JPH04288832A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH04288832A
JPH04288832A JP7841491A JP7841491A JPH04288832A JP H04288832 A JPH04288832 A JP H04288832A JP 7841491 A JP7841491 A JP 7841491A JP 7841491 A JP7841491 A JP 7841491A JP H04288832 A JPH04288832 A JP H04288832A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
processing chamber
wafer processing
opening
closing
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JP7841491A
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Ryoichi Watanabe
亮一 渡邉
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NEC Yamagata Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特に半導体ウェーハに薬液をシャワー状に噴出
してエッチングを行う枚葉式エッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の枚葉式エッチング装置は図3に示
すように、回転部4に吸着された半導体ウェーハ3を半
導体ウェーハ処理室2内で回転させ、シャワーノズル1
より薬液をシャワー状に噴出し、その噴出薬液5で半導
体ウェーハ3のエッチングを行う構造になっている。
【0003】この際、半導体ウェーハ処理室2の排気は
、半導体ウェーハ処理室2の側面の排気パイプ6から行
っている。また、排気量は、半導体ウェーハ処理室2と
手動ダンパ14を結ぶ排気配管13に設けた静止排気測
定器15を目視により観測し、適正規格範囲外の場合に
、手動にて手動ダンパ14を開閉し調節している。図4
は、従来技術の一連の動作を示すフローチャート図であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉式エッ
チング装置では、エッチング中に排気の元圧が変動する
と、半導体ウェーハ処理室の排気量も同様に変動し、エ
ッチング速度がばらついてしまい、その結果、エッチン
グパターン寸法のばらつきを生じてしまうという問題が
あった。
【0005】半導体ウェーハのパターン寸法がばらつい
てパターン異常になると、半導体装置の歩留低下や信頼
性低下に影響を及ぼす。
【0006】近年、半導体装置の微細化に伴い、半導体
ウェーハ面内,半導体ウェーハ間のパターン寸法の均一
性向上は、半導体装置の品質に大きく寄与するところと
なった。
【0007】本発明の目的は、半導体ウェーハ処理室内
での排気量の変動を抑えた半導体装置の製造装置を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、測定
機構と、開閉機構と、制御機構とを有し、半導体ウェー
ハに薬液をシャワー状に噴出させてエッチング処理を行
う半導体装置の製造装置であって、測定機構は、半導体
ウェーハ処理室の排気風速を測定する機構であり、開閉
機構は、排気配管の開閉度を調節する機構であり、制御
機構は、前記排気風速値から任意の数値に前記配管の開
閉度を制御する機構である。
【0009】
【作用】半導体ウェーハ処理室の排気風速を測定し、前
記排気風速値から任意の数値に、排気配管の開閉度を調
節する機構と、半導体ウェーハ処理室の排気配管の開閉
度を制御するものである。
【0010】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は、本発明の一実施例を示す断面模式図である。 図において、1はシャワーノズル、2は半導体ウェーハ
処理室、3は、半導体ウェーハ、4は回転部、6は排気
パイプ。13は排気配管、12はオートダンパである。 さらに、本発明は、風速センサ7と、基準入力部8と、
制御部9と、モータ駆動部10と、ステップモータ11
とを有する。
【0011】半導体ウェーハ3を半導体ウェーハ処理室
2の回転部4へ搬入し、シャワーノズル1からの噴出薬
液5にてウェーハ3のエッチング処理を行う。
【0012】一方、半導体ウェーハ処理室2内は、排気
パイプ6より排気する。その際、半導体ウェーハ処理室
2内の排気風速を、半導体ウェーハ処理室2の側面に設
置した風速センサで測定し、風速センサ7による風速測
定値と、基準入力部8により予め設定した設定値とを制
御部9により比較し、ある偏差値に達すると制御部9は
、モータ駆動部10に出力信号を発信する。
【0013】モータ駆動部10は、ステップモータ11
を駆動させ、排気配管13に設けたオートダンパ12の
開閉度を自動的に調節する。
【0014】エッチング終了後、半導体ウェーハ3は、
回転部4から搬出される。以上の動作が順次繰り返され
る。
【0015】図2は、実施例における一連の動作を示す
フローチャート図である。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハ処理室の排気風速値を測定し、最適とされる排気
風速になるようにダンパを自動的に開閉するため、排気
量を一定に保持することが可能となり、排気量の変動に
よるエッチング速度のばらつきの低減が実現できるとい
う効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面模式図である。
【図2】本発明の一実施例における一連の動作を示すフ
ローチャート図である。
【図3】従来例を示す断面模式図である。
【図4】従来例の動作を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
1  シャワーノズル 2  半導体ウェーハ処理室 3  半導体ウェーハ 4  回転部 5  噴出薬液 6  排気パイプ 7  風速センサ 8  基準入力部 9  制御部 10  モータ駆動部 11  ステップモータ 12  オートダンパ 13  排気配管 14  手動ダンパ 15  静止排気測定器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  測定機構と、開閉機構と、制御機構と
    を有し、半導体ウェーハに薬液をシャワー状に噴出させ
    てエッチング処理を行う半導体装置の製造装置であって
    、測定機構は、半導体ウェーハ処理室の排気風速を測定
    する機構であり、開閉機構は、排気配管の開閉度を調節
    する機構であり、制御機構は、前記排気風速値から任意
    の数値に前記配管の開閉度を制御する機構であることを
    特徴とする半導体装置の製造装置。
JP3078414A 1991-03-18 1991-03-18 半導体装置の製造装置 Expired - Fee Related JP2901364B2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171819A (ja) * 1982-04-01 1983-10-08 Toshiba Corp 半導体処理装置
JPS614576A (ja) * 1984-06-15 1986-01-10 Hoya Corp スプレ−方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171819A (ja) * 1982-04-01 1983-10-08 Toshiba Corp 半導体処理装置
JPS614576A (ja) * 1984-06-15 1986-01-10 Hoya Corp スプレ−方法

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