JPH0429155B2 - - Google Patents
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- JPH0429155B2 JPH0429155B2 JP61082850A JP8285086A JPH0429155B2 JP H0429155 B2 JPH0429155 B2 JP H0429155B2 JP 61082850 A JP61082850 A JP 61082850A JP 8285086 A JP8285086 A JP 8285086A JP H0429155 B2 JPH0429155 B2 JP H0429155B2
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- chip
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Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
●概 要
●産業上の利用分野
●従来の技術
●発明が解決しようとする問題点
●問題点を解決するための手段
●作 用
●実施例
(1) デバイス構造およびデバイス組立の説明
(2) 駆動コイル体の製法説明
(3) チツプ組立体の製法説明
●発明の効果
〔概要〕
本発明は回転磁界発生用のXY駆動コイルを少
なくとも絶縁樹脂体内にインサートモールドし、
且つ該樹脂体中にはバブルメモリチツプを挿着収
容する貫通穴を、該樹脂体外表面にはバイアス磁
石板を収容する凹部を設けて駆動体を構成し、組
立容易で安価な磁気バブルメモリデバイスを実現
したものである。[Detailed description of the invention] [Table of contents] ●Overview ●Field of industrial application ●Prior art ●Problems to be solved by the invention ●Means for solving the problems ●Operations ●Examples (1) Explanation of device structure and device assembly (2) Explanation of manufacturing method of drive coil body (3) Explanation of manufacturing method of chip assembly ●Effects of the invention [Summary] The present invention inserts an XY drive coil for generating a rotating magnetic field into at least an insulating resin body. Mold and
In addition, a through hole for inserting and accommodating a bubble memory chip is provided in the resin body, and a recess for accommodating a bias magnet plate is provided on the outer surface of the resin body to constitute a driving body, thereby providing an easy-to-assemble and inexpensive magnetic bubble memory device. This has been realized.
磁気バブルメモリデバイスは記憶情報が不揮発
で書替えが容易であること、機械的可動部分がな
く固体素子なので信頼性が高いこと、高記憶密度
であるなどの優れた特徴を持ち、電子交換機やパ
ーソナルコンピユータ、NC装置、OA機器等の
メモリとしてその使用分野が急速に広がりつつあ
る。
Magnetic bubble memory devices have excellent features such as the stored information is non-volatile and can be easily rewritten, they are solid-state devices with no mechanically moving parts, so they are highly reliable, and they have high storage density. The field of use is rapidly expanding as memory for , NC devices, OA equipment, etc.
この種デバイスは既に4Mbit容量のものまで製
品化され、現在主に16Mbit容量について研究開
発が盛んに行なわれている状況にあるが、半導体
やフロツピデイスク等の競合メモリの進歩も著し
いことから、小型・高記憶容量のバブルメモリデ
バイスを安価に提供することが強く要望されてい
る。 This type of device has already been commercialized with a capacity of 4 Mbit, and research and development is currently being actively conducted mainly on a 16 Mbit capacity.However, as competing memories such as semiconductors and floppy disks have made remarkable progress, small and There is a strong desire to provide bubble memory devices with high storage capacity at low cost.
従来のバブルメモリデバイスは概略、回転磁界
発生用のX,Yソレノイドコイルを略E字形のチ
ツプ実装基板に直交関係で挿着し、コイル挿着の
該チツプ実装基板を整磁板やバイアス磁石板と共
に、複数の外部端子がデイアル・イン・ライン
(DIP)形式で取付けられている絶縁枠内に収容
し、該絶縁砕に磁気シールドケースを被着して構
成されていた。
Conventional bubble memory devices generally have X and Y solenoid coils for generating a rotating magnetic field inserted in a substantially E-shaped chip mounting board in orthogonal relation, and the chip mounting board with the coils inserted is connected to a magnetic shunt plate or a bias magnet plate. In addition, a plurality of external terminals were housed in an insulating frame attached in a daily-in-line (DIP) format, and a magnetic shielding case was attached to the insulator.
従来のバブルメモリデバイスは各構成部品(バ
ブルメモリチツプ、X,Yソレノイドコイル、Z
コイル、整磁板、バイアス磁石板、シールドケー
ス、外部端子付絶縁枠等)を1つの組立ライン上
に次々に供給してデバイスを製造しているが、多
数の組立作業および多くの組立時間を要してお
り、組立信頼性の低下やデバイス価格の高騰を招
いていた。
Conventional bubble memory devices have each component (bubble memory chip, X, Y solenoid coil, Z
Devices are manufactured by supplying coils, magnetic field shunt plates, bias magnet plates, shield cases, insulating frames with external terminals, etc. one after another on one assembly line, but this requires a large number of assembly operations and a lot of assembly time. This has led to a decline in assembly reliability and a rise in device prices.
本発明は上記従来欠点を解決するために、一方
が絶縁導線を平面状に多重巻きしこれをコの字形
に折曲げた一対の折曲げ平板コイルと、他方が絶
縁導線を筒状に多重巻きしたソレノイドコイルと
を有し、一対の該平板コイルが筒状に位置するよ
う対向させ且つその中空方向が前記ソレノイドコ
イルの中空方向と一致するように組合せて構成さ
れた面内回転磁界発生用のXY駆動コイルを具備
し、前記XY駆動コイルを絶縁樹脂体中にインサ
ートモールドした筒状絶縁樹脂体を設け、該樹脂
体はその外表面に少なくともバイアス磁石板を収
容する凹部が形成されると共にその外側面から前
記XY駆動コイルの入出力端子部が導出してお
り、該樹脂体中央部には前記バイアス磁石板面に
対し斜め配置となるように傾斜し且つ前記XY駆
動コイルの中空部分を貫くように形成された磁気
バブルメモリチツプ収納用の貫通穴が形成され
て、駆動コイル体を構成しており、コイル給電用
配線パターンが形成された配線フイルム上に前記
メモリチツプを実装したチツプ組立体が前記貫通
穴中に挿着され、前記コイル給電用配線パターン
と前記入出力端子部が前記駆動コイル体の外方で
接続されてなることを特徴とする磁気バブルメモ
リデバイスを提供したものである。
In order to solve the above-mentioned conventional drawbacks, the present invention provides a pair of bent flat plate coils, one of which is an insulated conductive wire wound multiple times into a flat shape and bent into a U-shape, and the other of which is an insulated conductive wire wound multiple times into a cylindrical shape. A solenoid coil for generating an in-plane rotating magnetic field, which has a pair of flat plate coils facing each other so as to be positioned in a cylindrical shape, and combined so that the hollow direction thereof coincides with the hollow direction of the solenoid coil. A cylindrical insulating resin body is provided with an XY drive coil, and the XY drive coil is insert-molded into an insulating resin body, and the resin body has a recess formed on its outer surface to accommodate at least a bias magnet plate, and the resin body is provided with a recess for accommodating at least a bias magnet plate. The input/output terminal portion of the XY drive coil is led out from the outer surface, and the center portion of the resin body is inclined so as to be arranged diagonally with respect to the surface of the bias magnet plate, and extends through the hollow portion of the XY drive coil. A through hole for accommodating the magnetic bubble memory chip formed in the above manner is formed to constitute a drive coil body, and a chip assembly in which the memory chip is mounted on a wiring film on which a wiring pattern for coil power supply is formed is formed. A magnetic bubble memory device is provided, wherein the magnetic bubble memory device is inserted into the through hole, and the coil power feeding wiring pattern and the input/output terminal portion are connected to the outside of the drive coil body.
本発明では駆動コイルをインサートモールドし
且つバイアス磁石を収容する凹部を備えた筒状樹
脂体にて駆動コイル体を形成したことにより、バ
ブルメモリデバイスの組立作業系をバブルメモリ
チツプ組立体と該駆動コイル体とに分けて別々に
組立て、それらを組合せてデバイスとすることが
でき、組立作業の並列進行による組立作業時間の
短縮化、効率化が図れ、また組立作業もより単純
化できるため組立信頼性の向上も図れる。
In the present invention, by insert-molding the drive coil and forming the drive coil body from a cylindrical resin body having a recess for accommodating a bias magnet, the bubble memory device assembly work system can be integrated with the bubble memory chip assembly and the drive coil body. The coil body can be assembled separately and then combined to form a device.Assembling work can be performed in parallel, reducing assembly time and efficiency.Assembling work can also be simplified, increasing assembly reliability. You can also improve your sexuality.
以下、本発明の一実施例を図面に沿つて説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明に係るバブルメモリデバイスの
基本的構成を示す分解斜視部、第2図は本デバイ
スの側断面図、第3図は本デバイスに用いられる
バブルメモリチツプの一例を示す平面図、第4図
は本デバイスの駆動コイル仮固定状態を示す斜視
図、第5図は第4図のコイルのインサートモール
ド工程を説明するための側断面図、第6図は本デ
バイスの駆動コイル体を示す斜視図、第7図はチ
ツプ組立体と駆動コイル体の組立て状態を示す斜
視図、第8図は本デバイスのチツプ組立体の製造
方法を説明する平面図、第9図A,Bは第8図の
配線フイルムを部分的(単位配線パターン)に拡
大した平面図と側断面図、第10図はA,Bと第
11図A,Bは第8図の第1、第2配線フイルム
のパターン切断工程を説明する平面図、第12図
と第13図は第10図、第11図における第1、
第2配線フイルムのパターン接続状態を示す平面
図と部分拡大斜視図、第14図は第12図、第1
3図におけるパターン接続工程を説明する側断面
図、第15図は製作された本発明に係るチツプ組
立体の斜視図である。 FIG. 1 is an exploded perspective view showing the basic structure of the bubble memory device according to the present invention, FIG. 2 is a side sectional view of the device, and FIG. 3 is a plan view showing an example of the bubble memory chip used in the device. , FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the drive coil of this device is temporarily fixed, FIG. 5 is a side sectional view for explaining the insert molding process of the coil in FIG. 4, and FIG. 7 is a perspective view showing the assembled state of the chip assembly and drive coil body, FIG. 8 is a plan view illustrating the manufacturing method of the chip assembly of this device, and FIGS. 9A and 9B are A partially enlarged plan view and side sectional view of the wiring film shown in Fig. 8 (unit wiring pattern), Fig. 10 shows A and B, and Fig. 11 A and B show the first and second wiring films shown in Fig. 8. 12 and 13 are plan views explaining the pattern cutting process of FIGS. 10 and 11.
A plan view and a partially enlarged perspective view showing the pattern connection state of the second wiring film.
3 is a side sectional view illustrating the pattern connection process, and FIG. 15 is a perspective view of the manufactured chip assembly according to the present invention.
(1) デバイス構造およびデバイス組立の説明
本デバイス構造を第1,2,3,7,15図を
参照しながら説明する。(1) Description of device structure and device assembly The device structure will be explained with reference to FIGS. 1, 2, 3, 7, and 15.
これら図において、10と11はバブルメモリ
チツプ、20と21および22は非磁性の絶縁板
からなるスペーサ部材と抑え部材、30と40は
主および副の配線体である配線フイルム、50は
チツプ組立体、60,61,62は回転磁界発生
用のX,Yコイル、63はZコイル、70は駆動
コイル体、80と81は端子板、90はバイアス
磁界を均一化させる整磁板、91はチツプ面に垂
直なバイアス磁界を発生するバイアス磁石板、9
2は磁気シールドケース、93は端子案内穴94
を備えた絶縁板、95は磁性或は非磁性からなる
カバーである。 In these figures, 10 and 11 are bubble memory chips, 20, 21, and 22 are spacer members and restraining members made of nonmagnetic insulating plates, 30 and 40 are wiring films that are main and sub wiring bodies, and 50 is a chip assembly. 60, 61, and 62 are X and Y coils for generating a rotating magnetic field, 63 is a Z coil, 70 is a drive coil body, 80 and 81 are terminal plates, 90 is a magnetic shunt plate that makes the bias magnetic field uniform, and 91 is a a bias magnet plate that generates a bias magnetic field perpendicular to the chip surface, 9
2 is a magnetic shield case, 93 is a terminal guide hole 94
The insulating plate 95 is a cover made of magnetic or non-magnetic material.
各メモリチツプ10,11は例えば第3図の如
く、1チツプ内に複数のメモリブロツク(図では
4個)を備えたもので、一部拡大して示すように
各ブロツクはバブル発生器G,G2、バブル検出
器D、書込み側メジヤーラインMW1,MW2、
読出し側メジヤーラインMR1,MR2、イーブ
ン側マイナーループEm,オツド側マイナールー
プOmを有するイーブン/オツド方式のメモリブ
ロツクを構成している。 Each memory chip 10, 11 is equipped with a plurality of memory blocks (four in the figure) in one chip, as shown in FIG. , bubble detector D, writing side measure line MW1, MW2,
It constitutes an even/odd type memory block having reading side major lines MR1, MR2, an even side minor loop Em, and an odd side minor loop Om.
本実施例はメモリチツプ10,11を2個実装
した場合のデバイスを示しており、各チツプの記
憶密度が例えば8Mbitであれば16Mbit容量のデ
バイスが、また16Mbitであれば32Mbit容量のデ
バイスが形状小形にして得られる。 This example shows a device in which two memory chips 10 and 11 are mounted. For example, if the memory density of each chip is 8 Mbit, a device with a 16 Mbit capacity is available, and if the memory density of each chip is 16 Mbit, a device with a 32 Mbit capacity is available. It can be obtained by
メモリチツプ10は後述の如く主配線フイルム
30の配線パターンに接続され、メモリチツプ1
1も同様に副配線フイルム40に接続されてお
り、該メモリチツプ10,11が同一位置で互い
に重なり且つ平行状態になるように、主配線フイ
ルム30上に副配線フイルム40を実装してチツ
プ組立体50が構成されている。 The memory chip 10 is connected to the wiring pattern of the main wiring film 30 as described later.
1 is similarly connected to a sub-wiring film 40, and the sub-wiring film 40 is mounted on the main wiring film 30 so that the memory chips 10 and 11 overlap and are parallel to each other at the same position, and the chip assembly is completed. 50 are configured.
このチツプ組立体50は第15図にも示すよう
に、配線フイルム30,40間にスペーサ部材2
0を介在してメモリチツプ10,11間に一定隙
間を与え、且つ該スペーサ部材20と抑え部材2
1,22で配線フイルム30,40を挾持するこ
とにより、該チツプ10,11を互に平行状態に
保持している。 As shown in FIG. 15, this chip assembly 50 includes a spacer member 2 between wiring films 30 and 40.
0 to provide a certain gap between the memory chips 10 and 11, and the spacer member 20 and the holding member 2
By sandwiching the wiring films 30 and 40 between the chips 1 and 22, the chips 10 and 11 are held parallel to each other.
またスペーサ部材20と配線フイルム30,4
0および抑え部材21,22は互に接着固定さ
れ、且つ後述するように副配線フイルム40の配
線パターンが主配線フイルム30の配線パターン
に電気接続されており、更にチツプ10,11と
外部のバブル制御回路との接続のため該主配線フ
イルム30の両端部がチツプ両側より導出してい
る。駆動コイル体70は絶縁導線を平面状に多重
巻きしこれをコの字形に折曲げた一のXコイルと
しての折曲げ平板コイル61,62と、絶縁導線
を筒状に多重巻きしたYコイルとしてのソレノイ
ドコイル60およびバイアス磁界調整や情報一括
消去を行なうためのZコイル63を有し、これら
コイル60,61,62,63を絶縁樹脂体71
中にインサートモールドして構成されている。 In addition, the spacer member 20 and the wiring films 30, 4
0 and the restraining members 21 and 22 are adhesively fixed to each other, and as described later, the wiring pattern of the sub wiring film 40 is electrically connected to the wiring pattern of the main wiring film 30, and the chips 10 and 11 are connected to the external bubble. Both ends of the main wiring film 30 are led out from both sides of the chip for connection to the control circuit. The drive coil body 70 includes bent flat plate coils 61 and 62 as an X-coil, which is an insulated conductive wire wound multiple times in a planar shape and bent into a U-shape, and a Y coil, which is an insulated conductive wire multiple-wound in a cylindrical shape. It has a solenoid coil 60 and a Z coil 63 for adjusting the bias magnetic field and erasing information all at once.
It is constructed by insert molding inside.
この駆動コイル体70によるメモリチツプ1
1,12面に平行な回転磁界発生は折曲げ平板コ
イル61,62によるX方向磁界とソレノイドコ
イル60によるY方向磁界の合成によつて得られ
るが、これについては例えば“特公昭55−20307
号公報”に詳しく述べられている。また絶縁導線
をリング状に多重巻きしたZコイル63は回転磁
界とほぼ直交した磁界を発生する。 Memory chip 1 by this drive coil body 70
The generation of a rotating magnetic field parallel to the 1st and 12th planes can be obtained by combining the X-direction magnetic field from the bent flat plate coils 61 and 62 and the Y-direction magnetic field from the solenoid coil 60.
Further, the Z coil 63, which is formed by multiple windings of insulated conductive wire in a ring shape, generates a magnetic field that is substantially orthogonal to the rotating magnetic field.
また駆動コイル体70の樹脂体71はチツプ組
立体50を収容する傾斜貫通穴72を備えた筒状
体からなり、その上下外表面に整磁板90、磁石
板91を収容する凹部73を備えており、またそ
の両端外側面にはインサートモールドしたコイル
60,61,62,63の入出力端子部である口
出し線64が導出している。 The resin body 71 of the drive coil body 70 is a cylindrical body having an inclined through hole 72 for accommodating the chip assembly 50, and has recesses 73 for accommodating the magnetization plate 90 and the magnet plate 91 on its upper and lower outer surfaces. Further, lead wires 64, which are input/output terminal portions of the insert-molded coils 60, 61, 62, and 63, are led out from the outer surfaces of both ends thereof.
尚、第1図の駆動コイル体70は樹脂体が被着
していない状態のコイル配置(実線コイルは組合
せ状態、点線コイルは分解状態)を示している。 Incidentally, the drive coil body 70 in FIG. 1 shows the coil arrangement in a state where no resin body is attached (solid line coils are in a combined state, dotted line coils are in a disassembled state).
そして第7図の如く、樹脂体71の凹部に整磁
板90と磁石板91を組込みその外周にシールド
ケース92を挿着した状態の駆動コイル体70に
対し、チツプ組立体50を挿入配置し、該駆動コ
イル体70の両側より導出している主配線フイル
ム30の両端部に端子板80,81を取付ける。 Then, as shown in FIG. 7, the chip assembly 50 is inserted into the drive coil body 70 in which the magnet plate 90 and the magnet plate 91 are assembled in the recessed part of the resin body 71 and the shield case 92 is attached to the outer periphery. , terminal plates 80 and 81 are attached to both ends of the main wiring film 30 extending from both sides of the drive coil body 70.
この際、チツプ組立体50の挿入配置は貫通穴
72内に一方側から挿入し、チツプ10,11が
コイル60〜63および磁石板91の中央部に位
置するように配置して、図示せぬ接着樹脂にて固
定される。この挿着状態において貫通穴72の傾
斜によつてチツプ10,11の表面が磁石板91
の対向面に対し斜めの配置になり、該チツプ1
0,11にはホールド磁界が印加されることにな
る。 At this time, the insertion arrangement of the chip assembly 50 is such that it is inserted into the through hole 72 from one side, and the chips 10 and 11 are positioned in the center of the coils 60 to 63 and the magnet plate 91. It is fixed with adhesive resin. In this inserted state, the surfaces of the chips 10 and 11 are aligned with the magnet plate 91 due to the inclination of the through hole 72.
The chip 1 is arranged diagonally with respect to the opposing surface of the chip 1.
A hold magnetic field will be applied to 0 and 11.
また端子板80,81はセラミツク基板82の
裏面側に多数の端子ピン83が直角に固定された
ピングリツドアレイ板で、該セラミツク基板82
の内層には図示せぬ導体パターンが形成され、且
つ表面には多数の端子パツド84が一列に配置さ
れており、該端子パツド84はスルーホールを通
じ上記導体パターンを介して所望の端子ピン83
に接続されている。 The terminal plates 80 and 81 are pin grid array plates in which a large number of terminal pins 83 are fixed at right angles to the back side of a ceramic substrate 82.
A conductor pattern (not shown) is formed on the inner layer of the board, and a large number of terminal pads 84 are arranged in a row on the surface, and the terminal pads 84 are connected to desired terminal pins 83 through through holes and through the conductor pattern.
It is connected to the.
そして、端子板80,81は端子パツド84の
夫々と主配線フイルム30の両端部に露出形成さ
れている配線パターン31の夫々が熱圧着ボンデ
イングにより接続される。 In the terminal boards 80 and 81, each of the terminal pads 84 and each of the wiring patterns 31 formed exposed at both ends of the main wiring film 30 are connected by thermocompression bonding.
また主配線フイルム30の両端部にはコイル給
電用配線パターンの端部を露出させた接続パツド
32が複数個形成されており、該パツド32の
夫々に上述のコイル口出線64の端部がフオーミ
ングを持つた状態で半田付け等にて接続される。 Furthermore, a plurality of connection pads 32 are formed at both ends of the main wiring film 30, with the ends of the coil power supply wiring pattern exposed, and the ends of the above-mentioned coil lead wires 64 are connected to each of the pads 32. Connected by soldering etc. with forming.
その後、主配線フイルム30の両端部は第7図
に点線図示の如くシールドケース92の裏面側に
湾曲され、該両端部とシールドケース92が接着
固定されることによつて、端子板80,81がシ
ールドケース92の裏面側に端子ピン83を直角
に突出させた状態で固着される。 Thereafter, both ends of the main wiring film 30 are bent toward the back side of the shield case 92 as shown by dotted lines in FIG. is fixed to the back side of the shield case 92 with the terminal pin 83 protruding at right angles.
このように組立てられたデバイス構造体は、開
口を上方に向けたカバー95の内部に端子板8
0,81を上方に位置させた状態で収容され、し
かる後接着樹脂96を該カバー95内に注入する
ことで一体化される。 The device structure assembled in this way has the terminal board 8 inside the cover 95 with the opening facing upward.
0 and 81 are placed upward, and are then integrated by injecting adhesive resin 96 into the cover 95.
そして最後に端子ピン83が外方に突出するよ
うに絶縁板93にてカバー95の開口を塞ぎ、該
カバー95と絶縁板93を接合することで、本発
明に係るバルブメモリデバイスが製作される。 Finally, the opening of the cover 95 is closed with an insulating plate 93 so that the terminal pin 83 protrudes outward, and the cover 95 and the insulating plate 93 are joined, thereby manufacturing the valve memory device according to the present invention. .
尚、接着樹脂96はカバー95内にデバイス構
造体が埋まるように充満させても良い。 Note that the adhesive resin 96 may be filled in the cover 95 so that the device structure is buried therein.
また第7図の状態で且つ端子板80,81を設
けずに、直接主配線パターン30の両端部に露出
している配線パターン31を図示せぬ実装用プリ
ント板に接続し、またシールドケース92を該プ
リント板に固定バンドで保持させる実装形態とし
ても良い。 Further, in the state shown in FIG. 7 and without providing the terminal boards 80 and 81, the wiring pattern 31 exposed at both ends of the main wiring pattern 30 is directly connected to a mounting printed board (not shown), and the shield case 92 is It is also possible to adopt a mounting form in which the printed circuit board is held by a fixing band.
(2) 駆動コイル体70の製法説明
駆動コイル体70の製造方法について第4図〜
第6図を参照しながら説明する。(2) Description of manufacturing method of drive coil body 70 Figure 4~
This will be explained with reference to FIG.
第4図はコイル60〜63の仮固定状態を示し
ている。 FIG. 4 shows the temporarily fixed state of the coils 60 to 63.
これは図示せぬ平板治具を用い、該治具の両側
に折曲げ平板コイル61,62を第1図の点線コ
イルの如く嵌め込み、更にその上にソレノイドコ
イル60を嵌め込み、且つZコイル63を該ソレ
ノイドコイル60に嵌め込んでセツトする。次に
ソレノイドコイル60の入出力口出し線64a,
64b、折曲げ平板コイル61,62の巻初めの
入出力口出し線64c,64d、Zコイル63の
入出力口出し線64a,64fを夫々両側に引出
し、また折曲げ平板コイル61,62の巻終りの
口出し線64g,64hを接続した後、接着剤6
5を摘下してコイル60〜63を予じめ仮固定す
る。 This involves using a flat plate jig (not shown), fitting bent flat plate coils 61 and 62 on both sides of the jig as shown in the dotted line coils in FIG. Fit it into the solenoid coil 60 and set it. Next, the input/output lead wire 64a of the solenoid coil 60,
64b, the input/output lead wires 64c, 64d at the beginning of winding of the bent flat plate coils 61, 62, and the input/output lead wires 64a, 64f of the Z coil 63 are pulled out to both sides, respectively, and After connecting lead wires 64g and 64h, apply adhesive 6
5 to temporarily fix the coils 60 to 63 in advance.
しかる後該コイルを治具より外して第5図の如
き樹脂モールド金型にセツトし、該コイルのイン
サートモールドを行なう。このモールド金型は上
下型66,67および左右コア68,69が夫々
上下左右に開閉(コア68,69の開閉は角度θ
を持つ)する構成からなり、口出し線64a〜6
4fは上下型66,67の左右コア68,69と
の合せ面に図示せぬ案内溝を設けることにより保
持される。そして、該モールド金型内にコイルを
セツトした状態でキヤビテイ内に絶縁樹脂を注入
することにより、第6図の如き駆動コイル体70
が製作される。 Thereafter, the coil is removed from the jig, set in a resin mold as shown in FIG. 5, and insert molded. In this mold, the upper and lower molds 66, 67 and the left and right cores 68, 69 open and close vertically and horizontally (the cores 68, 69 open and close at an angle of θ).
), and the lead wires 64a to 6
4f is held by providing guide grooves (not shown) on the mating surfaces of the upper and lower molds 66, 67 with the left and right cores 68, 69. Then, by injecting insulating resin into the cavity with the coil set in the mold, a drive coil body 70 as shown in FIG.
is produced.
この駆動コイル体70は凹部73内に整磁板9
0、磁石板91を収容し、且つシールドケース9
2を挿入した後、磁石板91が所望のバイアス磁
界値になるよう外部磁界印加により着磁され、本
発明に係る駆動コイル体70が製造される。 This drive coil body 70 has a magnetic shunt plate 9 in the recess 73.
0, housing the magnet plate 91 and shielding case 9
2, the magnet plate 91 is magnetized by applying an external magnetic field so as to have a desired bias magnetic field value, thereby manufacturing the drive coil body 70 according to the present invention.
そして、この駆動コイル体70とチツプ組立体
50を組み合せて本発明に係るデバイスが得られ
る。 By combining this drive coil body 70 and chip assembly 50, a device according to the present invention is obtained.
(3) チツプ組立体50の製法説明
チツプ組立体50の製造方法について第8図〜
第15図を参照しながら説明する。(3) Explanation of the manufacturing method of the chip assembly 50 The manufacturing method of the chip assembly 50 is shown in FIGS.
This will be explained with reference to FIG.
第8図において、30aは主配線フイルム30
を得るためのテープ状配線フイルム、40aは副
配線フイルム40を得るためのテープ状配線フイ
ルムであり、これらフイルム30a,40aには
第9図に示す単位配線パターンが複数群フイルム
の長手方向に連続的に形成されている。 In FIG. 8, 30a is the main wiring film 30.
40a is a tape-like wiring film for obtaining the sub-wiring film 40, and these films 30a, 40a have a plurality of unit wiring patterns shown in FIG. 9 that are continuous in the longitudinal direction of the film. It is formed as follows.
フイルム30a,40aは外形形状および配線
パターンの配線状態が全く同じフイルムであつ
て、後述する製造過程によつて主および副の二種
類の配線フイルム30,40が形成される。 The films 30a and 40a are films having exactly the same external shape and the wiring state of the wiring pattern, and two types of wiring films 30 and 40, a main wiring film and a sub-wiring film 40, are formed by the manufacturing process described later.
第9図A,Bにはフイルム30a,40aの単
位配線パターンが拡大視されており、図中31a
は2本の平行分岐パターン31a−1,31a−
2を有するチツプ接続用の配線パターン(図では
両側に夫々9本)、31bはコイル給電用の配線
パターン(図では両側に夫々3本)、32は接続
パツド、33は可撓性絶縁フイルム、34はフイ
ルム両側部に所定ピツチで形成されたフイルム送
り穴、35はメモリチツプ10,11の収容穴、
36は切断位置決め用の穴、37は重ね位置合せ
用の丸穴である。また38は配線パターン31
a,31bの両端部を部分的に完全に露出させて
端子板接続部を形成させる帯状開口、39は配線
パターン31aの中間部を部分的に完全に露出さ
せて、主および副配線フイルム30,40のパタ
ーン接続および分岐パターンの選択的切断を行な
うための帯状開口である。 9A and 9B show an enlarged view of the unit wiring patterns of the films 30a and 40a, and 31a in the figure
are two parallel branch patterns 31a-1, 31a-
2 is a wiring pattern for chip connection (9 wires on each side in the figure), 31b is a wiring pattern for coil power supply (3 wires on each side in the figure), 32 is a connection pad, 33 is a flexible insulating film, 34 is a film feed hole formed at a predetermined pitch on both sides of the film; 35 is a hole for accommodating the memory chips 10 and 11;
36 is a hole for cutting positioning, and 37 is a round hole for overlapping positioning. 38 is a wiring pattern 31
A strip opening 39 partially and completely exposes both ends of the wiring pattern 31a to form a terminal board connection part, and a strip opening 39 partially and completely exposes the middle part of the wiring pattern 31a to form the main and sub wiring films 30, This is a band-shaped opening for connecting 40 patterns and selectively cutting branch patterns.
第9図A,Bの如く各単位配線パターンは収容
穴35の中心線を境としてフイルム長手方向に左
右対称に形成されており、また隣接した該各単位
配線パターンはその配線パターン31a,31b
端部を接続した状態にパターン形成されている。 As shown in FIGS. 9A and 9B, each unit wiring pattern is formed symmetrically in the longitudinal direction of the film with the center line of the accommodation hole 35 as a boundary, and each adjacent unit wiring pattern is formed in its wiring pattern 31a, 31b.
A pattern is formed with the ends connected.
フイルム30a,40aは各単位配線パターン
毎に予じめ穴34,35,36,37が形成され
た絶縁フイルム33上に厚さ5μmの程度のテープ
状銅箔41(第14図参照)を接着固定し、該銅
箔41をパターニング(レジスト露光・現像−銅
エツチング処理)して配線パターン31a,31
bが形成されている。また各配線パターン31
a,31bの表面にはパターン同士の熱圧着ボン
デイング接続を確実にするため、厚さ2〜5μm程
度の金層42(第14図参照)がメツキ付着され
る。このメツキ付着は銅箔パターニング後金メツ
キ処理することにより行なわれ、これにより銅パ
ターン表面に金層42が形成された配線パターン
31a,31bが得られる。 For the films 30a and 40a, a tape-shaped copper foil 41 (see FIG. 14) with a thickness of approximately 5 μm is bonded onto an insulating film 33 in which holes 34, 35, 36, and 37 are formed in advance for each unit wiring pattern. The copper foil 41 is patterned (resist exposure/development-copper etching treatment) to form wiring patterns 31a, 31.
b is formed. In addition, each wiring pattern 31
A gold layer 42 (see FIG. 14) having a thickness of about 2 to 5 μm is plated on the surfaces of the patterns a and 31b to ensure thermocompression bonding connections between the patterns. This plating is carried out by gold plating after patterning the copper foil, thereby obtaining wiring patterns 31a and 31b in which a gold layer 42 is formed on the surface of the copper pattern.
このように形成された一方の配線パターン31
aは開口38,39を渡つて絶縁フイルム33上
に付着しており、その一端部は収容穴35の内側
に所定ピツチで突出してチツプ接続端43を構成
し、且つ他端部において分岐パターン31a−
1,31a−2が連結パターン44により接続さ
れている。また他方の配線パターン31bも開口
38を渡つて絶縁フイルム33上に付着してお
り、その一端部に接続パツド32が接続されてい
る。 One wiring pattern 31 formed in this way
a is attached to the insulating film 33 across the openings 38 and 39, one end thereof protrudes inside the receiving hole 35 at a predetermined pitch to form a chip connection end 43, and the other end forms the branch pattern 31a. −
1 and 31a-2 are connected by a connection pattern 44. The other wiring pattern 31b is also attached to the insulating film 33 across the opening 38, and the connection pad 32 is connected to one end thereof.
尚、45と46(第9図Aには点線図示)はス
クリーン印刷にて絶縁フイルム33上に付着され
た絶縁膜であつて、45は接続パツド32が露出
するように分岐パターン31a−1,31a−2
および配線パターン31bを被い、46は収容穴
35の周囲に位置した配線パターン31a,31
bを被つてパターン間の絶縁性を高めている。 Note that 45 and 46 (shown by dotted lines in FIG. 9A) are insulating films deposited on the insulating film 33 by screen printing, and 45 is a branch pattern 31a-1, 45 is formed so that the connection pad 32 is exposed. 31a-2
and the wiring pattern 31b, and 46 is the wiring pattern 31a, 31 located around the accommodation hole 35.
b to improve the insulation between the patterns.
以上の構成からなるフイルム30a,40aは
図示せぬ送り機構と送り穴34の係合によつて順
次送り操作されながら、図示せぬボンデイング装
置、切断装置を通つて加工され、チツプ組立体5
0が製作される。 The films 30a and 40a constructed as described above are sequentially fed by the engagement of a feed mechanism (not shown) and the feed hole 34, and are processed through a bonding device and a cutting device (not shown) to form a chip assembly 5.
0 is produced.
即ち第8図(配線パターンを省略)に示す如
く、フイルム30aは初めAのようにフイルムだ
けの状態にあるが、これが所定ピツチ送り操作さ
れるとBのようにまずチツプ10が実装される。
このチツプ実装はボンデイング装置内で、チツプ
10を収容穴35に位置決めし、接続43とチツ
プ10の接続パターン47とを熱圧着ボンデイン
グして行なわれる。第9図にはこのチツプ実装状
態が示されている。更にフイルム30aが送り操
作されるとチツプ10はCにおいてチツプ試験が
行なわれる。このチツプ試験は開口38より露出
している配線パターン31aにプローバを接触さ
せ、チツプ10の発生器G1,G2や検出器Dお
よびチツプ内のゲート(スワツプゲートやレプリ
ケートゲート)の抵抗値測定が行なわれる。また
外部より実際に回転磁界やバイアス磁界を印加し
てチツプ10を動作させ、該チツプ10の良否を
判断する。 That is, as shown in FIG. 8 (the wiring pattern is omitted), the film 30a is initially in a state of just the film as shown in A, but when it is fed by a predetermined pitch, the chip 10 is first mounted as shown in B.
This chip mounting is carried out by positioning the chip 10 in the receiving hole 35 in a bonding device and thermocompression bonding the connection 43 and the connection pattern 47 of the chip 10. FIG. 9 shows this chip mounting state. Further, when the film 30a is fed, the chip 10 is subjected to a chip test at C. In this chip test, a prober is brought into contact with the wiring pattern 31a exposed through the opening 38, and the resistance values of the generators G1 and G2, the detector D of the chip 10, and the gates (swap gates and replicate gates) in the chip are measured. . In addition, a rotating magnetic field or a bias magnetic field is actually applied from the outside to operate the chip 10, and the quality of the chip 10 is determined.
またフイルム40aについてもフイルム30a
と同様A′の状態からB′の送り位置でチツプ11
を熱圧着ボンデイングして実装し、C′の送り位置
でチツプ試験を行なう。 Also, regarding the film 40a, the film 30a
Similarly, tip 11 is moved from the state of A' to the feed position of B'.
was mounted using thermocompression bonding, and a chip test was performed at the feeding position C'.
次に送り位置D,D′においてフイルム30a,
40aは良品の単位配線パターンに対し選択的な
パターン切断加工を受ける。 Next, at the feeding positions D and D', the film 30a,
40a undergoes a selective pattern cutting process for a good unit wiring pattern.
この切断加工の状況が第10図A,Bと第11
図A,Bに示されている。 The situation of this cutting process is shown in Figures 10A and B and 11.
Shown in Figures A and B.
該図は第9図Aの開口39付近の配線パターン
31aを拡大視したもので、第10図がフイルム
40a、第11図がフイルム30aの場合であ
る。 This figure is an enlarged view of the wiring pattern 31a near the opening 39 in FIG. 9A, and FIG. 10 shows the case of the film 40a, and FIG. 11 shows the case of the film 30a.
フイルム40aは第10図Aの蛇行した切断線
a……a′の位置で絶縁フイルム33の両側および
分岐パターン31a−1,31a−2が開口39
内で切断され、また第9図Aの切断線b……b′お
よびc……c′において絶縁フイルム33の上下位
置が切断される。 The film 40a has openings 39 on both sides of the insulating film 33 and the branch patterns 31a-1 and 31a-2 at the meandering cutting line a...a' in FIG. 10A.
The insulation film 33 is cut at the upper and lower positions along the cutting lines b...b' and c...c' in FIG. 9A.
この結果、第10図Bの如く配線パターン31
aは一方の分岐パターン31a−1のみが絶縁フ
イルム33の両側より突出した状態になり、且つ
この状態の配線フイルムが第8図の如くフイルム
40aから切出されてチツプ実装済の副配線フイ
ルム40となる。 As a result, the wiring pattern 31 as shown in FIG.
8a, only one branch pattern 31a-1 protrudes from both sides of the insulating film 33, and the wiring film in this state is cut out from the film 40a as shown in FIG. 8 to form the sub-wiring film 40 with chips mounted thereon. becomes.
一方フイルム30aは第11図Aの如く点線部
分48において各分岐パターン31a−1が絶縁
フイルム33と共に打抜き切断され、その結果該
分岐パターン31a−1は第11図Bの如く開口
38内で配線パターン31aとは分離された状態
に加工される。 On the other hand, each branch pattern 31a-1 of the film 30a is punched and cut along with the insulating film 33 at the dotted line portion 48 as shown in FIG. It is processed separately from 31a.
更にフイルム30aが送り操作されEの位置に
来ると、該フイルム30a上にチツプ実装済副配
線フイルム40とスペーサ部材20および抑え部
材21,22が載置され、該フイルム30aと4
0の配線パターン接続が行なわれる。 When the film 30a is further fed and reaches the position E, the chip-mounted sub-wiring film 40, the spacer member 20, and the restraining members 21, 22 are placed on the film 30a, and the films 30a and 4 are placed on the film 30a.
0 wiring pattern connections are made.
尚、スペーサ部材20と抑え部材21,22は
同一形状からなり、中央部にチツプ収容穴35に
対応した矩形貫通穴23、その両側に開口39に
対応した帯状穴24、その四隅に穴37に対応し
た位置決め穴25が形成されている。 The spacer member 20 and the restraining members 21 and 22 have the same shape, with a rectangular through hole 23 in the center corresponding to the chip receiving hole 35, strip holes 24 corresponding to the openings 39 on both sides, and holes 37 in the four corners. Corresponding positioning holes 25 are formed.
そしてE位置おける状状態は第14図に示す如
く、ボンデイング装置の支持台100に植立され
た4本(図では1本のみ図示)の位置決めピン1
01を案内として該支持台100上に、抑え部材
21、フイルム30a、スペーサ部材20、チツ
プ実装済副配線フイルム40、抑え部材22が
夫々の穴25,37を通して載置される。またこ
の際、抑え部材21の上面に、スペーサ部材20
の上下面に、抑え部材22の下面には夫々予じめ
接着剤が塗布されていることから、これらの部材
20,21,22とフイルム30a,40との接
着固定が行なわれる。 The state at position E is as shown in FIG. 14, where four positioning pins 1 (only one is shown in the figure) are installed on the support base 100 of the bonding device.
01 as a guide, the holding member 21, film 30a, spacer member 20, chip-mounted sub-wiring film 40, and holding member 22 are placed on the support base 100 through the holes 25 and 37, respectively. Also, at this time, the spacer member 20 is placed on the upper surface of the restraining member 21.
Since adhesive is applied in advance to the upper and lower surfaces of the holding member 22 and to the lower surface of the holding member 22, these members 20, 21, 22 and the films 30a, 40 are adhesively fixed.
このように載置された状態からボンデイング装
置の圧着ヘツド102が開口39内に降下するこ
とにより、チツプ実装済副配線フイルム40の
夫々の分岐パターン31a−1とフイルム30a
の夫々の分岐パターン31a−1が熱圧着ボンデ
イングされ電気接続される。 By lowering the crimp head 102 of the bonding device into the opening 39 from this placed state, the respective branch patterns 31a-1 and the film 30a of the chip-mounted sub-wiring film 40 are separated.
The respective branch patterns 31a-1 are thermocompression bonded and electrically connected.
このボンデイングの際、分岐パターン13a−
1のボンデイング箇所に予めバンプを形成してお
けば、ボンダビイリテイ、接続信頼性が一層向上
する。 During this bonding, the branch pattern 13a-
If a bump is formed in advance at one bonding location, bondability and connection reliability will be further improved.
この結果、フイルム30aの一方の分岐パター
ン31a−2だけが配線パターン31aを介して
チツプ10に接続し、他方の分岐パターン31a
−1は上方のチツプ実装済副配線フイルム40の
分岐パターン31a−1と開口39内で接続され
て配線パターン31aを介してチツプ11に接続
する。 As a result, only one branch pattern 31a-2 of the film 30a is connected to the chip 10 via the wiring pattern 31a, and the other branch pattern 31a-2 is connected to the chip 10 via the wiring pattern 31a.
-1 is connected to the branch pattern 31a-1 of the upper chip-mounted sub-wiring film 40 within the opening 39, and is connected to the chip 11 via the wiring pattern 31a.
尚、第12図にはこの接続部分が平面図、第1
3図には斜視図として図示されており、103が
ボンデイング接続点となつている。 In addition, this connection part is shown in the plan view and the first part in Fig. 12.
FIG. 3 shows a perspective view, and 103 is a bonding connection point.
チツプ実装済副配線フイルム40が接続実装さ
れたフイルム30aは更に送り操作され、所定位
置において切断装置によつて第9図に示す切断線
b……b′,c……c′,d……d′,e……e′位置で
のフイルム切断加工を受け、これによつて該フイ
ルム30aからチツプ実装済主配線フイルム30
が形成されると同時に、第15図に示す2個のチ
ツプ10,11が実装されたチツプ組立体50が
製作される。 The film 30a to which the chip-mounted sub-wiring film 40 has been connected and mounted is further fed, and cut lines b...b', c...c', d... shown in FIG. 9 are cut by a cutting device at a predetermined position. The film is cut at positions d', e...e', whereby the chip-mounted main wiring film 30 is separated from the film 30a.
At the same time, a chip assembly 50 having two chips 10 and 11 mounted thereon shown in FIG. 15 is manufactured.
第15図において、49はフイルム30aを切
断線d……d′,e……e′位置で切断したことで生
じたフイルム残部であり、これは上記切断によつ
て分離された分岐パターン31a−1,31a−
2の端部を保持してパターン曲りを防ぎ、端子板
80,81の端子パツド84との接続を確実なも
のにしている。 In FIG. 15, reference numeral 49 indicates the remaining portion of the film produced by cutting the film 30a at the cutting lines d...d', e...e', and this is the branch pattern 31a- 1,31a-
The ends of the terminal boards 80 and 81 are held to prevent the pattern from bending, and the connection between the terminal boards 80 and 81 and the terminal pads 84 is ensured.
このように製作されたチツプ組立体50は上述
したように駆動コイル体70やシールドケース9
2等と組合されて本発明に係る磁気バブルメモリ
デバイスが製造される。 The chip assembly 50 manufactured in this way is assembled with the drive coil body 70 and the shield case 9 as described above.
2 and the like to produce a magnetic bubble memory device according to the present invention.
尚、上記チツプ組立体50の製造説明において
チツプ実装済副配線フイルム40がチツプ実装済
主配線フイルム30の製作と同時進行にて製作さ
れるように説明したが、予じめ該フイルム40を
別工程にて多数製作して用意しておいても良い。 In the above description of manufacturing the chip assembly 50, it was explained that the chip-mounted sub-wiring film 40 is manufactured simultaneously with the chip-mounted main wiring film 30, but the film 40 is separated in advance. A large number of them may be manufactured and prepared in the process.
また上記E位置において各部品(フイルム40
等)の載置と配線パターン接続が同時に行なわれ
るように説明したが、載置工程を別位置にて行な
い、その後配線パターン接続処理を行なうように
しても良い。 Also, each part (film 40
Although it has been described that the mounting process (e.g.) and the wiring pattern connection are performed at the same time, the mounting process may be performed at a separate position, and then the wiring pattern connection process may be performed.
更に上記実施例デバイスではバブルメモリチツ
プを2個積み重ねることから配線パターンの分岐
パターンを2本としたが、該分岐パターンはバブ
ルメモリチツプの数に応じて設定すれば良く、例
3個積み重ねる場合には3本の分岐パターンにし
て上述の構成を実施することにより更に高記憶容
量のデバイスが得られる。 Furthermore, in the device of the above embodiment, since two bubble memory chips are stacked, the wiring pattern has two branch patterns, but the branch pattern may be set according to the number of bubble memory chips. By implementing the above configuration with a three-branch pattern, a device with even higher storage capacity can be obtained.
以上の本発明によれば、駆動コイルおよびバイ
アス磁石等をバブルメモリチツプとは別にユニツ
トとして組立てることが可能になり、組立作業の
短縮化、高信頼性化が図れるなど、安価な磁気バ
ブルメモリデバイスを多量に提供でき、その実用
上の効果は極めて著しい。
According to the present invention as described above, it is possible to assemble the drive coil, bias magnet, etc. as a unit separately from the bubble memory chip, and the assembly work can be shortened and reliability can be improved, resulting in an inexpensive magnetic bubble memory device. can be provided in large quantities, and its practical effects are extremely significant.
第1図は本発明に係るバブルメモリデバイスの
基本的構成を示す分解斜視図、第2図は本デバイ
スの側断面図、第3図は本デバイスに用いられる
バブルメモリチツプの一例を示す平面図、第4図
は本デバイスの駆動コイル仮固定状態を示す斜視
図、第5図は第4図コイルのインサートモールド
工程を説明するための側断面図、第6図は本デバ
イスの駆動コイル体を示す斜視図、第7図はチツ
プ組立と駆動コイル体の組立て状態を示す斜視
図、第8図は本デバイスのチツプ組立体の製造方
法を説明する平面図、第9図A,Bは第8図の配
線フイルムを部分的に拡大した平面図と側断面
図、第10図A,Bと第11図A,Bは第8図の
第1、第2配線フイルムのパターン切断工程を説
明する平面図、第12図と第13図は第10図、
第11図における第1、第2配線フイルムのパタ
ーン接続状態を示す平面図と部分拡大斜視図、第
14図は第12図、第13図におけるパターン接
続工程を説明する側断面図、第15図は製作され
た本発明に係るチツプ組立体の斜視図である。
符号の説明、10,11……バブルチツプメモ
リ、30……チツプ実装済主配線フイルム、40
……チツプ実装済副配線フイルム、30a,40
a……テープ配線フイルム、31,31a,31
b……配線パターン、31a−1,31a−2…
…分岐パターン、50……チツプ組立体、60〜
63……コイル、70……コイル組立体、80,
81……端子板、91……バイアス磁石板、92
……磁気シールドケース。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing the basic configuration of a bubble memory device according to the present invention, FIG. 2 is a side sectional view of the device, and FIG. 3 is a plan view showing an example of the bubble memory chip used in the device. , FIG. 4 is a perspective view showing the temporarily fixed state of the drive coil of this device, FIG. 5 is a side sectional view for explaining the insert molding process of the coil in FIG. 4, and FIG. 7 is a perspective view showing the assembled state of the chip assembly and the drive coil body, FIG. 8 is a plan view illustrating the manufacturing method of the chip assembly of this device, and FIGS. A partially enlarged plan view and side cross-sectional view of the wiring film shown in the figure, and FIGS. Figures 12 and 13 are Figures 10,
FIG. 11 is a plan view and partially enlarged perspective view showing the pattern connection state of the first and second wiring films; FIG. 14 is a side sectional view illustrating the pattern connection process in FIGS. 12 and 13; FIG. 15 FIG. 2 is a perspective view of a manufactured chip assembly according to the present invention. Explanation of symbols, 10, 11... Bubble chip memory, 30... Main wiring film with chip mounted, 40
...Chip-mounted sub-wiring film, 30a, 40
a...Tape wiring film, 31, 31a, 31
b...Wiring pattern, 31a-1, 31a-2...
...Branch pattern, 50...Chip assembly, 60~
63...Coil, 70...Coil assembly, 80,
81...Terminal board, 91...Bias magnet plate, 92
...magnetic shield case.
Claims (1)
コの字形に折曲げた一対の折曲げ平板コイルと、
他方が絶縁導線を筒状に多重巻きしたソレノイド
コイルとを有し、一対の該平板コイルが筒状に位
置するよう対向させ且つその中空方向が前記ソレ
ノイドコイルの中空方向と一致するように組合せ
て構成された面内回転磁界発生用のXY駆動コイ
ルを具備し、 前記XY駆動コイルを絶縁樹脂体中にインサー
トモールドした筒状絶縁樹脂体を設け、該樹脂体
はその外表面に少なくともバイアス磁石板を収容
する凹部が形成されると共にその外側面から前記
XY駆動コイルの入出力端子部が導出しており、
該樹脂体中央部には前記バイアス磁石板面に対し
斜め配置となるように傾斜し且つ前記XY駆動コ
イルの中空部分を貫くように形成された磁気バブ
ルメモリチツプ収納用の貫通穴が形成されて、駆
動コイル体を構成しており、 コイル給電用配線パターンが形成された配線フ
イルム上に前記メモリチツプを実装したチツプ組
立体が前記貫通穴中に挿着され、前記コイル給電
用配線パターンと前記入出力端子部が前記駆動コ
イル体の外方で接続されてなることを特徴とする
磁気バブルメモリデバイス。 2 前記筒状絶縁樹脂体には前記XY駆動コイル
による面内回転磁界とほぼ直交した磁界を印加す
るZコイルがインサートモールドされていること
を特徴とした特許請求の範囲第1項記載の磁気バ
ブルメモリデバイス。 3 前記筒状絶縁樹脂体の外表面には両端開口の
シールドケースが挿着され、且つ該シールドケー
スの両端開口より露出した該筒状絶縁樹脂体の前
記外側面より前記XY駆動コイルおよび前記Zコ
イルの入出力端子部が導出していることを特徴と
した特許請求の範囲第2項記載の磁気バブルメモ
リデバイス。[Scope of Claims] 1. A pair of bent flat plate coils, one of which is formed by multiple windings of insulated conductive wire in a flat shape and bent into a U-shape;
The other has a solenoid coil in which an insulated conductive wire is wound multiple times in a cylindrical shape, and the pair of flat plate coils are arranged opposite each other in a cylindrical shape, and are combined so that the hollow direction thereof coincides with the hollow direction of the solenoid coil. A cylindrical insulating resin body is provided in which the XY drive coil is insert-molded in an insulating resin body, and the resin body has at least a bias magnet plate on its outer surface. A recess is formed for accommodating the
The input and output terminals of the XY drive coil are led out,
A through hole for accommodating a magnetic bubble memory chip is formed in the center of the resin body, the hole being inclined so as to be disposed diagonally with respect to the surface of the bias magnet plate and penetrating the hollow portion of the XY drive coil. , which constitutes a drive coil body, and a chip assembly in which the memory chip is mounted on a wiring film on which a wiring pattern for coil power feeding is formed is inserted into the through hole, and the wiring pattern for coil power feeding and the said input are inserted into the through hole. A magnetic bubble memory device characterized in that an output terminal portion is connected to the outside of the drive coil body. 2. The magnetic bubble according to claim 1, wherein the cylindrical insulating resin body is insert-molded with a Z coil that applies a magnetic field substantially orthogonal to the in-plane rotating magnetic field generated by the XY drive coil. memory device. 3. A shield case with openings at both ends is inserted into the outer surface of the cylindrical insulating resin body, and the XY drive coil and the Z 3. The magnetic bubble memory device according to claim 2, wherein the input/output terminal portion of the coil is led out.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082850A JPS63119093A (en) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | Drive coil body for magnetic bubble memory device |
| EP87400826A EP0241386A3 (en) | 1986-04-10 | 1987-04-10 | Magnetic bubble memory device and method for producing the same |
| US07/037,142 US4868786A (en) | 1986-04-10 | 1987-04-10 | Magnetic bubble memory with main and auxiliary printed wiring film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082850A JPS63119093A (en) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | Drive coil body for magnetic bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119093A JPS63119093A (en) | 1988-05-23 |
| JPH0429155B2 true JPH0429155B2 (en) | 1992-05-18 |
Family
ID=13785846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61082850A Granted JPS63119093A (en) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | Drive coil body for magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119093A (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441184B2 (en) * | 1973-12-01 | 1979-12-07 | ||
| JPS5520307B2 (en) * | 1974-05-11 | 1980-06-02 | ||
| JPS5826382A (en) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Hitachi Ltd | Bubble memory device and its manufacture |
| JPS6116087A (en) * | 1984-07-02 | 1986-01-24 | Hitachi Ltd | magnetic bubble memory device |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP61082850A patent/JPS63119093A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63119093A (en) | 1988-05-23 |
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