JPH04291345A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH04291345A JPH04291345A JP3057403A JP5740391A JPH04291345A JP H04291345 A JPH04291345 A JP H04291345A JP 3057403 A JP3057403 A JP 3057403A JP 5740391 A JP5740391 A JP 5740391A JP H04291345 A JPH04291345 A JP H04291345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- substrate
- sidewall
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法に係
り、詳しくは半導体集積回路の製造におけるフォトリソ
グラフィー技術に適用することができ、特にスループッ
ト及び歩留りを向上させることができるパターン形成方
法に関する。
り、詳しくは半導体集積回路の製造におけるフォトリソ
グラフィー技術に適用することができ、特にスループッ
ト及び歩留りを向上させることができるパターン形成方
法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩは高集積化が要求されており
、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化
することが要求されている。そのため、露光装置の高解
像力化が進められているが、現在のパターン微細化の速
度は露光装置の高性能化を上回っており、最近ではマス
ク（レチクル）の工夫である位相シフト法が盛んに開発
されつつあり、その位相シフトマスクを安定して形成す
ることが要求されている。
、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化
することが要求されている。そのため、露光装置の高解
像力化が進められているが、現在のパターン微細化の速
度は露光装置の高性能化を上回っており、最近ではマス
ク（レチクル）の工夫である位相シフト法が盛んに開発
されつつあり、その位相シフトマスクを安定して形成す
ることが要求されている。
【０００３】
【従来の技術】従来のエッジ強調型位相シフトマスクは
、そのエッジ周辺の位相シフターの幅が本来は厳密に設
定製造されなければならないのに関わらず、その製作方
法は極めてトリッキーな手法を用いていた。例えば、遮
光膜で形成されたパターン上に位相シフト用の膜を形成
し、次いで、位置合わせを行ってレジストパターンを形
成した後、位相シフト膜をエッチングするというもので
あった。
、そのエッジ周辺の位相シフターの幅が本来は厳密に設
定製造されなければならないのに関わらず、その製作方
法は極めてトリッキーな手法を用いていた。例えば、遮
光膜で形成されたパターン上に位相シフト用の膜を形成
し、次いで、位置合わせを行ってレジストパターンを形
成した後、位相シフト膜をエッチングするというもので
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た位相シフトマスクを形成する従来のパターン形成方法
では、位置合わせ、電子線描画等が必要になる等のため
スループットが悪く、また、位置ずれによって各エッジ
のシフター幅が変化してしまい、再現性良く形成し難く
、良品レチクルの歩留りが悪くなるといった問題を生じ
ていた。
た位相シフトマスクを形成する従来のパターン形成方法
では、位置合わせ、電子線描画等が必要になる等のため
スループットが悪く、また、位置ずれによって各エッジ
のシフター幅が変化してしまい、再現性良く形成し難く
、良品レチクルの歩留りが悪くなるといった問題を生じ
ていた。
【０００５】そこで本発明は、位置合わせ、電子線描画
を不要にすることができ、スループットを向上させるこ
とができ、しかも再現性良く形成することができ、良品
レチクルの歩留りを向上させることができるパターン形
成方法を提供することを目的としている。
を不要にすることができ、スループットを向上させるこ
とができ、しかも再現性良く形成することができ、良品
レチクルの歩留りを向上させることができるパターン形
成方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるパターン形
成方法は上記目的達成のため、基板上に第１の膜を形成
し、次いで、該第１の膜をエッチングして該基板上にパ
ターン状の第１の膜パターンを形成し、次いで、該第１
の膜パターンを覆うように第２の膜を形成し、次いで、
該第２の膜３を異方性エッチングして該第１の膜パター
ン側壁に側壁膜を形成し、次いで、該第１の膜パターン
及び該側壁膜をマスクとして該基板をエッチングし、更
に該側壁膜を除去して該基板上にパターン状段差を形成
するものである。
成方法は上記目的達成のため、基板上に第１の膜を形成
し、次いで、該第１の膜をエッチングして該基板上にパ
ターン状の第１の膜パターンを形成し、次いで、該第１
の膜パターンを覆うように第２の膜を形成し、次いで、
該第２の膜３を異方性エッチングして該第１の膜パター
ン側壁に側壁膜を形成し、次いで、該第１の膜パターン
及び該側壁膜をマスクとして該基板をエッチングし、更
に該側壁膜を除去して該基板上にパターン状段差を形成
するものである。
【０００７】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図１におい
て、１は基板、１ａは基板１表面に形成されたパターン
状の段差、２は基板１上に形成された第１の膜、２ａは
第１の膜２がエッチングされ形成されたパターン状の第
１の膜パターン、３は第１の膜パターン２ａを覆うよう
に形成された第２の膜、３ａは第２の膜３が異方性エッ
チングされ第１の膜パターン２ａ側壁に形成された側壁
膜である。
て、１は基板、１ａは基板１表面に形成されたパターン
状の段差、２は基板１上に形成された第１の膜、２ａは
第１の膜２がエッチングされ形成されたパターン状の第
１の膜パターン、３は第１の膜パターン２ａを覆うよう
に形成された第２の膜、３ａは第２の膜３が異方性エッ
チングされ第１の膜パターン２ａ側壁に形成された側壁
膜である。
【０００８】次に、そのパターン形成方法について説明
する。まず、図１（ａ）に示すように、基板１上に第１
の膜２を形成した後、図１（ｂ）に示すように、第１の
膜２を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａを形
成する。この時、基板１が露出される。
する。まず、図１（ａ）に示すように、基板１上に第１
の膜２を形成した後、図１（ｂ）に示すように、第１の
膜２を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａを形
成する。この時、基板１が露出される。
【０００９】次に、図１（ｃ）に示すように、第１の膜
パターン２ａを覆うように第２の膜３を形成した後、図
１（ｄ）に示すように、第２の膜３を異方性エッチング
し第２の膜３が少なくとも第１の膜パターン２ａ側壁に
残るように除去して第１の膜パターン２ａ側壁に側壁膜
３ａを形成する。この時、基板１が露出される。
パターン２ａを覆うように第２の膜３を形成した後、図
１（ｄ）に示すように、第２の膜３を異方性エッチング
し第２の膜３が少なくとも第１の膜パターン２ａ側壁に
残るように除去して第１の膜パターン２ａ側壁に側壁膜
３ａを形成する。この時、基板１が露出される。
【００１０】そして、第１の膜パターン２ａ及び側壁膜
３ａをマスクとして基板１を異方性エッチングし（図１
（ｅ））、更に側壁膜３ａを除去することにより、図１
（ｆ）に示すような基板１表面にパターン状の段差１ａ
が形成されたパターンを得ることができる。
３ａをマスクとして基板１を異方性エッチングし（図１
（ｅ））、更に側壁膜３ａを除去することにより、図１
（ｆ）に示すような基板１表面にパターン状の段差１ａ
が形成されたパターンを得ることができる。
【００１１】このように、本発明では、自己整合的に第
１の膜パターン２ａ側壁に側壁膜３ａを一様な幅で形成
しており、遮光膜となる第１の膜パターン２ａエッジ周
辺の位相シフターの幅及び外側のパターンエッジの位置
（図１（ｆ）に示すＸ部）を、第１の膜パターン２ａ側
壁に一様な幅で形成された側壁膜３ａの幅で決定するよ
うにしたため、図１（ｆ）に示す如くａ＝ｂというよう
に位相シフター幅及びパターンエッジの位置を略等しく
することができる。このため、エッジ強調型位相シフト
マスクの形成に極めて有効であり、かつ再現性良く形成
することができ、レチクル製作の歩留りを向上させるこ
とができる。なお、側壁膜３ａの膜厚管理のみでよく、
現状のところ±５％の制御で行うことができる。
１の膜パターン２ａ側壁に側壁膜３ａを一様な幅で形成
しており、遮光膜となる第１の膜パターン２ａエッジ周
辺の位相シフターの幅及び外側のパターンエッジの位置
（図１（ｆ）に示すＸ部）を、第１の膜パターン２ａ側
壁に一様な幅で形成された側壁膜３ａの幅で決定するよ
うにしたため、図１（ｆ）に示す如くａ＝ｂというよう
に位相シフター幅及びパターンエッジの位置を略等しく
することができる。このため、エッジ強調型位相シフト
マスクの形成に極めて有効であり、かつ再現性良く形成
することができ、レチクル製作の歩留りを向上させるこ
とができる。なお、側壁膜３ａの膜厚管理のみでよく、
現状のところ±５％の制御で行うことができる。
【００１２】また、自己整合的に形成することができ、
しかも位置合わせ及び電子線描画を不要にすることがで
きるため、レチクル製作のスループットを向上させるこ
とができる。
しかも位置合わせ及び電子線描画を不要にすることがで
きるため、レチクル製作のスループットを向上させるこ
とができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２は本発明の一実施例に則したパターン形成方法を説明
する図であり、図示例は位相シフトマスクの形成方法に
適用する場合である。図２において、図１と同一符号は
同一または相当部分を示し、４は第１の膜２上に形成さ
れたレジスト、４ａはレジスト４がパターニングされ形
成されたレジストパターンである。
２は本発明の一実施例に則したパターン形成方法を説明
する図であり、図示例は位相シフトマスクの形成方法に
適用する場合である。図２において、図１と同一符号は
同一または相当部分を示し、４は第１の膜２上に形成さ
れたレジスト、４ａはレジスト４がパターニングされ形
成されたレジストパターンである。
【００１４】次に、そのパターン形成方法について説明
する。まず、図２（ａ）に示すように、合成石英等から
なる露光光透過用の基板１上にＣｒ等の遮光膜２ｂを形
成し、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２ｂ上にレジス
ト４を塗布し、図２（ｃ）に示すように、露光・現像に
よりレジスト４をパターニングしてレジストパターン４
ａを形成する。
する。まず、図２（ａ）に示すように、合成石英等から
なる露光光透過用の基板１上にＣｒ等の遮光膜２ｂを形
成し、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２ｂ上にレジス
ト４を塗布し、図２（ｃ）に示すように、露光・現像に
よりレジスト４をパターニングしてレジストパターン４
ａを形成する。
【００１５】次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト
パターン４ａをマスクとしてＣｒ膜２ｂを異方性エッチ
ングし、図２（ｅ）に示すように、Ｃｒ膜２ｂ及びレジ
ストパターン４ａを覆うように例えばポリシリコンから
なる第２の膜３（図示せず）を形成した後、第２の膜３
を異方性エッチングしてレジストパターン４ａ及びＣｒ
膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する。
パターン４ａをマスクとしてＣｒ膜２ｂを異方性エッチ
ングし、図２（ｅ）に示すように、Ｃｒ膜２ｂ及びレジ
ストパターン４ａを覆うように例えばポリシリコンから
なる第２の膜３（図示せず）を形成した後、第２の膜３
を異方性エッチングしてレジストパターン４ａ及びＣｒ
膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する。
【００１６】そして、レジストパターン４ａ、Ｃｒ膜２
ｂ及び側壁膜３ａをマスクとして基板１をエッチングし
、更にレジストパターン４ａ及び側壁膜３ａを除去する
ことにより、図２（ｆ）に示すような基板１表面にパタ
ーン状の段差１ａが形成されたパターンを得ることがで
きる。
ｂ及び側壁膜３ａをマスクとして基板１をエッチングし
、更にレジストパターン４ａ及び側壁膜３ａを除去する
ことにより、図２（ｆ）に示すような基板１表面にパタ
ーン状の段差１ａが形成されたパターンを得ることがで
きる。
【００１７】すなわち、本実施例では、基板１を露光装
置に用いられる露光光透過性基板とし、１層の遮光膜２
ｂを含んでいる場合であり、自己整合的にレジストパタ
ーン４ａ及び遮光膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを一様な幅で
形成しており、遮光膜２ｂエッジ周辺の位相シフターの
幅及び外側のパターンエッジの位置（図２（ｆ）に示す
Ｘ部）を、遮光膜２ｂ側壁に一様な幅で形成された側壁
膜３ａの幅で決定するようにしたため、位相シフター幅
及びパターンエッジの位置を略等しくすることができる
。このため、エッジ強調型位相シフトマスクの形成に極
めて有効であり、かつ再現性良く形成することができ、
レチクル製作の歩留りを向上させることができる。 なお、側壁膜３ａの膜厚管理のみでよく、現状のところ
±５％の制御で行うことができる。また、自己整合的に
形成することができ、しかも位置合わせ及び電子線描画
を不要にすることができるため、レチクル製作のスルー
プットを向上させることができる。
置に用いられる露光光透過性基板とし、１層の遮光膜２
ｂを含んでいる場合であり、自己整合的にレジストパタ
ーン４ａ及び遮光膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを一様な幅で
形成しており、遮光膜２ｂエッジ周辺の位相シフターの
幅及び外側のパターンエッジの位置（図２（ｆ）に示す
Ｘ部）を、遮光膜２ｂ側壁に一様な幅で形成された側壁
膜３ａの幅で決定するようにしたため、位相シフター幅
及びパターンエッジの位置を略等しくすることができる
。このため、エッジ強調型位相シフトマスクの形成に極
めて有効であり、かつ再現性良く形成することができ、
レチクル製作の歩留りを向上させることができる。 なお、側壁膜３ａの膜厚管理のみでよく、現状のところ
±５％の制御で行うことができる。また、自己整合的に
形成することができ、しかも位置合わせ及び電子線描画
を不要にすることができるため、レチクル製作のスルー
プットを向上させることができる。
【００１８】次に、本発明においては、基板表面に１層
（少なくとも１層以上であればよい）の第３の膜が形成
されている基板を用いる場合であってもよく、具体的に
は、図３（ａ）に示すように、基板１上にＳｉＯ２ 第
３の膜５を形成し、第３の膜５上にポリＳｉ第１の膜２
を形成し、第１の膜２を異方性エッチングして第１の膜
パターン２ａを形成した後、図３（ｂ）に示すように、
第１の膜パターン２ａを覆うようにＰＳＧ第２の膜３を
形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、第２の膜
３を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａ側壁に
側壁膜３ａを形成し、図３（ｄ）に示すように、第１の
膜パターン２ａ及び側壁膜３ａをマスクとして第３の膜
５を異方性エッチングし、更に側壁膜３ａを除去して基
板１上に段差を形成する。この場合、基板１上に段差を
形成することができるため、ＳｉＯ２ 、ＰＳＧ等の絶
縁層を第１の膜パターン２ａ及び第３の膜５を覆うよう
に形成する際、垂直形状に形成されたパターンを覆う場
合よりもカバレッジ良く配線層を形成することができる
。
（少なくとも１層以上であればよい）の第３の膜が形成
されている基板を用いる場合であってもよく、具体的に
は、図３（ａ）に示すように、基板１上にＳｉＯ２ 第
３の膜５を形成し、第３の膜５上にポリＳｉ第１の膜２
を形成し、第１の膜２を異方性エッチングして第１の膜
パターン２ａを形成した後、図３（ｂ）に示すように、
第１の膜パターン２ａを覆うようにＰＳＧ第２の膜３を
形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、第２の膜
３を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａ側壁に
側壁膜３ａを形成し、図３（ｄ）に示すように、第１の
膜パターン２ａ及び側壁膜３ａをマスクとして第３の膜
５を異方性エッチングし、更に側壁膜３ａを除去して基
板１上に段差を形成する。この場合、基板１上に段差を
形成することができるため、ＳｉＯ２ 、ＰＳＧ等の絶
縁層を第１の膜パターン２ａ及び第３の膜５を覆うよう
に形成する際、垂直形状に形成されたパターンを覆う場
合よりもカバレッジ良く配線層を形成することができる
。
【００１９】次に、図３では第３の膜５にＳｉＯ２ を
用いる場合について説明したが、本発明においては、第
３の膜５に露光光透過性膜を用いる場合であってもよく
、具体的には図４（ａ）に示すように、基板１上に露光
光透過性材料からなる（例えばＯＣＤ：東京応化社製）
Ｐ第３の膜５及びＣｒ等の遮光膜となる第１の膜２を形
成し、図４（ｂ）に示すように、第１の膜２上にレジス
トパターン４ａを形成した後、図４（ｃ）に示すように
、レジストパターン４ａをマスクとして第１の膜２を異
方性エッチングして第１の膜パターン２ａを形成する。 次いで、図４（ｄ）に示すように、第１の膜パターン２
ａ及びレジストパターン４ａを覆うように例えばポリシ
リコン又はＰＳＧ等からなる第２の膜を形成し、第２の
膜を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａ及びレ
ジストパターン４ａ側壁に側壁膜３ａを形成する。そし
て、図４（ｅ）に示すように、第１の膜パターン２ａ、
レジストパターン４ａ及び側壁膜３ａをマスクとして第
３の膜５を異方性エッチングし、更にレジストパターン
４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形成す
る。この場合、図２の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
用いる場合について説明したが、本発明においては、第
３の膜５に露光光透過性膜を用いる場合であってもよく
、具体的には図４（ａ）に示すように、基板１上に露光
光透過性材料からなる（例えばＯＣＤ：東京応化社製）
Ｐ第３の膜５及びＣｒ等の遮光膜となる第１の膜２を形
成し、図４（ｂ）に示すように、第１の膜２上にレジス
トパターン４ａを形成した後、図４（ｃ）に示すように
、レジストパターン４ａをマスクとして第１の膜２を異
方性エッチングして第１の膜パターン２ａを形成する。 次いで、図４（ｄ）に示すように、第１の膜パターン２
ａ及びレジストパターン４ａを覆うように例えばポリシ
リコン又はＰＳＧ等からなる第２の膜を形成し、第２の
膜を異方性エッチングして第１の膜パターン２ａ及びレ
ジストパターン４ａ側壁に側壁膜３ａを形成する。そし
て、図４（ｅ）に示すように、第１の膜パターン２ａ、
レジストパターン４ａ及び側壁膜３ａをマスクとして第
３の膜５を異方性エッチングし、更にレジストパターン
４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形成す
る。この場合、図２の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
【００２０】次に、本発明においては、基板１がＬＳＩ
を形成するウェーハ基板である場合であってもよく、具
体的には図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上にＰＳ
Ｇ第３の膜５を形成し、第３の膜５上に第１の膜パター
ン２ａを形成し、図５（ｂ）に示すように第１の膜パタ
ーン２ａをマスクとして第３の膜５を異方性エッチング
した後（基板１が露出しないように途中で止める）、図
５（ｃ）に示すように、第１の膜パターン２ａ側壁に側
壁膜３ａを形成する。そして、図５（ｄ）に示すように
、第１の膜パターン２ａ及び第２の膜３をマスクとして
第３の膜５を異方性エッチングして基板１を露出させ、
図５（ｅ）に示すように、第１の膜パターン２ａ及び側
壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形成する。この場
合、図３の実施例と同様の効果を得ることができる。
を形成するウェーハ基板である場合であってもよく、具
体的には図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上にＰＳ
Ｇ第３の膜５を形成し、第３の膜５上に第１の膜パター
ン２ａを形成し、図５（ｂ）に示すように第１の膜パタ
ーン２ａをマスクとして第３の膜５を異方性エッチング
した後（基板１が露出しないように途中で止める）、図
５（ｃ）に示すように、第１の膜パターン２ａ側壁に側
壁膜３ａを形成する。そして、図５（ｄ）に示すように
、第１の膜パターン２ａ及び第２の膜３をマスクとして
第３の膜５を異方性エッチングして基板１を露出させ、
図５（ｅ）に示すように、第１の膜パターン２ａ及び側
壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形成する。この場
合、図３の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００２１】次に、本発明においては、第１の膜が多層
で形成されている場合であってもよく、具体的には、図
６（ａ）に示すように、基板１上にＣｒ膜２ｂ及びＰＳ
Ｇ膜２ｃからなる第１の膜２を形成し、図６（ｂ）に示
すように、第１の膜２上にレジスト塗布によりレジスト
４を形成し、図６（ｃ）に示すように、露光・現像によ
りレジスト４をパターニングにしてレジストパターン４
ａを形成した後、図６（ｄ）に示すように、レジストパ
ターン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃを異方性エッチ
ングし、レジストパターン４ａを除去する。そして、図
６（ｅ）に示すように、ＰＳＧ膜２ｃ側壁にポリＳｉ側
壁膜３ａを形成し、図６（ｆ）に示すように、ＰＳＧ膜
２ｃ及び側壁膜３ａをマスクとしてＣｒ膜２ｂをエッチ
ングし、更に側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形
成する。
で形成されている場合であってもよく、具体的には、図
６（ａ）に示すように、基板１上にＣｒ膜２ｂ及びＰＳ
Ｇ膜２ｃからなる第１の膜２を形成し、図６（ｂ）に示
すように、第１の膜２上にレジスト塗布によりレジスト
４を形成し、図６（ｃ）に示すように、露光・現像によ
りレジスト４をパターニングにしてレジストパターン４
ａを形成した後、図６（ｄ）に示すように、レジストパ
ターン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃを異方性エッチ
ングし、レジストパターン４ａを除去する。そして、図
６（ｅ）に示すように、ＰＳＧ膜２ｃ側壁にポリＳｉ側
壁膜３ａを形成し、図６（ｆ）に示すように、ＰＳＧ膜
２ｃ及び側壁膜３ａをマスクとしてＣｒ膜２ｂをエッチ
ングし、更に側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を形
成する。
【００２２】次に、図６では、ＰＳＧ膜２ｃ側壁に側壁
膜３ａを形成する場合について説明したが、ＰＳＧ膜２
ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する場合であ
ってもよく、具体的には、図６（ｄ）に示すＰＳＧ膜２
ｃパターン形成後、図７（ａ）に示すように、ＰＳＧ膜
２ｃパターンをマスクとしてＣｒ膜２ｂを異方性エッチ
ングしてＣｒ膜２ｂパターンを形成し、図７（ｂ）に示
すように、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側壁膜３
ａを形成し、図７（ｃ）に示すように、ＰＳＧ膜２ｃ、
Ｃｒ膜２ｂ及び側壁膜３ａをマスクとして基板１をエッ
チングし、更に側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を
形成する。
膜３ａを形成する場合について説明したが、ＰＳＧ膜２
ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する場合であ
ってもよく、具体的には、図６（ｄ）に示すＰＳＧ膜２
ｃパターン形成後、図７（ａ）に示すように、ＰＳＧ膜
２ｃパターンをマスクとしてＣｒ膜２ｂを異方性エッチ
ングしてＣｒ膜２ｂパターンを形成し、図７（ｂ）に示
すように、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側壁膜３
ａを形成し、図７（ｃ）に示すように、ＰＳＧ膜２ｃ、
Ｃｒ膜２ｂ及び側壁膜３ａをマスクとして基板１をエッ
チングし、更に側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を
形成する。
【００２３】図６、７では、ＰＳＧ膜２ｃパターン形成
後、レジストパターン４ａを除去する場合について説明
したが、レジストパターン４ａを残した状態で次工程に
進んでもよく、具体的には図８（ａ）に示すように、レ
ジストパターン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃを異方
性エッチングしてＰＳＧ膜２ｃパターンを形成し、図８
（ｂ）に示すように、レジストパターン４ａを除去せず
にレジストパターン４ａ及びＰＳＧ膜２ｃ側壁に側壁膜
３ａを形成した後、図８（ｃ）に示すように、レジスト
パターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及び側壁膜３ａをマスクと
してＣｒ膜２ｂを異方性エッチングし、更にレジストパ
ターン４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を
形成する。
後、レジストパターン４ａを除去する場合について説明
したが、レジストパターン４ａを残した状態で次工程に
進んでもよく、具体的には図８（ａ）に示すように、レ
ジストパターン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃを異方
性エッチングしてＰＳＧ膜２ｃパターンを形成し、図８
（ｂ）に示すように、レジストパターン４ａを除去せず
にレジストパターン４ａ及びＰＳＧ膜２ｃ側壁に側壁膜
３ａを形成した後、図８（ｃ）に示すように、レジスト
パターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及び側壁膜３ａをマスクと
してＣｒ膜２ｂを異方性エッチングし、更にレジストパ
ターン４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に段差を
形成する。
【００２４】図８では、レジストパターン４ａ及びＰＳ
Ｇ膜２ｃ側壁に側壁膜３ａを形成する場合について説明
したが、レジストパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ
膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する場合であってもよく
、具体的には、図９（ａ）に示すように、レジストパタ
ーン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂを
異方性エッチングし、図９（ｂ）に示すように、レジス
トパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側
壁膜３ａを形成した後、図９（ｃ）に示すように、レジ
ストパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ、Ｃｒ膜２ｂ及び側壁
膜３ａをマスクとして基板１をエッチングし、更にレジ
ストパターン４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に
段差を形成する。
Ｇ膜２ｃ側壁に側壁膜３ａを形成する場合について説明
したが、レジストパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ
膜２ｂ側壁に側壁膜３ａを形成する場合であってもよく
、具体的には、図９（ａ）に示すように、レジストパタ
ーン４ａをマスクとしてＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂを
異方性エッチングし、図９（ｂ）に示すように、レジス
トパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ及びＣｒ膜２ｂ側壁に側
壁膜３ａを形成した後、図９（ｃ）に示すように、レジ
ストパターン４ａ、ＰＳＧ膜２ｃ、Ｃｒ膜２ｂ及び側壁
膜３ａをマスクとして基板１をエッチングし、更にレジ
ストパターン４ａ及び側壁膜３ａを除去して基板１上に
段差を形成する。
【００２５】次に、本発明においては、図１０に示すよ
うに、第２の膜形成とそれに引き続く第２の膜の異方性
エッチングと基板のエッチングとを繰り返し行って多重
パターン状の段差を形成する場合であってもよく、更に
段差を緩やかにすることができ、その段差上にＡｌ等の
配線層を形成する際、更にカバレッジ良く形成すること
ができ好ましい。
うに、第２の膜形成とそれに引き続く第２の膜の異方性
エッチングと基板のエッチングとを繰り返し行って多重
パターン状の段差を形成する場合であってもよく、更に
段差を緩やかにすることができ、その段差上にＡｌ等の
配線層を形成する際、更にカバレッジ良く形成すること
ができ好ましい。
【００２６】次に、本発明においては、図１１に示すよ
うに、第２の膜形成とそれに引き続く第２の膜の異方性
エッチングを繰り返し行い、多重の側壁を形成し、その
後１部の側壁のみ除去した後、基板をエッチングして多
重パターン状の段差を形成する場合であってもよく、こ
の場合、ＬＳＩ製作等の多重パターン段差形成に好まし
く適用することができる。又、特殊なタイプの位相シフ
トレチクルの形成にも適用できる。
うに、第２の膜形成とそれに引き続く第２の膜の異方性
エッチングを繰り返し行い、多重の側壁を形成し、その
後１部の側壁のみ除去した後、基板をエッチングして多
重パターン状の段差を形成する場合であってもよく、こ
の場合、ＬＳＩ製作等の多重パターン段差形成に好まし
く適用することができる。又、特殊なタイプの位相シフ
トレチクルの形成にも適用できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、位置合わせ、電子線描
画を不要にすることができ、レチクル製作のスループッ
トを向上させることができ、しかも再現性良く形成する
ことができ、レチクル製作の歩留りを向上させることが
できるという効果がある。
画を不要にすることができ、レチクル製作のスループッ
トを向上させることができ、しかも再現性良く形成する
ことができ、レチクル製作の歩留りを向上させることが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例に則したパターン形成方法を
説明する図である。
説明する図である。
【図３】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図４】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図５】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図６】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図７】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図８】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図９】本発明に適用できるパターン形成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図１０】本発明に適用できるパターン形成方法を説明
する図である。
する図である。
【図１１】本発明に適用できるパターン形成方法を説明
する図である。
する図である。
１ 基板
１ａ 段差
２ 第１の膜
２ａ 第１の膜パターン
３ 第２の膜
３ａ 側壁膜
４ レジスト
４ａ レジストパターン
５ 第３の膜
Claims (8)
- 【請求項１】 基板（１）上に第１の膜（２）を形成
し、次いで、該第１の膜（２）をエッチングして該基板
（１）上にパターン状の第１の膜パターン（２ａ）を形
成し、次いで、該第１の膜パターン（２ａ）を覆うよう
に第２の膜（３）を形成し、次いで、該第２の膜（３）
を異方性エッチングして該第１の膜パターン（２ａ）側
壁に側壁膜（３ａ）を形成し、次いで、該第１の膜パタ
ーン（２ａ）及び該側壁膜（３ａ）をマスクとして該基
板（１）をエッチングし、更に該側壁膜（３ａ）を除去
して該基板１上にパターン状段差１ａを形成するように
構成する。 - 【請求項２】 前記基板が露光装置に用いられる露光
光透過性基板であり、前記第１の膜パターン膜が少なく
とも１層の遮光膜を含んでいることを特徴とする請求項
１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 基板表面に少なくとも１層以上の第３
の膜が形成されている基板を用いることを特徴とする請
求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記第３の膜に露光光透過性の材料を
用いることを特徴とする請求項３記載のパターン形成方
法。 - 【請求項５】 前記基板が半導体素子を形成するウェ
ーハ基板であることを特徴とする請求項１記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項６】 前記第１の膜が多層で形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の第２の膜形成とそれに
引き続く第２の膜の異方性エッチングと基板のエッチン
グとを繰り返し行って多重パターン状の段差を形成する
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項８】 請求項１記載の第２の膜形成とそれに
引き続く第２の膜の異方性エッチングを繰り返し行い、
多重の側壁を形成し、その後１部の側壁のみ除去した後
、基板をエッチングして多重パターン状の段差を形成す
ることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3057403A JPH04291345A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3057403A JPH04291345A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291345A true JPH04291345A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13054676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3057403A Withdrawn JPH04291345A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209851A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| JPH07295205A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Lg Semicon Co Ltd | リソグラフイマスクの製造方法 |
| KR100406584B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2003-11-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| WO2008021823A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Oerlikon Usa, Inc. | Method to minimize cd etch bias |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3057403A patent/JPH04291345A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07209851A (ja) * | 1993-12-23 | 1995-08-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リソグラフィ露光マスクおよびその製造方法 |
| JPH07295205A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Lg Semicon Co Ltd | リソグラフイマスクの製造方法 |
| KR100406584B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2003-11-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| WO2008021823A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Oerlikon Usa, Inc. | Method to minimize cd etch bias |
| US8187483B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-05-29 | Jason Plumhoff | Method to minimize CD etch bias |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5741624A (en) | Method for reducing photolithographic steps in a semiconductor interconnect process | |
| US6100014A (en) | Method of forming an opening in a dielectric layer through a photoresist layer with silylated sidewall spacers | |
| US5895735A (en) | Phase shift masks including first and second radiation blocking layer patterns, and methods of fabricating and using the same | |
| KR100310257B1 (ko) | 반도체소자의 미세 패턴의 제조방법 | |
| US8021801B2 (en) | Method for fabricating photomask in semiconductor device | |
| KR100907887B1 (ko) | 하프톤형 위상 시프트 마스크의 제조방법 | |
| KR0172255B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| JPH04291345A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR19980028362A (ko) | 반도체소자의 미세 패턴 제조방법 | |
| JP2734753B2 (ja) | 位相シフトマスクの形成方法 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology | |
| US6350547B1 (en) | Oxide structure having a finely calibrated thickness | |
| KR20020051109A (ko) | 하프톤 마스크의 제조 방법 | |
| KR100318272B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| KR0137737B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100401517B1 (ko) | 반도체 제조용 노광 마스크의 제조방법 | |
| JPH03257825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100515372B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR100406584B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
| KR100289664B1 (ko) | 노광 마스크의 제조방법 | |
| KR100353404B1 (ko) | 반도체 마스크 제조방법 | |
| JPH05241320A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR0185785B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
| KR20000002912A (ko) | 위상 반전 마스크의 형성 방법 | |
| JPH05165195A (ja) | ガラスマスク並びに該ガラスマスクを使用した半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |