JPH0429142A - 露光方法およびそれに使用されるマスク - Google Patents
露光方法およびそれに使用されるマスクInfo
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- JPH0429142A JPH0429142A JP2133834A JP13383490A JPH0429142A JP H0429142 A JPH0429142 A JP H0429142A JP 2133834 A JP2133834 A JP 2133834A JP 13383490 A JP13383490 A JP 13383490A JP H0429142 A JPH0429142 A JP H0429142A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、露光技術、特に、マスクに描画されたパター
ンを被転写物上のレジストに露光する技術に関し、例え
ば、半導体装置の製造工程において、ホトマスク（以下
、マスクという、）に描画された回路パターン（以下、
パターンという。）を半導体ウェハ（以下、ウェハとい
う。）上のレジストに露光するのに利用して有効なもの
に関する。
ンを被転写物上のレジストに露光する技術に関し、例え
ば、半導体装置の製造工程において、ホトマスク（以下
、マスクという、）に描画された回路パターン（以下、
パターンという。）を半導体ウェハ（以下、ウェハとい
う。）上のレジストに露光するのに利用して有効なもの
に関する。
半導体装置の製造工程において、マスクに描画された回
路パターンをウェハ上のレジストに縮小投影露光する場
合、露光光源からの光線をマスクに照射し、マスクを透
過した光線を縮小投影レンズを介してウェハに照射し、
この光線によりウェハのレジストを露光し、マスクのパ
ターンをウェハ上に縮小投影露光することが、実施され
ている。
路パターンをウェハ上のレジストに縮小投影露光する場
合、露光光源からの光線をマスクに照射し、マスクを透
過した光線を縮小投影レンズを介してウェハに照射し、
この光線によりウェハのレジストを露光し、マスクのパ
ターンをウェハ上に縮小投影露光することが、実施され
ている。
なお、露光技術を述べである例としては、特開昭６４−
６７９１４号公報、および、株式会社工業調査会発行「
電子材料１９８１年１１月号別冊」昭和５６年１１月１
０日発行 Ｐ１０３〜Ｐ１０９、がある。
６７９１４号公報、および、株式会社工業調査会発行「
電子材料１９８１年１１月号別冊」昭和５６年１１月１
０日発行 Ｐ１０３〜Ｐ１０９、がある。
前記のような露光方法においては、ウェハに転写される
パターンの倍率は、使用される縮小投影露光装置の倍率
により一義的に決定されてしまうため、ウェハに転写さ
れるパターンの倍率を、量的に定まる倍率に対して若干
増減したい場合であっても、マスクを作り直すか、縮小
投影露光装置の縮小レンズを変更する必要がある。
パターンの倍率は、使用される縮小投影露光装置の倍率
により一義的に決定されてしまうため、ウェハに転写さ
れるパターンの倍率を、量的に定まる倍率に対して若干
増減したい場合であっても、マスクを作り直すか、縮小
投影露光装置の縮小レンズを変更する必要がある。
本発明の目的は、ウェハに転写されるパターンの倍率等
を、一義的に定まる倍率等に対して若干増減することを
容易に実現することができる露光技術を提供することに
ある。
を、一義的に定まる倍率等に対して若干増減することを
容易に実現することができる露光技術を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
（課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、マスク自体に光学的な補正を実行する光学系
が付設され、このマスクが使用されてマスクのパターン
がレジスト膜に露光されることを特徴とする。
が付設され、このマスクが使用されてマスクのパターン
がレジスト膜に露光されることを特徴とする。
前記した手段によれば、補正用光学系を透過した光束が
、例えば、収束されると、縮小投影露光装置により一義
的に定まる倍率は、当該光束が収束された分だけ、さら
に縮小されることになる。
、例えば、収束されると、縮小投影露光装置により一義
的に定まる倍率は、当該光束が収束された分だけ、さら
に縮小されることになる。
したがって、マスクを作り直したり、縮小投影露光装置
における縮小レンズの倍率を変更したすせずに、転写さ
れるパターンの倍率を一義的に定まる倍率に対して変更
することができる。
における縮小レンズの倍率を変更したすせずに、転写さ
れるパターンの倍率を一義的に定まる倍率に対して変更
することができる。
第１図は本発明の一実施例である縮小投影露光方法を示
す模式図である。
す模式図である。
本実施例において、本発明に係る露光方法は、拡大ホト
マスク（以下、マスクという。）３に描画されたパター
ン４をウェハ１に形成されたレジスト膜２に縮小投影露
光する方法として使用されており、その露光方法には第
１図に示されている縮小投影露光装置１１が使用されて
いる。
マスク（以下、マスクという。）３に描画されたパター
ン４をウェハ１に形成されたレジスト膜２に縮小投影露
光する方法として使用されており、その露光方法には第
１図に示されている縮小投影露光装置１１が使用されて
いる。
この縮小投影露光装置１１は光源装置１２を備えており
、光源装置１２はＩ綜またはＧ線等のような所定波長の
露光用光線を照射するように構成されている。光源装置
！１２の光軸１３上にはコンデンサレンズ１４が配設さ
れており、このレンズ１４は光ｆ１１２からの光線が安
定した収束光束になるように構成されている。光軸１３
上におけるレンズ１４の光学的後方位置にはマスクホル
ダ１５が設備されており、このマスクホルダ１５はマス
ク３を保持するとともに、後記するウェハホルダと協働
して、マスク３とウェハ１との位置合わせ確保するよう
に構成されている。このマスクホルダ１５のさらに光学
的後方位置には縮小レンズ１６が光軸と光軸１３と合致
されて配設されており、このレンズ１６はマスク１５を
透過した光束を収束し、その収束光束によりパターン像
をウェハ１上に、予め設定された倍率に縮小して結ばせ
るように構成されている。
、光源装置１２はＩ綜またはＧ線等のような所定波長の
露光用光線を照射するように構成されている。光源装置
！１２の光軸１３上にはコンデンサレンズ１４が配設さ
れており、このレンズ１４は光ｆ１１２からの光線が安
定した収束光束になるように構成されている。光軸１３
上におけるレンズ１４の光学的後方位置にはマスクホル
ダ１５が設備されており、このマスクホルダ１５はマス
ク３を保持するとともに、後記するウェハホルダと協働
して、マスク３とウェハ１との位置合わせ確保するよう
に構成されている。このマスクホルダ１５のさらに光学
的後方位置には縮小レンズ１６が光軸と光軸１３と合致
されて配設されており、このレンズ１６はマスク１５を
透過した光束を収束し、その収束光束によりパターン像
をウェハ１上に、予め設定された倍率に縮小して結ばせ
るように構成されている。
縮小レンズ１６の略結像位置にはウェハホルダ１７が設
備されており、このウェハホルダ１７は被転写物として
のウェハ１を保持するように構成されている。ウェハホ
ルダ】７はマスクホルダ１５と協働して位置合わせを確
保するように構成されているとともに、縮小レンズ１６
と協働して焦点合わせを確保するように構成されている
。
備されており、このウェハホルダ１７は被転写物として
のウェハ１を保持するように構成されている。ウェハホ
ルダ】７はマスクホルダ１５と協働して位置合わせを確
保するように構成されているとともに、縮小レンズ１６
と協働して焦点合わせを確保するように構成されている
。
本実施例において、マスク３は石英ガラス等が用いられ
て平板形状に形成されているマスクブランク５を備えて
おり、このブランク５の一主面にパターン４がクローム
等が用いられて、リソグラフィー等のような適当な手段
により形成されている。マスクブランク５のパターン４
が形成された主面と反対側の主面には、倍率補正用のレ
ンズとしてのフレネルレンズ６が当接されて付設されて
おり、このフレネルレンズ６は入射光束を若干収束する
ように構成されている。
て平板形状に形成されているマスクブランク５を備えて
おり、このブランク５の一主面にパターン４がクローム
等が用いられて、リソグラフィー等のような適当な手段
により形成されている。マスクブランク５のパターン４
が形成された主面と反対側の主面には、倍率補正用のレ
ンズとしてのフレネルレンズ６が当接されて付設されて
おり、このフレネルレンズ６は入射光束を若干収束する
ように構成されている。
次に、前記構成に係る縮小投影露光装置１１およびマス
ク３が使用される場合につき、本発明の一実施例である
縮小投影露光方法を説明する。
ク３が使用される場合につき、本発明の一実施例である
縮小投影露光方法を説明する。
前記のように、−主面にフレネルレンズ６が付設されて
いるマスク３は、フレネルレンズ６が光源１２側を、パ
ターン４がウェハホルダ１７側をそれぞれ向くように配
されて、マスクホルダ１５に装着される。
いるマスク３は、フレネルレンズ６が光源１２側を、パ
ターン４がウェハホルダ１７側をそれぞれ向くように配
されて、マスクホルダ１５に装着される。
他方、被転写物としてのウェハ１はレジスト膜２側がマ
スクホルダ１５側に向くように配されて、ウェハホルダ
１７に装着される。
スクホルダ１５側に向くように配されて、ウェハホルダ
１７に装着される。
そして、ウェハ１とマスク３とは、複数回のパターン同
士が重ね合わせ露光されるように位置合わせされる。ま
た、縮小レンズ１６とウェハホルダ１７とは、縮小レン
ズ１６による像がウェハホルダ１７上のウェハ１におけ
るレジスト膜２において通正に結ばれるように、焦点合
わせされる。
士が重ね合わせ露光されるように位置合わせされる。ま
た、縮小レンズ１６とウェハホルダ１７とは、縮小レン
ズ１６による像がウェハホルダ１７上のウェハ１におけ
るレジスト膜２において通正に結ばれるように、焦点合
わせされる。
その後、光源１２から光線２０が照射されると、コンデ
ンサレンズ１４によりコンデンサ光束２１が形成され、
この光束２１がフレネルレンズ６に入射される。
ンサレンズ１４によりコンデンサ光束２１が形成され、
この光束２１がフレネルレンズ６に入射される。
フレネルレンズ６に入射した光線２０は、フレネルレン
ズ６によって若干収束されることにより、倍率補正光束
２２となる。
ズ６によって若干収束されることにより、倍率補正光束
２２となる。
この補正光束２２はフレネルレンズ６に隣接したマスク
３を透過することにより、パターン４を光学的に乗せた
情報光束２３となる。そして、この情報光束２３は縮小
レンズ１６に入射し、このレンズ１６によって予め設定
されている所定の倍率に縮小されることにより、縮小光
束２４となる。
３を透過することにより、パターン４を光学的に乗せた
情報光束２３となる。そして、この情報光束２３は縮小
レンズ１６に入射し、このレンズ１６によって予め設定
されている所定の倍率に縮小されることにより、縮小光
束２４となる。
この縮小光束２４はウェハ１のレジスト膜２に照射し、
これにより、ウェハｌのレジスト膜２にマスクゴのパタ
ーンが縮小投影露光されることになる。
これにより、ウェハｌのレジスト膜２にマスクゴのパタ
ーンが縮小投影露光されることになる。
ところで、マスク３にフレネルレンズ６が付設されてい
ない従来例の場合、ウェハ１のレジスト膜２に縮小投影
露光されるマスク３のパターン４についての倍率は、縮
小レンズ１６の倍率により一義的に定まる。
ない従来例の場合、ウェハ１のレジスト膜２に縮小投影
露光されるマスク３のパターン４についての倍率は、縮
小レンズ１６の倍率により一義的に定まる。
したがって、倍率を若干縮小したい場合であっても、パ
ターン４を縮小したマスク３を改めて作るか、倍率の異
なる縮小レンズ１６を用意する必要がある。その結果、
生産性が低下するばかりでなく、新たな回路開発に多大
の時間を消費することになる。
ターン４を縮小したマスク３を改めて作るか、倍率の異
なる縮小レンズ１６を用意する必要がある。その結果、
生産性が低下するばかりでなく、新たな回路開発に多大
の時間を消費することになる。
しかし、本実施例においては、フレネルレンズ６により
倍率が若干縮小されるため、パターン４を縮小したマス
ク３を改めて作り直したり、倍率の異なる縮小レンズ１
６を用意しなくても済む。
倍率が若干縮小されるため、パターン４を縮小したマス
ク３を改めて作り直したり、倍率の異なる縮小レンズ１
６を用意しなくても済む。
つまり、縮小レンズ１６によって一義的に定まる縮小倍
率に対して、フレネルレンズ６により倍率が縮小補正さ
れたパターン４がレジスト膜２に露光されるからである
。したがって、生産性の低下を回避することができると
ともに、回路の変更や開発時間を大幅に短縮化すること
ができる。
率に対して、フレネルレンズ６により倍率が縮小補正さ
れたパターン４がレジスト膜２に露光されるからである
。したがって、生産性の低下を回避することができると
ともに、回路の変更や開発時間を大幅に短縮化すること
ができる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１） マスク自体に光学的な補正を実行する光学系
を付設するとともに、このマスクを使用してマスクのパ
ターンをレジストに露光することにより、露光装置のレ
ンズ等において一義的に定まる光学的な作用を、マスク
に付設された光学系により所望に応して補正することが
できるため、マスクや露光装置を作り直したすせずに、
露光精度や性能を高めることができる。
を付設するとともに、このマスクを使用してマスクのパ
ターンをレジストに露光することにより、露光装置のレ
ンズ等において一義的に定まる光学的な作用を、マスク
に付設された光学系により所望に応して補正することが
できるため、マスクや露光装置を作り直したすせずに、
露光精度や性能を高めることができる。
（２） マスクにフレネルレンズを付設するとともに
、このマスクを使用して、マスクのパターンをウェハ上
のレジスト膜に露光することにより、補正用光学系を透
過した光束が、例えば、収束されると、縮小投影露光装
置が一義的に定まる倍率は当該光束が収束された分だけ
、さらに縮小されることになる。したがって、マスクを
作り直したり、縮小投影露光装置における縮小レンズの
倍率を変更したすせずに、転写されるパターンの倍率を
一義的に定まる倍率に対して変更することができる。
、このマスクを使用して、マスクのパターンをウェハ上
のレジスト膜に露光することにより、補正用光学系を透
過した光束が、例えば、収束されると、縮小投影露光装
置が一義的に定まる倍率は当該光束が収束された分だけ
、さらに縮小されることになる。したがって、マスクを
作り直したり、縮小投影露光装置における縮小レンズの
倍率を変更したすせずに、転写されるパターンの倍率を
一義的に定まる倍率に対して変更することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない 例えば、マスク自体に付設される補正用の光学系として
は、光束を収束するフレネルレンズを使用するに限らず
、光束を拡大するフレネルレンズ、光学収差を補正する
光学系、光学歪を補正する光学系等を使用してもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない 例えば、マスク自体に付設される補正用の光学系として
は、光束を収束するフレネルレンズを使用するに限らず
、光束を拡大するフレネルレンズ、光学収差を補正する
光学系、光学歪を補正する光学系等を使用してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である縮小投影露光技術に
適用した場合について説明した力（それに限定されるも
のではなく、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影露光袋ｆ（ステッパ）が使用される露光技術、１：１
反射投影露光装置が使用される露光技術等のような露光
技術全般に適用することができる。
をその背景となった利用分野である縮小投影露光技術に
適用した場合について説明した力（それに限定されるも
のではなく、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影露光袋ｆ（ステッパ）が使用される露光技術、１：１
反射投影露光装置が使用される露光技術等のような露光
技術全般に適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
マスク自体に光学的な補正を実行する光学系を付設する
とともに、このマスクを使用してマスクのパターンをレ
ジストに露光することにより、露光装置のレンズ等にお
いて一義的に定まる光学的な作用を、マスクに付設され
た光学系により所望に応じて補正することができるため
、マスクや露光装置を作り直したすせずに、露光精度や
性能を高めることができる。
とともに、このマスクを使用してマスクのパターンをレ
ジストに露光することにより、露光装置のレンズ等にお
いて一義的に定まる光学的な作用を、マスクに付設され
た光学系により所望に応じて補正することができるため
、マスクや露光装置を作り直したすせずに、露光精度や
性能を高めることができる。
第１図は本発明の一実施例である縮小投影露光方法を示
す模式図である。 １・・・ウェハ、２・・・レジスト膜、３・・・マスク
、４・・・パターン、５・・・マスクブランク、６・・
・フレネルレンズ（倍率補正用レンズ）、１１・・・縮
小投影露光装置、１２・・・光源、１３・・・光軸、１
４・・・コンデンサレンズ、１５・・・マスクホルダ、
１６・・・縮小レンズ、１７・・・ウェハホルダ、２０
・・・露光光線、２１・・・コンデンサ光束、２２・・
・補正光束、２３・・・情報光束、２４・・・縮小光束
。 ｄ）。
す模式図である。 １・・・ウェハ、２・・・レジスト膜、３・・・マスク
、４・・・パターン、５・・・マスクブランク、６・・
・フレネルレンズ（倍率補正用レンズ）、１１・・・縮
小投影露光装置、１２・・・光源、１３・・・光軸、１
４・・・コンデンサレンズ、１５・・・マスクホルダ、
１６・・・縮小レンズ、１７・・・ウェハホルダ、２０
・・・露光光線、２１・・・コンデンサ光束、２２・・
・補正光束、２３・・・情報光束、２４・・・縮小光束
。 ｄ）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスク自体に光学的な補正を実行する光学系が付設
され、このマスクが使用されてマスクのパターンがレジ
ストに露光されることを特徴とする露光方法。 ２、前記光学系が、補正すべき事項により交換されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光方法。 ３、マスクブランクの露光光源側にフレネルレンズが交
換可能に配設されていることを特徴とするマスク。 ４、マスクブランクの露光光源と反対側に光学系が交換
可能に配設されていることを特徴とするマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133834A JPH0429142A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 露光方法およびそれに使用されるマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133834A JPH0429142A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 露光方法およびそれに使用されるマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429142A true JPH0429142A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15114132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133834A Pending JPH0429142A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 露光方法およびそれに使用されるマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164978A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法 |
| CN109062001A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2133834A patent/JPH0429142A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164978A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法 |
| US7675003B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-03-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser irradiation device, patterning method and method of fabricating organic light emitting display (OLED) using the patterning method |
| US8946593B2 (en) | 2004-12-03 | 2015-02-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser patterning process |
| CN109062001A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
| CN109062001B (zh) * | 2018-08-27 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
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