JPH04292500A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
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- JPH04292500A JPH04292500A JP5720891A JP5720891A JPH04292500A JP H04292500 A JPH04292500 A JP H04292500A JP 5720891 A JP5720891 A JP 5720891A JP 5720891 A JP5720891 A JP 5720891A JP H04292500 A JPH04292500 A JP H04292500A
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- Japan
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- crystal growth
- crystal
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶成長技術に関し、さ
らに詳しく述べるならば融液から溶質を結晶として晶出
させるボート成長法、引き上げ成長法などの結晶成長方
法に関する。
らに詳しく述べるならば融液から溶質を結晶として晶出
させるボート成長法、引き上げ成長法などの結晶成長方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】融液から結晶を成長させる方法（以下、
「液相成長法」という）の場合、成長界面への溶質の供
給により結晶の成長速度が制御される。溶質の供給は溶
媒中の溶質濃度及び温度により決まる。従来これらの因
子を調節すると、それ以外の因子により溶質の供給を制
御することはできなかった。
「液相成長法」という）の場合、成長界面への溶質の供
給により結晶の成長速度が制御される。溶質の供給は溶
媒中の溶質濃度及び温度により決まる。従来これらの因
子を調節すると、それ以外の因子により溶質の供給を制
御することはできなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液相成長法は基板結晶
の損傷が少ない、成長結晶の結晶性がよいなどの利点が
ある反面、ＭＢＥなどの方法よりは結晶成長制御性が劣
っていた。これは、拡散速度を外部から制御することは
不可能であるため、成長速度を制御したり組成を制御す
ることが非常に困難であることに帰着する。
の損傷が少ない、成長結晶の結晶性がよいなどの利点が
ある反面、ＭＢＥなどの方法よりは結晶成長制御性が劣
っていた。これは、拡散速度を外部から制御することは
不可能であるため、成長速度を制御したり組成を制御す
ることが非常に困難であることに帰着する。
【０００４】したがって、三元化合物半導体あるいは四
元化合物半導体を数十Å〜数千Å程度の薄い膜として積
層するためには従来はＭＢＥ、ＭＯＶＰＥなどの結晶成
長制御性がすぐれた方法が採用され、液相成長法の採用
は困難であった。
元化合物半導体を数十Å〜数千Å程度の薄い膜として積
層するためには従来はＭＢＥ、ＭＯＶＰＥなどの結晶成
長制御性がすぐれた方法が採用され、液相成長法の採用
は困難であった。
【０００５】又、従来法による液相成長では三元化合物
の各成分の拡散速度が相違する場合、例えばＧａとＡｓ
の拡散速度が相違するＩｎＧａＡｓの結晶成長を行う場
合、ＧａとＡｓの組成は融液中の濃度を定めることによ
りほぼ定まってしまい、それ以外の組成制御法はない。 ここで融液中の濃度は結晶成長中に任意に制御できない
から、組成の制御性は極めて少なく、三元、四元の化合
物を任意の組成で成長できるＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどよ
り遥かに低い。
の各成分の拡散速度が相違する場合、例えばＧａとＡｓ
の拡散速度が相違するＩｎＧａＡｓの結晶成長を行う場
合、ＧａとＡｓの組成は融液中の濃度を定めることによ
りほぼ定まってしまい、それ以外の組成制御法はない。 ここで融液中の濃度は結晶成長中に任意に制御できない
から、組成の制御性は極めて少なく、三元、四元の化合
物を任意の組成で成長できるＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどよ
り遥かに低い。
【０００６】本発明は液相成長法の以上のような現状に
鑑み、従来より結晶成長速度や組成の制御性を高めるこ
と、すなわち高速成長から低速成長まで正確に速度を制
御すること、及び三元又は四元化合物の制御を可能にす
ることを目的とする。
鑑み、従来より結晶成長速度や組成の制御性を高めるこ
と、すなわち高速成長から低速成長まで正確に速度を制
御すること、及び三元又は四元化合物の制御を可能にす
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、融液から溶質
を晶出させて結晶を成長させる結晶成長方法において、
融液にその外部から印加された磁場の第一方向に対して
垂直成分をもつ第二の方向に電流を該融液あるいは溶液
に流すとともに前記磁場及び電流により生じるローレン
ツ力が結晶成長方向に対して所定の方向になるように第
二の方向を定めることを特徴とする。以下、本発明の構
成を説明する。
を晶出させて結晶を成長させる結晶成長方法において、
融液にその外部から印加された磁場の第一方向に対して
垂直成分をもつ第二の方向に電流を該融液あるいは溶液
に流すとともに前記磁場及び電流により生じるローレン
ツ力が結晶成長方向に対して所定の方向になるように第
二の方向を定めることを特徴とする。以下、本発明の構
成を説明する。
【０００８】液相成長において、融液（液相成長の分野
では溶液と言われることもある）を溶製するための成長
炉は通常ヒーターを備え、これがコイル状に被加熱物を
とり囲む形状をしており、交流電流を流すと交流磁場、
直流電流の場合は直流磁場がコイル内に発生する。
では溶液と言われることもある）を溶製するための成長
炉は通常ヒーターを備え、これがコイル状に被加熱物を
とり囲む形状をしており、交流電流を流すと交流磁場、
直流電流の場合は直流磁場がコイル内に発生する。
【０００９】図１には交流加熱ヒーターを使用する、か
かる成長炉を示している。図中、１は反応管、２は融液
を抵抗加熱するヒーターコイル、３は融液を保持するボ
ート、４はヒーターコイルに通電するＡＣ電源、８はボ
ートに設けられた溶液溜め、である。このような成長炉
では図中にＢで発生した方向の磁場が発生する。本発明
の液相成長法が特徴とするところは磁場Ｂに対して制御
したい方向にローレンツ力がはたらくように電源８をボ
ート３と接続して溶液中に電流を流すところにある。以
下、電流と磁場の関係を図２を参照して説明する。
かる成長炉を示している。図中、１は反応管、２は融液
を抵抗加熱するヒーターコイル、３は融液を保持するボ
ート、４はヒーターコイルに通電するＡＣ電源、８はボ
ートに設けられた溶液溜め、である。このような成長炉
では図中にＢで発生した方向の磁場が発生する。本発明
の液相成長法が特徴とするところは磁場Ｂに対して制御
したい方向にローレンツ力がはたらくように電源８をボ
ート３と接続して溶液中に電流を流すところにある。以
下、電流と磁場の関係を図２を参照して説明する。
【００１０】溶液溜め８はその底部にエピタキシャル成
長方向を定める結晶基板１０を固定し、両端に電極５、
６を固定している。図１の磁場の方向Ｂは同一方向の矢
印Ｂで図２に示されている。電極５、６間に電流を流す
とその方向はＩ、すなわち磁場の方向と直交する方向に
なり、その結果ローレンツ力Ｆが発生する。このような
ローレンツ力を効果的に利用するように結晶基板１０と
溶液、電極５、６を配置して成長を行うことが本発明の
原理である。これによって、従来の拡散のみの制御と比
較して、一つの制御因子（ローレンツ力）が増加するこ
とになる。ローレンツ力Ｆは融液に結晶基板１０の方向
の力を加えるので、溶質を結晶基板１０の方向に移動さ
せる。
長方向を定める結晶基板１０を固定し、両端に電極５、
６を固定している。図１の磁場の方向Ｂは同一方向の矢
印Ｂで図２に示されている。電極５、６間に電流を流す
とその方向はＩ、すなわち磁場の方向と直交する方向に
なり、その結果ローレンツ力Ｆが発生する。このような
ローレンツ力を効果的に利用するように結晶基板１０と
溶液、電極５、６を配置して成長を行うことが本発明の
原理である。これによって、従来の拡散のみの制御と比
較して、一つの制御因子（ローレンツ力）が増加するこ
とになる。ローレンツ力Ｆは融液に結晶基板１０の方向
の力を加えるので、溶質を結晶基板１０の方向に移動さ
せる。
【００１１】ローレンツ力が実質的に基板方向であると
成長速度が高められ、基板と実質的に反対方向であると
成長速度は低下するため膜厚の再現性が高められる。し
たがって、目標とする結晶層の性質によってローレンツ
力の方向を定める。
成長速度が高められ、基板と実質的に反対方向であると
成長速度は低下するため膜厚の再現性が高められる。し
たがって、目標とする結晶層の性質によってローレンツ
力の方向を定める。
【００１２】以上、ヒーターコイルを備えた成長炉の例
を説明したが、棒状ヒーターの場合も同様に磁場が発生
しているので、図２に示されるＢ、Ｉの関係を考慮して
電流を流すことによりローレンツ力Ｆを発生させること
ができる。又、ヒーター以外に別途磁場を発生させる磁
石などを設けてもよい。
を説明したが、棒状ヒーターの場合も同様に磁場が発生
しているので、図２に示されるＢ、Ｉの関係を考慮して
電流を流すことによりローレンツ力Ｆを発生させること
ができる。又、ヒーター以外に別途磁場を発生させる磁
石などを設けてもよい。
【００１３】ヒーターが交流ヒーターである場合、図３
に示すようにヒーターの磁場Ｂと同じ周波数え同じ位相
の交流電流（Ｉ）を融液又は溶液中に流すとローレンツ
力（Ｆ＝Ｉ×Ｂ）は常にプラス（＋）方向に働き、最も
効率がよい。交流が完全なサインカーブで表される時、
Ｉ、Ｂ同位相ローレンツ力（Ｆ＝Ｉ×Ｂ、但しＩ＝５０
Ｈｚ）は次式で表される。
に示すようにヒーターの磁場Ｂと同じ周波数え同じ位相
の交流電流（Ｉ）を融液又は溶液中に流すとローレンツ
力（Ｆ＝Ｉ×Ｂ）は常にプラス（＋）方向に働き、最も
効率がよい。交流が完全なサインカーブで表される時、
Ｉ、Ｂ同位相ローレンツ力（Ｆ＝Ｉ×Ｂ、但しＩ＝５０
Ｈｚ）は次式で表される。
【００１４】
【数１】
【００１５】これに対して図４に示すように交流電流（
Ｉ）と交流磁場の周波数（Ｂ）が異ると、ローレンツ力
（Ｉ×Ｂ）は振動し、打消し合う（Ｉ×Ｂ＝０）。 ■Ｉ＝１００Ｈｚ、Ｂ＝５０Ｈｚの時及び■Ｉ＝１５０
Ｈｚ、Ｂ＝５０Ｈｚの時の場合の計算をそれぞれ以下に
示す。
Ｉ）と交流磁場の周波数（Ｂ）が異ると、ローレンツ力
（Ｉ×Ｂ）は振動し、打消し合う（Ｉ×Ｂ＝０）。 ■Ｉ＝１００Ｈｚ、Ｂ＝５０Ｈｚの時及び■Ｉ＝１５０
Ｈｚ、Ｂ＝５０Ｈｚの時の場合の計算をそれぞれ以下に
示す。
【００１６】
【数２】
【００１７】
【数３】
【００１８】ローレンツ力を発生させるための電流は大
きなほど効果が高い。図５には交流ヒーターと交流通電
の場合のＩｎＰ溶解量の電流値の依存性を示す。この図
より電流値とＩｎＰ溶解量はリニアな関係にあることが
分かる。なお、溶解量は基板重量で測定している。電流
値が過大になると電極部における発熱の影響が大きくな
り、却ってローレンツ力以外の対流の効果などが大きく
なるので、このような上限以下に定める必要がある。こ
の上限はボート成長法で化合物半導体の結晶成長を行う
場合は３〜２０Ａである。
きなほど効果が高い。図５には交流ヒーターと交流通電
の場合のＩｎＰ溶解量の電流値の依存性を示す。この図
より電流値とＩｎＰ溶解量はリニアな関係にあることが
分かる。なお、溶解量は基板重量で測定している。電流
値が過大になると電極部における発熱の影響が大きくな
り、却ってローレンツ力以外の対流の効果などが大きく
なるので、このような上限以下に定める必要がある。こ
の上限はボート成長法で化合物半導体の結晶成長を行う
場合は３〜２０Ａである。
【００１９】本発明により融液に加えられる電流はその
周波数（ｆｉ ）が交流磁界の周波数（ｆｍ ）と一致
しているときに最も効果が大であり、ｆ１ ＜ｆｍ 、
又はｆ１ ＞ｆであると効果はあるが少ない。
周波数（ｆｉ ）が交流磁界の周波数（ｆｍ ）と一致
しているときに最も効果が大であり、ｆ１ ＜ｆｍ 、
又はｆ１ ＞ｆであると効果はあるが少ない。
【００２０】図６に５０Ｈｚの交流ヒーターで加熱して
いるＩｎＰ溶液中に交流電流を６Ａ流して、ＩｎＰ基板
と接触させ、ＩｎＰを溶解させる時の溶解速度の周波数
依存性を示す。この図より溶液中に流す電流が５０Ｈｚ
の時に溶解が最も促進されており、溶解量の周波数依存
性があることが明らかである。
いるＩｎＰ溶液中に交流電流を６Ａ流して、ＩｎＰ基板
と接触させ、ＩｎＰを溶解させる時の溶解速度の周波数
依存性を示す。この図より溶液中に流す電流が５０Ｈｚ
の時に溶解が最も促進されており、溶解量の周波数依存
性があることが明らかである。
【００２１】さらに、ヒーターの電流が直流であるとき
は磁界も直流であることが好ましい。ＩｎＰの溶解過程
におよぼす通電の効果をヒーターに流れる電流と、溶液
中に流す電流の各組あわせに対して表１に示した。
は磁界も直流であることが好ましい。ＩｎＰの溶解過程
におよぼす通電の効果をヒーターに流れる電流と、溶液
中に流す電流の各組あわせに対して表１に示した。
【００２２】表中、ＤＣ（パルス）は直流のＯＮ、ＯＦ
Ｆを５０ｃｙｃｌｅ ／ｓｅｃで繰り返すパルス状ヒー
ター電流を意味し、基板＋及び基板−は溶液中に流す直
流電流が向きを変えた場合を意味し、さらに＋＋が最も
効果があり０は効果のないことを意味する。
Ｆを５０ｃｙｃｌｅ ／ｓｅｃで繰り返すパルス状ヒー
ター電流を意味し、基板＋及び基板−は溶液中に流す直
流電流が向きを変えた場合を意味し、さらに＋＋が最も
効果があり０は効果のないことを意味する。
【００２３】
【表１】
表中には通電なしを１とする相対量溶解量を示す。この
結果よりヒーターと溶液中の電流が直流と直流、交流と
交流のくみあわせの時に効果があることがわかる。すな
わちローレンツ力により溶解量が増大していることが分
かる
結果よりヒーターと溶液中の電流が直流と直流、交流と
交流のくみあわせの時に効果があることがわかる。すな
わちローレンツ力により溶解量が増大していることが分
かる
【００２４】加熱ヒーターに流れる交流電流がサイリス
タに上り図７に示すように波形変形をおこしている場合
には交流電流の周波数（１５０Ｈｚ）を磁界周波数（５
０Ｈｚ）の奇数倍とすることにより、ローレンツ力（Ｉ
×Ｂ）を常にプラス（＋）方向に働かせることができる
。
タに上り図７に示すように波形変形をおこしている場合
には交流電流の周波数（１５０Ｈｚ）を磁界周波数（５
０Ｈｚ）の奇数倍とすることにより、ローレンツ力（Ｉ
×Ｂ）を常にプラス（＋）方向に働かせることができる
。
【００２５】三元以上の化合物半導体の液相成長では各
元素の拡散係数が異なるので成長中に成長界面における
溶質濃度が変化し、従来法では成長層の組成が変動する
問題がある。本発明におけるローレンツ力は溶質原子の
電荷により決まる力であるので、分配係数のように原子
依存性が大きくなく、また、流す電流値や磁場の大きさ
を変えることによって制御できるので、成長層の組成を
一定に制御することができる。したがって本発明は、三
元以上の化合物の結晶成長に適用するのが好ましい。
元素の拡散係数が異なるので成長中に成長界面における
溶質濃度が変化し、従来法では成長層の組成が変動する
問題がある。本発明におけるローレンツ力は溶質原子の
電荷により決まる力であるので、分配係数のように原子
依存性が大きくなく、また、流す電流値や磁場の大きさ
を変えることによって制御できるので、成長層の組成を
一定に制御することができる。したがって本発明は、三
元以上の化合物の結晶成長に適用するのが好ましい。
【００２６】また、従来法では低温成長を行うと成長速
度が非常におそくなる。しかし、成長速度を早めるため
に融液の過冷度を大きくすると溶質の析出が基板から離
れたところでも起こり、低温成長は複雑な構造のデバイ
スを作製する時に、熱変性が少ないなどの利点があるが
、実施困難であった。これに対して本発明でローレンツ
力を利用すると成長温度が４００〜５００ｋでも成長系
の不安定化を招かず二元系以上の化合物半導体の成長を
行うことができる。
度が非常におそくなる。しかし、成長速度を早めるため
に融液の過冷度を大きくすると溶質の析出が基板から離
れたところでも起こり、低温成長は複雑な構造のデバイ
スを作製する時に、熱変性が少ないなどの利点があるが
、実施困難であった。これに対して本発明でローレンツ
力を利用すると成長温度が４００〜５００ｋでも成長系
の不安定化を招かず二元系以上の化合物半導体の成長を
行うことができる。
【００２７】
【作用】図８において、「通電なし」のグラフが拡散の
みにより結晶成長のための溶質の供給が行われる従来法
に相当し、「交流６Ａ」がローレンツ力と拡散により溶
質の供給が行われる本発明に相当する。何れも、ＩｎＧ
ａＡｓの成長を行った実験結果を示す。この結果及び図
５より本発明によれば、結晶成長において成長系の外部
から電流値を変える制御法によって成長速度を制御する
ことができることが明らかである。このように電流によ
る制御が可能になったのは溶液中でイオン化している溶
質にローレンツ力が働いて、その拡散を加速しているこ
とによると考えられる。
みにより結晶成長のための溶質の供給が行われる従来法
に相当し、「交流６Ａ」がローレンツ力と拡散により溶
質の供給が行われる本発明に相当する。何れも、ＩｎＧ
ａＡｓの成長を行った実験結果を示す。この結果及び図
５より本発明によれば、結晶成長において成長系の外部
から電流値を変える制御法によって成長速度を制御する
ことができることが明らかである。このように電流によ
る制御が可能になったのは溶液中でイオン化している溶
質にローレンツ力が働いて、その拡散を加速しているこ
とによると考えられる。
【００２８】請求項２は図８に示すように結晶成長速度
を速めるような制御を可能にする。請求項３は拡散を抑
制することによって溶質の供給量を少なくし、極く薄い
膜を作るような制御を可能にする。請求項４から７はヒ
ーターからの磁場に応じて最も好ましい電流通電法を示
す。請求項８は液相成長法で最も組成の制御が難しい結
晶への適用に関する。請求項９は低温成長により結晶性
のよい結晶を作る方法である。以下、実施例により本発
明を説明する。
を速めるような制御を可能にする。請求項３は拡散を抑
制することによって溶質の供給量を少なくし、極く薄い
膜を作るような制御を可能にする。請求項４から７はヒ
ーターからの磁場に応じて最も好ましい電流通電法を示
す。請求項８は液相成長法で最も組成の制御が難しい結
晶への適用に関する。請求項９は低温成長により結晶性
のよい結晶を作る方法である。以下、実施例により本発
明を説明する。
【００２９】
【実施例】実施例１
図９に示すボート成長装置によりＩｎＰの成長を行った
。図中１１は基板スライダー、１３はＰＢＮ被覆ボート
であり何れも公知のものである。溶液溜め８の両端に固
着した電極５、６にステンレス製電極１４、１５の末端
を溶接した。上記した５、６、８、１１、１３からなる
ボート成長装置を内径８０ｍｍ，外径９０ｍｍ、長さ１
５００ｍｍ、ヒーターの巻数５０回の反応管内にセット
した。溶液溜め８中にＩｎＰの６００℃の飽和メルト（
ＸＰ （Ｐの液相モル濃度）＝３．７×１０−３）を１
０ｇ入れ、過冷却度４℃の条件下で交流電源４からの電
流６Ａを流しながら５分間成長を行った。この時炉のヒ
ーター（図示せず）は５０Ｈｚの交流ヒーターと、溶液
中に流す電流も５０Ｈｚとし、位相をあわせておいた（
図３参照）。その結果、電流を流さない場合に５分間の
成長で１．６μｍの膜厚しか得られないのに対し、交流
を流すと１１μｍの膜厚を得ることができた。
。図中１１は基板スライダー、１３はＰＢＮ被覆ボート
であり何れも公知のものである。溶液溜め８の両端に固
着した電極５、６にステンレス製電極１４、１５の末端
を溶接した。上記した５、６、８、１１、１３からなる
ボート成長装置を内径８０ｍｍ，外径９０ｍｍ、長さ１
５００ｍｍ、ヒーターの巻数５０回の反応管内にセット
した。溶液溜め８中にＩｎＰの６００℃の飽和メルト（
ＸＰ （Ｐの液相モル濃度）＝３．７×１０−３）を１
０ｇ入れ、過冷却度４℃の条件下で交流電源４からの電
流６Ａを流しながら５分間成長を行った。この時炉のヒ
ーター（図示せず）は５０Ｈｚの交流ヒーターと、溶液
中に流す電流も５０Ｈｚとし、位相をあわせておいた（
図３参照）。その結果、電流を流さない場合に５分間の
成長で１．６μｍの膜厚しか得られないのに対し、交流
を流すと１１μｍの膜厚を得ることができた。
【００３０】実施例２
図９のボート成長装置を用いてＩｎ１−ｘ Ｇａｘ Ａ
ｓの成長を行った結果を図１０に示す。この結果より本
発明ではＩｎＧａＡｓ結晶の組成が安定することが明ら
かである。
ｓの成長を行った結果を図１０に示す。この結果より本
発明ではＩｎＧａＡｓ結晶の組成が安定することが明ら
かである。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いれば
、溶液内の溶質の輸送を外部制御によってコントロール
することができるので、従来の液相成長法よりは成長速
度、膜厚制御性、温度設定、組成の安定などの面で進歩
した成長法が提供される。
、溶液内の溶質の輸送を外部制御によってコントロール
することができるので、従来の液相成長法よりは成長速
度、膜厚制御性、温度設定、組成の安定などの面で進歩
した成長法が提供される。
【図１】本発明法に使用される成長装置の一例を示す図
である。
である。
【図２】本発明の原理説明図である。
【図３】周波数が同じ交流電流・交流磁場によるローレ
ンツ力の図である。
ンツ力の図である。
【図４】周波数が異なる場合について図３と同様の図で
ある。
ある。
【図５】ＩｎＰ溶解量の電流依存性を示すグラフである
。
。
【図６】ＩｎＰ溶解量の周波数依存性を示すグラフであ
る。
る。
【図７】交流電流の周波数が磁場の奇数倍の場合の図３
と同様の図である。
と同様の図である。
【図８】本発明における作用の説明図である。
【図９】ボート成長装置の図である。
【図１０】Ｉｎ１−ｘ Ｇａｘ ＡｓのＧａ分布を示す
グラフである。
グラフである。
１ 反応管
２ ヒーターコイル
３ ボート
４ 交流電源
５ 電極
６ 電極
８ 溶液溜め
１０ 結晶基板
１１ 基板スライダー
１２ ＩｎＰ溶液
１３ ＰＢＮ被覆ボート
Claims (9)
- 【請求項１】 融液から溶質を晶出させて結晶を成長
させる結晶成長方法において、前記融液にその外部から
印加された磁場の第一方向に対して垂直成分をもつ第二
の方向の電流を該融液に流すとともに前記磁場及び電流
により生じるローレンツ力が結晶成長方向に対して所定
の方向になるように第二の方向を定めることを特徴とす
る結晶成長法。 - 【請求項２】 前記所定の方向が結晶成長方向と実質
的に同じ方向である請求項１記載の結晶成長方法。 - 【請求項３】 前記所定の方向が結晶成長方向の反対
方向と実質的に等しい方向である請求項１記載の結晶成
長方法。 - 【請求項４】 前記磁場が前記融液を加熱するヒータ
ーにより発生する請求項１から３までの何れか１項記載
の結晶成長方法。 - 【請求項５】 ヒーターが交流ヒーターである場合ヒ
ーターと同じ周波数で同じ位相の交流電流を融液または
中に流すことを特徴とする請求項４記載の結晶成長方法
。 - 【請求項６】 ヒーターの周波数の奇数倍の周波数の
交流電流を融液中に流すことを特徴とする請求項４記載
の結晶成長方法。 - 【請求項７】 ヒーターが直流ヒーターである場合直
流を融液に流すことを特徴とする請求項４記載の結晶成
長方法。 - 【請求項８】 三元以上の化合物半導体の結晶成長を
行うことを特徴とする請求項１から７までの何れか１項
記載の結晶成長方法。 - 【請求項９】 融液の過冷度を０＜ΔＴ≦１０ｋとし
て成長を行うことを特徴とする請求項８記載の結晶成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720891A JPH04292500A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720891A JPH04292500A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292500A true JPH04292500A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13049097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5720891A Withdrawn JPH04292500A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04292500A (ja) |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP5720891A patent/JPH04292500A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |