table, which is usually used as an impurity in semiconductors. Contains atoms of elements belonging to group . The thickness of the charge injection blocking layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to 8 μm, and most preferably 0.07 to 5 μm. For example, Al 2 O 3 , SiO 2 ,
A barrier layer made of an electrically insulating material such as Si 3 N 4 or polycarbonate may be provided, or a charge injection blocking layer and a barrier layer may be used together. The photoconductive layer is composed of, for example, a-Si containing hydrogen atoms and halogen atoms, and optionally contains a substance controlling conductivity separate from that used in the charge injection blocking layer. The layer thickness of the photoconductive layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 80 μm, and optimally 2 to 50 μm. The surface protective layer is composed of, for example, SiC x , SiN x , etc.
The layer thickness is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably
The thickness is preferably 0.02 to 5 μm, preferably 0.04 to 5 μm. To form a photoconductive layer made of a-Si, a vacuum deposition method utilizing various conventionally known discharge phenomena such as a glow discharge method, a sputtering method, or an ion plating method is applied. Next, an example of a method for manufacturing a photoconductive member using a glow discharge decomposition method will be described. FIG. 1 shows an apparatus for manufacturing photoconductive members using a glow discharge decomposition method. The deposition tank 1 has a base plate 2
In the deposition tank 1, a cathode electrode 5 is provided, and a drum-shaped support made of an aluminum alloy having a specific composition on which an a-Si deposited film is formed. The body 6 is placed in the center of the cathode electrode 5 and also serves as an anode electrode. To form an a-Si deposited film on a drum-shaped support using this manufacturing device, first, close the raw gas inflow valve 7 and leak valve 8, open the exhaust valve 9, and exhaust the inside of the deposition tank 1. do. When the reading on the vacuum gauge 10 reaches approximately 5×10 6 Toor, open the raw material gas inlet valve 7 and turn on the mass flow controller 1.
1, adjusted to a predetermined mixing ratio, for example,
A raw material mixed gas such as SiH 4 gas, Si 2 H 6 gas, SiF 4 gas, etc. is caused to flow into the deposition tank 1 . At this time, sedimentation tank 1
Adjust the opening degree of the exhaust valve 9 while checking the reading on the vacuum gauge 10 so that the internal pressure reaches the desired value. After confirming that the surface temperature of the drum-shaped support 6 is set to a predetermined temperature by the heater 12, the high frequency power source 13 is set to a desired power to generate glow discharge in the deposition tank 1. During layer formation, the drum-shaped support 6 is moved to the motor 1 in order to make the layer shape uniform.
4 to rotate at a constant speed. In this manner, an a-Si deposited film can be formed on the drum-shaped support 6. Hereinafter, the present invention will be explained in more detail based on Examples. Examples 1 to 4, Comparative Example 1 A diamond cutting tool with a tip curvature of 0.01 (mm -1 ) was installed in a lathe with an air damper for precision cutting (manufactured by PNEUMOPRECISION INC.) at a negative angle of 5° with respect to the cylinder center angle. It was set to obtain the rake angle. Next, five types of aluminum alloys with various Si contents, various Vickers hardnesses, and various inclusion sizes shown in Table 1 were applied to the rotating shaft flange of this lathe (for components other than Si,
The Mg content is 0.4% by weight, and the Fe content is 0.4% by weight.
1000ppm or less, hydrogen content is aluminum
A cylinder made of aluminum (1.0 cc or less per 100 grams, the remainder being Al) was vacuum chucked, and while using a combination of spraying white hot water from an attached nozzle and suctioning chips from the attached vacuum nozzle, Circumferential speed 1000
(m/min), feed rate 0.01 (mm/R),
Mirror cutting was performed so that the outer diameter was 80mmφ. The mirror-finished cylinders were inspected visually and with a metallurgical microscope for surface defects (aggressive scratches, cracks, and streak-like scratches) that had occurred after mirror-finishing, and the number thereof was determined. The amount of hydrogen contained in the cylinder was determined by cutting out a part of the manufactured cylinder and using it as a sample in a laboratory.
RH- made by Equipments Corporation
Measurements were made using Model IE according to its specifications. Next, on each of these mirror-finished aluminum alloy cylinders, using the photoconductive member manufacturing apparatus shown in Figure 1, photoconductive material was applied under the following conditions according to the glow discharge decomposition method described in detail above. The member was manufactured. Lamination order of deposited film Raw material gas used Film thickness (μm) Charge injection blocking layer SiH 4 /B 2 H 6 0.6 Photoconductive layer SiH 4 20 Surface protection layer SiH 4 /C 2 H 4 0.1 Aluminum cylinder temperature: 250℃ Deposited film Deposition chamber internal pressure during formation: 0.3Torr Discharge frequency: 13.56MHz Deposited film formation rate: 20Å/sec Discharge power: 0.18W/cm 2 Each electrophotographic photoreceptor drum thus obtained was
It was installed on a Canon Inc. 400RE copying machine and printed on A-3 paper, and there were no white dot-like image defects (0.3 mm).
φ or more) was evaluated. This evaluation result is the first
Shown in the table. Furthermore, each of the electrophotographic photoreceptor drums of Examples 1 to 3 was further subjected to a durability test of 1 million sheets at 23°C/
Tests were conducted under conditions of 50% relative temperature, 30°C/90% relative humidity, and 5°C/20% relative temperature, but there was no increase in image defects, especially defects such as white spots, and the image showed good durability. It was confirmed that
【表】
[本発明の効果]
本発明におけるアルミニウム合金によれば、Si
含量とビツカース硬度を最適化しているため、精
密加工による加工性や加工製品の所望される特性
が飛躍的に向上し、また含有する介在物による影
響が抑制され、乃至は全くなくなり、これによる
精密加工の加工性の低下や加工製品の所望される
特性の劣化が抑えられるため、精密加工が必要と
される、とりわけ精密加工による正確な表面形状
が望まれる電子写真光導電部材として最適であ
る。
また、このアルミニウム合金を引抜加工して得
られる管材は、正確な表面形状並びに高い寸法精
度、高硬度が得られるため、とりわけ電子写真感
光体ドラムの支持体等精密な管状構成部材等を構
成するのに好適である。
更に、本発明におけるアルミニウム合金を支持
体として用いた光導電部材は、電気的、光学的乃
至は光導電的特性の均一性、耐久性に優れ、就
中、電子写真用として用いた場合、画像欠陥が少
なく、高品位な画像を得ることができる。[Table] [Effects of the present invention] According to the aluminum alloy of the present invention, Si
By optimizing the content and Vickers hardness, the workability of precision machining and the desired properties of processed products are dramatically improved, and the effects of inclusions are suppressed or completely eliminated, resulting in precision It is ideal for electrophotographic photoconductive members that require precision processing, and in particular, where accurate surface shapes due to precision processing are desired, since reduction in processability and deterioration of desired properties of processed products are suppressed. In addition, the tubular material obtained by drawing this aluminum alloy has an accurate surface shape, high dimensional accuracy, and high hardness, so it is particularly useful for forming precision tubular components such as supports for electrophotographic photoreceptor drums. It is suitable for Furthermore, the photoconductive member using the aluminum alloy as a support of the present invention has excellent uniformity and durability in electrical, optical, and photoconductive properties, and especially when used for electrophotography, the photoconductive member It is possible to obtain high-quality images with fewer defects.
第1図は、グロー放電分解法による光導電部材
の製造装置を示した図である。
1……堆積槽、2……ベースプレート、3……
槽壁、4……トツププレート、5……カソード電
極、6……ドラム状支持体、7……原料ガス流入
バルブ、8……リークバルブ、9……排気バル
ブ、10……真空計、11……マスフローコント
ローラ、12……加熱ヒーター、13……高周波
電源、14……モータ。
FIG. 1 is a diagram showing an apparatus for manufacturing a photoconductive member using a glow discharge decomposition method. 1... Sediment tank, 2... Base plate, 3...
Tank wall, 4... Top plate, 5... Cathode electrode, 6... Drum-shaped support, 7... Raw material gas inflow valve, 8... Leak valve, 9... Exhaust valve, 10... Vacuum gauge, 11 ... Mass flow controller, 12 ... Heater, 13 ... High frequency power supply, 14 ... Motor.
Claims (1)
部がアルミニウム及び不純物からなり、該不純物
としての水素がアルミニウム100グラムに対して
1.0c.c.以下であり、該不純物としての鉄が
2000ppm以下であり、ビツカース硬度が50Hv以
上100Hv以下である合金から製作されていること
を特徴とする電子写真光導電部材用精密加工支持
体。1 Contains 2% to 7% by weight of silicon, the remainder consists of aluminum and impurities, and the hydrogen as the impurity is per 100 grams of aluminum.
1.0cc or less, and iron as an impurity is
1. A precision-processed support for an electrophotographic photoconductive member, characterized in that it is manufactured from an alloy having a hardness of 2000 ppm or less and a Bitkers hardness of 50 Hv or more and 100 Hv or less.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27989484A JPS61159546A (en) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | Aluminum alloy for precision processing, tube materials and photoconductive materials using this |
| JP1839990A JPH02222964A (en) | 1984-12-29 | 1990-01-29 | photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27989484A JPS61159546A (en) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | Aluminum alloy for precision processing, tube materials and photoconductive materials using this |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1839990A Division JPH02222964A (en) | 1984-12-29 | 1990-01-29 | photoconductive member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159546A JPS61159546A (en) | 1986-07-19 |
| JPH0428774B2 true JPH0428774B2 (en) | 1992-05-15 |
Family
ID=17617405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27989484A Granted JPS61159546A (en) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | Aluminum alloy for precision processing, tube materials and photoconductive materials using this |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159546A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63179041A (en) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Showa Alum Corp | Aluminum alloy for cylinder having excellent surface smoothness |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58173750A (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| JPS59193463A (en) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS59228255A (en) * | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Canon Inc | Drum for supporting image bearing member |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP27989484A patent/JPS61159546A/en active Granted
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159546A (en) | 1986-07-19 |
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