JPH01196129A - 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 - Google Patents
半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法Info
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- JPH01196129A JPH01196129A JP2149388A JP2149388A JPH01196129A JP H01196129 A JPH01196129 A JP H01196129A JP 2149388 A JP2149388 A JP 2149388A JP 2149388 A JP2149388 A JP 2149388A JP H01196129 A JPH01196129 A JP H01196129A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法
に関する。
に関する。
一般に、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハからＩＣ
等の半導体デバイスを作る間には、半導体ウェーハに対
する熱酸化膜の形成か何回も繰り返して行われる。
等の半導体デバイスを作る間には、半導体ウェーハに対
する熱酸化膜の形成か何回も繰り返して行われる。
従来、半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハの表面
に熱酸化膜を形成するには、シリコンウェーハを耐熱性
の材料でできた処理用治具（ボート）に搭載して電気炉
中の炉心管内に納置し、熱酸化処理することにより行わ
れる。
に熱酸化膜を形成するには、シリコンウェーハを耐熱性
の材料でできた処理用治具（ボート）に搭載して電気炉
中の炉心管内に納置し、熱酸化処理することにより行わ
れる。
膜厚の制御は、雰囲気の種類や温度によって計算した上
で行われ、熱酸化膜が所望の膜厚に達したら、炉内から
引き出され、シリコンウェーハの温度を室温まで下げた
後、直接にあるいは簡単な洗浄処理を施してから次工程
へと進められる。
で行われ、熱酸化膜が所望の膜厚に達したら、炉内から
引き出され、シリコンウェーハの温度を室温まで下げた
後、直接にあるいは簡単な洗浄処理を施してから次工程
へと進められる。
しかしなから、上記従来の熱酸化膜の形成方法によれば
、炉心管内外の環境、半導体ウェーハの炉内への出し入
れなどの操作などによって半導体ウェーハ１には、第４
図に示すように、微小なダスト２が４７１着し易く、ダ
スト２が付着した状態で熱酸化処理により熱酸化膜３か
形成されると、ダスト２が半導体ウェーハ１上に強固に
結合し、いわゆる「焼き付いた」状態になってしまい、
容易に除去できなくなる。
、炉心管内外の環境、半導体ウェーハの炉内への出し入
れなどの操作などによって半導体ウェーハ１には、第４
図に示すように、微小なダスト２が４７１着し易く、ダ
スト２が付着した状態で熱酸化処理により熱酸化膜３か
形成されると、ダスト２が半導体ウェーハ１上に強固に
結合し、いわゆる「焼き付いた」状態になってしまい、
容易に除去できなくなる。
又、半導体ウェーハ１上のダスト２は、後工程に悪影響
を与え、リソグラフィ工程のマスク合わせ時などに問題
が生じたり、形成されるデバイスの特性や品質か劣化す
る。
を与え、リソグラフィ工程のマスク合わせ時などに問題
が生じたり、形成されるデバイスの特性や品質か劣化す
る。
そこで、本発明は、熱酸化膜を清浄とし得る半導体ウェ
ーハに対する熱酸化膜の形成方法の提供を目的とするも
のである。
ーハに対する熱酸化膜の形成方法の提供を目的とするも
のである。
前記課題を解決するため、本発明は、半導体ウェーハの
熱酸化処理に際し、熱酸化膜を所望の膜厚よりも厚く形
成した後、エツチングにより所望の膜厚まで熱酸化膜の
表面を除去し、その後熱酸化膜の表面をエツチング性の
ない薬液で洗浄する方法である。
熱酸化処理に際し、熱酸化膜を所望の膜厚よりも厚く形
成した後、エツチングにより所望の膜厚まで熱酸化膜の
表面を除去し、その後熱酸化膜の表面をエツチング性の
ない薬液で洗浄する方法である。
上記手段によれば、比較的大きなダストがエツチングに
より除去され、比較的小さなダストが薬液での洗浄によ
り除去される。
より除去され、比較的小さなダストが薬液での洗浄によ
り除去される。
エツチングは、熱酸化膜をエツチングする能力のある清
浄な溶液に浸漬して行う。
浄な溶液に浸漬して行う。
洗浄に用いる薬液としては、塩酸−過酸化水素水−水、
アンモニア水−過酸化水素水−水、硫酸−過酸化水素水
などのどｈ浄な溶液か用いられる。
アンモニア水−過酸化水素水−水、硫酸−過酸化水素水
などのどｈ浄な溶液か用いられる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図と共に説明す
る。
る。
シリコンウェーハ１０の熱酸化処理に際し、まず、第１
図に示すように、熱酸化膜（シリコン酸化膜）１１を所
望の膜厚より厚く形成し、ついて、熱酸化膜１１をエツ
チングする能力のあるフッ化物イオンを含む清浄な溶液
にシリコンウェーハ１０を浸漬し、第２図に示すように
、熱酸化膜］ｌの表面をエツチングして所望の膜厚とし
た。このエツチングにより熱酸化膜１１の表面に固着し
たダスト１２が概ね除去された。
図に示すように、熱酸化膜（シリコン酸化膜）１１を所
望の膜厚より厚く形成し、ついて、熱酸化膜１１をエツ
チングする能力のあるフッ化物イオンを含む清浄な溶液
にシリコンウェーハ１０を浸漬し、第２図に示すように
、熱酸化膜］ｌの表面をエツチングして所望の膜厚とし
た。このエツチングにより熱酸化膜１１の表面に固着し
たダスト１２が概ね除去された。
その後、シリコンウェーハ１０を取り出して水洗などで
エッチャントをシリコンウェーハ１０の表面から取り除
き、次に熱酸化膜ｊ１のエツチング能力のない清浄な薬
液、例えば塩酸−過酸化水素水−水、アンモニア水−過
酸化酸素水−水、硫酸−過−３＝ 酸化水素水などで洗浄し、第３図に示すように、比較的
小さなダスト】２を除去してから次工程へ進める。
エッチャントをシリコンウェーハ１０の表面から取り除
き、次に熱酸化膜ｊ１のエツチング能力のない清浄な薬
液、例えば塩酸−過酸化水素水−水、アンモニア水−過
酸化酸素水−水、硫酸−過−３＝ 酸化水素水などで洗浄し、第３図に示すように、比較的
小さなダスト】２を除去してから次工程へ進める。
ここで、熱酸化処理後における未処理のシリコンウェー
ハＡ１エツチング処理のみのシリコンウェーハＡ１エツ
チング処理と薬液洗浄処理を行ったシリコンウェーハＣ
のダスト数を比較したところ表−１のようになった。
ハＡ１エツチング処理のみのシリコンウェーハＡ１エツ
チング処理と薬液洗浄処理を行ったシリコンウェーハＣ
のダスト数を比較したところ表−１のようになった。
表 −１
なお、ダスト数は、シリコンウェーハ５０枚（直径１’
００ｍｍ）の平均値で、専用のダストカウンターにより
測定した。
００ｍｍ）の平均値で、専用のダストカウンターにより
測定した。
したがって、エツチング処理のみでは、比較的大きなダ
ストの除去には効果があるものの、比較的小さなダスト
の除去には余り効果がなく、エラ一 ４ − チング処理と薬液洗浄処理を行った場合は、比較的小さ
なダストの除去にも効果かあられれており、より清浄な
熱酸化膜面が得られることかわかった。
ストの除去には効果があるものの、比較的小さなダスト
の除去には余り効果がなく、エラ一 ４ − チング処理と薬液洗浄処理を行った場合は、比較的小さ
なダストの除去にも効果かあられれており、より清浄な
熱酸化膜面が得られることかわかった。
これとは別に、エツチング処理を行わず、洗浄のみを行
った場合は、ダスト量にさほど大きな変動は見られず、
効果か小さいことも確認された。
った場合は、ダスト量にさほど大きな変動は見られず、
効果か小さいことも確認された。
なお、上記実施例は、シリコンウェーハに対する熱酸化
膜の形成方法について述べたが、これに限定されるもの
ではな（、例えばゲルマニウムウェーハその他の半導体
ウェーハに対する熱酸化膜の形成にも適用できる。
膜の形成方法について述べたが、これに限定されるもの
ではな（、例えばゲルマニウムウェーハその他の半導体
ウェーハに対する熱酸化膜の形成にも適用できる。
以上のように本発明によれば、比較的大きなダストかエ
ツチングにより除去され、かつ比較的小さなダストか薬
液の洗浄により除去されるので、清浄な熱酸化膜を持っ
た半導体ウェーハを得ることができる。
ツチングにより除去され、かつ比較的小さなダストか薬
液の洗浄により除去されるので、清浄な熱酸化膜を持っ
た半導体ウェーハを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図、第２図及び第３図はそれぞれシリコンウェーハの熱
酸化処理工程、エツチング処理工程及び薬液の洗浄工程
後の断面図、第４図は従来方法によるシリコンウェーハ
の断面図である。 １０・・・シリコンウェーハ １１・・・熱酸化膜
１２・・・ダスト
図、第２図及び第３図はそれぞれシリコンウェーハの熱
酸化処理工程、エツチング処理工程及び薬液の洗浄工程
後の断面図、第４図は従来方法によるシリコンウェーハ
の断面図である。 １０・・・シリコンウェーハ １１・・・熱酸化膜
１２・・・ダスト
Claims (1)
- 半導体ウェーハの熱酸化処理に際し、熱酸化膜を所望
の膜厚よりも厚く形成した後、エッチングにより所望の
膜厚まで熱酸化膜の表面を除去し、その後熱酸化膜の表
面をエッチング性のない薬液で洗浄することを特徴とす
る半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021493A JP2715086B2 (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021493A JP2715086B2 (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196129A true JPH01196129A (ja) | 1989-08-07 |
| JP2715086B2 JP2715086B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=12056498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63021493A Expired - Fee Related JP2715086B2 (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715086B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001033644A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光導波路膜の製造方法 |
| JP2009212366A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016174097A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503782A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
| JPS59125662A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｍｏｓ型半導体装置のゲ−ト絶縁膜形成方法 |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP63021493A patent/JP2715086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503782A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
| JPS59125662A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｍｏｓ型半導体装置のゲ−ト絶縁膜形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001033644A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光導波路膜の製造方法 |
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| US7994035B2 (en) | 2008-03-05 | 2011-08-09 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device fabricating method including thermal oxidation of a substrate, forming a second oxide, and thermal processing a gate electrode |
| JP2016174097A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715086B2 (ja) | 1998-02-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |