JPH04292406A - 超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器 - Google Patents
超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導膜形成用
の固体原料をガス化するための容器に関し、ガス化速度
の一定性に優れるものである。
の固体原料をガス化するための容器に関し、ガス化速度
の一定性に優れるものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの如き酸化物超電導膜の
形成元素をβ−ジケトンキレート化合物化するなどして
蒸発しやすくした固体原料をガス化し、それを支持基材
上に供給して酸化物超電導膜を形成するＭＯＣＶＤ法が
提案されている。
形成元素をβ−ジケトンキレート化合物化するなどして
蒸発しやすくした固体原料をガス化し、それを支持基材
上に供給して酸化物超電導膜を形成するＭＯＣＶＤ法が
提案されている。
【０００３】従来、前記ＭＯＣＶＤ法に用いるガス化容
器としては、粉末化した固体原料を単に投入保持するよ
うにした、キャリアガスの入出口付の容器が知られてい
た。しかしながら、固体原料のガス化速度の変動が大き
く、ガス化速度を一定化させるための制御操作も困難で
、形成される酸化物超電導膜の品質、ないし超電導特性
のバラツキが大きい問題点があった。
器としては、粉末化した固体原料を単に投入保持するよ
うにした、キャリアガスの入出口付の容器が知られてい
た。しかしながら、固体原料のガス化速度の変動が大き
く、ガス化速度を一定化させるための制御操作も困難で
、形成される酸化物超電導膜の品質、ないし超電導特性
のバラツキが大きい問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、固体原料の
ガス化効率に優れ、ガス化速度を容易に制御できてその
一定化が容易なＭＯＣＶＤ法に用いるガス化容器の開発
を課題とする。
ガス化効率に優れ、ガス化速度を容易に制御できてその
一定化が容易なＭＯＣＶＤ法に用いるガス化容器の開発
を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物超電導
膜形成用の固体原料をガス化するための容器であり、キ
ャリアガスの入口と出口を有する容器本体の内部に、キ
ャリアガスの通気孔を複数有する固体原料保持棚を配置
し、その固体原料保持棚の上部に邪魔板を配置してなる
ことを特徴とする超電導ＭＯＣＶＤ用ガス化容器を提供
するものである。
膜形成用の固体原料をガス化するための容器であり、キ
ャリアガスの入口と出口を有する容器本体の内部に、キ
ャリアガスの通気孔を複数有する固体原料保持棚を配置
し、その固体原料保持棚の上部に邪魔板を配置してなる
ことを特徴とする超電導ＭＯＣＶＤ用ガス化容器を提供
するものである。
【０００６】
【実施例】本発明の超電導ＭＯＣＶＤ用ガス化容器を図
１に例示した。１がキャリアガスの入口１３と出口１４
を有する容器本体、２が複数の通気孔２１を有する固体
原料保持棚、３が邪魔板である。図例のガス化容器は、
外部加熱方式（図示せず）により加熱して、酸化物超電
導膜形成用の粉末化した固体原料Ｓをガス化するように
したものである。本発明では、ガス化容器の内部又は外
周に加熱装置を配備することもできる。
１に例示した。１がキャリアガスの入口１３と出口１４
を有する容器本体、２が複数の通気孔２１を有する固体
原料保持棚、３が邪魔板である。図例のガス化容器は、
外部加熱方式（図示せず）により加熱して、酸化物超電
導膜形成用の粉末化した固体原料Ｓをガス化するように
したものである。本発明では、ガス化容器の内部又は外
周に加熱装置を配備することもできる。
【０００７】容器本体１は、底板１１と蓋部１２よりな
り、開閉可能となっている。底板１１にはキャリアガス
の入口１３が設けられており、蓋部１２にはキャリアガ
スの出口１４が設けられている。なお本発明においては
、容器本体を始めとする各部品は、加熱温度に耐える金
属やセラミックなどの耐熱性材料で形成される。
り、開閉可能となっている。底板１１にはキャリアガス
の入口１３が設けられており、蓋部１２にはキャリアガ
スの出口１４が設けられている。なお本発明においては
、容器本体を始めとする各部品は、加熱温度に耐える金
属やセラミックなどの耐熱性材料で形成される。
【０００８】固体原料保持棚２は、支持足２３を介して
容器本体の底板１１の上に支持されている。固体原料保
持棚２に設けた各通気孔２１に対しては、案内筒２２が
取り付けられている。案内筒２２は、通気孔２１を通過
したキャリアガスを固体原料Ｓからなる層の上部に誘導
するためのものである。
容器本体の底板１１の上に支持されている。固体原料保
持棚２に設けた各通気孔２１に対しては、案内筒２２が
取り付けられている。案内筒２２は、通気孔２１を通過
したキャリアガスを固体原料Ｓからなる層の上部に誘導
するためのものである。
【０００９】邪魔板３は、キャリアガスの誘導路となる
間隙を設けて固体原料保持棚２の上部に配置されている
。邪魔板３の支持は、容器本体の蓋部１２や、固体原料
保持棚２などを利用して適宜に行ってよい。
間隙を設けて固体原料保持棚２の上部に配置されている
。邪魔板３の支持は、容器本体の蓋部１２や、固体原料
保持棚２などを利用して適宜に行ってよい。
【００１０】
【作用】上記実施例のガス化容器においては、キャリア
ガスが矢印の如く容器本体１の入口１３から供給される
。供給されたキャリアガスは、固体原料保持棚２に設け
た複数の通気孔２１と案内筒２２を介して、固体原料保
持棚２と固体原料層（Ｓ）を通過し、邪魔板３に突き当
たる。突き当たったキャリアガスは方向転換し、邪魔板
３の下面に沿って流動し、固体原料層の上を通過する。 ついでキャリアガスは、邪魔板３と容器本体１の蓋部内
壁との間隙をぬって邪魔板３の上部に至り、矢印の如く
容器本体１の出口１４を介して流出する。なお、容器本
体１の出口１４より流出したキャリアガスは、酸化物超
電導膜を付設すべき支持基材上に供給される。
ガスが矢印の如く容器本体１の入口１３から供給される
。供給されたキャリアガスは、固体原料保持棚２に設け
た複数の通気孔２１と案内筒２２を介して、固体原料保
持棚２と固体原料層（Ｓ）を通過し、邪魔板３に突き当
たる。突き当たったキャリアガスは方向転換し、邪魔板
３の下面に沿って流動し、固体原料層の上を通過する。 ついでキャリアガスは、邪魔板３と容器本体１の蓋部内
壁との間隙をぬって邪魔板３の上部に至り、矢印の如く
容器本体１の出口１４を介して流出する。なお、容器本
体１の出口１４より流出したキャリアガスは、酸化物超
電導膜を付設すべき支持基材上に供給される。
【００１１】前記において、酸化物超電導膜を形成する
ための固体原料を加熱して発生させたガスは、キャリア
ガスを介して容器本体１の出口１４に誘導される。その
場合、キャリアガスが邪魔板３の下面に沿って固体原料
層の上を流動するため、発生ガスが効率よく移送され、
ガス化効率が向上する。また、キャリアガスの流速を制
御することによりガス化速度を調節することができ、キ
ャリアガスの定速化でガス化速度を一定化できて、変動
を抑制することができる。
ための固体原料を加熱して発生させたガスは、キャリア
ガスを介して容器本体１の出口１４に誘導される。その
場合、キャリアガスが邪魔板３の下面に沿って固体原料
層の上を流動するため、発生ガスが効率よく移送され、
ガス化効率が向上する。また、キャリアガスの流速を制
御することによりガス化速度を調節することができ、キ
ャリアガスの定速化でガス化速度を一定化できて、変動
を抑制することができる。
【００１２】なお上記において、容器本体１の出口１４
より流出したキャリアガスは、酸化物超電導膜を形成す
べき目的域に供給される。その目的域は通例、支持基材
等を配置した反応室等として形成されており、その支持
基材上で原料ガスを熱分解させる方式などにより、目的
とする酸化物超電導膜が形成される。
より流出したキャリアガスは、酸化物超電導膜を形成す
べき目的域に供給される。その目的域は通例、支持基材
等を配置した反応室等として形成されており、その支持
基材上で原料ガスを熱分解させる方式などにより、目的
とする酸化物超電導膜が形成される。
【００１３】発生ガスを移送するためのキャリアガスと
しては、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガスの如き
不活性ガスが一般に用いられる。ガス化容器内に配置す
る固体原料としては、目的とする酸化物超電導膜に応じ
、その形成元素を例えばキレート化物やハロゲン化物な
どとした、就中高蒸気圧化合物とした適宜なものを用い
てよい。本発明においては種々の酸化物超電導膜を形成
することができ、その種類については特に限定はない。 なお固体原料は通例、粉末の状態で用いられる。
しては、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガスの如き
不活性ガスが一般に用いられる。ガス化容器内に配置す
る固体原料としては、目的とする酸化物超電導膜に応じ
、その形成元素を例えばキレート化物やハロゲン化物な
どとした、就中高蒸気圧化合物とした適宜なものを用い
てよい。本発明においては種々の酸化物超電導膜を形成
することができ、その種類については特に限定はない。 なお固体原料は通例、粉末の状態で用いられる。
【００１４】ちなみに、形成しうる酸化物超電導膜を構
成する超電導体の具体例としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ
やＹＢａ２Ｃｕ４Ｏｙの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂａ
１−ｘＫｘＢｉＯ３の如きＢａ系酸化物超電導体、Ｎｄ
２−ｘＣｅｘＣｕＯｙの如きＮｄ系酸化物超電導体、Ｂ
ｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ、Ｂｉ２−ｘＰｂｘＳｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙの如きＢｉ系酸化物超電導体、その他Ｌ
ａ系酸化物超電導体、Ｔｌ系酸化物超電導体、Ｐｂ系酸
化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の成
分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂａ等の成分を
他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられる
。
成する超電導体の具体例としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ
やＹＢａ２Ｃｕ４Ｏｙの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂａ
１−ｘＫｘＢｉＯ３の如きＢａ系酸化物超電導体、Ｎｄ
２−ｘＣｅｘＣｕＯｙの如きＮｄ系酸化物超電導体、Ｂ
ｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ、Ｂｉ２−ｘＰｂｘＳｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙの如きＢｉ系酸化物超電導体、その他Ｌ
ａ系酸化物超電導体、Ｔｌ系酸化物超電導体、Ｐｂ系酸
化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の成
分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂａ等の成分を
他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられる
。
【００１５】
【発明の効果】本発明の超電導ＭＯＣＶＤ用ガス化容器
によれば、酸化物超電導膜形成用の固体原料からなる層
の上面に沿ってキャリアガスを通過させることができ、
ガス化効率に優れると共にガス化速度の変動を抑制して
容易に一定化することができる。その結果、品質、ない
し超電導特性に優れる酸化物超電導膜を安定して形成す
ることができる。
によれば、酸化物超電導膜形成用の固体原料からなる層
の上面に沿ってキャリアガスを通過させることができ、
ガス化効率に優れると共にガス化速度の変動を抑制して
容易に一定化することができる。その結果、品質、ない
し超電導特性に優れる酸化物超電導膜を安定して形成す
ることができる。
【図１】実施例の部分断面説明図。
１：容器本体
１３：入口 １４：出口
２：固体原料保持棚
２１：通気孔
３：邪魔板
Ｓ：酸化物超電導膜形成用の固体原料
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超電導膜形成用の固体原料をガ
ス化するための容器であり、キャリアガスの入口と出口
を有する容器本体の内部に、キャリアガスの通気孔を複
数有する固体原料保持棚を配置し、その固体原料保持棚
の上部に邪魔板を配置してなることを特徴とする超電導
ＭＯＣＶＤ用ガス化容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08148591A JP3174351B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08148591A JP3174351B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292406A true JPH04292406A (ja) | 1992-10-16 |
| JP3174351B2 JP3174351B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=13747709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08148591A Expired - Fee Related JP3174351B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3174351B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006503178A (ja) * | 2002-07-23 | 2006-01-26 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 蒸発器配送アンプル |
| JP2013049926A (ja) * | 2004-06-01 | 2013-03-14 | Advanced Technology Materials Inc | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| EP2832896A4 (en) * | 2012-03-28 | 2015-09-09 | Unitex Co Ltd | SOURCE MATERIAL CONTAINER AND STEAM SEPARATION REACTOR |
| US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
| US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP08148591A patent/JP3174351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9004462B2 (en) | 2002-07-23 | 2015-04-14 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7828274B2 (en) | 2002-07-23 | 2010-11-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| EP2361672A3 (en) * | 2002-07-23 | 2011-11-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
| JP4843218B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2011-12-21 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 蒸発器配送アンプル |
| KR101152715B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2012-06-15 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 증기 이송 장치, 기화기, 기화기 유닛 및 기화된 소스 물질 이송 방법 |
| JP2006503178A (ja) * | 2002-07-23 | 2006-01-26 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 蒸発器配送アンプル |
| JP2016104912A (ja) * | 2002-07-23 | 2016-06-09 | インテグリス・インコーポレーテッド | 蒸発器配送アンプル |
| US9469898B2 (en) | 2002-07-23 | 2016-10-18 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US10465286B2 (en) | 2002-07-23 | 2019-11-05 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| JP2013049926A (ja) * | 2004-06-01 | 2013-03-14 | Advanced Technology Materials Inc | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
| EP2832896A4 (en) * | 2012-03-28 | 2015-09-09 | Unitex Co Ltd | SOURCE MATERIAL CONTAINER AND STEAM SEPARATION REACTOR |
| US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3174351B2 (ja) | 2001-06-11 |
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