JPH04288518A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPH04288518A JPH04288518A JP5285191A JP5285191A JPH04288518A JP H04288518 A JPH04288518 A JP H04288518A JP 5285191 A JP5285191 A JP 5285191A JP 5285191 A JP5285191 A JP 5285191A JP H04288518 A JPH04288518 A JP H04288518A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は動作速度が極めて速い光
変調素子に関するものである。
変調素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光変調素子と比較して光変調帯域
を大幅に広帯域化したマッハツェンダ形のＴｉ熱拡散Ｌ
ｉＮｂＯ３ （リチウムナイオベート）光変調器として
、図１および図２に示すシールド系速度整合形の光変調
器がある（河野他：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ，Ｌｅｔｔ．，ｖ
ｏｌ．２５，ｐｐ．１３８２−１３８３，１９８９）。 図１は平面図、図２はそのＡＡ′線に沿う断面図である
。
を大幅に広帯域化したマッハツェンダ形のＴｉ熱拡散Ｌ
ｉＮｂＯ３ （リチウムナイオベート）光変調器として
、図１および図２に示すシールド系速度整合形の光変調
器がある（河野他：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ，Ｌｅｔｔ．，ｖ
ｏｌ．２５，ｐｐ．１３８２−１３８３，１９８９）。 図１は平面図、図２はそのＡＡ′線に沿う断面図である
。
【０００３】この例では、電気光学効果を有するｚカッ
トＬｉＮｂＯ３ 基板１にＴｉ熱拡散によりマッハツェ
ンダ形光導波路２が形成されている。その基板１の上に
は厚さＤのＳｉＯ２ バッファ層３が形成され、さらに
そのバッファ層３の上に中心導体（中心電極）４および
アース導体（アース電極）５から構成されたコプレーナ
ウェーブガイド（ＣＰＷ）形の進行波電極が形成されて
いる。６はＣＰＷ電極４と５の間に接続された終端抵抗
、７は電極４と５に接続され、変調用マイクロ波信号を
これら電極４および５に供給する変調用マイクロ波信号
給電線（給電用同軸線）である。さらに光導波路２とＣ
ＰＷ電極４，５とが相互作用する領域の近傍にオーバー
レイ８を介してシールド導体９が配置されている。
トＬｉＮｂＯ３ 基板１にＴｉ熱拡散によりマッハツェ
ンダ形光導波路２が形成されている。その基板１の上に
は厚さＤのＳｉＯ２ バッファ層３が形成され、さらに
そのバッファ層３の上に中心導体（中心電極）４および
アース導体（アース電極）５から構成されたコプレーナ
ウェーブガイド（ＣＰＷ）形の進行波電極が形成されて
いる。６はＣＰＷ電極４と５の間に接続された終端抵抗
、７は電極４と５に接続され、変調用マイクロ波信号を
これら電極４および５に供給する変調用マイクロ波信号
給電線（給電用同軸線）である。さらに光導波路２とＣ
ＰＷ電極４，５とが相互作用する領域の近傍にオーバー
レイ８を介してシールド導体９が配置されている。
【０００４】この光変調器に変調用マイクロ波信号給電
線７から駆動電力が供給されると、この光変調器では中
心導体４とアース導体５との間に電界が加わる。ＬｉＮ
ｂＯ３ 基板１は電気光学効果を有するので、この電界
により屈折率変化を生じる。その結果、２本の光導波路
２を伝搬する光の位相にずれが生じる。このずれがπ（
ラジアン）になった場合、マッハツェンダ形光導波路２
の合波部で高次モードを励振し、光はＯＦＦ状態となる
。 この光変調器の場合、ＣＰＷ電極４および５は進行波電
極として構成されているので、このＣＰＷ電極を伝搬す
る変調用マイクロ波信号と光導波路２を伝搬する光との
間に速度の差がなければ、理想的には光変調帯域の制限
はない。
線７から駆動電力が供給されると、この光変調器では中
心導体４とアース導体５との間に電界が加わる。ＬｉＮ
ｂＯ３ 基板１は電気光学効果を有するので、この電界
により屈折率変化を生じる。その結果、２本の光導波路
２を伝搬する光の位相にずれが生じる。このずれがπ（
ラジアン）になった場合、マッハツェンダ形光導波路２
の合波部で高次モードを励振し、光はＯＦＦ状態となる
。 この光変調器の場合、ＣＰＷ電極４および５は進行波電
極として構成されているので、このＣＰＷ電極を伝搬す
る変調用マイクロ波信号と光導波路２を伝搬する光との
間に速度の差がなければ、理想的には光変調帯域の制限
はない。
【０００５】しかしながら、実際にはマイクロ波伝搬損
失の他、マイクロ波信号波と光の速度との間の差によっ
て変調帯域が制限される。信号波に対するＣＰＷ電極の
マイクロ波実効屈折率をｎｍ 、光に対する光導波路２
の実効屈折率をｎ０ とすると、３ｄＢ光変調帯域Δｆ
は１／（ｎｍ −ｎ０ ）に反比例する。但し、この比
例関係の式では、マイクロ波の伝搬損失を無視している
。従って、光変調の帯域を拡大するためには、マイクロ
波と光の実効屈折率を近付けること、すなわち、マイク
ロ波と光の速度を整合させることが不可欠である。
失の他、マイクロ波信号波と光の速度との間の差によっ
て変調帯域が制限される。信号波に対するＣＰＷ電極の
マイクロ波実効屈折率をｎｍ 、光に対する光導波路２
の実効屈折率をｎ０ とすると、３ｄＢ光変調帯域Δｆ
は１／（ｎｍ −ｎ０ ）に反比例する。但し、この比
例関係の式では、マイクロ波の伝搬損失を無視している
。従って、光変調の帯域を拡大するためには、マイクロ
波と光の実効屈折率を近付けること、すなわち、マイク
ロ波と光の速度を整合させることが不可欠である。
【０００６】そのために図１および図２の従来例の光変
調器では、バッファ層３の厚みＤを厚くし、かつシール
ド導体９を用いてマイクロ波と光との実効屈折率を近づ
け、速度整合を図っている。例えば、中心導体４の幅２
Ｗが８μｍ、中心導体４とアース導体５とのギャップ２
Ｇが１５μｍ、ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤが１．
２μｍ、オーバーレイ８の厚みが４．３μｍの場合にお
いてマイクロ波と光の速度の完全整合がとれることが確
認されている。なお、実験的には、進行波電極を構成す
る導体４および５の厚みＴは４μｍである。
調器では、バッファ層３の厚みＤを厚くし、かつシール
ド導体９を用いてマイクロ波と光との実効屈折率を近づ
け、速度整合を図っている。例えば、中心導体４の幅２
Ｗが８μｍ、中心導体４とアース導体５とのギャップ２
Ｇが１５μｍ、ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤが１．
２μｍ、オーバーレイ８の厚みが４．３μｍの場合にお
いてマイクロ波と光の速度の完全整合がとれることが確
認されている。なお、実験的には、進行波電極を構成す
る導体４および５の厚みＴは４μｍである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の構造においてマイクロ波と光速度との完全
整合をとるためには、オーバーレイ８の厚みを上記のよ
うに薄くする必要があるので、特性インピーダンスが下
がる（この場合４３Ω）、あるいはマイクロ波の伝搬損
失が増加するなどの欠点があった。さらに、これを避け
るためにＳｉＯ２バッファ層３の厚みＤを厚くすると、
駆動電圧が上昇してしまうという欠点があった。
うな従来例の構造においてマイクロ波と光速度との完全
整合をとるためには、オーバーレイ８の厚みを上記のよ
うに薄くする必要があるので、特性インピーダンスが下
がる（この場合４３Ω）、あるいはマイクロ波の伝搬損
失が増加するなどの欠点があった。さらに、これを避け
るためにＳｉＯ２バッファ層３の厚みＤを厚くすると、
駆動電圧が上昇してしまうという欠点があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、特性インピーダ
ンスが下がる、あるいはマイクロ波の伝搬損失が増加す
るなどのことがなく、低駆動電圧が低く、かつマイクロ
波と光の速度とを完全に整合させた広帯域の光変調素子
を提供することにある。
ンスが下がる、あるいはマイクロ波の伝搬損失が増加す
るなどのことがなく、低駆動電圧が低く、かつマイクロ
波と光の速度とを完全に整合させた広帯域の光変調素子
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、少なくとも一本の光導波路を備え
た電気光学効果を有する基板と、前記基板の上に形成さ
れたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進
行波電極とを備えた光変調素子において、前記進行波電
極を伝搬するマイクロ波電界強度が強い領域における前
記基板の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記
基板に形成した突起部分に前記少なくとも１本の光導波
路を配置し、かつ前記進行波電極が前記基板に接触しな
いように前記進行波電極と前記基板とを配置した構造を
有し、かつ前記進行波電極に印加されるマイクロ波の実
効屈折率が前記光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近
づくとともに、前記進行波電極の特性インピーダンスが
外部電気回路の特性インピーダンスに近づくように、前
記進行波電極の厚み、前記掘り下げの深さおよび前記バ
ッファ層の厚みを定めたことを特徴とする。
るために、本発明は、少なくとも一本の光導波路を備え
た電気光学効果を有する基板と、前記基板の上に形成さ
れたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進
行波電極とを備えた光変調素子において、前記進行波電
極を伝搬するマイクロ波電界強度が強い領域における前
記基板の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記
基板に形成した突起部分に前記少なくとも１本の光導波
路を配置し、かつ前記進行波電極が前記基板に接触しな
いように前記進行波電極と前記基板とを配置した構造を
有し、かつ前記進行波電極に印加されるマイクロ波の実
効屈折率が前記光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近
づくとともに、前記進行波電極の特性インピーダンスが
外部電気回路の特性インピーダンスに近づくように、前
記進行波電極の厚み、前記掘り下げの深さおよび前記バ
ッファ層の厚みを定めたことを特徴とする。
【００１０】ここで、前記光導波路と前記進行波電極と
が相互作用する領域の近傍にオーバーレイを介して配設
されたシールド導体を備え、かつ前記進行波電極に印加
されるマイクロ波の実効屈折率が前記光導波路を伝搬す
る光の実効屈折率に近づくとともに、前記進行波電極の
特性インピーダンスが外部電気回路の特性インピーダン
スに近づくように、前記進行波電極の厚み、前記掘り下
げの深さ、前記バッファ層の厚みおよび前記オーバーレ
イの厚みを設定することができる。
が相互作用する領域の近傍にオーバーレイを介して配設
されたシールド導体を備え、かつ前記進行波電極に印加
されるマイクロ波の実効屈折率が前記光導波路を伝搬す
る光の実効屈折率に近づくとともに、前記進行波電極の
特性インピーダンスが外部電気回路の特性インピーダン
スに近づくように、前記進行波電極の厚み、前記掘り下
げの深さ、前記バッファ層の厚みおよび前記オーバーレ
イの厚みを設定することができる。
【００１１】あるいはまた、前記基板の一部分の厚さを
少なくした掘り下げ箇所には前記バッファ層がないか、
たとえ該バッファ層があっても該バッファ層の上面の位
置を前記進行波電極の中心導体の底面の位置よりも低く
することができる。
少なくした掘り下げ箇所には前記バッファ層がないか、
たとえ該バッファ層があっても該バッファ層の上面の位
置を前記進行波電極の中心導体の底面の位置よりも低く
することができる。
【００１２】あるいはまた、前記進行波電極の中心導体
の付近に配置させられた光導波路を含む前記突起部分の
幅を、該中心導体の幅にほぼ等しいかあるいは狭くする
ことができる。
の付近に配置させられた光導波路を含む前記突起部分の
幅を、該中心導体の幅にほぼ等しいかあるいは狭くする
ことができる。
【００１３】あるいはまた、前記光導波路として方向性
結合器を用い、該方向性結合器の少なくとも一方の外側
の前記基板の部分のみを掘り下げて薄くし、２本の前記
光導波路間は掘り下げしないか、もしくは掘り下げして
も前記方向性結合器の外側の掘り下げの深さと比較して
その深さを浅くすることができる。
結合器を用い、該方向性結合器の少なくとも一方の外側
の前記基板の部分のみを掘り下げて薄くし、２本の前記
光導波路間は掘り下げしないか、もしくは掘り下げして
も前記方向性結合器の外側の掘り下げの深さと比較して
その深さを浅くすることができる。
【００１４】あるいはまた、前記基板上に掘り下げした
箇所が少なくとも２つ以上にすることができる。
箇所が少なくとも２つ以上にすることができる。
【００１５】あるいはまた、前記基板上に複数個ある掘
り下げ部分の深さの少なくとも１つを他の掘り下げ部分
の深さと異ならしめることができる。
り下げ部分の深さの少なくとも１つを他の掘り下げ部分
の深さと異ならしめることができる。
【００１６】あるいはまた、前記少なくとも１本の光導
波路のうちの少なくとも１本の光導波路を前記バッファ
層を介して前記進行波電極の中心導体の真下に配置する
ことができる。
波路のうちの少なくとも１本の光導波路を前記バッファ
層を介して前記進行波電極の中心導体の真下に配置する
ことができる。
【００１７】
【作用】本発明では、進行波電極を伝搬するマイクロ波
電界強度が強い領域における基板の一部をエッチングし
た構造にし、また進行波電極を伝搬するマイクロ波の実
効屈折率が光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近づく
ように、かつ進行波電極の特性インピーダンスが外部回
路の特性インピーダンスに近づくように、進行波電極の
厚み、エッチング（掘り下げ）の深さ、バッファ層の厚
みを定めており、またシールド導体を具備する場合には
、進行波電極を伝搬するマイクロ波の実効屈折率が光導
波路を伝搬する光の実効屈折率に近づくように、かつ進
行波電極の特性インピーダンスが外部回路の特性インピ
ーダンスに近づくように、オーバーレイの厚みも考慮し
て構造パラメータを定めており、またこれらの速度整合
構造においてエッチング層にバッファ層がないか、たと
えあっても上記バッファ層の上面の位置を進行波電極の
中心導体の底面の位置よりも低くしているので、特性イ
ンピーダンスが下がるとか、あるいはマイクロ波の伝搬
損失が増加するということはなくなり、しかも駆動電圧
が低く、かつマイクロ波と光の速度を完全に整合させる
ことができる。
電界強度が強い領域における基板の一部をエッチングし
た構造にし、また進行波電極を伝搬するマイクロ波の実
効屈折率が光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近づく
ように、かつ進行波電極の特性インピーダンスが外部回
路の特性インピーダンスに近づくように、進行波電極の
厚み、エッチング（掘り下げ）の深さ、バッファ層の厚
みを定めており、またシールド導体を具備する場合には
、進行波電極を伝搬するマイクロ波の実効屈折率が光導
波路を伝搬する光の実効屈折率に近づくように、かつ進
行波電極の特性インピーダンスが外部回路の特性インピ
ーダンスに近づくように、オーバーレイの厚みも考慮し
て構造パラメータを定めており、またこれらの速度整合
構造においてエッチング層にバッファ層がないか、たと
えあっても上記バッファ層の上面の位置を進行波電極の
中心導体の底面の位置よりも低くしているので、特性イ
ンピーダンスが下がるとか、あるいはマイクロ波の伝搬
損失が増加するということはなくなり、しかも駆動電圧
が低く、かつマイクロ波と光の速度を完全に整合させる
ことができる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１９】本発明の第１の実施例であるマッハツェン
ダ形光変調素子の平面図および横断面図を図３および図
４にそれぞれ示す。ここで、図１および図２と同様の個
所には同一符号を付す。この実施例において、基板１は
図１および図２に示した従来例と同様にｚカットＬｉＮ
ｂＯ３ 基板としているが、その従来例の構造と異なっ
て、ＣＰＷ進行波電極を構成する中心導体４およびアー
ス導体５の近傍のマイクロ波電界強度の強い領域の基板
部分を、図４に示すように、エッチングなどで掘り込ん
でリブ構造に形成している。すなわち、エッチングなど
で掘り込むことによりマイクロ波電界強度の強い領域の
基板部分を突起状になし、このようにして突起部分２Ａ
の形成された基板１の表面上に、表面が平坦になるよう
にバッファ層３を配置する。その際、この突起部分２Ａ
上に、２つの光導波路２のうちの一方をバッファ層３を
介して中心導体４の真下に配置し、他方の光導波路２を
アース導体５の真下に配置する。したがって、バッファ
層３の厚さは、アース導体５の真下およびギャップ１０
と１１の真下において厚く、アース導体５のうち光導波
路２に対応する部分の真下および中心導体４の真下にお
いて薄い。
ダ形光変調素子の平面図および横断面図を図３および図
４にそれぞれ示す。ここで、図１および図２と同様の個
所には同一符号を付す。この実施例において、基板１は
図１および図２に示した従来例と同様にｚカットＬｉＮ
ｂＯ３ 基板としているが、その従来例の構造と異なっ
て、ＣＰＷ進行波電極を構成する中心導体４およびアー
ス導体５の近傍のマイクロ波電界強度の強い領域の基板
部分を、図４に示すように、エッチングなどで掘り込ん
でリブ構造に形成している。すなわち、エッチングなど
で掘り込むことによりマイクロ波電界強度の強い領域の
基板部分を突起状になし、このようにして突起部分２Ａ
の形成された基板１の表面上に、表面が平坦になるよう
にバッファ層３を配置する。その際、この突起部分２Ａ
上に、２つの光導波路２のうちの一方をバッファ層３を
介して中心導体４の真下に配置し、他方の光導波路２を
アース導体５の真下に配置する。したがって、バッファ
層３の厚さは、アース導体５の真下およびギャップ１０
と１１の真下において厚く、アース導体５のうち光導波
路２に対応する部分の真下および中心導体４の真下にお
いて薄い。
【００２０】進行波電極４および５の厚みＴ１ を増加
したときの効果を明らかにするために、まずリブ構造が
ない、すなわち基板がエッチングされていない（Ｔ３
＝０）光変調器について考察する。図５はＣＰＷ進行波
電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ、ギャップ２Ｇを１
５μｍ、バッファ層３のＴ２ の部分の厚みを１．２μ
ｍ、エッチングの深さ（突起部２Ａの厚み）Ｔ３ を０
μｍとし、進行波電極４および５の厚みＴ１ を変数と
した時のマイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダ
ンスＺの計算結果を示している。図５から分るように、
進行波電極４および５の厚みＴ１ が厚くなるにしたが
って、マイクロ波実効屈折率ｎｍ は下がって、光の実
効屈折率ｎ０ に近づき、その厚みＴ１ が１５μｍ程
度でマイクロ波と光の完全な速度整合を実現することが
できる。ところがこの場合には、特性インピーダンスＺ
が４０Ω以下に下がってしまって、５０Ωの外部回路と
の整合性が悪くなってしまうという問題がある。
したときの効果を明らかにするために、まずリブ構造が
ない、すなわち基板がエッチングされていない（Ｔ３
＝０）光変調器について考察する。図５はＣＰＷ進行波
電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ、ギャップ２Ｇを１
５μｍ、バッファ層３のＴ２ の部分の厚みを１．２μ
ｍ、エッチングの深さ（突起部２Ａの厚み）Ｔ３ を０
μｍとし、進行波電極４および５の厚みＴ１ を変数と
した時のマイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダ
ンスＺの計算結果を示している。図５から分るように、
進行波電極４および５の厚みＴ１ が厚くなるにしたが
って、マイクロ波実効屈折率ｎｍ は下がって、光の実
効屈折率ｎ０ に近づき、その厚みＴ１ が１５μｍ程
度でマイクロ波と光の完全な速度整合を実現することが
できる。ところがこの場合には、特性インピーダンスＺ
が４０Ω以下に下がってしまって、５０Ωの外部回路と
の整合性が悪くなってしまうという問題がある。
【００２１】次に、図６には、中心導体４の幅２Ｗを８
μｍ、ギャップ２Ｇを１５μｍ、進行波電極の厚みＴ１
を４μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．２μｍと
し、エッチングによる掘り込みの深さＴ３ を変数とし
た場合のマイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダ
ンスＺの計算結果を示している。図６から分るように、
エッチングによる掘り込みの深さＴ３ が深くなると、
マイクロ波実効屈折率ｎｍ が下がるが、特性インピー
ダンスＺの方は上昇する。なお、実験的に実現する上で
困難でない深さＴ３ は２μｍから３μｍ程度の深さで
あるので、ここではＴ３ を３μｍとして考察を進める
。
μｍ、ギャップ２Ｇを１５μｍ、進行波電極の厚みＴ１
を４μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．２μｍと
し、エッチングによる掘り込みの深さＴ３ を変数とし
た場合のマイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダ
ンスＺの計算結果を示している。図６から分るように、
エッチングによる掘り込みの深さＴ３ が深くなると、
マイクロ波実効屈折率ｎｍ が下がるが、特性インピー
ダンスＺの方は上昇する。なお、実験的に実現する上で
困難でない深さＴ３ は２μｍから３μｍ程度の深さで
あるので、ここではＴ３ を３μｍとして考察を進める
。
【００２２】そこで、本発明実施例では、図４に示すよ
うに、進行波電極４および５の厚みＴ１ をある程度厚
くして、マイクロ波実効屈折率ｎｍの値を下げる一方、
その時に付随して低下する特性インピーダンスＺをリブ
構造の掘り込み深さＴ３ を２μｍ〜３μｍと深くする
ことにより上昇させ、これにより外部回路との特性イン
ピーダンスの整合を図っている。特に、リブ構造を採用
しているので、マイクロ波実効屈折率ｎｍ も低下して
おり、従ってマイクロ波と光との完全な速度整合を実現
するのに必要な進行波電極４および５の厚みＴ１ は比
較的に薄くてよい。従って、進行波電極４および５の厚
みＴ１ を厚くすることによって生じる特性インピーダ
ンスＺの低下も小さく抑えることができて、進行波電極
４および５の製作も容易となり、さらにはマイクロ波伝
搬損失の増大を抑えることができるなどの利点が得られ
る。
うに、進行波電極４および５の厚みＴ１ をある程度厚
くして、マイクロ波実効屈折率ｎｍの値を下げる一方、
その時に付随して低下する特性インピーダンスＺをリブ
構造の掘り込み深さＴ３ を２μｍ〜３μｍと深くする
ことにより上昇させ、これにより外部回路との特性イン
ピーダンスの整合を図っている。特に、リブ構造を採用
しているので、マイクロ波実効屈折率ｎｍ も低下して
おり、従ってマイクロ波と光との完全な速度整合を実現
するのに必要な進行波電極４および５の厚みＴ１ は比
較的に薄くてよい。従って、進行波電極４および５の厚
みＴ１ を厚くすることによって生じる特性インピーダ
ンスＺの低下も小さく抑えることができて、進行波電極
４および５の製作も容易となり、さらにはマイクロ波伝
搬損失の増大を抑えることができるなどの利点が得られ
る。
【００２３】これらを説明するために、本発明の第１の
実施例における計算結果を図７に示す。すなわち、図７
は進行波電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ、ギャップ
２Ｇを１５μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．２μ
ｍ、リブの突起部２Ａの厚み（エッチングの深さ）Ｔ３
を３μｍとし、進行波電極の厚みＴ１ を変数とした
マイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダンスＺを
有限要素法により算出した結果を示している。図７から
進行波電極４および５の厚みＴ１ は６μｍ程度が好ま
しいと分る。なお、リブ構造によるマイクロ波実効屈折
率ｎｍ の低減効果と特性インピーダンスＺの上昇効果
を大きくするには、エッチングにより形成されたリブ（
突起部分）２Ａの幅を進行波電極の中心導体４の幅とほ
ぼ等しくするか、あるいは狭くした方がよい。また、エ
ッチングは少なくとも進行波電極の中心導体４とアース
導体５間のギャップ１０および１１の直下に行うことが
効果的である。
実施例における計算結果を図７に示す。すなわち、図７
は進行波電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ、ギャップ
２Ｇを１５μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．２μ
ｍ、リブの突起部２Ａの厚み（エッチングの深さ）Ｔ３
を３μｍとし、進行波電極の厚みＴ１ を変数とした
マイクロ波実効屈折率ｎｍ と特性インピーダンスＺを
有限要素法により算出した結果を示している。図７から
進行波電極４および５の厚みＴ１ は６μｍ程度が好ま
しいと分る。なお、リブ構造によるマイクロ波実効屈折
率ｎｍ の低減効果と特性インピーダンスＺの上昇効果
を大きくするには、エッチングにより形成されたリブ（
突起部分）２Ａの幅を進行波電極の中心導体４の幅とほ
ぼ等しくするか、あるいは狭くした方がよい。また、エ
ッチングは少なくとも進行波電極の中心導体４とアース
導体５間のギャップ１０および１１の直下に行うことが
効果的である。
【００２４】また、図８は進行波電極の中心導体４の幅
２Ｗを８μｍ、ギャップ２Ｇを１５μｍ、進行波電極の
厚みＴ１ を４μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．
２μｍとしたときの本発明実施例における半波長電圧（
Ｖπ）と相互作用長（Ｌ）との積Ｖπ・Ｌに対するエッ
チング深さＴ３ の影響を示す。この図から分るように
、本例では深さＴ３ が３μｍ程度の時が上記積Ｖπ・
Ｌの値が最小、すなわち駆動電圧が最小となって、好ま
しい。
２Ｗを８μｍ、ギャップ２Ｇを１５μｍ、進行波電極の
厚みＴ１ を４μｍ、バッファ層３の厚みＴ２ を１．
２μｍとしたときの本発明実施例における半波長電圧（
Ｖπ）と相互作用長（Ｌ）との積Ｖπ・Ｌに対するエッ
チング深さＴ３ の影響を示す。この図から分るように
、本例では深さＴ３ が３μｍ程度の時が上記積Ｖπ・
Ｌの値が最小、すなわち駆動電圧が最小となって、好ま
しい。
【００２５】次に、本発明の第２の実施例の光変調素子
の平面図および横断面図を図９および図１０に示す。本
実施例は図３および図４に示した第１の実施例の構成に
加えてさらにシールド導体９を配置している。すなわち
、光導波路２とＣＰＷ進行波電極とが相互作用する領域
の近傍において、例えば空気などによる、誘電率の低い
オーバーレイ８を介して、シールド導体９を中心導体４
を内包するようにしてアース導体５に固着する。残余の
構成は図３および図４の第１の実施例と同様である。
の平面図および横断面図を図９および図１０に示す。本
実施例は図３および図４に示した第１の実施例の構成に
加えてさらにシールド導体９を配置している。すなわち
、光導波路２とＣＰＷ進行波電極とが相互作用する領域
の近傍において、例えば空気などによる、誘電率の低い
オーバーレイ８を介して、シールド導体９を中心導体４
を内包するようにしてアース導体５に固着する。残余の
構成は図３および図４の第１の実施例と同様である。
【００２６】シールド導体９はマイクロ波実効屈折率ｎ
ｍ を低減する効果がある。そのため、リブ構造（Ｔ３
≠０）の採用と進行波電極の厚みＴ１ を厚くするこ
とによるマイクロ波実効屈折率ｎｍ の低減効果では、
マイクロ波と光との速度の完全整合を十分にとることが
できない場合にも、シールド導体９によりこの完全整合
達成できる。また、リブ構造を採用したことにより、シ
ールド導体９がない場合のマイクロ波実効屈折率ｎｍ
をすでに低減できているので（図６参照）、シールド導
体９を用いて速度整合を図る場合に、オーバーレイ８の
厚みＨをかなり厚くできる。その結果、リブ構造を用い
たことによる特性インピーダンスの上昇効果も加わり、
シールド導体９を設けたことによる特性インピーダンス
Ｚの低下を小さくできるので、特性インピーダンスＺは
外部回路の特性インピーダンスの５０Ωに近づくととも
に、進行波電極を伝搬するマイクロ波の伝搬損失の増大
を小さくでき、広帯域な光変調を実現できる。また、こ
の実施例ではリブの深さＴ３ が比較的浅い場合にも容
易に完全な速度整合を達成できるという利点がある。
ｍ を低減する効果がある。そのため、リブ構造（Ｔ３
≠０）の採用と進行波電極の厚みＴ１ を厚くするこ
とによるマイクロ波実効屈折率ｎｍ の低減効果では、
マイクロ波と光との速度の完全整合を十分にとることが
できない場合にも、シールド導体９によりこの完全整合
達成できる。また、リブ構造を採用したことにより、シ
ールド導体９がない場合のマイクロ波実効屈折率ｎｍ
をすでに低減できているので（図６参照）、シールド導
体９を用いて速度整合を図る場合に、オーバーレイ８の
厚みＨをかなり厚くできる。その結果、リブ構造を用い
たことによる特性インピーダンスの上昇効果も加わり、
シールド導体９を設けたことによる特性インピーダンス
Ｚの低下を小さくできるので、特性インピーダンスＺは
外部回路の特性インピーダンスの５０Ωに近づくととも
に、進行波電極を伝搬するマイクロ波の伝搬損失の増大
を小さくでき、広帯域な光変調を実現できる。また、こ
の実施例ではリブの深さＴ３ が比較的浅い場合にも容
易に完全な速度整合を達成できるという利点がある。
【００２７】図１１および図１２は、図９および図１０
に示した本発明の第２の実施例について、上述の利点を
説明するために、それぞれ、マイクロ波実効屈折率ｎｍ
と特性インピーダンスＺを有限要素法により算出した
結果を示す。図中、ｎ０ は光の実効屈折率である。こ
こで、ＣＰＷ進行波電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ
、中心導体４とアース導体５の厚みＴ１ を６μｍ、ギ
ャップ２Ｇを１５μｍ、ＳｉＯ２ バッファ層３のＴ２
部分の厚みを１．２μｍとし、パラメータとしてリブ
構造の突起部２Ａの厚み（エッチング深さ）Ｔ３ を取
り、Ｔ３ ＝２μｍ、０μｍの場合についてオーバーレ
イ８の厚みＨに対する計算結果を示している。すなわち
、比較のため、リブ構造を用いた本発明の実施例（Ｔ３
＝２μｍ）とリブ構造を用いない場合（Ｔ３ ＝０μ
ｍ）について示している。
に示した本発明の第２の実施例について、上述の利点を
説明するために、それぞれ、マイクロ波実効屈折率ｎｍ
と特性インピーダンスＺを有限要素法により算出した
結果を示す。図中、ｎ０ は光の実効屈折率である。こ
こで、ＣＰＷ進行波電極の中心導体４の幅２Ｗを８μｍ
、中心導体４とアース導体５の厚みＴ１ を６μｍ、ギ
ャップ２Ｇを１５μｍ、ＳｉＯ２ バッファ層３のＴ２
部分の厚みを１．２μｍとし、パラメータとしてリブ
構造の突起部２Ａの厚み（エッチング深さ）Ｔ３ を取
り、Ｔ３ ＝２μｍ、０μｍの場合についてオーバーレ
イ８の厚みＨに対する計算結果を示している。すなわち
、比較のため、リブ構造を用いた本発明の実施例（Ｔ３
＝２μｍ）とリブ構造を用いない場合（Ｔ３ ＝０μ
ｍ）について示している。
【００２８】図１１のｎｍ の計算結果からわかるよう
に、本実施例のようなエッチングによる深さＴ３ を有
するリブ構造であれば、厚みＨの厚いオーバーレイ８で
マイクロ波と光の速度整合（ｎｍ ＝ｎ０ ）を達成で
きる。 また図１２のＺ（Ω）の計算結果からわかるように、本
実施例のようにエッチングによる深さＴ３ を有するリ
ブ構造であれば、同じ厚みのオーバーレイ８に対して特
性インピーダンスＺが上昇し、オーバーレイ８の厚みＨ
がほぼ１０μｍ程度で特性インピーダンスＺを５０Ωに
近づけさせ、外部回路との整合をとることができる。
に、本実施例のようなエッチングによる深さＴ３ を有
するリブ構造であれば、厚みＨの厚いオーバーレイ８で
マイクロ波と光の速度整合（ｎｍ ＝ｎ０ ）を達成で
きる。 また図１２のＺ（Ω）の計算結果からわかるように、本
実施例のようにエッチングによる深さＴ３ を有するリ
ブ構造であれば、同じ厚みのオーバーレイ８に対して特
性インピーダンスＺが上昇し、オーバーレイ８の厚みＨ
がほぼ１０μｍ程度で特性インピーダンスＺを５０Ωに
近づけさせ、外部回路との整合をとることができる。
【００２９】ここで、オーバーレイ８の厚みＨを厚くす
ることによって、進行波電極の中心導体４およびアース
導体５の表面からシールド導体９までの距離を長くでき
、従って、上述したようにシールド導体９に起因するマ
イクロ波伝搬損失を小さくできるという利点がある。 しかも、進行波電極の厚みＴ１ を厚くすることによっ
て、その断面積が大きくなり、低周波付近でのマイクロ
波伝搬損失を低減できる効果もある。なお、高周波では
表皮効果によりマイクロ波伝搬損失が決まるので、かか
る厚みＴ１ を厚くする必要はない。
ることによって、進行波電極の中心導体４およびアース
導体５の表面からシールド導体９までの距離を長くでき
、従って、上述したようにシールド導体９に起因するマ
イクロ波伝搬損失を小さくできるという利点がある。 しかも、進行波電極の厚みＴ１ を厚くすることによっ
て、その断面積が大きくなり、低周波付近でのマイクロ
波伝搬損失を低減できる効果もある。なお、高周波では
表皮効果によりマイクロ波伝搬損失が決まるので、かか
る厚みＴ１ を厚くする必要はない。
【００３０】図１３は本発明の第３の実施例の構成を示
す。光導波路２の近傍をエッチングした後、バッファ層
３を堆積すると、突起部２Ａとエッチング部との段差の
ために多くの場合、符号２０で示すように、進行波電極
の中心導体４とアース導体５間のギャップ部分でバッフ
ァ層３がくぼむことになる。この場合、進行波電極の中
心導体４とアース導体５との間に走っている電気力線は
くぼみ２０の部分の空気を感じることになり、そのため
マイクロ波実効屈折率ｎｍ の低減効果と特性インピー
ダンスＺの上昇効果は一層顕著になり、広帯域光変調が
可能となる。
す。光導波路２の近傍をエッチングした後、バッファ層
３を堆積すると、突起部２Ａとエッチング部との段差の
ために多くの場合、符号２０で示すように、進行波電極
の中心導体４とアース導体５間のギャップ部分でバッフ
ァ層３がくぼむことになる。この場合、進行波電極の中
心導体４とアース導体５との間に走っている電気力線は
くぼみ２０の部分の空気を感じることになり、そのため
マイクロ波実効屈折率ｎｍ の低減効果と特性インピー
ダンスＺの上昇効果は一層顕著になり、広帯域光変調が
可能となる。
【００３１】さらに、図１４は図１３に示した本発明の
第３の実施例の構成に加えて、シールド導体９を配置し
た本発明の第４の実施例を示す。なお、このくぼみ２０
は進行波電極の中心導体４やアース導体５をマスクにし
て進行波電極の上からドライエッチングあるいはウェッ
トエッチングの加工処理を行うことにより意図的に形成
することもできるし、そのくぼみ２０深さをより深くす
ることもできる。従って、図４あるいは図１０に示した
エッチング構造の素子においても、バッファ層３にくぼ
み２０を意図的に形成することも可能である。
第３の実施例の構成に加えて、シールド導体９を配置し
た本発明の第４の実施例を示す。なお、このくぼみ２０
は進行波電極の中心導体４やアース導体５をマスクにし
て進行波電極の上からドライエッチングあるいはウェッ
トエッチングの加工処理を行うことにより意図的に形成
することもできるし、そのくぼみ２０深さをより深くす
ることもできる。従って、図４あるいは図１０に示した
エッチング構造の素子においても、バッファ層３にくぼ
み２０を意図的に形成することも可能である。
【００３２】図１５は本発明の第５の実施例の構成を示
す。本実施例の光変調素子は、光導波路として一対の方
向性光導波路２５からなる方向性結合器を用いている。 また、進行波電極として、非対称コプレーナストリップ
を用いているが、これに代ってこれまでの第１〜第４の
実施例に示してきた対称なコプレーナウエーブガイド、
あるいはその中心導体４とアース導体５との２つのギャ
ップの幅を異なる値に設定した非対称コプレーナウエー
ブガイドでもよいし、これらの構成に前述のシールド導
体を加えてもよいことは言うまでもない。本実施例では
、２本の光導波路２５，２５間の光の結合が可能である
ので、光スイッチを構成することができる。
す。本実施例の光変調素子は、光導波路として一対の方
向性光導波路２５からなる方向性結合器を用いている。 また、進行波電極として、非対称コプレーナストリップ
を用いているが、これに代ってこれまでの第１〜第４の
実施例に示してきた対称なコプレーナウエーブガイド、
あるいはその中心導体４とアース導体５との２つのギャ
ップの幅を異なる値に設定した非対称コプレーナウエー
ブガイドでもよいし、これらの構成に前述のシールド導
体を加えてもよいことは言うまでもない。本実施例では
、２本の光導波路２５，２５間の光の結合が可能である
ので、光スイッチを構成することができる。
【００３３】なお、これまでの本発明の実施例の説明に
おいてはエッチング箇所が複数個ある場合に、そのエッ
チング箇所の深さを異ならしめてもよいことは勿論であ
る。
おいてはエッチング箇所が複数個ある場合に、そのエッ
チング箇所の深さを異ならしめてもよいことは勿論であ
る。
【００３４】以上の実施例では、ｚカットＬｉＮｂＯ３
基板を用いたが、ｘカットのＬｉＮｂＯ３ 基板を用
いてもよいし、電気光学効果を有するその他の基板を用
いてもよい。また、エッチングの範囲については、進行
波電極を伝搬するマイクロ波電界の強い所をエッチング
することが重要であり、マイクロ波電界強度の弱い所は
エッチングしなくてもよい。こうすることにより、エッ
チングに生じた基板表面のダメージに起因するドリフト
を小さく抑えることができる。
基板を用いたが、ｘカットのＬｉＮｂＯ３ 基板を用
いてもよいし、電気光学効果を有するその他の基板を用
いてもよい。また、エッチングの範囲については、進行
波電極を伝搬するマイクロ波電界の強い所をエッチング
することが重要であり、マイクロ波電界強度の弱い所は
エッチングしなくてもよい。こうすることにより、エッ
チングに生じた基板表面のダメージに起因するドリフト
を小さく抑えることができる。
【００３５】さらに、進行波電極としては、上述したコ
プレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）に限らず非対称コプ
レーナストリップや対象コプレーナストリップなどのそ
の他のマイクロ波電極を用いてもよいことは明白であり
、上記の実施例において進行波電極の種類を入れ換えて
もよいことは言うまでもない。
プレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）に限らず非対称コプ
レーナストリップや対象コプレーナストリップなどのそ
の他のマイクロ波電極を用いてもよいことは明白であり
、上記の実施例において進行波電極の種類を入れ換えて
もよいことは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
進行波電極を伝搬するマイクロ波電界強度が強い領域に
おける基板の一部をエッチングなどで掘り込むなどして
基板部分を突起を有する構造にし、進行波電極を伝搬す
るマイクロ波の実効屈折率が光導波路を伝搬する光の実
効屈折率に近づくように、かつ同時に進行波電極の特性
インピーダンスが外部回路の特性インピーダンスに近づ
くように、進行波電極の厚み、エッチングの深さ、バッ
ファ層の厚みを定める。また、シールド導体を具備する
構成の場合には、進行波電極を伝搬するマイクロ波の実
効屈折率が光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近づく
ように、かつ進行波電極の特性インピーダンスが外部回
路の特性インピーダンスに近づくように、オーバーレイ
の厚みも考慮して構造パラメータの値を定める。また、
これらの速度整合構造においてエッチング層にバッファ
層がないか、たとえバッファ層があってもそのバッファ
層の上面の位置を進行波電極の中心導体の底面の位置よ
りも低いくぼみにする。従って、本発明によれば、マイ
クロ波と光との完全な速度整合を実現できるとともに、
特性インピーダンスを外部回路と整合する５０Ωに近く
することが可能で、またマイクロ波の伝搬損失を小さく
抑えることができ、従って広帯域光変調が可能となる。
進行波電極を伝搬するマイクロ波電界強度が強い領域に
おける基板の一部をエッチングなどで掘り込むなどして
基板部分を突起を有する構造にし、進行波電極を伝搬す
るマイクロ波の実効屈折率が光導波路を伝搬する光の実
効屈折率に近づくように、かつ同時に進行波電極の特性
インピーダンスが外部回路の特性インピーダンスに近づ
くように、進行波電極の厚み、エッチングの深さ、バッ
ファ層の厚みを定める。また、シールド導体を具備する
構成の場合には、進行波電極を伝搬するマイクロ波の実
効屈折率が光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近づく
ように、かつ進行波電極の特性インピーダンスが外部回
路の特性インピーダンスに近づくように、オーバーレイ
の厚みも考慮して構造パラメータの値を定める。また、
これらの速度整合構造においてエッチング層にバッファ
層がないか、たとえバッファ層があってもそのバッファ
層の上面の位置を進行波電極の中心導体の底面の位置よ
りも低いくぼみにする。従って、本発明によれば、マイ
クロ波と光との完全な速度整合を実現できるとともに、
特性インピーダンスを外部回路と整合する５０Ωに近く
することが可能で、またマイクロ波の伝搬損失を小さく
抑えることができ、従って広帯域光変調が可能となる。
【図１】従来のシールド形光変調器の平面図である。
【図２】従来のシールド形光変調器の横断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施例を示す横断面図である。
【図５】進行波電極の厚みの効果を説明する図である。
【図６】エッチングの掘り込みの深さの効果を説明する
図である。
図である。
【図７】本発明の第１の実施例における進行波電極の厚
みの効果を説明する図である。
みの効果を説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施例における半波長電圧（Ｖ
π）と相互作用長（Ｌ）との積に対するエッチングの掘
り込みの深さの影響を説明する図である。
π）と相互作用長（Ｌ）との積に対するエッチングの掘
り込みの深さの影響を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施例を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施例を示す横断面図である
。
。
【図１１】本発明の第２の実施例におけるマイクロ波実
効屈折率ｎｍ に対するオーバーレイの厚みの影響を説
明する図である。
効屈折率ｎｍ に対するオーバーレイの厚みの影響を説
明する図である。
【図１２】本発明の第２の実施例における特性インピー
ダンスＺに対するオーバーレイの厚みの影響を説明する
図である。
ダンスＺに対するオーバーレイの厚みの影響を説明する
図である。
【図１３】本発明の第３の実施例を示す横断面図である
。
。
【図１４】本発明の第４の実施例を示す横断面図である
。
。
【図１５】本発明の第５の実施例を示す横断面図である
。
。
１ カットＬｉＮｂＯ３ 基板
２ Ｔｉ熱拡散マッハツェンダ形の光導波路２Ａ
突起部分 ３ ＳｉＯ２ バッファ層 ４ コプレーナウエーブガイドの中心導体５ アー
ス導体 ６ 終端抵抗 ７ 変調用マイクロ波信号給電線 ８ オーバーレイ ９ シールド導体 １０ ギャップ １１ ギャップ ２０ バッファ層に形成したくぼみ ２５ 方向性結合器形光導波路
突起部分 ３ ＳｉＯ２ バッファ層 ４ コプレーナウエーブガイドの中心導体５ アー
ス導体 ６ 終端抵抗 ７ 変調用マイクロ波信号給電線 ８ オーバーレイ ９ シールド導体 １０ ギャップ １１ ギャップ ２０ バッファ層に形成したくぼみ ２５ 方向性結合器形光導波路
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも一本の光導波路を備えた電
気光学効果を有する基板と、前記基板の上に形成された
バッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進行波
電極とを備えた光変調素子において、前記進行波電極を
伝搬するマイクロ波電界強度が強い領域における前記基
板の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記基板
に形成した突起部分に前記少なくとも１本の光導波路を
配置し、かつ前記進行波電極が前記基板に接触しないよ
うに前記進行波電極と前記基板とを配置した構造を有し
、かつ前記進行波電極に印加されるマイクロ波の実効屈
折率が前記光導波路を伝搬する光の実効屈折率に近づく
とともに、前記進行波電極の特性インピーダンスが外部
電気回路の特性インピーダンスに近づくように、前記進
行波電極の厚み、前記掘り下げの深さおよび前記バッフ
ァ層の厚みを定めたことを特徴とする光変調素子。 - 【請求項２】 前記光導波路と前記進行波電極とが相
互作用する領域の近傍にオーバーレイを介して配設され
たシールド導体を備え、かつ前記進行波電極に印加され
るマイクロ波の実効屈折率が前記光導波路を伝搬する光
の実効屈折率に近づくとともに、前記進行波電極の特性
インピーダンスが外部電気回路の特性インピーダンスに
近づくように、前記進行波電極の厚み、前記掘り下げの
深さ、前記バッファ層の厚みおよび前記オーバーレイの
厚みを設定したことを特徴とする請求項１に記載の光変
調素子。 - 【請求項３】 前記基板の一部分の厚さを少なくした
掘り下げ箇所には前記バッファ層がないか、たとえ該バ
ッファ層があっても該バッファ層の上面の位置を前記進
行波電極の中心導体の底面の位置よりも低くしたことを
特徴とする請求項１または２に記載の光変調素子。 - 【請求項４】 前記進行波電極の中心導体の付近に配
置させられた光導波路を含む前記突起部分の幅を、該中
心導体の幅にほぼ等しいかあるいは狭くしたことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかの項に記載の光変調
素子。 - 【請求項５】 前記光導波路として方向性結合器を用
い、該方向性結合器の少なくとも一方の外側の前記基板
の部分のみを掘り下げて薄くし、２本の前記光導波路間
は掘り下げしないか、もしくは掘り下げしても前記方向
性結合器の外側の掘り下げの深さと比較してその深さを
浅くしたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
の項に記載の光変調素子。 - 【請求項６】 前記基板上に掘り下げした箇所が少な
くとも２つ以上あることを特徴とする請求項１ないし５
のいずれかの項に記載の光変調素子。 - 【請求項７】 前記基板上に複数個ある掘り下げ部分
の深さの少なくとも１つを他の掘り下げ部分の深さと異
ならしめたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
かの項に記載の光変調素子。 - 【請求項８】 前記少なくとも１本の光導波路のうち
の少なくとも１本の光導波路を前記バッファ層を介して
前記進行波電極の中心導体の真下に配置したことを特徴
とする請求項１ないし７に記載の光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3052851A JP2728150B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3052851A JP2728150B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 光変調素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288518A true JPH04288518A (ja) | 1992-10-13 |
| JP2728150B2 JP2728150B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=12926356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3052851A Expired - Lifetime JP2728150B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2728150B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0798442A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-04-11 | Nec Corp | 導波路型光デバイス |
| JPH0923107A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シールド型コプレーナガイド伝送線路 |
| US5790719A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical control device |
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