JPH04291304A - 光導波路および光信号の制御方法 - Google Patents

光導波路および光信号の制御方法

Info

Publication number
JPH04291304A
JPH04291304A JP3057426A JP5742691A JPH04291304A JP H04291304 A JPH04291304 A JP H04291304A JP 3057426 A JP3057426 A JP 3057426A JP 5742691 A JP5742691 A JP 5742691A JP H04291304 A JPH04291304 A JP H04291304A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quantum well
optical waveguide
layer
optical
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3057426A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Tanaka
一弘 田中
Kiyohide Wakao
若尾　清秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3057426A priority Critical patent/JPH04291304A/ja
Priority to EP92400768A priority patent/EP0505289B1/en
Priority to US07/854,707 priority patent/US5179615A/en
Priority to DE69219930T priority patent/DE69219930T2/de
Publication of JPH04291304A publication Critical patent/JPH04291304A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
    • H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
    • G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • G02F1/212—Mach-Zehnder type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/102—In×P and alloy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3428—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers layer orientation perpendicular to the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路に関し、特に
混晶半導体の量子井戸層を用いた光導波路およびその光
導波路を用いた光信号の制御方法に関する。
【０００２】近年、光通信技術の発達に伴い、光信号の
大容量化が課題となっている。光信号の大容量化のため
の方法の一つとして、波長を多重化することによる信号
の多重化がある。波長多重化のためには、波長可変性を
持ったレーザ光源、波長可変フィルタ、波長変換レーザ
等の光機能素子が望まれる。
【０００３】
【従来の技術】光信号処理の方法として、光信号を一旦
電気信号に変換し、電気信号として処理を行なう方法が
ある。しかしながら、電気信号として信号処理を行なお
うとすると、光信号における高速な変調速度での信号処
理を電気信号においても行なうことが必要となる。この
ため、光信号は光信号として処理することが望まれる。 たとえば、信号の伝搬経路をスイッチングする場合、一
旦光信号を電気信号に変換し、電気信号によって伝搬経
路をスイッチングしようとすると、電気信号の経路が全
て光信号の変調速度に応答する高速のものであることが
要求される。光信号を光信号のままスイッチングできれ
ば、光信号の変調速度に悪影響を与えることなく、低速
の光信号光路の切替えのみによって同等の機能を達成す
ることができる。
【０００４】また、一般に求められている光回路の機能
を実現するにには、多数の光機能素子が必要となる。こ
のため、個々の光機能素子の消費電力は極力抑えること
が望ましい。
【０００５】一つの光機能素子によって複数の機能を達
成しようとすると、光機能素子の構成部分の屈折率を制
御できることが望まれる。屈折率の変化を利用した従来
の光機能素子としては、電圧印加型（逆バイアス）と、
電流注入型（順バイアス）が知られている。
【０００６】電圧印加型光機能素子は、電界印加による
フランツケルディッシュ効果や電気光学効果や量子閉込
めシュタルク効果により屈折率が変化する。
【０００７】電圧印加型光機能素子の動作速度は、ＣＲ
時定数により制限される。素子容量Ｃを小さくすること
で、高速動作が期待できる。しかしながら、電圧変化に
対する屈折率の変化は比較的小さいため、動作に必要な
屈折率変化を生じさせるためには、大きな電圧変化が必
要である。
【０００８】一方、電流注入型光機能素子は、注入され
たキャリア（電子または正孔）により生じるバンドフィ
リング効果やプラズマ効果により屈折率が変化する。動
作速度はキャリアの寿命により制限されるため、数ｎｓ
ｅｃ〜数十ｎｓｅｃの応答速度であるが、屈折率変化が
電圧印加型に比べて比較的大きい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】光機能素子において、
制御できる屈折率変化の幅は、大きければ大きいほど望
ましいことが多い。ところで、従来の電流注入型光機能
素子においては、大きな屈折率変化を得るためには注入
電流を多くする必要があり、電流増大に伴って発熱量が
多くなるという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、少ない発熱量で大きな屈
折率変化を得ることができる光導波路を提供することで
ある。
【００１１】本発明の他の目的は、光導波路を用い、少
ない発熱量で大きな屈折率変化を生じさせることのでき
る光信号の制御方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路は、第
１の格子定数を有する第１の材料の単結晶基板と、単結
晶基板上に形成され、障壁層によって挾まれた複数の量
子井戸層を含む量子井戸構造であって、量子井戸層は混
晶半導体の第２の材料で形成され、第２の材料の組成は
第１の材料の単結晶基板と格子整合する組成領域のうち
、最もバンドギャップが狭い組成にほぼ一致し、量子井
戸層の厚さは量子井戸層内の電荷キャリアの基底準位間
のエネルギが所定フォトンエネルギよりも５０ｍｅＶ以
上高くなるように選定されている量子井戸構造と、量子
井戸構造に接して配置されたｐ型半導体領域とｎ型半導
体領域と、ｐ型半導体領域とｎ型半導体領域とに接続さ
れたｐ側電極とｎ側電極とを有する。
【００１３】また、本発明の光信号の制御方法は、上述
の光導波路を用いる光信号の制御方法であって、波長約
１．５３〜１．５７μｍの光信号を量子井戸構造に入射
する工程と、ｐ側電極とｎ側電極との間に順電流を印加
することにより、量子井戸構造の等価屈折率を制御する
工程とを含む。
【００１４】
【作用】量子井戸構造においては、エネルギ状態密度が
階段状に変化する。量子井戸構造にキャリアが注入され
ると、階段状の状態密度を有するバンドがエネルギの低
いほうから満たされる。バルク半導体のバンド構造にお
いては、状態密度は２次関数的に立上がるため、電流注
入してもバンド端におけるキャリアの数は比較的少ない
。これに対して、量子井戸層においては、状態密度が階
段状なため、バンド端におけるキャリア数がキャリア注
入によって著しく増大する。このため、バンドフィリン
グ効果がバルク半導体と比較して著しくなる。バンド間
において、急峻な光吸収が生じると、クラマース・クロ
ニッヒの因果律により、屈折率も急峻に変化する。特に
、バンドギャップよりも小さなエネルギの変化信号に対
してこの効果は顕著である。
【００１５】したがって、量子井戸構造を積極的に利用
することにより、キャリア注入による屈折率を大きく変
化させることができる。
【００１６】本発明者らは、量子井戸構造における屈折
率変化の変化率が量子井戸層を構成する材料のバンドギ
ャップにしたがって変化することを見出だした。すなわ
ち、バンドギャップの狭い材料を使うほど、同一の電流
注入によって生じる屈折率変化は大きいことがわかった
。
【００１７】混晶半導体においては、混晶の組成を制御
することにより、バンドギャップを連続的に変化させる
ことができる。
【００１８】しかしながら、ある単結晶基板の上に量子
井戸構造を作成する場合、格子整合を取ろうとすればそ
の上に作成できる混晶半導体の組成範囲は制限される。 ある領域を外れて混晶半導体を作成しようとすると、格
子整合の要求を満たすことができなくなる。
【００１９】格子整合の要求を満たしつつ、バンドギャ
ップが最も小さくなる組成の混晶半導体を用いることに
より、最も大きな屈折率変化を得ることができる。
【００２０】しかしながら、バンドギャップエネルギ近
傍の領域においては、不純物等によるバンド端吸収が存
在する。これらの光吸収による影響を避けるには、量子
井戸層の基底準位間のエネルギが透過させようとする光
のフォトンエネルギよりも約５０ｍｅＶ大きくすること
が好ましい。ここで、約５０ｍｅＶとは、５０±１５ｍ
ｅＶの範囲を言う。量子井戸層の厚さは、基底準位間の
エネルギが、対象とするフォトンエネルギよりも約５０
ｍｅＶ高くなるように選定することにより、不純物レベ
ル等による影響を避けることができる。
【００２１】
【実施例】図１に、ＩｎＧａＡｓＰ系混晶（ＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓを含む）を用いた実施例を示す。図１（Ａ）
は、導波路の構造を断面で概略的に示す。ｎ型ＩｎＰで
形成された単結晶基板７の上に、ｎ型ＩｎＰで形成され
、下側クラッド層として機能するｎ型半導体領域５が形
成されており、その上に領域井戸構造３が形成されてい
る。量子井戸構造３の上には、ｐ型ＩｎＰで形成され、
上側クラッド層として機能するｐ型半導体領域４が形成
されている。なお、ｎ型領域、ｐ型領域の上にはそれぞ
れｎ側電極９、ｐ側電極８が形成される。
【００２２】量子井戸構造３は、図１（Ｂ）に示すよう
に、量子井戸層１と障壁層２とを積層したものである。 量子井戸層１は、たとえばギャップ波長約１．５μｍの
ＩｎＧａＡｓｐ系混晶で形成された厚さ約４〜５ｎｍの
層であり、障壁層２はよりバンドギャップの広い（たと
えばギャップ波長約１．１５μｍ）ＩｎＧａＡｓＰ系混
晶で形成された厚さ約１０ｎｍの層である。なお、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ系混晶とはＩｎＧａＡｓやＩｎＰ等も含むも
のとする。
【００２３】図１（Ｂ）に示すように、量子井戸層と障
壁層とを交互に積層し、量子井戸層の厚さＬｗをある程
度以上小さくすると、量子井戸層の中でキャリア（電子
・正孔）の存在できるエネルギ準位が量子化する。図中
、このように量子化した価電子帯の基底状態のエネルギ
をＥｖ１で示し、伝導帯の基底状態のエネルギをＥｃ１
で示す。すると、量子井戸構造内で生じ得る光学遷移の
最低エネルギは、図に示す価電子帯、伝導帯の基底状態
間の遷移エネルギＥ１となる。
【００２４】また、量子井戸層の厚さを薄くして量子井
戸構造を作成し、キャリアの自由度を層の厚さ方向に関
しては制限すると、２次元のバンド構造が形成され、そ
の状態密度は図１（Ｃ）に示すステップ状関数ｓｄのよ
うになる。すなわち、順位が存在する領域においては、
ただちに一定の高い状態密度が形成され、ある程度まで
はエネルギが上昇してもその状態密度は変化しない。こ
のような階段状バンド構造に電子・正孔等のキャリアは
斜線部で示すように分布する。
【００２５】通常の３次元自由度を有するバンド構造と
比較すると、３次元バンド構造においては、状態密度が
エネルギの増大と共に増大し、バンド端の位置において
はあまり大きな値を取らないのに対し、２次元バンド構
造においては状態密度がバンド端で既に大きな値を有す
る。このため、バンド端吸収が鋭く立上がる。
【００２６】なお、複素数で表現される自然界の変数の
実数部と虚数部の間にはクラマース・クロニッヒの因果
律として知られる関係がある。誘電体の誘電率の実数部
と虚数部にもこの関係が成立し、屈折率と消衰係数の間
にも同様の関係が成立する。光学物質の吸収係数αは、
消衰係数κと関係付けられるので、吸収係数αと屈折率
ｎ間にも関係がある。２次元バンド構造による急峻なバ
ンド端吸収に対応して、バンドギャップ波長よりも長波
長の光に対する屈折率は大きく変化する。したがって、
量子井戸構造は、屈折率変化を達成する材料として極め
て好適な材料といえる。
【００２７】量子井戸構造において、井戸層の厚さを次
第に狭くしていくと、図１（Ｂ）の井戸層内の矢印で示
したように、基底状態は次第に高エネルギ側に移動する
。
【００２８】井戸層が混晶で形成されている場合、井戸
層の組成を変化させることによって、井戸層のエネルギ
ギャップを変化させることができる。基底準位間の遷移
エネルギＥ１を一定に保ちながら、井戸層の幅Ｌｗを次
第に減少させるには、井戸層を構成する材料の組成を次
第にバンドギャップの狭い材料に変更すればよい。
【００２９】このようにして、一定の遷移エネルギにな
るように、かつ井戸層幅が次第に薄くなるように試料を
作成し、得られた特性を図１（Ｄ）の曲線ｔ１に示す。 フォトンエネルギｈυの光を導波することを考え、基底
準位間のエネルギＥ１をフォトンエネルギｈυよりも５
０ｍｅＶ高く保ちつつ、量子井戸層の幅Ｌｗを減少させ
ると、得られる等価屈折率の電流に対する変化率は次第
に増大する。
【００３０】単結晶基板７上に量子井戸構造３を形成す
る場合、井戸層の組成を自由に選択することはできない
。すなわち、単結晶基板と格子整合できる範囲を越える
と、量子井戸構造そのものを形成することが困難になる
。すなわち、所定の混晶材料を用いる場合、ある単結晶
基板上において実現できるバンドギャップエネルギには
最小値、最大値が存在する。
【００３１】本構成の場合、井戸層の幅Ｌｗを小さくし
つつ、基底準位間エネルギＥ１を一定に保てる範囲には
限度がある。その点を越えると混晶材料の組成を変化す
ることができなくなり、井戸層の幅Ｌｗを小さくすると
、基底準位間エネルギＥ１は次第に増大し、目的とする
フォトンエネルギｈυから離れる。この特性を図１（Ｄ
）の曲線ｔ２に示す。すなわち、等価屈折率の変化率は
量子井戸層の幅Ｌｗの減少と共に低下してしまう。
【００３２】曲線ｔ１とｔ２を合わせて考えると、実現
できる等価屈折率の変化率には最大値が存在する。すな
わち、単結晶基板と格子整合する組成のうち、最もバン
ドギャップが狭い組成が最も大きな等価屈折率の変化率
を与えている。
【００３３】なお、屈折率変化はバンド端に近付くにし
たがって大きくなるが、バンド端近傍では不純物等の吸
収も大きくなる。量子井戸層の基底準位間エネルギとし
ては、対象とする光のエネルギよりも約５０ｍｅＶ程度
大きくすることが好ましい。すなわち、５０±１５ｍｅ
Ｖ程度、基底準位間準位をフォトンエネルギよりも高く
し、不純物等の吸収の影響を避ける。
【００３４】以上の検討に基づき、波長約１．５５μｍ
の光を導波するには、障壁層としてギャップ波長約１．
１５μｍ、厚さ約１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ層を用い、
量子井戸層として基底準位間エネルギがフォトンエネル
ギよりも約５０ｍｅＶ大きくなる（ギャップ波長は約１
．４４μｍになる）ように設定した厚さ約４〜５ｎｍの
ＩｎＧａＡｓ層を用いると、非常に大きな屈折率変化が
可能となる。
【００３５】図１（Ａ）に示すような構造において、量
子井戸構造３の屈折率を変化させると、たとえば共振器
の光路長が変化し、発振条件が変化する。
【００３６】同一の電流によって得られる屈折率変化が
大きいことは、一定の屈折率変化を起こすためには、よ
り小さな電流で足りることを意味する。このため、動作
電流低減、素子寸法縮小等にも効果がある。
【００３７】以下、上述のような導波路を組込んだ各種
光機能素子についての実施例を説明する。
【００３８】図２は、可変波長増幅フィルタまたは可変
波長レーザとして機能する光機能素子を示す。ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１０の上に、量子井戸層と障壁層を交互に多層積
層しいた多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で形成された光導
波路層１２が形成されている。このＭＱＷ光導波路層１
２は、たとえば厚さ約４〜５ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層
（ギャップ波長＝１．４４μｍ）と、厚さ約１２ｎｍの
ＩｎＧａＡｓＰ障壁層（ギャップ波長＝約１．２４μｍ
）とを交互に２０層積層した超格子構造である。ＭＱＷ
光導波路層１２の図中左側部分の上には、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層１４が形成されている。すなわち、この部分を
電流が流れると発光現象が生じる。ＭＱＷ光導波路層１
２およびＩｎＧａＡｓＰ活性層１４を覆って、ｐ型Ｉｎ
Ｐ層１６が形成され、その表面上に一部切欠が設けられ
ている。このｐ型ＩｎＰ層１６の上に、切欠を境にして
２つのｐ側電極２０ａと２０ｂが形成されてる。また、
基板１０の表面にはｎ側電極１８が形成されている。２
つのｐ側電極２０ａ、２０ｂは、活性層１４のある活性
領域とない位相調整領域に対応し、それぞれ独立の電流
Ｉａ、Ｉｂを注入することができる。
【００３９】ＭＱＷ光導波路層１２は、両端面の間で共
振器を構成する。活性層１４は、この光導波路層１２を
往復する光に対し、増幅機能を付与する。ｐ側第１電極
２０ａから活性領域１４に注入する電流Ｉａが閾値電流
以上の場合、図に示す半導体装置は可変波長レーザとし
て機能する。すなわち、光導波路層１２の屈折率を位相
調整領域に注入する電流Ｉｂによって制御でき、これに
よりファブリペロ共振モードを制御することができる。 このため、可変波長のレーザを発振させることができる
。
【００４０】なお、ｐ側第１電極２０ａから活性領域に
注入するＩａが、閾値電流以下の場合にはレーザ発振は
生ぜず、図に示す半導体装置は可変波長増幅フィルタと
して機能する。
【００４１】図３は、可変波長レーザとして機能する他
の光機能素子を示す。ｎ型ＩｎＰ基板１０の表面の一部
に凹凸による回折格子２２が形成され、その上にＭＱＷ
光導波路層１２が形成されている。ＭＱＷ光導波路層１
２の上には、前述の実施例同様、ＩｎＧａＡｓＰ活性層
１４およびｐ型ＩｎＰ層１６が形成される。
【００４２】本実施例においては、ｐ側電極が活性層１
４上の第１ｐ側電極２０ａ、活性層も回折格子もない領
域上のｐ側第２電極２０ｂ、回折格子を備えた部分上の
ｐ側第３電極２０ｃに分割されている。
【００４３】回折格子２２は、光導波路層１２の屈折率
と、回折格子の格子定数とによって定まる波長の光を選
択的に反射する分布反射器（ＤＢＲ）を構成する。活性
層１４も回折格子２２も有さない中間領域は、屈折率変
化によってその光路長を変化させ、位相調整領域として
機能する。ｐ側第１電極２０ａに流す電流によって主に
発光量を定め、ｐ側第２電極２０ｂ、ｐ側第３電極２０
ｃに注入する電極によってレーザの発振波長を変化させ
る。
【００４４】図４は、双安定レーザとして機能する光機
能素子を示す。本実施例の構成は、図３に示す構造のｐ
側第１電極２０ａを２つの部分２０ａ１と２０ａ２に分
割し、その間に電極のない領域を形成したものである。 電極のない領域は、可飽和吸収領域を形成する。すなわ
ち、可飽和吸収領域は活性層１４および図２の実施例同
様の光導波路層１２内の光量が大きい時には吸収飽和を
示すが、光量が低くなると光を吸収する性質を示す。こ
の可飽和吸収領域の作用によって、活性層１４を備えた
部分は双安定活性領域として機能する。このため、全体
として双安定レーザを構成する。
【００４５】図５は、可変波長増幅フィルタとして機能
する光機能素子を示す。ｎ型ＩｎＰ基板１０表面の２つ
の部分に回折格子２２ａと２２ｂが形成され、その上に
図２の実施例同様のＭＱＷ光導波路層１２が形成されて
いる。ＭＱＷ光導波路層の上には、回折格子２２ａ、２
２ｂと合わせて活性層１４ａ、１４ｂが形成され、その
上をｐ型ＩｎＰ層１６が覆っている。ｐ型ＩｎＰ層１６
上には、活性層のある部分に２つのｐ側電極２０ｄ、２
０ｅが形成され、その中間の領域には他のｐ側電極２０
ｂが形成される。また、基板１０裏面上にはｎ側電極１
８が形成される。さらに、光導波路層１２の端面を含む
面上に、反射防止膜２４ａ、２４ｂが形成されている。
【００４６】たとえば複数波長の光を含む光信号が図中
左側端面から光導波路層１２に入射すると、ｐ側電極２
０ｄ、２０ｅに注入する電極を制御することにより、回
折格子２２ａ、２２ｂが作用する波長を選択し、２つの
波長成分を活性層１４ａ、１４ｂを用いて増幅し、図中
右側の層から出射させることができる。ｐ側電極２０ｄ
、２０ｅに注入する電流を制御することにより、光導波
路層１２の屈折率が変化し、選択的に増幅される光の波
長が変化する。
【００４７】以上の実施例においては、量子井戸構造を
光導波路層として用い、順方向電流を印加することによ
ってその屈折率を効率的に変化させ、光路長を変化させ
た。屈折率変化は、さらに他の用途にも用いることがで
きる。
【００４８】図６は、光スイッチの機能を果たす光機能
素子を示す。図６（Ａ）は、平面図、図６（Ｂ）は図６
（Ａ）の一点鎖線の部分の断面図を示す。
【００４９】図６（Ａ）に示すように、２つのＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波路層３２ａ、３２ｂが交差している。この
光導波路層３２ａ、３２ｂは、図６（Ｂ）に示すように
、ｎ型ＩｎＰ基板３０の上に、成長したＩｎＧａＡｓＰ
層で形成されている。基板３０の表面を形成すべき光導
波路の形状にエッチングして、凹所を形成しておき、こ
の上にエピタキシャル成長を行なうと、凹所のあった所
で厚いエピタキシャル成長層が形成される。この厚い部
分が光導波路層として機能する。交差分においては、図
６（Ａ）の破線で示すように、交差分の片側を覆うよう
に、光導波路層３２ａ、３２ｂの上にＭＱＷ半導体層３
４が形成されている。光導波路層３２ａ、３２ｂおよび
ＭＱＷ半導体層３４を覆ってｐ側ＩｎＰ半導体層３６が
形成され、その上にＭＱＷ半導体層３４と対応した形状
のｐ側電極４０が形成される。
【００５０】ＭＱＷ半導体層３４は、ｐ側電極４０から
電流を注入する時しない時とでは屈折率が大きく変化す
る。電流が注入されていない時は、入射ポート４２から
入射した光は、光導波路層３２ａを直進し、出射ポート
４４ａに出射する。この時、光分布の裾はＭＱＷ半導体
層も透過する。この時、吸収を生じないようにするには
、前述のように組成をフォトンエネルギの約５０ｍｅＶ
上のバンドギャップとなるように選ぶ。ｐ側電極４０か
ら電流を注入し、ＭＱＷ半導体層３４の屈折率を高める
と、その影響が光導波路層３２ａ、３２ｂに及び、図６
（Ａ）のＭＱＷ半導体層３４の上縁が屈折率界面を形成
するようになる。この屈折率界面によって入射ポート４
２から入射し、光導波路層３２ａを進行してきた光は反
射され、出射ポート４４ｂに出射するようになる。
【００５１】図７は、方向性結合器の構成を示す。図６
に示す構成同様に光導波路層４６ａ、４６ｂが形成され
、その一部上にＭＱＷ半導体層３４が形成されている。 このＭＱＷ半導体層３４の屈折率を制御することにより
、一方の光導波路４６ｂの光路長を制御し、２つの光導
波路４６ａ、４６ｂの結合係数を変化させる。入射ポー
ト４２から入射した光は、２つの光導波路の接近部分で
一部が他の光導波路４６ｂに移り、２つの出射ポート４
４ａ、４４ｂから出射する。２つの出射ポートから出射
する信号光の強度比は、ＭＱＷ半導体層３４に流す電流
密度によって制御することができる。
【００５２】図８は、マッハツェンダー型変調器を示す
。入力光導波路４８は、ある位置で分岐し、２つの分岐
光導波路５０ａ、５０ｂに分岐する。これら分岐光導波
路は再び結合し、１つの出力光導波路５２となって終端
する。一方の分岐光導波路５０ｂの上には、ＭＱＷ半導
体層３４が形成される。このＭＱＷ半導体層３４に制御
された電流を流すことにより、その光路長を変化させ、
２つの分岐光導波路が結合する際の結合条件を制御する
。
【００５３】このようにして、入力光導波路４８に入射
し、出力光導波路５２から出射する光の変調を制御する
。
【００５４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。量子井戸構
造を採用し、さらに量子井戸層の組成を基板と格子整合
できる範囲で最もエネルギギャップの狭いものとし、か
つ目的とする光に対して量子井戸層内の基底準位間のエ
ネルギをフォトンエネルギの約５０ｍｅＶ以上に設定す
るように選定し、この量子井戸構造に制御された電流を
流すことにより、屈折率を制御するものであれば、どの
ような光導波路であってもよい。
【００５５】その他、種々の変更、改良、組合わせ等が
可能なことは当業者に自明であろう。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低い電流密度で屈折率を大きく変化させることができる
。
【００５７】このため、動作電流を低減させることが可
能となると共に、波長可変幅を拡大することもできる。 付随的に光機能素子および光集積回路装置の小形化が可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本実施例を示す。図１（Ａ）は構造
を示す断面図、図１（Ｂ）はバンド構造を示すダイヤグ
ラム、図１（Ｃ）は状態密度のエネルギ分布を示すダイ
ヤグラム、図１（Ｄ）は量子井戸層の幅に対する屈折率
の変化の様子を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例による可変波長増幅フィルタ、
または可変波長レーザを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例による可変波長レーザを示す断
面図である。
【図４】本発明の実施例による双安定レーザを示す断面
図である。
【図５】本発明の実施例による可変波長増幅フィルタを
示す断面図である。
【図６】本発明の実施例による光スイッチを示す。図６
（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）は断面図である。
【図７】本発明の実施例による方向性結合器を示す平面
図である。
【図８】本発明の実施例によるマッハツェンダ型変調器
を示す平面図である。
【符号の説明】
１　　量子井戸層 ２　　障壁層 ３　　量子井戸構造 ４　　ｐ型半導体領域 ５　　ｎ型半導体領域 ７　　単結晶基板 ８、９　　電極 Ｅ　　エネルギ ｈυ　　フォトンエネルギ Ｅ１　　基底準位間のエネルギ Ｌｗ量子井戸層の幅

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　第１の格子定数を有する第１の材料の
    単結晶基板（７）と、前記単結晶基板（７）上に形成さ
    れ、障壁層によって挾まれた複数の量子井戸層（１）を
    含む量子井戸構造（３）であって、量子井戸層（１）は
    混晶半導体の第２の材料で形成され、第２の材料の組成
    は前記第１の材料の単結晶基板（７）と格子整合する組
    成領域のうち、最もバンドギャップが狭い組成にほぼ一
    致し、量子井戸層（１）の厚さは量子井戸層内の電荷キ
    ャリアの基底準位間のエネルギが所定フォトンエネルギ
    よりも５０ｍｅ以上高くなるように選定されている量子
    井戸構造（３）と、前記量子井戸構造（３）に接して配
    置されたｐ型半導体領域（４）とｎ型半導体領域（５）
    と、前記ｐ型半導体領域（５、７）とｎ型半導体領域（
    ４）とに接続されたｐ側電極（８）とｎ側電極（９）と
    を有する光導波路。
  2. 【請求項２】　　前記第１の材料がＩｎＰであり、前記
    第２の材料がＩｎＧａＡｓであり、前記量子井戸層の厚
    さが４〜５ｎｍである請求項１に記載の光導波路。
  3. 【請求項３】　　請求項１ないし２に記載の光導波路を
    用いる光信号の制御方法であって、波長約１．５３〜１
    ．５７μｍの光信号を前記量子井戸構造（３）に入射す
    る工程と、前記ｐ側電極とｎ側電極との間に順電流を印
    加することにより、前記量子井戸構造（３）の等価屈折
    率を制御する工程とを含む光信号の制御方法。
  4. 【請求項４】　　前記等価屈折率の制御により、共振器
    の共振条件ないし光学的界面の反射率が制御される請求
    項３記載の光信号の制御方法。
JP3057426A 1991-03-20 1991-03-20 光導波路および光信号の制御方法 Pending JPH04291304A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3057426A JPH04291304A (ja) 1991-03-20 1991-03-20 光導波路および光信号の制御方法
EP92400768A EP0505289B1 (en) 1991-03-20 1992-03-20 Optical waveguide having a variable refractive index and an optical device having such an optical waveguide
US07/854,707 US5179615A (en) 1991-03-20 1992-03-20 Optical waveguide having a variable refractive index and an optical laser having such an optical waveguide
DE69219930T DE69219930T2 (de) 1991-03-20 1992-03-20 Optischer Wellenleiter mit variablem Brechungsindex und optische Vorrichtung, die diesen enthält

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3057426A JPH04291304A (ja) 1991-03-20 1991-03-20 光導波路および光信号の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04291304A true JPH04291304A (ja) 1992-10-15

Family

ID=13055330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3057426A Pending JPH04291304A (ja) 1991-03-20 1991-03-20 光導波路および光信号の制御方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5179615A (ja)
EP (1) EP0505289B1 (ja)
JP (1) JPH04291304A (ja)
DE (1) DE69219930T2 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081643A (en) * 1987-02-18 2000-06-27 Lentink; Willem Wave guides and material comprising wave guides and its application in screens
JPH04243216A (ja) * 1991-01-17 1992-08-31 Nec Corp 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法
FR2683401B1 (fr) * 1991-10-31 1993-12-31 Alcatel Nv Generateur optique, notamment pour le transport d'un signal hyperfrequence.
JPH05173046A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Sony Corp 光導波路装置
US5276745A (en) * 1992-10-15 1994-01-04 Eastman Kodak Company Integrated optic read/write head for optical data storage incorporating second harmonic generator, electro-optic tracking error actuator, and electro-optic modulator
US5418800A (en) * 1993-10-27 1995-05-23 Yeda Research And Development Co. Ltd. Reduced linewidth from an electrically coupled two section semiconductor laser
US5682455A (en) * 1996-02-29 1997-10-28 Northern Telecom Limited Semiconductor optical waveguide
US6922426B2 (en) * 2001-12-20 2005-07-26 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region
US6882758B2 (en) * 2002-07-09 2005-04-19 Bookham Technology Plc Current tuned Mach-Zehnder optical attenuator
KR100519920B1 (ko) * 2002-12-10 2005-10-10 한국전자통신연구원 포화 흡수체와 이득 고정 광 증폭기가 집적된 초고속광신호 처리장치
JP2004273993A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Hitachi Ltd 波長可変分布反射型半導体レーザ装置
US7233709B2 (en) * 2003-11-04 2007-06-19 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Ltd. Pte. Electro-absorption modulator
JP2006013191A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Fujitsu Ltd 光半導体素子
FR2906412B1 (fr) * 2006-09-22 2008-11-14 Alcatel Sa Laser accordable a reseau de bragg distribue comportant une section de bragg en materiau massif contraint
US20100284645A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Alcatel-Lucent Usa Inc. Semiconductor thermooptic phase shifter

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110293A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 Sharp Corp 光半導体装置
JPH0632339B2 (ja) * 1984-12-18 1994-04-27 キヤノン株式会社 半導体レ−ザ
JPS6215875A (ja) * 1985-07-12 1987-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS6267890A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ
JPH0666519B2 (ja) * 1986-08-14 1994-08-24 東京工業大学長 超格子構造体
JPS6371826A (ja) * 1986-09-16 1988-04-01 Hitachi Ltd 光半導体装置
GB2223351A (en) * 1988-09-28 1990-04-04 Philips Electronic Associated A method of manufacturing a semiconductor device having waveguide structure
JPH03228032A (ja) * 1990-02-01 1991-10-09 Mitsubishi Electric Corp 光方向性結合器
JPH03235915A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Fujitsu Ltd 光機能素子
US5124996A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element having a plurality of layers emitting lights of different wavelengths, and its driving method
JP2553731B2 (ja) * 1990-04-13 1996-11-13 三菱電機株式会社 半導体光素子
US5111255A (en) * 1990-06-05 1992-05-05 At&T Bell Laboratories Buried channel heterojunction field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
US5179615A (en) 1993-01-12
DE69219930T2 (de) 1997-09-11
EP0505289A3 (en) 1993-01-13
EP0505289A2 (en) 1992-09-23
DE69219930D1 (de) 1997-07-03
EP0505289B1 (en) 1997-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04291304A (ja) 光導波路および光信号の制御方法
KR102368946B1 (ko) 파장 가변 레이저 장치 및 이를 제조하는 방법
JPH0632332B2 (ja) 半導体レ−ザ装置
US4778235A (en) Optical switch
CN112615253B (zh) 一种波长可调谐半导体激光器
JP2019008179A (ja) 半導体光素子
JPH0348476A (ja) 半導体光素子
US5502741A (en) Direct amplitude modulation of lasers
US4817105A (en) Integrated laser device with refractive index modulator
JPH06314839A (ja) 光変調器集積型多重量子井戸構造半導体レーザ素子
JPH01319986A (ja) 半導体レーザ装置
KR100378596B1 (ko) 반도체 광변조기 구조
Yamakoshi et al. An optical-wavelength conversion laser with tunable range of 30 Å
US6891986B2 (en) Optical switch
JPH03235915A (ja) 光機能素子
JPH03240285A (ja) 双安定半導体レーザ
JPH0680857B2 (ja) 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ
US20050271089A1 (en) Tuneable laser
JP3397511B2 (ja) 偏波変調可能な半導体レーザ
JPS6381305A (ja) 光集積回路
JPH05304333A (ja) 波長スイッチングレーザ
JPH04291974A (ja) 光波長フィルタの駆動方法
JPH04245494A (ja) 多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法
JP2676942B2 (ja) 光変調器
JPH01244431A (ja) 可変波長フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010911