JPH04291762A - 画像読み取り装置を用いた通信端末 - Google Patents
画像読み取り装置を用いた通信端末Info
- Publication number
- JPH04291762A JPH04291762A JP3056357A JP5635791A JPH04291762A JP H04291762 A JPH04291762 A JP H04291762A JP 3056357 A JP3056357 A JP 3056357A JP 5635791 A JP5635791 A JP 5635791A JP H04291762 A JPH04291762 A JP H04291762A
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- JP
- Japan
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- light
- image reading
- reading device
- communication terminal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は画像読み取り装置または
これをもつ通信端末に関する発明であり、特に、密着型
の読み取りセンサを用い、装置全体が小型である画像読
み取り装置またはこれをもった通信端末に関する。
これをもつ通信端末に関する発明であり、特に、密着型
の読み取りセンサを用い、装置全体が小型である画像読
み取り装置またはこれをもった通信端末に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の密着型読み取りセンサの光源には
冷陰極管とＬＥＤアレイがある。例えば、特開昭５８−
１４３６６５号公報に記載のように、輝度のばらつきの
少ない冷陰極管が光源として用いられている。また、特
開昭６１−３９７７１ 号公報に記載のように、受光素
子を形成したガラス基板と通常ＧａＡｓ基板上に形成さ
れたＬＥＤアレイを一体に組立てて用いる例がある。Ｌ
ＥＤアレイは冷陰極管と比較すると板厚が薄いため、セ
ンサ自体をより薄くできる。さらに、特開昭５９−８１
９６７ 号公報に記載のように、ＬＥＤ光源と受光素子
とを同一基板上に形成すると、さらに、センサ自体を小
型化することができる。
冷陰極管とＬＥＤアレイがある。例えば、特開昭５８−
１４３６６５号公報に記載のように、輝度のばらつきの
少ない冷陰極管が光源として用いられている。また、特
開昭６１−３９７７１ 号公報に記載のように、受光素
子を形成したガラス基板と通常ＧａＡｓ基板上に形成さ
れたＬＥＤアレイを一体に組立てて用いる例がある。Ｌ
ＥＤアレイは冷陰極管と比較すると板厚が薄いため、セ
ンサ自体をより薄くできる。さらに、特開昭５９−８１
９６７ 号公報に記載のように、ＬＥＤ光源と受光素子
とを同一基板上に形成すると、さらに、センサ自体を小
型化することができる。
【０００３】また、特開平１−１６２３６６ 号公報に
記載のように、基板上にＥＬ発光素子からなる面光源、
光センサアレイ及び駆動回路部を一体化して形成するこ
とによって、センサ自体を小型化している。
記載のように、基板上にＥＬ発光素子からなる面光源、
光センサアレイ及び駆動回路部を一体化して形成するこ
とによって、センサ自体を小型化している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光源として冷陰極管を
用いた場合、その管径がφ５〜１２ｍｍであるために、
センサ基板は薄いにもかかわらず、センサ全体として薄
くできないという欠点がある。また、特開昭６１−３９
７７１号公報に記載のように受光素子を形成したガラス
基板と通常ＧａＡｓ基板上に形成されたＬＥＤアレイを
一体に組立て用いる例では、ＬＥＤ一個一個の輝度にば
らつきがあるため、これを電気的にトリミングしなけれ
ばならない。しかも、トリミングしても完全に輝度を一
定にはできないという欠点がある。また、特開平１−１
６２３６６ 号公報に記載のように、ＥＬ発光体と光セ
ンサアレイとを同一基板上に形成した場合、ＥＬ発光の
一部が光センサに直接入射するため、原稿の薄い色が飛
んでしまい読み取れないという欠点があった。
用いた場合、その管径がφ５〜１２ｍｍであるために、
センサ基板は薄いにもかかわらず、センサ全体として薄
くできないという欠点がある。また、特開昭６１−３９
７７１号公報に記載のように受光素子を形成したガラス
基板と通常ＧａＡｓ基板上に形成されたＬＥＤアレイを
一体に組立て用いる例では、ＬＥＤ一個一個の輝度にば
らつきがあるため、これを電気的にトリミングしなけれ
ばならない。しかも、トリミングしても完全に輝度を一
定にはできないという欠点がある。また、特開平１−１
６２３６６ 号公報に記載のように、ＥＬ発光体と光セ
ンサアレイとを同一基板上に形成した場合、ＥＬ発光の
一部が光センサに直接入射するため、原稿の薄い色が飛
んでしまい読み取れないという欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】原稿に密着させてその情
報を読み取る密着型読み取りセンサで、光学的に透明な
基板上にライン状に配列された受光素子をもち、ライン
状受光素子に並行に一次元のＥＬ発光体を有し、ＥＬ発
光体からの光を基板裏面の反射版で反射し原稿面を証明
する構造の線光源一体型密着読み取りセンサを用いるこ
とで達成される。
報を読み取る密着型読み取りセンサで、光学的に透明な
基板上にライン状に配列された受光素子をもち、ライン
状受光素子に並行に一次元のＥＬ発光体を有し、ＥＬ発
光体からの光を基板裏面の反射版で反射し原稿面を証明
する構造の線光源一体型密着読み取りセンサを用いるこ
とで達成される。
【０００６】
【作用】透明基板上にライン状に受光素子を配列し、こ
れと並行に一次元のＥＬ発光体を形成する。ＥＬ光源は
発光層を絶縁層でサンドイッチした構造で基板側に透明
電極、原稿側に不透明な金属電極を使用する。このＥＬ
光源からの発光は基板裏面に形成した反射板により反射
され、ＥＬ光源と受光素子の間隙及び受光素子の周囲か
ら原稿面を照明する。原稿面の濃淡に対応した散乱光の
強度を受光素子で検出する。ＥＬ光源から、直接、受光
素子に光が入ることを防止するため、ＥＬ光源の上面及
び受光素子下面は不透明膜で遮光してある。
れと並行に一次元のＥＬ発光体を形成する。ＥＬ光源は
発光層を絶縁層でサンドイッチした構造で基板側に透明
電極、原稿側に不透明な金属電極を使用する。このＥＬ
光源からの発光は基板裏面に形成した反射板により反射
され、ＥＬ光源と受光素子の間隙及び受光素子の周囲か
ら原稿面を照明する。原稿面の濃淡に対応した散乱光の
強度を受光素子で検出する。ＥＬ光源から、直接、受光
素子に光が入ることを防止するため、ＥＬ光源の上面及
び受光素子下面は不透明膜で遮光してある。
【０００７】この光源一体化型密着読み取りセンサは、
光源とセンサが同一基板上に形成されているため、アセ
ンブリが容易で低コスト化しやすい。また、センサ自体
を基板厚程度に薄型化できるので、画像読み取り装置ま
たはこれを用いた通信端末も小型軽量化できる。
光源とセンサが同一基板上に形成されているため、アセ
ンブリが容易で低コスト化しやすい。また、センサ自体
を基板厚程度に薄型化できるので、画像読み取り装置ま
たはこれを用いた通信端末も小型軽量化できる。
【０００８】また、光源として面発光型のＥＬ光源を使
用しているので、照度の均一性が良い。さらに、光源か
ら原稿までの光路長を透明基板の厚さの二倍程度と長く
とれるので、ＥＬ光源に発光輝度のむらがあっても原稿
照度を均一に保つことができる。このように原稿照度の
均一性がよいので、原稿の濃度に応じたセンサ出力が得
られ、容易に多階調の読み取りができる。
用しているので、照度の均一性が良い。さらに、光源か
ら原稿までの光路長を透明基板の厚さの二倍程度と長く
とれるので、ＥＬ光源に発光輝度のむらがあっても原稿
照度を均一に保つことができる。このように原稿照度の
均一性がよいので、原稿の濃度に応じたセンサ出力が得
られ、容易に多階調の読み取りができる。
【０００９】
【実施例】発明の詳細を以下図面を用いて説明する。
【００１０】〈実施例１〉図１は本発明の中の読み取り
センサの断面図、図２はその平面図である。
センサの断面図、図２はその平面図である。
【００１１】読み取りセンサはガラス基板１上に形成さ
れたＥＬ光源部１４、受光部１５、および反射膜１１と
からなる。ＥＬ光源部は透明電極２，第一絶縁層３，発
光層４，第二絶縁層５，背面電極６からなる。一方、受
光部は光導電膜９，センサ電極１０からなる。受光部の
下部にはＥＬ光源からの光が直接入射するのを防ぐため
の遮光膜７および遮光膜を光導電膜９から絶縁するため
の絶縁膜８を設ける。反射膜１１はガラス基板１を挟ん
でＥＬ光源および受光部の反対側に設ける。
れたＥＬ光源部１４、受光部１５、および反射膜１１と
からなる。ＥＬ光源部は透明電極２，第一絶縁層３，発
光層４，第二絶縁層５，背面電極６からなる。一方、受
光部は光導電膜９，センサ電極１０からなる。受光部の
下部にはＥＬ光源からの光が直接入射するのを防ぐため
の遮光膜７および遮光膜を光導電膜９から絶縁するため
の絶縁膜８を設ける。反射膜１１はガラス基板１を挟ん
でＥＬ光源および受光部の反対側に設ける。
【００１２】透明電極２はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ
）、第一絶縁層３及び第二絶縁層５は五酸化タンタル（
Ｔａ２Ｏ５）、発光層４はマンガン（Ｍｎ）を０．５ｗ
ｔ％程度添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）、背面電極６はア
ルミニウム（Ａｌ）からなり、いずれも膜厚０．１〜１
μｍ の薄膜である。電極のＩＴＯおよびＡｌと絶縁層
のＴａ２Ｏ５薄膜はスパッタリング法、発光層のＺｎＳ
：Ｍｎは電子ビーム蒸着法を用いて形成した。
）、第一絶縁層３及び第二絶縁層５は五酸化タンタル（
Ｔａ２Ｏ５）、発光層４はマンガン（Ｍｎ）を０．５ｗ
ｔ％程度添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）、背面電極６はア
ルミニウム（Ａｌ）からなり、いずれも膜厚０．１〜１
μｍ の薄膜である。電極のＩＴＯおよびＡｌと絶縁層
のＴａ２Ｏ５薄膜はスパッタリング法、発光層のＺｎＳ
：Ｍｎは電子ビーム蒸着法を用いて形成した。
【００１３】光導電膜９はアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ），センサ電極はアルミニウム（Ａｌ），絶縁膜８
は窒化シリコン（ＳｉＮ），遮光膜７はクロム（Ｃｒ）
からなり、いずれも膜厚０．１〜１μｍの薄膜である。 また、反射膜１１は膜厚０．１〜１μｍのアルミニウム
（Ａｌ）の薄膜である。ａ−Ｓｉ及びＳｉＮ薄膜はとも
に化学的気相成長法（ＣＶＤ）法，Ｃｒはスパッタリン
グ法により形成した。
Ｓｉ），センサ電極はアルミニウム（Ａｌ），絶縁膜８
は窒化シリコン（ＳｉＮ），遮光膜７はクロム（Ｃｒ）
からなり、いずれも膜厚０．１〜１μｍの薄膜である。 また、反射膜１１は膜厚０．１〜１μｍのアルミニウム
（Ａｌ）の薄膜である。ａ−Ｓｉ及びＳｉＮ薄膜はとも
に化学的気相成長法（ＣＶＤ）法，Ｃｒはスパッタリン
グ法により形成した。
【００１４】ＺｎＳ：Ｍｎを発光層に用いたＥＬ光源及
びａ−Ｓｉを光導電膜に用いたセンサはいずれも６００
℃以下の低温プロセスで作製できるので、基板は、耐熱
温度が６００℃以下の安価なガラス基板を使用すること
ができる。
びａ−Ｓｉを光導電膜に用いたセンサはいずれも６００
℃以下の低温プロセスで作製できるので、基板は、耐熱
温度が６００℃以下の安価なガラス基板を使用すること
ができる。
【００１５】透明電極２と背面電極６の間に１００Ｖ程
度の交流電圧を印加すると発光層から５８５ｎｍの黄橙
色のＥＬ発光が生じる。ＥＬ光源からの光はガラス基板
中を進み反射板１１で反射され原稿１２を照射する。原
稿面で散乱した光が光導電膜９に入射すると、ａ−Ｓｉ
薄膜の電気抵抗が減少する。散乱光の強度は原稿面の濃
淡に対応しており、入射光の強度により光導電膜の電気
抵抗が変化するので、原稿面の濃淡を電気信号に変換す
ることができる。
度の交流電圧を印加すると発光層から５８５ｎｍの黄橙
色のＥＬ発光が生じる。ＥＬ光源からの光はガラス基板
中を進み反射板１１で反射され原稿１２を照射する。原
稿面で散乱した光が光導電膜９に入射すると、ａ−Ｓｉ
薄膜の電気抵抗が減少する。散乱光の強度は原稿面の濃
淡に対応しており、入射光の強度により光導電膜の電気
抵抗が変化するので、原稿面の濃淡を電気信号に変換す
ることができる。
【００１６】このように、ＥＬ光源からの発光を一旦ガ
ラス基板の裏側の反射板で反射してから原稿を照射する
と、光路長を長くとれるので原稿面での照度を均一にで
きる。また、光源と受光部が同一基板上に形成されてい
るので、光源と受光部のアセンブリも不要になり、低コ
スト化できる。
ラス基板の裏側の反射板で反射してから原稿を照射する
と、光路長を長くとれるので原稿面での照度を均一にで
きる。また、光源と受光部が同一基板上に形成されてい
るので、光源と受光部のアセンブリも不要になり、低コ
スト化できる。
【００１７】なお、ＥＬ光源としては、ＺｎＳ：Ｔｂや
ＣａＳ：ＣｅやＳｒＳ：Ｃｅ等を発光層に用いた無機Ｅ
Ｌ素子、８ーヒドロキシキノリノールＡｌ錯体やペリレ
ン誘導体等を発光層に用いた有機ＥＬ素子を使うことも
可能である。また、光導電膜材料としては、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ）やセレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）など
を用いることも可能である。また、受光素子としてホト
ダイオードやホトトランジスタ等を用いることもできる
。
ＣａＳ：ＣｅやＳｒＳ：Ｃｅ等を発光層に用いた無機Ｅ
Ｌ素子、８ーヒドロキシキノリノールＡｌ錯体やペリレ
ン誘導体等を発光層に用いた有機ＥＬ素子を使うことも
可能である。また、光導電膜材料としては、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ）やセレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）など
を用いることも可能である。また、受光素子としてホト
ダイオードやホトトランジスタ等を用いることもできる
。
【００１８】〈実施例２〉図３は本発明の読み取りセン
サの一例の断面図である。受光部１５及び原稿照明のた
めの窓の部分を除いて、センサ基板の周囲を黒色膜１６
で覆っている。黒色膜１６によりセンサの周囲が遮光さ
れているため、センサ外部からの迷光による読み取り特
性の悪化を避けることができる。なお、黒色膜１６は完
全な黒色でなくても、受光部が光感度をもつ波長域の光
を遮断できれば、その他の波長の光は透過しても良い。 また、反射膜１１と黒色膜１６を同一の膜で兼用するこ
とも可能である。
サの一例の断面図である。受光部１５及び原稿照明のた
めの窓の部分を除いて、センサ基板の周囲を黒色膜１６
で覆っている。黒色膜１６によりセンサの周囲が遮光さ
れているため、センサ外部からの迷光による読み取り特
性の悪化を避けることができる。なお、黒色膜１６は完
全な黒色でなくても、受光部が光感度をもつ波長域の光
を遮断できれば、その他の波長の光は透過しても良い。 また、反射膜１１と黒色膜１６を同一の膜で兼用するこ
とも可能である。
【００１９】〈実施例３〉図４はホトダイオード列，Ｍ
ＯＳスイッチ列，シフトレジスタからなる読み取り回路
である。ＥＬ光源及び受光部を形成したガラス基板上に
ａ−ＳｉまたはポリＳｉの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
からなる図に示した駆動回路を形成することにより、駆
動回路を含めた画像読み取り装置の小型化ができる。駆
動回路としては、レベルシフタ，マルチプレクサ等を組
み込むこともできる。
ＯＳスイッチ列，シフトレジスタからなる読み取り回路
である。ＥＬ光源及び受光部を形成したガラス基板上に
ａ−ＳｉまたはポリＳｉの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
からなる図に示した駆動回路を形成することにより、駆
動回路を含めた画像読み取り装置の小型化ができる。駆
動回路としては、レベルシフタ，マルチプレクサ等を組
み込むこともできる。
【００２０】〈実施例４〉図５は、実施例１から３に示
した画像読み取り部に、符号化部，メモリ部，送信部，
制御部を組み合わせたシステムのブロック図である。こ
のシステムはファクシミリ，イメージリーダ等のＯＡ機
器や計測装置に適用することができる。
した画像読み取り部に、符号化部，メモリ部，送信部，
制御部を組み合わせたシステムのブロック図である。こ
のシステムはファクシミリ，イメージリーダ等のＯＡ機
器や計測装置に適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、読み取り素子を光源や
駆動回路を含めて全て薄膜化でき、画像読み取り装置及
びこれを用いた通信端末を従来よりもはるかに小型化，
薄型化できる。
駆動回路を含めて全て薄膜化でき、画像読み取り装置及
びこれを用いた通信端末を従来よりもはるかに小型化，
薄型化できる。
【図１】本発明の一実施例の読み取りセンサの断面図。
【図２】本発明の一実施例の読み取りセンサの平面図。
【図３】本発明の第二の実施例の読み取りセンサの断面
図。
図。
【図４】本発明の第三の実施例の読み取りセンサの読み
取り回路図。
取り回路図。
【図５】本発明の第四の実施例のシステムのブロック図
。
。
１…ガラス基板、２…透明電極、３…第一絶縁層、４…
発光層、５…第二絶縁層、６…背面電極、７…遮光膜、
８…絶縁膜、９…光導電膜、１０…センサ電極、１１…
反射膜、１２…原稿、１３…保護膜、１４…ＥＬ光源、
１５…受光部、１６…黒色膜。
発光層、５…第二絶縁層、６…背面電極、７…遮光膜、
８…絶縁膜、９…光導電膜、１０…センサ電極、１１…
反射膜、１２…原稿、１３…保護膜、１４…ＥＬ光源、
１５…受光部、１６…黒色膜。
Claims (4)
- 【請求項１】画像読み取り装置、またはこれと通信用イ
ンターフェイスと信号処理部とから成る通信端末におい
て、原稿に密着させてその情報を読み取る密着型読み取
りセンサで、光学的に透明な基板上にライン状に配列さ
れた受光素子を設け、前記受光素子に前記基板を介して
並行して設けられる一次元のＥＬ発光体を設け、前記透
明基板をはさんで前記ＥＬ発光体と反対側に光反射板を
設けたことを特徴とする画像読み取り装置を用いた通信
端末。 - 【請求項２】請求項１において、前記受光素子の表面及
び原稿照明部を除いたセンサ基板表面を黒色膜で覆った
画像読み取り装置を用いた通信端末。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記透明基板
の上にライン状の前記受光素子とそれを走査する駆動回
路を形成した密着読み取りセンサを設けた画像読み取り
装置を用いた通信端末。 - 【請求項４】請求項３において、耐熱温度が６００℃以
下のガラス基板上にホトダイオードまたはホトコンダク
タまたはホトトランジスタの一つから成るライン状の受
光素子と、ＭＯＳスイッチ，シフトレジスタ，レベルシ
フタ，マルチプレクサ等の少なくとも一つ以上から成る
走査回路を薄膜回路を用いて形成した画像読み取り装置
を用いた通信端末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056357A JPH04291762A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 画像読み取り装置を用いた通信端末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056357A JPH04291762A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 画像読み取り装置を用いた通信端末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291762A true JPH04291762A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13024997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056357A Pending JPH04291762A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 画像読み取り装置を用いた通信端末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002267767A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Canon Inc | シート検知装置 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056357A patent/JPH04291762A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002267767A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Canon Inc | シート検知装置 |
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