JPH04290220A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH04290220A JPH04290220A JP5299391A JP5299391A JPH04290220A JP H04290220 A JPH04290220 A JP H04290220A JP 5299391 A JP5299391 A JP 5299391A JP 5299391 A JP5299391 A JP 5299391A JP H04290220 A JPH04290220 A JP H04290220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- duct
- injector head
- exhaust pressure
- wafer
- normal pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は常圧ＣＶＤ装置に関し、
特に未反応ガスを排気するダクトを備えた常圧ＣＶＤ装
置に関する。
特に未反応ガスを排気するダクトを備えた常圧ＣＶＤ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置は、図３の断面図
に示すように、ウェハー１をウェハー搬送機２上に乗せ
てヒーター３の上方を搬送させ、ウェハー搬送機２上の
ウェハー１が、ダクト４で囲まれたインジェクターヘッ
ド５の下を通過する際、インジェクターヘッド５から反
応ガスをウェハー１に向けて吹き付け、ウェハー１上に
ＣＶＤ膜を形成し、成膜に使用されなかった未反応ガス
６は、外部の空気流７とともにダクト４より外部に排気
されていた。このダクト４は、インジェクターヘッド５
の両側面に１対ずつ設けられ、両側のダクト４の排気圧
力は、両側同時に１箇所のバタフライバルブ８により制
御されていた。
に示すように、ウェハー１をウェハー搬送機２上に乗せ
てヒーター３の上方を搬送させ、ウェハー搬送機２上の
ウェハー１が、ダクト４で囲まれたインジェクターヘッ
ド５の下を通過する際、インジェクターヘッド５から反
応ガスをウェハー１に向けて吹き付け、ウェハー１上に
ＣＶＤ膜を形成し、成膜に使用されなかった未反応ガス
６は、外部の空気流７とともにダクト４より外部に排気
されていた。このダクト４は、インジェクターヘッド５
の両側面に１対ずつ設けられ、両側のダクト４の排気圧
力は、両側同時に１箇所のバタフライバルブ８により制
御されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧Ｃ
ＶＤ装置を用いて成膜させた場合、インジェクターヘッ
ド５の下方より吹き出た反応ガスは、ウェハー１の表面
に接触し反応するが、一部の反応ガスは未反応のまま、
未反応ガス６としてダクト４に吸い込まれる。また、外
気より大量の空気流７も吸い込まれ、ダクト４内で合流
して反応し合い、反応生成物９となり、ダクト４の内壁
に付着する。その付着の具合いは、インジェクターヘッ
ド５の両側面のそれぞれのダクト４で不均一なため、単
一のバタフライバルブ８による制御では十分な制御が不
可能であり、さらに、インジェクーターヘッド５の下方
より吹き出る反応ガスと外気との間を、単一のダクト４
で仕切っているため、外気の圧力変動を受けやすくなり
、ダクト４の排気圧制御が外乱に追従出来なくなる。 その結果、成膜された膜厚の不均一やドーピング濃度の
不均一を招くという問題点があった。
ＶＤ装置を用いて成膜させた場合、インジェクターヘッ
ド５の下方より吹き出た反応ガスは、ウェハー１の表面
に接触し反応するが、一部の反応ガスは未反応のまま、
未反応ガス６としてダクト４に吸い込まれる。また、外
気より大量の空気流７も吸い込まれ、ダクト４内で合流
して反応し合い、反応生成物９となり、ダクト４の内壁
に付着する。その付着の具合いは、インジェクターヘッ
ド５の両側面のそれぞれのダクト４で不均一なため、単
一のバタフライバルブ８による制御では十分な制御が不
可能であり、さらに、インジェクーターヘッド５の下方
より吹き出る反応ガスと外気との間を、単一のダクト４
で仕切っているため、外気の圧力変動を受けやすくなり
、ダクト４の排気圧制御が外乱に追従出来なくなる。 その結果、成膜された膜厚の不均一やドーピング濃度の
不均一を招くという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
は、インジェクターヘッドの両側面にそれぞれ複数の並
列したダクトと、その個々のダクトの排気圧力を独立に
制御する排気圧制御装置とを備えている。
は、インジェクターヘッドの両側面にそれぞれ複数の並
列したダクトと、その個々のダクトの排気圧力を独立に
制御する排気圧制御装置とを備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の第１の実施例の常圧ＣＶＤ装置のイン
ジェクターヘッド５及びダクト４近傍の断面図である。 ウェハー搬送機２上のウェハー１は、インジェクターヘ
ッド５の下方に来ると、ヒーター３で加熱されつつイン
ジェクターヘッド５より反応ガスを吹き付けられ、ＣＶ
Ｄ膜を成膜する。その際、未反応ガス６は外部の空気流
７とともにダクト４で排気される。ダクト４はインジェ
クターヘッド５の両側面にそれぞれ複数個並列配置され
ており、個々のダクト４内部の反応生成物９の付着具合
いにより、それぞれ独立にバタフライバルブ８を作動さ
せ、あらかじめ設定された排気圧力を保つ。また、隣り
合ったダクト４同士はその排気圧力設定を少しずつずら
し、外部、すなわち大気側へ行く程、排気圧力を大気圧
に近づけ、インジェクターヘッド５下部と外部との圧力
勾配を小さくしてある。これらの排気圧力の設定は、バ
タフライバルブ８を含む排気圧力制御装置により行ない
、その操作は手動でもよいし、また自動制御も可能であ
る。従って、常に一定の成膜時排気圧力を得ることがで
き、長期に渡るＣＶＤ膜の膜厚均一性、ドーピング濃度
均一性が得られ、さらに、何らかの外乱により、インジ
ェクターヘッド５及びダクト４付近の圧力に異常が出た
場合も、その影響を複数のダクト４により大幅に緩衝で
きる。
。図１は本発明の第１の実施例の常圧ＣＶＤ装置のイン
ジェクターヘッド５及びダクト４近傍の断面図である。 ウェハー搬送機２上のウェハー１は、インジェクターヘ
ッド５の下方に来ると、ヒーター３で加熱されつつイン
ジェクターヘッド５より反応ガスを吹き付けられ、ＣＶ
Ｄ膜を成膜する。その際、未反応ガス６は外部の空気流
７とともにダクト４で排気される。ダクト４はインジェ
クターヘッド５の両側面にそれぞれ複数個並列配置され
ており、個々のダクト４内部の反応生成物９の付着具合
いにより、それぞれ独立にバタフライバルブ８を作動さ
せ、あらかじめ設定された排気圧力を保つ。また、隣り
合ったダクト４同士はその排気圧力設定を少しずつずら
し、外部、すなわち大気側へ行く程、排気圧力を大気圧
に近づけ、インジェクターヘッド５下部と外部との圧力
勾配を小さくしてある。これらの排気圧力の設定は、バ
タフライバルブ８を含む排気圧力制御装置により行ない
、その操作は手動でもよいし、また自動制御も可能であ
る。従って、常に一定の成膜時排気圧力を得ることがで
き、長期に渡るＣＶＤ膜の膜厚均一性、ドーピング濃度
均一性が得られ、さらに、何らかの外乱により、インジ
ェクターヘッド５及びダクト４付近の圧力に異常が出た
場合も、その影響を複数のダクト４により大幅に緩衝で
きる。
【０００６】図２は本発明の第２の実施例のインジェク
ターヘッド５及びダクト４近傍の断面図である。本実施
例では、バタフライバルブ８の代りに窒素導入口１０を
ダクト４の壁面に設け、圧力制御された窒素ガスを導入
することによりダクト４の排気圧力を制御するものであ
る。この場合、バタフライバルブ等の排気圧制御装置そ
のものに反応生成物９が付着して、その動作精度が低下
することが無いという利点がある。
ターヘッド５及びダクト４近傍の断面図である。本実施
例では、バタフライバルブ８の代りに窒素導入口１０を
ダクト４の壁面に設け、圧力制御された窒素ガスを導入
することによりダクト４の排気圧力を制御するものであ
る。この場合、バタフライバルブ等の排気圧制御装置そ
のものに反応生成物９が付着して、その動作精度が低下
することが無いという利点がある。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インジェ
クターヘッドの両側面に、それぞれ複数の並列したダク
トと、その個々のダクトの排気圧力を独立に制御できる
排気圧制御装置とを有するため、個々のダクトの内壁の
反応生成物の付着具合によらず、ＣＶＤ膜成膜時に常に
一定の排気圧力を得ることができ、長期に渡るＣＶＤ膜
の膜厚均一性、及びドーピング濃度均一性が得られる。 さらに、外部すなわち大気側とインジェクター下部との
圧力勾配を小さくすることが可能となり、外部圧力の異
常の影響を大幅に緩衝できるという効果を有する。
クターヘッドの両側面に、それぞれ複数の並列したダク
トと、その個々のダクトの排気圧力を独立に制御できる
排気圧制御装置とを有するため、個々のダクトの内壁の
反応生成物の付着具合によらず、ＣＶＤ膜成膜時に常に
一定の排気圧力を得ることができ、長期に渡るＣＶＤ膜
の膜厚均一性、及びドーピング濃度均一性が得られる。 さらに、外部すなわち大気側とインジェクター下部との
圧力勾配を小さくすることが可能となり、外部圧力の異
常の影響を大幅に緩衝できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例のインジェクターヘッド
及びダクト近傍の断面図である。
及びダクト近傍の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例のインジェクターヘッド
及びダクト近傍の断面図である。
及びダクト近傍の断面図である。
【図３】従来の常圧ＣＶＤ装置のインジェクターヘッド
及びダクト近傍の断面図である。
及びダクト近傍の断面図である。
１ ウェハー
２ ウェハー搬送機
３ ヒーター
４ ダクト
５ インジェクターヘッド
６ 未反応ガス
７ 空気流
８ バタフライバルブ
９ 反応生成物
１０ 窒素導入口
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハーを搬送する搬送機と、搬送機
により搬送されるウェハーを加熱するヒーターと、搬送
機上のウェハーに反応ガスを吹き付けるインジェクター
ヘッドとを有する常圧ＣＶＤ装置において、前記インジ
ェクターヘッドの両側面に、それぞれ並列した複数のダ
クトと、その個々のダクトの排気圧力を独立に制御する
排気圧制御装置とを備えることを特徴とする常圧ＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299391A JPH04290220A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299391A JPH04290220A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290220A true JPH04290220A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12930454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5299391A Pending JPH04290220A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005501428A (ja) * | 2001-08-24 | 2005-01-13 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 内圧制御システム及び方法を有する大気圧ウェーハ処理反応器 |
| JP2010121195A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ｃｖｄ製膜装置および製膜方法 |
| JP2020524914A (ja) * | 2017-07-21 | 2020-08-20 | 江蘇魯▲もん▼儀器有限公司Ｊｉａｎｇｓｕ Ｌｅｕｖｅｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｍｅｎｔｓ Ｃｏ． Ｌｔｄ | 内外圧力差を調整可能な気相腐食キャビティ及びそれを用いる気相腐食方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5299391A patent/JPH04290220A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005501428A (ja) * | 2001-08-24 | 2005-01-13 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 内圧制御システム及び方法を有する大気圧ウェーハ処理反応器 |
| JP2010121195A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ｃｖｄ製膜装置および製膜方法 |
| JP2020524914A (ja) * | 2017-07-21 | 2020-08-20 | 江蘇魯▲もん▼儀器有限公司Ｊｉａｎｇｓｕ Ｌｅｕｖｅｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｍｅｎｔｓ Ｃｏ． Ｌｔｄ | 内外圧力差を調整可能な気相腐食キャビティ及びそれを用いる気相腐食方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991109 |