JPH0429112A - 磁気光学装置および光アイソレータ - Google Patents
磁気光学装置および光アイソレータInfo
- Publication number
- JPH0429112A JPH0429112A JP2135064A JP13506490A JPH0429112A JP H0429112 A JPH0429112 A JP H0429112A JP 2135064 A JP2135064 A JP 2135064A JP 13506490 A JP13506490 A JP 13506490A JP H0429112 A JPH0429112 A JP H0429112A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- closed circuit
- value
- magneto
- external magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光記録、光通信、光計測などに用いる磁気光学
装置および光アイソレータに関する物である。
装置および光アイソレータに関する物である。
従来の技術
従来の技術として、Ｚｎ５ｅを磁気光学媒体として用い
た可視光用光アイソレータがアブライドオプティクス（
ＡＰＰＬＩＥ［ｌ ０ＰＴＩＣ５） Ｖ Ｏ１，１６
、Ｎｏ６．１）ｐ、１５８４−１５８７ （１９７７
）に報告されている。光アイソレータは光の透過偏波方
向を互いに４６ｄｅｇに配した偏光子と検光子の間に４
５ ｄｅｇのファラデー回転角を有する磁気光学媒体を
置（構成をとり、偏光子を透過した順方向の光は磁気光
学媒体通過時に４５ｄｅｇのファラブー回転を受は検光
子を通過するが、逆方向に検光子を通過した光は磁気光
学媒体のファラデー効果の持つ非相反性により磁気光学
媒体を通過時に一４５ｄｅｇの回転を受け、偏光子の透
過偏波方向と直交し透過することはできないという機能
を有する物である。
た可視光用光アイソレータがアブライドオプティクス（
ＡＰＰＬＩＥ［ｌ ０ＰＴＩＣ５） Ｖ Ｏ１，１６
、Ｎｏ６．１）ｐ、１５８４−１５８７ （１９７７
）に報告されている。光アイソレータは光の透過偏波方
向を互いに４６ｄｅｇに配した偏光子と検光子の間に４
５ ｄｅｇのファラデー回転角を有する磁気光学媒体を
置（構成をとり、偏光子を透過した順方向の光は磁気光
学媒体通過時に４５ｄｅｇのファラブー回転を受は検光
子を通過するが、逆方向に検光子を通過した光は磁気光
学媒体のファラデー効果の持つ非相反性により磁気光学
媒体を通過時に一４５ｄｅｇの回転を受け、偏光子の透
過偏波方向と直交し透過することはできないという機能
を有する物である。
Ｚｎ５ｅのファラデー回転角θはθ＝ＶＢｄ１■はベル
デ定数、Ｂは光の伝搬方向の外部磁場、ｄは磁気光学媒
体中の光路長、で表される。本例においては使用光源の
波長λ＝８３２８Ａにおけるベルデ定数Ｖ＝８． ７＊
１０−”ｄｅｇ／ （ｃｍ＊Ｇ）、ｄ＝０．４３２ｃ
ｍで４２．３５ｄｅｇのファラデー回転が得られる外部
磁場Ｂを印加しており、偏光子と検光子の透過偏波方向
を互いに４２．３５ｄｅｇとして用いている。
デ定数、Ｂは光の伝搬方向の外部磁場、ｄは磁気光学媒
体中の光路長、で表される。本例においては使用光源の
波長λ＝８３２８Ａにおけるベルデ定数Ｖ＝８． ７＊
１０−”ｄｅｇ／ （ｃｍ＊Ｇ）、ｄ＝０．４３２ｃ
ｍで４２．３５ｄｅｇのファラデー回転が得られる外部
磁場Ｂを印加しており、偏光子と検光子の透過偏波方向
を互いに４２．３５ｄｅｇとして用いている。
発明が解決しようとする課題
従来の技術で示したようにファラデー回転角θはθ＝Ｖ
Ｂｄで与えられるため、印加する外部磁場Ｂの値が変動
するとθが変化し、アイソレーション比の劣化を招く。
Ｂｄで与えられるため、印加する外部磁場Ｂの値が変動
するとθが変化し、アイソレーション比の劣化を招く。
例えば、本従来の技術のＶ＝６． ７＊ １００−３ｄ
ｅ ／ （ｃｍ＊Ｇ）、 ｄ＝０゜４３２ｃｍのＺｎ５
ｅにおいて４５ｄｅｇのファラデー回転角が得られる外
部磁場として１５５４７Ｇを印加して用いた場合、外部
磁場が約２％変化しただけでファラデー回転角は４６ｄ
ｅｇとなる。
ｅ ／ （ｃｍ＊Ｇ）、 ｄ＝０゜４３２ｃｍのＺｎ５
ｅにおいて４５ｄｅｇのファラデー回転角が得られる外
部磁場として１５５４７Ｇを印加して用いた場合、外部
磁場が約２％変化しただけでファラデー回転角は４６ｄ
ｅｇとなる。
偏光子と検光子の透過偏波方向を互いに４５ｄｅｇに配
して固定し、最初アイソレーション比として−３５ｄＢ
得られたとき、磁気光学媒体のファラデー回転角が４５
ｄｅｇからｌ ｄｅｇずれるとアイソレーション比は一
３２ｄＢに劣化した。本発明は磁気光学媒体へ印加する
外部磁場の変動による磁気光学装置の特性劣化を防ぐも
のである。また、光アイソレータにおいては磁気光学媒
体へ印加する外部磁場の変動によるアイソレーション比
の劣化を防ぐものである。
して固定し、最初アイソレーション比として−３５ｄＢ
得られたとき、磁気光学媒体のファラデー回転角が４５
ｄｅｇからｌ ｄｅｇずれるとアイソレーション比は一
３２ｄＢに劣化した。本発明は磁気光学媒体へ印加する
外部磁場の変動による磁気光学装置の特性劣化を防ぐも
のである。また、光アイソレータにおいては磁気光学媒
体へ印加する外部磁場の変動によるアイソレーション比
の劣化を防ぐものである。
課題を解決するための手段
本発明は磁気光学媒体へ印加する外部磁場の変動による
磁気光学装置の特性劣化を防くへく、光照射部および量
子細線よりなる閉回路部を構成する磁気光学媒体、前記
磁気光学媒体を磁化するための前記量子細線よりなる閉
回路部の閉回路に垂直に磁場を印加する手段、および前
記量子細線よりなる閉回路の磁気抵抗を測定する手段を
有し、前記磁気抵抗の値より前記量子細線よりなる閉回
路部の閉回路に垂直に印加した磁場の正確な値を得るこ
とにより前記磁場の値を所望の値に前記磁場を変化させ
ることが可能であることを特徴とする磁気光学装置を提
案するものである。また、本発明は光アイソレータにお
いては磁気光学媒体へ印加する外部磁場の変動によるア
イソレーション比の劣化を防くべく、偏光子、前記偏光
子と４５ｄｅｇの偏波透過角度を有する検光子、光照射
部および量子細線よりなる閉回路部を構成する磁気光学
媒体、前記磁気光学体を磁化するための前記量子細線よ
りなる閉回路部の閉回路に垂直に磁場を印加する手段、
および前記量子細線よりなる閉回路の磁気抵抗を測定す
る手段ををし、前記磁気抵抗の値より前記量子細線より
なる閉回路部の閉回路に垂直に印加した磁場の正確な値
を得ることにより前記磁場の値を常に正確に４５ｄｅｇ
のファラデー回転を与えることを特徴とする光アイソレ
ータを提案するものである。
磁気光学装置の特性劣化を防くへく、光照射部および量
子細線よりなる閉回路部を構成する磁気光学媒体、前記
磁気光学媒体を磁化するための前記量子細線よりなる閉
回路部の閉回路に垂直に磁場を印加する手段、および前
記量子細線よりなる閉回路の磁気抵抗を測定する手段を
有し、前記磁気抵抗の値より前記量子細線よりなる閉回
路部の閉回路に垂直に印加した磁場の正確な値を得るこ
とにより前記磁場の値を所望の値に前記磁場を変化させ
ることが可能であることを特徴とする磁気光学装置を提
案するものである。また、本発明は光アイソレータにお
いては磁気光学媒体へ印加する外部磁場の変動によるア
イソレーション比の劣化を防くべく、偏光子、前記偏光
子と４５ｄｅｇの偏波透過角度を有する検光子、光照射
部および量子細線よりなる閉回路部を構成する磁気光学
媒体、前記磁気光学体を磁化するための前記量子細線よ
りなる閉回路部の閉回路に垂直に磁場を印加する手段、
および前記量子細線よりなる閉回路の磁気抵抗を測定す
る手段ををし、前記磁気抵抗の値より前記量子細線より
なる閉回路部の閉回路に垂直に印加した磁場の正確な値
を得ることにより前記磁場の値を常に正確に４５ｄｅｇ
のファラデー回転を与えることを特徴とする光アイソレ
ータを提案するものである。
作用
本発明の磁気光学装置は磁気光学媒体で作製した量子細
線よりなる閉回路部において、磁気光学媒体で作製した
量子細線よりなる閉回路部に垂直に印加する外部磁場の
値をアハラノフ−ボーム効果により振動する磁気抵抗値
として知ることができる。つまり、通常の磁気抵抗値変
化より微少な外部磁場変化に対して大きな磁気抵抗変化
として観測できる。この磁気抵抗変化から外部磁場の変
化をよみとり、外部磁場印加機構の制御ヘフィードバノ
クすることにより、本発明の磁気光学装置の光照射部に
印加する外部磁場を一定に保ち磁気光学装置の特性劣化
を防くものである。また、本発明の光アイソレータは本
発明の磁気光学装置と同様の作用により、光照射部への
印加外部磁場を一定に保ち、アイツレ−７ヨン比の劣化
を防くものである。
線よりなる閉回路部において、磁気光学媒体で作製した
量子細線よりなる閉回路部に垂直に印加する外部磁場の
値をアハラノフ−ボーム効果により振動する磁気抵抗値
として知ることができる。つまり、通常の磁気抵抗値変
化より微少な外部磁場変化に対して大きな磁気抵抗変化
として観測できる。この磁気抵抗変化から外部磁場の変
化をよみとり、外部磁場印加機構の制御ヘフィードバノ
クすることにより、本発明の磁気光学装置の光照射部に
印加する外部磁場を一定に保ち磁気光学装置の特性劣化
を防くものである。また、本発明の光アイソレータは本
発明の磁気光学装置と同様の作用により、光照射部への
印加外部磁場を一定に保ち、アイツレ−７ヨン比の劣化
を防くものである。
実施例
本発明の磁気光学装置の実施例の模式図を第１図に示す
。フッ化力ルンウム基板１上に磁気光学媒体としてＺｎ
５ｅ２をＭＯＶＰＥ法で成長し、イオンビーム加工によ
り、光照射部３と量子細線よりなる閉回路部４を形成す
る。磁気光学媒体の両側に磁気光学媒体に外部磁場を与
える手段の一例として電磁石５を配置する。量子細線よ
りなる閉回路部４の電流入出射端６．７に一定電流を流
し、電圧測定端８．９間の電圧を測定することにより、
量子細線よりなる閉回路部４の抵抗を測定する手段１０
と得られた量子細線よりなる閉回路部４の抵抗の値から
磁気光学媒体に印加する外部磁場の値を求め、外部磁場
を与える電磁石５の電流を制御する手段１１を有する。
。フッ化力ルンウム基板１上に磁気光学媒体としてＺｎ
５ｅ２をＭＯＶＰＥ法で成長し、イオンビーム加工によ
り、光照射部３と量子細線よりなる閉回路部４を形成す
る。磁気光学媒体の両側に磁気光学媒体に外部磁場を与
える手段の一例として電磁石５を配置する。量子細線よ
りなる閉回路部４の電流入出射端６．７に一定電流を流
し、電圧測定端８．９間の電圧を測定することにより、
量子細線よりなる閉回路部４の抵抗を測定する手段１０
と得られた量子細線よりなる閉回路部４の抵抗の値から
磁気光学媒体に印加する外部磁場の値を求め、外部磁場
を与える電磁石５の電流を制御する手段１１を有する。
磁気光学媒体に印加する外部磁場が変化すると量子細線
よりなる閉回路部４の抵抗値が振動するため、微少な外
部磁場の変化に対して大きな量子細線よりなる閉回路部
４の抵抗値の変化が得られ、量子細線よりなる閉回路部
４の抵抗の値から磁気光学媒体に印加する外部磁場の値
を求め、外部磁場を与える電磁石５の電流を制御する手
段１１により容易に外部磁場を一定の値に制御すること
ができ、磁気光学装置の特性劣化を防ぐことができた。
よりなる閉回路部４の抵抗値が振動するため、微少な外
部磁場の変化に対して大きな量子細線よりなる閉回路部
４の抵抗値の変化が得られ、量子細線よりなる閉回路部
４の抵抗の値から磁気光学媒体に印加する外部磁場の値
を求め、外部磁場を与える電磁石５の電流を制御する手
段１１により容易に外部磁場を一定の値に制御すること
ができ、磁気光学装置の特性劣化を防ぐことができた。
なお、第１図に示した磁気光学装置の模式図に偏光子や
レンズ等の光学部品を組み合わせて、光スィッチ、光サ
ーキュレータ、光アイソレータ等を構成してもよく、磁
気光学媒体に外部磁場を与える手段が本例以外のもので
もよい。
レンズ等の光学部品を組み合わせて、光スィッチ、光サ
ーキュレータ、光アイソレータ等を構成してもよく、磁
気光学媒体に外部磁場を与える手段が本例以外のもので
もよい。
第２図に本発明の光アイソレータの模式図を示す。偏光
子２０と光の透過偏波方向を４５ｄｅｇに配した検光子
２１の間にフッ化力ルンウム基板１上に磁気光学媒体と
してＺｎ５ｅ２をＭＯＶＰＥ法で成長し、所望の外部磁
場で４５ｄｅｇのファラデー回転角を有するだけの導波
路長を持つ光導波路２２に加工した光照射部３と、イオ
ンビーム加工により形成したＺｎ５ｅ２の量子細線より
なる閉回路部４を設ける。磁気光学媒体の両側に磁気光
学媒体に外部磁場を与える手段の一例として電磁石５を
配置する。量子細線よりなる閉回路部４の電流入出射端
６．７に一定電流を流し、電圧測定端８．９間の電圧を
測定することにより、量子細線よりなる閉回路部４の抵
抗を測定する手段１０と得られた量子細線よりなる閉回
路部４の抵抗の値から磁気光学媒体に印加する外部磁場
の値を求め、外部磁場を与える電磁石５の電流を制御す
る手段１１を有する。磁気光学媒体に印加する外部磁場
が変化すると、光導波路２２を導波する光のファラデー
回転角が４５ ｄｅｇからそれることと同時に、量子細
線よりなる閉回路部４の抵抗値が変化する。量子細線よ
りなる閉回路部４の抵抗値は外部磁場の変化に対して振
動するため、微少な外部磁場の変化に対して大きな量子
細線よりなる閉回路部４の抵抗値の変化が得られ、量子
細線よりなる閉回路部４の抵抗の値から磁気光学媒体に
印加する外部磁場の値を求め、外部磁場を与える電磁石
５の電流を制御する手段１１により容易に外部磁場を一
定の値に制御することができ、光アイソレータのアイソ
レーション比の劣化を防ぐことができた。
子２０と光の透過偏波方向を４５ｄｅｇに配した検光子
２１の間にフッ化力ルンウム基板１上に磁気光学媒体と
してＺｎ５ｅ２をＭＯＶＰＥ法で成長し、所望の外部磁
場で４５ｄｅｇのファラデー回転角を有するだけの導波
路長を持つ光導波路２２に加工した光照射部３と、イオ
ンビーム加工により形成したＺｎ５ｅ２の量子細線より
なる閉回路部４を設ける。磁気光学媒体の両側に磁気光
学媒体に外部磁場を与える手段の一例として電磁石５を
配置する。量子細線よりなる閉回路部４の電流入出射端
６．７に一定電流を流し、電圧測定端８．９間の電圧を
測定することにより、量子細線よりなる閉回路部４の抵
抗を測定する手段１０と得られた量子細線よりなる閉回
路部４の抵抗の値から磁気光学媒体に印加する外部磁場
の値を求め、外部磁場を与える電磁石５の電流を制御す
る手段１１を有する。磁気光学媒体に印加する外部磁場
が変化すると、光導波路２２を導波する光のファラデー
回転角が４５ ｄｅｇからそれることと同時に、量子細
線よりなる閉回路部４の抵抗値が変化する。量子細線よ
りなる閉回路部４の抵抗値は外部磁場の変化に対して振
動するため、微少な外部磁場の変化に対して大きな量子
細線よりなる閉回路部４の抵抗値の変化が得られ、量子
細線よりなる閉回路部４の抵抗の値から磁気光学媒体に
印加する外部磁場の値を求め、外部磁場を与える電磁石
５の電流を制御する手段１１により容易に外部磁場を一
定の値に制御することができ、光アイソレータのアイソ
レーション比の劣化を防ぐことができた。
発明の効果
本発明の磁気光学装置により磁気光学媒体に印加する外
部磁場の変動による特性劣化のない磁気光学装置が得ら
れた。本発明の光アイソレータにより磁気光学媒体に印
加する外部磁場の変動によるアイツレ−／ヨ／比の劣化
のない光アイソレータが得られた。
部磁場の変動による特性劣化のない磁気光学装置が得ら
れた。本発明の光アイソレータにより磁気光学媒体に印
加する外部磁場の変動によるアイツレ−／ヨ／比の劣化
のない光アイソレータが得られた。
第１図は本発明の実施例の磁気光学装置の模式図、第２
図は本発明の実施例の光アイソレータの模式図である。 ２・・・Ｚｎ５ｅ、３・・・光照射部、４・・の閉回路
部、６・・・電流入射端、７・・・電流出射端、８，９
・・・電圧測定端。
図は本発明の実施例の光アイソレータの模式図である。 ２・・・Ｚｎ５ｅ、３・・・光照射部、４・・の閉回路
部、６・・・電流入射端、７・・・電流出射端、８，９
・・・電圧測定端。
Claims (2)
- （１）光照射部および量子細線よりなる閉回路部を構成
する磁気光学媒体、前記磁気光学媒体を磁化するための
前記量子細線よりなる閉回路部の閉回路に垂直に磁場を
印加する手段、および前記量子細線よりなる閉回路の磁
気抵抗を測定する手段を有し、前記磁気抵抗の値より前
記量子細線よりなる閉回路部の閉回路に垂直に印加した
磁場の正確な値を得ることにより前記磁場の値を所望の
値に前記磁場を変化させることが可能であることを特徴
とする磁気光学装置。 - （２）偏光子、前記偏光子と４５ｄｅｇの偏波透過角度
を有する検光子、光照射部および量子細線よりなる閉回
路部を構成する磁気光学媒体、前記磁気光学体を磁化す
るための前記量子細線よりなる閉回路部の閉回路に垂直
に磁場を印加する手段、および前記量子細線よりなる閉
回路の磁気抵抗を測定する手段を有し、前記磁気抵抗の
値より前記量子細線よりなる閉回路部の閉回路に垂直に
印加した磁場の正確な値を得ることにより前記磁場の値
を常に正確に４５ｄｅｇのファラデー回転を与えること
を特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135064A JPH0429112A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 磁気光学装置および光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135064A JPH0429112A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 磁気光学装置および光アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429112A true JPH0429112A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15143037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2135064A Pending JPH0429112A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 磁気光学装置および光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385361B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ballast for high-pressure discharge lamp and method of operating the same |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP2135064A patent/JPH0429112A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385361B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ballast for high-pressure discharge lamp and method of operating the same |
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