JPH04290230A - シリコン酸化膜のエッチング方法 - Google Patents
シリコン酸化膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH04290230A JPH04290230A JP5291791A JP5291791A JPH04290230A JP H04290230 A JPH04290230 A JP H04290230A JP 5291791 A JP5291791 A JP 5291791A JP 5291791 A JP5291791 A JP 5291791A JP H04290230 A JPH04290230 A JP H04290230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- oxide film
- silicon oxide
- hydrofluoric acid
- etching operation
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路製造工
程に於いて行なわれるシリコン酸化膜のエッチング方法
に関するものである。
程に於いて行なわれるシリコン酸化膜のエッチング方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路製造工程に於いて、シリ
コン酸化膜のウェットエッチングは、一般に、希フッ酸
（ＨＦ）や、バッファフッ酸（ＮＨ４Ｆ／ＨＦ／Ｈ２Ｏ
）が使用されている。希フッ酸のエッチングレートは、
１００Å／ｍｉｎ（３％の場合）程度であり、主に薄い
酸化膜のエッチングに用いられるのに対し、バッファフ
ッ酸のエッチングレートは、１０００Å／ｍｉｎ程度で
、主に厚い酸化膜のエッチングに用いられている。
コン酸化膜のウェットエッチングは、一般に、希フッ酸
（ＨＦ）や、バッファフッ酸（ＮＨ４Ｆ／ＨＦ／Ｈ２Ｏ
）が使用されている。希フッ酸のエッチングレートは、
１００Å／ｍｉｎ（３％の場合）程度であり、主に薄い
酸化膜のエッチングに用いられるのに対し、バッファフ
ッ酸のエッチングレートは、１０００Å／ｍｉｎ程度で
、主に厚い酸化膜のエッチングに用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】バッファフッ酸を用い
て、コンタクトホール部のシリコン酸化膜のエッチング
を行うと、反応生成物として（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が形
成され、シリコン酸化膜上に析出し、エッチング反応が
抑制されて、エッチングが均一に進まない（図２）。本
発明の目的は、コンタクトホール等の微細孔部分のシリ
コン酸化膜エッチングをバッファフッ酸で行う場合のエ
ッチング均一性を向上させる方法を提供することにある
。
て、コンタクトホール部のシリコン酸化膜のエッチング
を行うと、反応生成物として（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が形
成され、シリコン酸化膜上に析出し、エッチング反応が
抑制されて、エッチングが均一に進まない（図２）。本
発明の目的は、コンタクトホール等の微細孔部分のシリ
コン酸化膜エッチングをバッファフッ酸で行う場合のエ
ッチング均一性を向上させる方法を提供することにある
。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めの本発明の方法は、バッファフッ酸でシリコン酸化膜
をエッチングする際に、エッチングの途中に水洗を入れ
て、エッチングを複数回に分割して行うことを特徴とす
るものである。
めの本発明の方法は、バッファフッ酸でシリコン酸化膜
をエッチングする際に、エッチングの途中に水洗を入れ
て、エッチングを複数回に分割して行うことを特徴とす
るものである。
【０００５】
【作用】バッファフッ酸のエッチングの途中の水洗によ
って、基板に付着しているバッファフッ酸との反応生成
物が洗い流されるために、反応生成物の析出による酸化
膜エッチングの抑制を防ぐことができ、エッチングが均
一に行われる。
って、基板に付着しているバッファフッ酸との反応生成
物が洗い流されるために、反応生成物の析出による酸化
膜エッチングの抑制を防ぐことができ、エッチングが均
一に行われる。
【０００６】
【実施例】シリコン酸化膜上にレジストを塗布し、直径
０．８μｍのホールを多数形成し、バッファフッ酸（Ｎ
Ｈ４Ｆ ３７％，ＨＦ ５％）を用いて、次の２通
りの方法で酸化膜のエッチングを行った。
０．８μｍのホールを多数形成し、バッファフッ酸（Ｎ
Ｈ４Ｆ ３７％，ＨＦ ５％）を用いて、次の２通
りの方法で酸化膜のエッチングを行った。
【０００７】
（ａ）バッファフッ酸に１分浸漬→水洗→乾燥
（ｂ）バッファフッ酸に３０秒浸漬→水洗→バッファフ
ッ酸に３０秒浸漬
→水洗→乾燥この
後、硫酸と過酸化水素の混合液でレジストの除去を行い
、シリコン酸化膜表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測
定して、酸化膜エッチングが途中で止まっている割合を
調べたところ、（ａ）の場合１７％，（ｂ）の場合７％
の結果が得られ、バッファフッ酸によるエッチングを分
割して行うことによる均一性の向上が確認された（図１
）。
（ｂ）バッファフッ酸に３０秒浸漬→水洗→バッファフ
ッ酸に３０秒浸漬
→水洗→乾燥この
後、硫酸と過酸化水素の混合液でレジストの除去を行い
、シリコン酸化膜表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測
定して、酸化膜エッチングが途中で止まっている割合を
調べたところ、（ａ）の場合１７％，（ｂ）の場合７％
の結果が得られ、バッファフッ酸によるエッチングを分
割して行うことによる均一性の向上が確認された（図１
）。
【０００８】なお、エッチング分割回数は２回に限られ
るものではないことは言うまでもない。
るものではないことは言うまでもない。
【０００９】
【発明の効果】本発明のシリコン酸化膜エッチング方法
によれば、バッファフッ酸を用いた酸化膜エッチングの
均一性を向上させることが可能になる。
によれば、バッファフッ酸を用いた酸化膜エッチングの
均一性を向上させることが可能になる。
【図１】エッチング均一性の従来方法と本発明の方法と
の比較を示す図である。
の比較を示す図である。
【図２】レジストをマスクにしたコンタクトホール部分
の酸化膜エッチングの様子を示す図である。
の酸化膜エッチングの様子を示す図である。
１０１ シリコン基板
１０２ シリコン酸化膜
１０３ レジスト
１０４ 正常なエッチング部分
Claims (1)
- 【請求項１】 バッファフッ酸を用いたシリコン酸化
膜のエッチング方法において、エッチングの途中に水洗
を行い、エッチングを複数回に分割して行うことを特徴
とする、シリコン酸化膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291791A JPH04290230A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291791A JPH04290230A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290230A true JPH04290230A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12928183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5291791A Pending JPH04290230A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012038816A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012201554A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 分離方法および分離装置 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5291791A patent/JPH04290230A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012038816A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012201554A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 分離方法および分離装置 |
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