JPH04292495A - Ｍｏｃｖｄ用超電導原料のガス化法 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ用超電導原料のガス化法Info
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- JPH04292495A JPH04292495A JP8148491A JP8148491A JPH04292495A JP H04292495 A JPH04292495 A JP H04292495A JP 8148491 A JP8148491 A JP 8148491A JP 8148491 A JP8148491 A JP 8148491A JP H04292495 A JPH04292495 A JP H04292495A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導膜形成用
粉末原料のガス化速度の一定性に優れる、ＭＯＣＶＤ用
超電導原料のガス化法に関する。
粉末原料のガス化速度の一定性に優れる、ＭＯＣＶＤ用
超電導原料のガス化法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの如き酸化物超電導膜の
形成元素をβ−ジケトンキレート化合物化するなどして
蒸発しやすくした粉末原料をガス化し、それを支持基材
上に供給して酸化物超電導膜を形成するＭＯＣＶＤ法が
提案されている。
形成元素をβ−ジケトンキレート化合物化するなどして
蒸発しやすくした粉末原料をガス化し、それを支持基材
上に供給して酸化物超電導膜を形成するＭＯＣＶＤ法が
提案されている。
【０００３】従来、前記のＭＯＣＶＤ法における粉末原
料のガス化法としては、キャリアガスの入出口を設けた
収容器に粉末原料を入れ、その収容器の全体をガス化室
として粉末原料を不特定に加熱してガス化させ、発生し
たガスを収容器の全体に対して供給されるキャリアガス
を介して目的域に移送する方法が知られていた。しかし
ながら、粉末原料のガス化速度の変動が大きく、ガス化
速度を一定化させるための制御操作も困難で、形成され
る酸化物超電導膜の品質、ないし超電導特性のバラツキ
が大きい問題点があった。
料のガス化法としては、キャリアガスの入出口を設けた
収容器に粉末原料を入れ、その収容器の全体をガス化室
として粉末原料を不特定に加熱してガス化させ、発生し
たガスを収容器の全体に対して供給されるキャリアガス
を介して目的域に移送する方法が知られていた。しかし
ながら、粉末原料のガス化速度の変動が大きく、ガス化
速度を一定化させるための制御操作も困難で、形成され
る酸化物超電導膜の品質、ないし超電導特性のバラツキ
が大きい問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、酸化物超電
導膜形成用粉末原料のガス化速度の一定性に優れるガス
化法の開発を課題とする。
導膜形成用粉末原料のガス化速度の一定性に優れるガス
化法の開発を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物超電導
膜形成用の粉末原料をメッシュ付開口を有する収容器に
充填し、そのメッシュ付開口をキャリアガスの案内路に
対面させて粉末原料の充填層を押圧し、粉末原料をメッ
シュ付開口部に接触させつつ加熱してガス化させること
を特徴とするＭＯＣＶＤ用超電導原料のガス化法を提供
するものである。
膜形成用の粉末原料をメッシュ付開口を有する収容器に
充填し、そのメッシュ付開口をキャリアガスの案内路に
対面させて粉末原料の充填層を押圧し、粉末原料をメッ
シュ付開口部に接触させつつ加熱してガス化させること
を特徴とするＭＯＣＶＤ用超電導原料のガス化法を提供
するものである。
【０００６】
【作用】粉末原料の充填層を押圧して、粉末原料がメッ
シュ付開口を介しキャリアガスの案内路に接触する面積
の一定化をはかりつつガス化することにより、発生ガス
が効率よく移送されてガス化効率が向上すると共に、粉
末原料の蒸発表面積の一定化を達成できてガス化速度を
一定化させることができる。また、キャリアガスが案内
路を介して規則的な流路をとり、そのキャリアガスの流
速を制御することによりガス化速度を調節することがで
きる。
シュ付開口を介しキャリアガスの案内路に接触する面積
の一定化をはかりつつガス化することにより、発生ガス
が効率よく移送されてガス化効率が向上すると共に、粉
末原料の蒸発表面積の一定化を達成できてガス化速度を
一定化させることができる。また、キャリアガスが案内
路を介して規則的な流路をとり、そのキャリアガスの流
速を制御することによりガス化速度を調節することがで
きる。
【０００７】
【実施例】図１に実施例を示した。１がメッシュ付開口
１１を有する収容器、２が酸化物超電導膜形成用の粉末
原料、３が押圧手段、４がキャリアガスの案内路である
。収容器やメッシュ等の部品は、加熱温度に耐える金属
やセラミックなどの耐熱性材料で形成される。なお、収
容器は必要に応じた適宜な個数が用いられる。
１１を有する収容器、２が酸化物超電導膜形成用の粉末
原料、３が押圧手段、４がキャリアガスの案内路である
。収容器やメッシュ等の部品は、加熱温度に耐える金属
やセラミックなどの耐熱性材料で形成される。なお、収
容器は必要に応じた適宜な個数が用いられる。
【０００８】収容器１の胴部１２は、ガス漏れを生じな
いよう密封構造に形成されている。収容器１の開口１１
には、充填する酸化物超電導膜形成用の粉末原料２が漏
れ落ちない粗さのメッシュが付設されており、そのメッ
シュ付開口１１がキャリアガスの案内路４に対面するよ
う配置されている。
いよう密封構造に形成されている。収容器１の開口１１
には、充填する酸化物超電導膜形成用の粉末原料２が漏
れ落ちない粗さのメッシュが付設されており、そのメッ
シュ付開口１１がキャリアガスの案内路４に対面するよ
う配置されている。
【０００９】収容器１に充填された粉末原料の充填層は
、押圧手段３を介して押圧され、粉末原料２がメッシュ
付開口１１の全面に接触させられる。これにより、その
メッシュ付開口１１を介してキャリアガスの案内路４に
対する粉末原料２の接触面積の一定化がはかられる。 粉末原料の押圧手段３としては、例えば空気圧システム
で作動するピストンなど、適宜なものを用いてよい。
、押圧手段３を介して押圧され、粉末原料２がメッシュ
付開口１１の全面に接触させられる。これにより、その
メッシュ付開口１１を介してキャリアガスの案内路４に
対する粉末原料２の接触面積の一定化がはかられる。 粉末原料の押圧手段３としては、例えば空気圧システム
で作動するピストンなど、適宜なものを用いてよい。
【００１０】粉末原料２のガス化は、加熱処理を介して
行われる。加熱手段は、例えば収容器の外部に加熱装置
を配置する方式、収容器の内部、ないし外周に加熱装置
を配置する方式、高温のキャリアガスを介して加熱する
方式など、任意である。ガス化面積の一定化をはかる点
よりは、メッシュ付開口部１１で集中的にガス化させる
ことが有利である。その手段としては、例えば高温のキ
ャリアガスを供給する方式、メッシュを介して加熱する
方式などがあげられる。メッシュを介した加熱方式とし
ては、例えば金属メッシュを用いて電気抵抗により熱を
発生させる方式などがあげられる。
行われる。加熱手段は、例えば収容器の外部に加熱装置
を配置する方式、収容器の内部、ないし外周に加熱装置
を配置する方式、高温のキャリアガスを介して加熱する
方式など、任意である。ガス化面積の一定化をはかる点
よりは、メッシュ付開口部１１で集中的にガス化させる
ことが有利である。その手段としては、例えば高温のキ
ャリアガスを供給する方式、メッシュを介して加熱する
方式などがあげられる。メッシュを介した加熱方式とし
ては、例えば金属メッシュを用いて電気抵抗により熱を
発生させる方式などがあげられる。
【００１１】粉末原料２のガス化により発生したガスは
、案内路４に供給されるキャリアガスを介して目的域に
移送される。その目的域は通例、支持基材等を配置した
反応室等として形成され、その支持基材上で原料ガスを
熱分解させる方式などにより、目的とする酸化物超電導
膜が形成される。キャリアガスとしては、アルゴンガス
、窒素ガス、ヘリウムガスの如き不活性ガスが一般に用
いられる。
、案内路４に供給されるキャリアガスを介して目的域に
移送される。その目的域は通例、支持基材等を配置した
反応室等として形成され、その支持基材上で原料ガスを
熱分解させる方式などにより、目的とする酸化物超電導
膜が形成される。キャリアガスとしては、アルゴンガス
、窒素ガス、ヘリウムガスの如き不活性ガスが一般に用
いられる。
【００１２】粉末原料としては、目的とする酸化物超電
導膜に応じ、その形成元素を例えばキレート化物やハロ
ゲン化物などとした、就中高蒸気圧化合物とした適宜な
ものを用いてよい。本発明においては種々の酸化物超電
導膜を形成することができ、その種類については特に限
定はない。
導膜に応じ、その形成元素を例えばキレート化物やハロ
ゲン化物などとした、就中高蒸気圧化合物とした適宜な
ものを用いてよい。本発明においては種々の酸化物超電
導膜を形成することができ、その種類については特に限
定はない。
【００１３】ちなみに、形成しうる酸化物超電導膜を構
成する超電導体の具体例としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ
やＹＢａ２Ｃｕ４Ｏｙの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂａ
１−ｘＫｘＢｉＯ３の如きＢａ系酸化物超電導体、Ｎｄ
２−ｘＣｅｘＣｕＯｙの如きＮｄ系酸化物超電導体、Ｂ
ｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ、Ｂｉ２−ｘＰｂｘＳｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙの如きＢｉ系酸化物超電導体、その他Ｌ
ａ系酸化物超電導体、Ｔｌ系酸化物超電導体、Ｐｂ系酸
化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の成
分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂａ等の成分を
他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられる
。
成する超電導体の具体例としては、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ
やＹＢａ２Ｃｕ４Ｏｙの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂａ
１−ｘＫｘＢｉＯ３の如きＢａ系酸化物超電導体、Ｎｄ
２−ｘＣｅｘＣｕＯｙの如きＮｄ系酸化物超電導体、Ｂ
ｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ、Ｂｉ２−ｘＰｂｘＳｒ２Ｃ
ａ２Ｃｕ３Ｏｙの如きＢｉ系酸化物超電導体、その他Ｌ
ａ系酸化物超電導体、Ｔｌ系酸化物超電導体、Ｐｂ系酸
化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の成
分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂａ等の成分を
他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられる
。
【００１４】
【発明の効果】本発明のガス化法によれば、案内路を介
したキャリアガス流路の一定化、メッシュ付開口部を介
したガス化面積の一定化をはかることができてガス化速
度の変動を抑制でき、ガス化速度を容易に一定化するこ
とができる。その結果、品質、ないし超電導特性に優れ
る酸化物超電導膜を安定して形成することができる。
したキャリアガス流路の一定化、メッシュ付開口部を介
したガス化面積の一定化をはかることができてガス化速
度の変動を抑制でき、ガス化速度を容易に一定化するこ
とができる。その結果、品質、ないし超電導特性に優れ
る酸化物超電導膜を安定して形成することができる。
【図１】実施例の説明断面図。
１：収容器
１１：メッシュ付開口
２：酸化物超電導膜形成用の粉末原料
３：押圧手段
４：キャリアガスの案内路
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超電導膜形成用の粉末原料をメ
ッシュ付開口を有する収容器に充填し、そのメッシュ付
開口をキャリアガスの案内路に対面させて粉末原料の充
填層を押圧し、粉末原料をメッシュ付開口部に接触させ
つつ加熱してガス化させることを特徴とするＭＯＣＶＤ
用超電導原料のガス化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148491A JPH04292495A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｍｏｃｖｄ用超電導原料のガス化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148491A JPH04292495A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｍｏｃｖｄ用超電導原料のガス化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292495A true JPH04292495A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13747679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8148491A Pending JPH04292495A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｍｏｃｖｄ用超電導原料のガス化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04292495A (ja) |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP8148491A patent/JPH04292495A/ja active Pending
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