JPH0429155B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 ●概 要 ●産業上の利用分野 ●従来の技術 ●発明が解決しようとする問題点 ●問題点を解決するための手段 ●作 用 ●実施例 (1) デバイス構造およびデバイス組立の説明 (2) 駆動コイル体の製法説明 (3) チツプ組立体の製法説明 ●発明の効果 〔概要〕 本発明は回転磁界発生用のXY駆動コイルを少
なくとも絶縁樹脂体内にインサートモールドし、
且つ該樹脂体中にはバブルメモリチツプを挿着収
容する貫通穴を、該樹脂体外表面にはバイアス磁
石板を収容する凹部を設けて駆動体を構成し、組
立容易で安価な磁気バブルメモリデバイスを実現
したものである。

〔産業上の利用分野〕

磁気バブルメモリデバイスは記憶情報が不揮発
で書替えが容易であること、機械的可動部分がな
く固体素子なので信頼性が高いこと、高記憶密度
であるなどの優れた特徴を持ち、電子交換機やパ
ーソナルコンピユータ、NC装置、OA機器等の
メモリとしてその使用分野が急速に広がりつつあ
る。

この種デバイスは既に4Mbit容量のものまで製
品化され、現在主に16Mbit容量について研究開
発が盛んに行なわれている状況にあるが、半導体
やフロツピデイスク等の競合メモリの進歩も著し
いことから、小型・高記憶容量のバブルメモリデ
バイスを安価に提供することが強く要望されてい
る。

〔従来の技術〕

従来のバブルメモリデバイスは概略、回転磁界
発生用のＸ，Ｙソレノイドコイルを略Ｅ字形のチ
ツプ実装基板に直交関係で挿着し、コイル挿着の
該チツプ実装基板を整磁板やバイアス磁石板と共
に、複数の外部端子がデイアル・イン・ライン
（DIP）形式で取付けられている絶縁枠内に収容
し、該絶縁砕に磁気シールドケースを被着して構
成されていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のバブルメモリデバイスは各構成部品（バ
ブルメモリチツプ、Ｘ，Ｙソレノイドコイル、Ｚ
コイル、整磁板、バイアス磁石板、シールドケー
ス、外部端子付絶縁枠等）を１つの組立ライン上
に次々に供給してデバイスを製造しているが、多
数の組立作業および多くの組立時間を要してお
り、組立信頼性の低下やデバイス価格の高騰を招
いていた。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は上記従来欠点を解決するために、一方
が絶縁導線を平面状に多重巻きしこれをコの字形
に折曲げた一対の折曲げ平板コイルと、他方が絶
縁導線を筒状に多重巻きしたソレノイドコイルと
を有し、一対の該平板コイルが筒状に位置するよ
う対向させ且つその中空方向が前記ソレノイドコ
イルの中空方向と一致するように組合せて構成さ
れた面内回転磁界発生用のXY駆動コイルを具備
し、前記XY駆動コイルを絶縁樹脂体中にインサ
ートモールドした筒状絶縁樹脂体を設け、該樹脂
体はその外表面に少なくともバイアス磁石板を収
容する凹部が形成されると共にその外側面から前
記XY駆動コイルの入出力端子部が導出してお
り、該樹脂体中央部には前記バイアス磁石板面に
対し斜め配置となるように傾斜し且つ前記XY駆
動コイルの中空部分を貫くように形成された磁気
バブルメモリチツプ収納用の貫通穴が形成され
て、駆動コイル体を構成しており、コイル給電用
配線パターンが形成された配線フイルム上に前記
メモリチツプを実装したチツプ組立体が前記貫通
穴中に挿着され、前記コイル給電用配線パターン
と前記入出力端子部が前記駆動コイル体の外方で
接続されてなることを特徴とする磁気バブルメモ
リデバイスを提供したものである。

〔作用〕

本発明では駆動コイルをインサートモールドし
且つバイアス磁石を収容する凹部を備えた筒状樹
脂体にて駆動コイル体を形成したことにより、バ
ブルメモリデバイスの組立作業系をバブルメモリ
チツプ組立体と該駆動コイル体とに分けて別々に
組立て、それらを組合せてデバイスとすることが
でき、組立作業の並列進行による組立作業時間の
短縮化、効率化が図れ、また組立作業もより単純
化できるため組立信頼性の向上も図れる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に沿つて説明す
る。

第１図は本発明に係るバブルメモリデバイスの
基本的構成を示す分解斜視部、第２図は本デバイ
スの側断面図、第３図は本デバイスに用いられる
バブルメモリチツプの一例を示す平面図、第４図
は本デバイスの駆動コイル仮固定状態を示す斜視
図、第５図は第４図のコイルのインサートモール
ド工程を説明するための側断面図、第６図は本デ
バイスの駆動コイル体を示す斜視図、第７図はチ
ツプ組立体と駆動コイル体の組立て状態を示す斜
視図、第８図は本デバイスのチツプ組立体の製造
方法を説明する平面図、第９図Ａ，Ｂは第８図の
配線フイルムを部分的（単位配線パターン）に拡
大した平面図と側断面図、第１０図はＡ，Ｂと第
１１図Ａ，Ｂは第８図の第１、第２配線フイルム
のパターン切断工程を説明する平面図、第１２図
と第１３図は第１０図、第１１図における第１、
第２配線フイルムのパターン接続状態を示す平面
図と部分拡大斜視図、第１４図は第１２図、第１
３図におけるパターン接続工程を説明する側断面
図、第１５図は製作された本発明に係るチツプ組
立体の斜視図である。

(1) デバイス構造およびデバイス組立の説明 本デバイス構造を第１，２，３，７，１５図を
参照しながら説明する。

これら図において、１０と１１はバブルメモリ
チツプ、２０と２１および２２は非磁性の絶縁板
からなるスペーサ部材と抑え部材、３０と４０は
主および副の配線体である配線フイルム、５０は
チツプ組立体、６０，６１，６２は回転磁界発生
用のＸ，Ｙコイル、６３はＺコイル、７０は駆動
コイル体、８０と８１は端子板、９０はバイアス
磁界を均一化させる整磁板、９１はチツプ面に垂
直なバイアス磁界を発生するバイアス磁石板、９
２は磁気シールドケース、９３は端子案内穴９４
を備えた絶縁板、９５は磁性或は非磁性からなる
カバーである。

各メモリチツプ１０，１１は例えば第３図の如
く、１チツプ内に複数のメモリブロツク（図では
４個）を備えたもので、一部拡大して示すように
各ブロツクはバブル発生器Ｇ，Ｇ２、バブル検出
器Ｄ、書込み側メジヤーラインMW１，MW２、
読出し側メジヤーラインMR１，MR２、イーブ
ン側マイナーループEm，オツド側マイナールー
プOmを有するイーブン／オツド方式のメモリブ
ロツクを構成している。

本実施例はメモリチツプ１０，１１を２個実装
した場合のデバイスを示しており、各チツプの記
憶密度が例えば8Mbitであれば16Mbit容量のデ
バイスが、また16Mbitであれば32Mbit容量のデ
バイスが形状小形にして得られる。

メモリチツプ１０は後述の如く主配線フイルム
３０の配線パターンに接続され、メモリチツプ１
１も同様に副配線フイルム４０に接続されてお
り、該メモリチツプ１０，１１が同一位置で互い
に重なり且つ平行状態になるように、主配線フイ
ルム３０上に副配線フイルム４０を実装してチツ
プ組立体５０が構成されている。

このチツプ組立体５０は第１５図にも示すよう
に、配線フイルム３０，４０間にスペーサ部材２
０を介在してメモリチツプ１０，１１間に一定隙
間を与え、且つ該スペーサ部材２０と抑え部材２
１，２２で配線フイルム３０，４０を挾持するこ
とにより、該チツプ１０，１１を互に平行状態に
保持している。

またスペーサ部材２０と配線フイルム３０，４
０および抑え部材２１，２２は互に接着固定さ
れ、且つ後述するように副配線フイルム４０の配
線パターンが主配線フイルム３０の配線パターン
に電気接続されており、更にチツプ１０，１１と
外部のバブル制御回路との接続のため該主配線フ
イルム３０の両端部がチツプ両側より導出してい
る。駆動コイル体７０は絶縁導線を平面状に多重
巻きしこれをコの字形に折曲げた一のＸコイルと
しての折曲げ平板コイル６１，６２と、絶縁導線
を筒状に多重巻きしたＹコイルとしてのソレノイ
ドコイル６０およびバイアス磁界調整や情報一括
消去を行なうためのＺコイル６３を有し、これら
コイル６０，６１，６２，６３を絶縁樹脂体７１
中にインサートモールドして構成されている。

この駆動コイル体７０によるメモリチツプ１
１，１２面に平行な回転磁界発生は折曲げ平板コ
イル６１，６２によるＸ方向磁界とソレノイドコ
イル６０によるＹ方向磁界の合成によつて得られ
るが、これについては例えば“特公昭55−20307
号公報”に詳しく述べられている。また絶縁導線
をリング状に多重巻きしたＺコイル６３は回転磁
界とほぼ直交した磁界を発生する。

また駆動コイル体７０の樹脂体７１はチツプ組
立体５０を収容する傾斜貫通穴７２を備えた筒状
体からなり、その上下外表面に整磁板９０、磁石
板９１を収容する凹部７３を備えており、またそ
の両端外側面にはインサートモールドしたコイル
６０，６１，６２，６３の入出力端子部である口
出し線６４が導出している。

尚、第１図の駆動コイル体７０は樹脂体が被着
していない状態のコイル配置（実線コイルは組合
せ状態、点線コイルは分解状態）を示している。

そして第７図の如く、樹脂体７１の凹部に整磁
板９０と磁石板９１を組込みその外周にシールド
ケース９２を挿着した状態の駆動コイル体７０に
対し、チツプ組立体５０を挿入配置し、該駆動コ
イル体７０の両側より導出している主配線フイル
ム３０の両端部に端子板８０，８１を取付ける。

この際、チツプ組立体５０の挿入配置は貫通穴
７２内に一方側から挿入し、チツプ１０，１１が
コイル６０〜６３および磁石板９１の中央部に位
置するように配置して、図示せぬ接着樹脂にて固
定される。この挿着状態において貫通穴７２の傾
斜によつてチツプ１０，１１の表面が磁石板９１
の対向面に対し斜めの配置になり、該チツプ１
０，１１にはホールド磁界が印加されることにな
る。

また端子板８０，８１はセラミツク基板８２の
裏面側に多数の端子ピン８３が直角に固定された
ピングリツドアレイ板で、該セラミツク基板８２
の内層には図示せぬ導体パターンが形成され、且
つ表面には多数の端子パツド８４が一列に配置さ
れており、該端子パツド８４はスルーホールを通
じ上記導体パターンを介して所望の端子ピン８３
に接続されている。

そして、端子板８０，８１は端子パツド８４の
夫々と主配線フイルム３０の両端部に露出形成さ
れている配線パターン３１の夫々が熱圧着ボンデ
イングにより接続される。

また主配線フイルム３０の両端部にはコイル給
電用配線パターンの端部を露出させた接続パツド
３２が複数個形成されており、該パツド３２の
夫々に上述のコイル口出線６４の端部がフオーミ
ングを持つた状態で半田付け等にて接続される。

その後、主配線フイルム３０の両端部は第７図
に点線図示の如くシールドケース９２の裏面側に
湾曲され、該両端部とシールドケース９２が接着
固定されることによつて、端子板８０，８１がシ
ールドケース９２の裏面側に端子ピン８３を直角
に突出させた状態で固着される。

このように組立てられたデバイス構造体は、開
口を上方に向けたカバー９５の内部に端子板８
０，８１を上方に位置させた状態で収容され、し
かる後接着樹脂９６を該カバー９５内に注入する
ことで一体化される。

そして最後に端子ピン８３が外方に突出するよ
うに絶縁板９３にてカバー９５の開口を塞ぎ、該
カバー９５と絶縁板９３を接合することで、本発
明に係るバルブメモリデバイスが製作される。

尚、接着樹脂９６はカバー９５内にデバイス構
造体が埋まるように充満させても良い。

また第７図の状態で且つ端子板８０，８１を設
けずに、直接主配線パターン３０の両端部に露出
している配線パターン３１を図示せぬ実装用プリ
ント板に接続し、またシールドケース９２を該プ
リント板に固定バンドで保持させる実装形態とし
ても良い。

(2) 駆動コイル体７０の製法説明 駆動コイル体７０の製造方法について第４図〜
第６図を参照しながら説明する。

第４図はコイル６０〜６３の仮固定状態を示し
ている。

これは図示せぬ平板治具を用い、該治具の両側
に折曲げ平板コイル６１，６２を第１図の点線コ
イルの如く嵌め込み、更にその上にソレノイドコ
イル６０を嵌め込み、且つＺコイル６３を該ソレ
ノイドコイル６０に嵌め込んでセツトする。次に
ソレノイドコイル６０の入出力口出し線６４ａ，
６４ｂ、折曲げ平板コイル６１，６２の巻初めの
入出力口出し線６４ｃ，６４ｄ、Ｚコイル６３の
入出力口出し線６４ａ，６４ｆを夫々両側に引出
し、また折曲げ平板コイル６１，６２の巻終りの
口出し線６４ｇ，６４ｈを接続した後、接着剤６
５を摘下してコイル６０〜６３を予じめ仮固定す
る。

しかる後該コイルを治具より外して第５図の如
き樹脂モールド金型にセツトし、該コイルのイン
サートモールドを行なう。このモールド金型は上
下型６６，６７および左右コア６８，６９が夫々
上下左右に開閉（コア６８，６９の開閉は角度θ
を持つ）する構成からなり、口出し線６４ａ〜６
４ｆは上下型６６，６７の左右コア６８，６９と
の合せ面に図示せぬ案内溝を設けることにより保
持される。そして、該モールド金型内にコイルを
セツトした状態でキヤビテイ内に絶縁樹脂を注入
することにより、第６図の如き駆動コイル体７０
が製作される。

この駆動コイル体７０は凹部７３内に整磁板９
０、磁石板９１を収容し、且つシールドケース９
２を挿入した後、磁石板９１が所望のバイアス磁
界値になるよう外部磁界印加により着磁され、本
発明に係る駆動コイル体７０が製造される。

そして、この駆動コイル体７０とチツプ組立体
５０を組み合せて本発明に係るデバイスが得られ
る。

(3) チツプ組立体５０の製法説明 チツプ組立体５０の製造方法について第８図〜
第１５図を参照しながら説明する。

第８図において、３０ａは主配線フイルム３０
を得るためのテープ状配線フイルム、４０ａは副
配線フイルム４０を得るためのテープ状配線フイ
ルムであり、これらフイルム３０ａ，４０ａには
第９図に示す単位配線パターンが複数群フイルム
の長手方向に連続的に形成されている。

フイルム３０ａ，４０ａは外形形状および配線
パターンの配線状態が全く同じフイルムであつ
て、後述する製造過程によつて主および副の二種
類の配線フイルム３０，４０が形成される。

第９図Ａ，Ｂにはフイルム３０ａ，４０ａの単
位配線パターンが拡大視されており、図中３１ａ
は２本の平行分岐パターン３１ａ−１，３１ａ−
２を有するチツプ接続用の配線パターン（図では
両側に夫々９本）、３１ｂはコイル給電用の配線
パターン（図では両側に夫々３本）、３２は接続
パツド、３３は可撓性絶縁フイルム、３４はフイ
ルム両側部に所定ピツチで形成されたフイルム送
り穴、３５はメモリチツプ１０，１１の収容穴、
３６は切断位置決め用の穴、３７は重ね位置合せ
用の丸穴である。また３８は配線パターン３１
ａ，３１ｂの両端部を部分的に完全に露出させて
端子板接続部を形成させる帯状開口、３９は配線
パターン３１ａの中間部を部分的に完全に露出さ
せて、主および副配線フイルム３０，４０のパタ
ーン接続および分岐パターンの選択的切断を行な
うための帯状開口である。

第９図Ａ，Ｂの如く各単位配線パターンは収容
穴３５の中心線を境としてフイルム長手方向に左
右対称に形成されており、また隣接した該各単位
配線パターンはその配線パターン３１ａ，３１ｂ
端部を接続した状態にパターン形成されている。

フイルム３０ａ，４０ａは各単位配線パターン
毎に予じめ穴３４，３５，３６，３７が形成され
た絶縁フイルム３３上に厚さ5μmの程度のテープ
状銅箔４１（第１４図参照）を接着固定し、該銅
箔４１をパターニング（レジスト露光・現像−銅
エツチング処理）して配線パターン３１ａ，３１
ｂが形成されている。また各配線パターン３１
ａ，３１ｂの表面にはパターン同士の熱圧着ボン
デイング接続を確実にするため、厚さ２〜5μm程
度の金層４２（第１４図参照）がメツキ付着され
る。このメツキ付着は銅箔パターニング後金メツ
キ処理することにより行なわれ、これにより銅パ
ターン表面に金層４２が形成された配線パターン
３１ａ，３１ｂが得られる。

このように形成された一方の配線パターン３１
ａは開口３８，３９を渡つて絶縁フイルム３３上
に付着しており、その一端部は収容穴３５の内側
に所定ピツチで突出してチツプ接続端４３を構成
し、且つ他端部において分岐パターン３１ａ−
１，３１ａ−２が連結パターン４４により接続さ
れている。また他方の配線パターン３１ｂも開口
３８を渡つて絶縁フイルム３３上に付着してお
り、その一端部に接続パツド３２が接続されてい
る。

尚、４５と４６（第９図Ａには点線図示）はス
クリーン印刷にて絶縁フイルム３３上に付着され
た絶縁膜であつて、４５は接続パツド３２が露出
するように分岐パターン３１ａ−１，３１ａ−２
および配線パターン３１ｂを被い、４６は収容穴
３５の周囲に位置した配線パターン３１ａ，３１
ｂを被つてパターン間の絶縁性を高めている。

以上の構成からなるフイルム３０ａ，４０ａは
図示せぬ送り機構と送り穴３４の係合によつて順
次送り操作されながら、図示せぬボンデイング装
置、切断装置を通つて加工され、チツプ組立体５
０が製作される。

即ち第８図（配線パターンを省略）に示す如
く、フイルム３０ａは初めＡのようにフイルムだ
けの状態にあるが、これが所定ピツチ送り操作さ
れるとＢのようにまずチツプ１０が実装される。
このチツプ実装はボンデイング装置内で、チツプ
１０を収容穴３５に位置決めし、接続４３とチツ
プ１０の接続パターン４７とを熱圧着ボンデイン
グして行なわれる。第９図にはこのチツプ実装状
態が示されている。更にフイルム３０ａが送り操
作されるとチツプ１０はＣにおいてチツプ試験が
行なわれる。このチツプ試験は開口３８より露出
している配線パターン３１ａにプローバを接触さ
せ、チツプ１０の発生器Ｇ１，Ｇ２や検出器Ｄお
よびチツプ内のゲート（スワツプゲートやレプリ
ケートゲート）の抵抗値測定が行なわれる。また
外部より実際に回転磁界やバイアス磁界を印加し
てチツプ１０を動作させ、該チツプ１０の良否を
判断する。

またフイルム４０ａについてもフイルム３０ａ
と同様A′の状態からB′の送り位置でチツプ１１
を熱圧着ボンデイングして実装し、C′の送り位置
でチツプ試験を行なう。

次に送り位置Ｄ，D′においてフイルム３０ａ，
４０ａは良品の単位配線パターンに対し選択的な
パターン切断加工を受ける。

この切断加工の状況が第１０図Ａ，Ｂと第１１
図Ａ，Ｂに示されている。

該図は第９図Ａの開口３９付近の配線パターン
３１ａを拡大視したもので、第１０図がフイルム
４０ａ、第１１図がフイルム３０ａの場合であ
る。

フイルム４０ａは第１０図Ａの蛇行した切断線
ａ……a′の位置で絶縁フイルム３３の両側および
分岐パターン３１ａ−１，３１ａ−２が開口３９
内で切断され、また第９図Ａの切断線ｂ……b′お
よびｃ……c′において絶縁フイルム３３の上下位
置が切断される。

この結果、第１０図Ｂの如く配線パターン３１
ａは一方の分岐パターン３１ａ−１のみが絶縁フ
イルム３３の両側より突出した状態になり、且つ
この状態の配線フイルムが第８図の如くフイルム
４０ａから切出されてチツプ実装済の副配線フイ
ルム４０となる。

一方フイルム３０ａは第１１図Ａの如く点線部
分４８において各分岐パターン３１ａ−１が絶縁
フイルム３３と共に打抜き切断され、その結果該
分岐パターン３１ａ−１は第１１図Ｂの如く開口
３８内で配線パターン３１ａとは分離された状態
に加工される。

更にフイルム３０ａが送り操作されＥの位置に
来ると、該フイルム３０ａ上にチツプ実装済副配
線フイルム４０とスペーサ部材２０および抑え部
材２１，２２が載置され、該フイルム３０ａと４
０の配線パターン接続が行なわれる。

尚、スペーサ部材２０と抑え部材２１，２２は
同一形状からなり、中央部にチツプ収容穴３５に
対応した矩形貫通穴２３、その両側に開口３９に
対応した帯状穴２４、その四隅に穴３７に対応し
た位置決め穴２５が形成されている。

そしてＥ位置おける状状態は第１４図に示す如
く、ボンデイング装置の支持台１００に植立され
た４本（図では１本のみ図示）の位置決めピン１
０１を案内として該支持台１００上に、抑え部材
２１、フイルム３０ａ、スペーサ部材２０、チツ
プ実装済副配線フイルム４０、抑え部材２２が
夫々の穴２５，３７を通して載置される。またこ
の際、抑え部材２１の上面に、スペーサ部材２０
の上下面に、抑え部材２２の下面には夫々予じめ
接着剤が塗布されていることから、これらの部材
２０，２１，２２とフイルム３０ａ，４０との接
着固定が行なわれる。

このように載置された状態からボンデイング装
置の圧着ヘツド１０２が開口３９内に降下するこ
とにより、チツプ実装済副配線フイルム４０の
夫々の分岐パターン３１ａ−１とフイルム３０ａ
の夫々の分岐パターン３１ａ−１が熱圧着ボンデ
イングされ電気接続される。

このボンデイングの際、分岐パターン１３ａ−
１のボンデイング箇所に予めバンプを形成してお
けば、ボンダビイリテイ、接続信頼性が一層向上
する。

この結果、フイルム３０ａの一方の分岐パター
ン３１ａ−２だけが配線パターン３１ａを介して
チツプ１０に接続し、他方の分岐パターン３１ａ
−１は上方のチツプ実装済副配線フイルム４０の
分岐パターン３１ａ−１と開口３９内で接続され
て配線パターン３１ａを介してチツプ１１に接続
する。

尚、第１２図にはこの接続部分が平面図、第１
３図には斜視図として図示されており、１０３が
ボンデイング接続点となつている。

チツプ実装済副配線フイルム４０が接続実装さ
れたフイルム３０ａは更に送り操作され、所定位
置において切断装置によつて第９図に示す切断線
ｂ……b′，ｃ……c′，ｄ……d′，ｅ……e′位置で
のフイルム切断加工を受け、これによつて該フイ
ルム３０ａからチツプ実装済主配線フイルム３０
が形成されると同時に、第１５図に示す２個のチ
ツプ１０，１１が実装されたチツプ組立体５０が
製作される。

第１５図において、４９はフイルム３０ａを切
断線ｄ……d′，ｅ……e′位置で切断したことで生
じたフイルム残部であり、これは上記切断によつ
て分離された分岐パターン３１ａ−１，３１ａ−
２の端部を保持してパターン曲りを防ぎ、端子板
８０，８１の端子パツド８４との接続を確実なも
のにしている。

このように製作されたチツプ組立体５０は上述
したように駆動コイル体７０やシールドケース９
２等と組合されて本発明に係る磁気バブルメモリ
デバイスが製造される。

尚、上記チツプ組立体５０の製造説明において
チツプ実装済副配線フイルム４０がチツプ実装済
主配線フイルム３０の製作と同時進行にて製作さ
れるように説明したが、予じめ該フイルム４０を
別工程にて多数製作して用意しておいても良い。

また上記Ｅ位置において各部品（フイルム４０
等）の載置と配線パターン接続が同時に行なわれ
るように説明したが、載置工程を別位置にて行な
い、その後配線パターン接続処理を行なうように
しても良い。

更に上記実施例デバイスではバブルメモリチツ
プを２個積み重ねることから配線パターンの分岐
パターンを２本としたが、該分岐パターンはバブ
ルメモリチツプの数に応じて設定すれば良く、例
３個積み重ねる場合には３本の分岐パターンにし
て上述の構成を実施することにより更に高記憶容
量のデバイスが得られる。

〔発明の効果〕

以上の本発明によれば、駆動コイルおよびバイ
アス磁石等をバブルメモリチツプとは別にユニツ
トとして組立てることが可能になり、組立作業の
短縮化、高信頼性化が図れるなど、安価な磁気バ
ブルメモリデバイスを多量に提供でき、その実用
上の効果は極めて著しい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るバブルメモリデバイスの
基本的構成を示す分解斜視図、第２図は本デバイ
スの側断面図、第３図は本デバイスに用いられる
バブルメモリチツプの一例を示す平面図、第４図
は本デバイスの駆動コイル仮固定状態を示す斜視
図、第５図は第４図コイルのインサートモールド
工程を説明するための側断面図、第６図は本デバ
イスの駆動コイル体を示す斜視図、第７図はチツ
プ組立と駆動コイル体の組立て状態を示す斜視
図、第８図は本デバイスのチツプ組立体の製造方
法を説明する平面図、第９図Ａ，Ｂは第８図の配
線フイルムを部分的に拡大した平面図と側断面
図、第１０図Ａ，Ｂと第１１図Ａ，Ｂは第８図の
第１、第２配線フイルムのパターン切断工程を説
明する平面図、第１２図と第１３図は第１０図、
第１１図における第１、第２配線フイルムのパタ
ーン接続状態を示す平面図と部分拡大斜視図、第
１４図は第１２図、第１３図におけるパターン接
続工程を説明する側断面図、第１５図は製作され
た本発明に係るチツプ組立体の斜視図である。 符号の説明、１０，１１……バブルチツプメモ
リ、３０……チツプ実装済主配線フイルム、４０
……チツプ実装済副配線フイルム、３０ａ，４０
ａ……テープ配線フイルム、３１，３１ａ，３１
ｂ……配線パターン、３１ａ−１，３１ａ−２…
…分岐パターン、５０……チツプ組立体、６０〜
６３……コイル、７０……コイル組立体、８０，
８１……端子板、９１……バイアス磁石板、９２
……磁気シールドケース。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一方が絶縁導線を平面状に多重巻きしこれを
   コの字形に折曲げた一対の折曲げ平板コイルと、
   他方が絶縁導線を筒状に多重巻きしたソレノイド
   コイルとを有し、一対の該平板コイルが筒状に位
   置するよう対向させ且つその中空方向が前記ソレ
   ノイドコイルの中空方向と一致するように組合せ
   て構成された面内回転磁界発生用のXY駆動コイ
   ルを具備し、 前記XY駆動コイルを絶縁樹脂体中にインサー
   トモールドした筒状絶縁樹脂体を設け、該樹脂体
   はその外表面に少なくともバイアス磁石板を収容
   する凹部が形成されると共にその外側面から前記
   XY駆動コイルの入出力端子部が導出しており、
   該樹脂体中央部には前記バイアス磁石板面に対し
   斜め配置となるように傾斜し且つ前記XY駆動コ
   イルの中空部分を貫くように形成された磁気バブ
   ルメモリチツプ収納用の貫通穴が形成されて、駆
   動コイル体を構成しており、 コイル給電用配線パターンが形成された配線フ
   イルム上に前記メモリチツプを実装したチツプ組
   立体が前記貫通穴中に挿着され、前記コイル給電
   用配線パターンと前記入出力端子部が前記駆動コ
   イル体の外方で接続されてなることを特徴とする
   磁気バブルメモリデバイス。 ２ 前記筒状絶縁樹脂体には前記XY駆動コイル
   による面内回転磁界とほぼ直交した磁界を印加す
   るＺコイルがインサートモールドされていること
   を特徴とした特許請求の範囲第１項記載の磁気バ
   ブルメモリデバイス。 ３ 前記筒状絶縁樹脂体の外表面には両端開口の
   シールドケースが挿着され、且つ該シールドケー
   スの両端開口より露出した該筒状絶縁樹脂体の前
   記外側面より前記XY駆動コイルおよび前記Ｚコ
   イルの入出力端子部が導出していることを特徴と
   した特許請求の範囲第２項記載の磁気バブルメモ
   リデバイス。