JPH04292654A - 半導電性材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業の利用分野】本発明は、帯電防止、静電遮蔽、除
電などを目的とした各種材料や静電気を利用した各種応
用機器などに好適に使用される半導電性材料に関する。
電などを目的とした各種材料や静電気を利用した各種応
用機器などに好適に使用される半導電性材料に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
静電気による障害、災害が顕著化してきている。例えば
、静電気放電による電撃、着火、爆発、半導体素子の破
壊、誤動作、ゴミの付着などが挙げられ、これらの障害
や災害の防止対策として、帯電防止、静電遮蔽、除電な
どを目的とした各種の材料が開発されており、また一方
で帯電の制御、吸引力による付着、反発力による分散な
ど、静電気を利用することにより、電子写真複写機、電
気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別機等の応
用機器が開発されている。
静電気による障害、災害が顕著化してきている。例えば
、静電気放電による電撃、着火、爆発、半導体素子の破
壊、誤動作、ゴミの付着などが挙げられ、これらの障害
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どを目的とした各種の材料が開発されており、また一方
で帯電の制御、吸引力による付着、反発力による分散な
ど、静電気を利用することにより、電子写真複写機、電
気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別機等の応
用機器が開発されている。
【0003】従来、帯電防止、静電遮蔽、除電等の目的
に使用される材料は、使用温湿度領域で体積抵抗率(Ω
・cm)の変動巾が2〜3桁の範囲内にあるものであれ
ばよかったが、最近では精度、信頼性などに対する要求
が非常に厳しくなってきており、使用温湿度領域での体
積抵抗率の変動巾は1桁以内であることが要望されてい
る。また、電源を利用して能率的に帯電及び吸引力や反
発力を制御する電子写真複写機、電気集塵機、空気清浄
機、静電塗装機、静電選別機等の応用機器においては、
これらの機器に使用される半導電性材料の体積抵抗率の
安定性や信頼性が装置の性能を左右することになり、こ
のためこれら機器においても半導電性材料の使用温湿度
領域での体積抵抗率の変動巾は1桁以内であることが望
まれており、このような半導体材料を使用することによ
り、電源及び回路の設計に余裕が生じ、装置全体を小型
化することも可能になる。
に使用される材料は、使用温湿度領域で体積抵抗率(Ω
・cm)の変動巾が2〜3桁の範囲内にあるものであれ
ばよかったが、最近では精度、信頼性などに対する要求
が非常に厳しくなってきており、使用温湿度領域での体
積抵抗率の変動巾は1桁以内であることが要望されてい
る。また、電源を利用して能率的に帯電及び吸引力や反
発力を制御する電子写真複写機、電気集塵機、空気清浄
機、静電塗装機、静電選別機等の応用機器においては、
これらの機器に使用される半導電性材料の体積抵抗率の
安定性や信頼性が装置の性能を左右することになり、こ
のためこれら機器においても半導電性材料の使用温湿度
領域での体積抵抗率の変動巾は1桁以内であることが望
まれており、このような半導体材料を使用することによ
り、電源及び回路の設計に余裕が生じ、装置全体を小型
化することも可能になる。
【0004】従来、上記半導電性材料としては、ゴムや
樹脂にNi,Cu,Ag等の金属、SnO2,TiO2
等の金属酸化物、カーボンブラック,グラファイト等の
炭素系導電材料などを混合分散したもの、また界面活性
剤を主成分とする帯電防止剤又はテトラブトキシホスフ
ェート等の高誘電性の液体をゴム又は樹脂に練り込んだ
ものなどが知られている。
樹脂にNi,Cu,Ag等の金属、SnO2,TiO2
等の金属酸化物、カーボンブラック,グラファイト等の
炭素系導電材料などを混合分散したもの、また界面活性
剤を主成分とする帯電防止剤又はテトラブトキシホスフ
ェート等の高誘電性の液体をゴム又は樹脂に練り込んだ
ものなどが知られている。
【0005】ここで、上記半導電性材料に要求される半
導電性領域は、体積抵抗率で概略10−2〜1012Ω
・cmである。この場合、体積抵抗率が103Ω・cm
以下の材料は、従来のゴムや樹脂に金属、金属酸化物、
炭素系導電材を混合分散することで容易に作成すること
ができるが、体積抵抗率が104〜1012Ω・cmの
範囲にある材料において体積抵抗率の変動巾が1桁以内
の材料を作製することは、非常に難しい。
導電性領域は、体積抵抗率で概略10−2〜1012Ω
・cmである。この場合、体積抵抗率が103Ω・cm
以下の材料は、従来のゴムや樹脂に金属、金属酸化物、
炭素系導電材を混合分散することで容易に作成すること
ができるが、体積抵抗率が104〜1012Ω・cmの
範囲にある材料において体積抵抗率の変動巾が1桁以内
の材料を作製することは、非常に難しい。
【0006】例えば、単体の体積抵抗率が1016Ω・
cmであるシリコーンゴムに体積抵抗率10−4Ω・c
mの銀粉を混合分散させていくと、この混合物の体積抵
抗率は、銀粉の添加量が60重量%までは元のシリコー
ンゴムと同じ1016Ω・cmであるが、添加量を80
%まで増加させると10−3Ω・cmまで急激に低下し
、それ以降銀粉量を増やしても体積抵抗率の変化はあま
りみられない。即ち、104〜1012Ω・cmの体積
抵抗率を有するものを作成するためには、銀粉の添加量
を非常に正確に秤量しなければならず、かつその分散操
作にも均一性等に細心の注意を要する。また、たとえ所
望の体積抵抗率を有するものが得られたとしても、導電
性粒子同志の接触による導電性の発現を利用しているた
め、抵抗値が不安定で再現性に乏しい。また、高誘電性
の液体をゴム又は樹脂に練り込んだ半導電性材料は、電
荷の流れが系に存在する水分量によって左右されるため
、湿度に対する体積抵抗率の変動巾が2〜3桁と大きい
。
cmであるシリコーンゴムに体積抵抗率10−4Ω・c
mの銀粉を混合分散させていくと、この混合物の体積抵
抗率は、銀粉の添加量が60重量%までは元のシリコー
ンゴムと同じ1016Ω・cmであるが、添加量を80
%まで増加させると10−3Ω・cmまで急激に低下し
、それ以降銀粉量を増やしても体積抵抗率の変化はあま
りみられない。即ち、104〜1012Ω・cmの体積
抵抗率を有するものを作成するためには、銀粉の添加量
を非常に正確に秤量しなければならず、かつその分散操
作にも均一性等に細心の注意を要する。また、たとえ所
望の体積抵抗率を有するものが得られたとしても、導電
性粒子同志の接触による導電性の発現を利用しているた
め、抵抗値が不安定で再現性に乏しい。また、高誘電性
の液体をゴム又は樹脂に練り込んだ半導電性材料は、電
荷の流れが系に存在する水分量によって左右されるため
、湿度に対する体積抵抗率の変動巾が2〜3桁と大きい
。
【0007】また、特開平2−199163号公報には
、過塩素酸塩をゴムや樹脂中に混合分散した半導電性材
料が提案されている。しかしながら、この半導電性材料
も使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾は1桁以上で
あり、十分満足されるものではない。
、過塩素酸塩をゴムや樹脂中に混合分散した半導電性材
料が提案されている。しかしながら、この半導電性材料
も使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾は1桁以上で
あり、十分満足されるものではない。
【0008】本発明は、上記事情に鑑みなされてもので
、使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾が1桁以内で
あり、しかも体積抵抗率を104〜1012Ω・cmの
範囲で容易に調整し得、帯電防止、静電遮蔽、除電など
を目的とした材料や帯電の制御、吸引力による付着、反
発力による分散など、静電気を利用する電子写真複写機
、電気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別機等
の応用機器などに好適使用される半導電性材料を提供す
ることを目的とする。
、使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾が1桁以内で
あり、しかも体積抵抗率を104〜1012Ω・cmの
範囲で容易に調整し得、帯電防止、静電遮蔽、除電など
を目的とした材料や帯電の制御、吸引力による付着、反
発力による分散など、静電気を利用する電子写真複写機
、電気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別機等
の応用機器などに好適使用される半導電性材料を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行なった結果、体積抵
抗率を任意に制御することが可能な導電性重合物をマト
リックス内で固定させることにより、体積抵抗率が10
4〜1012Ω・cmの範囲で容易に調整し得、しかも
体積抵抗率の変動巾の非常に小さい半導電性材料を得る
ことかができるという着想を得た。この着想に基づき、
更に検討を重ねた結果、10−1〜1016Ω・cmの
範囲で体積抵抗率を任意に調節することが可能なアニリ
ン又はアニリン誘導体の酸化重合物をポリウレタン中に
混合分散させ、この酸化重合物の末端アミノ基とポリウ
レタンのイソシアネート基を反応させることによって、
使用温湿度領域において体積抵抗率の変動巾が1桁以内
の安定性、信頼性に優れた半導電性材料を得ることがで
きることを見出し、本発明を完成したものである。
記目的を達成するため鋭意検討を行なった結果、体積抵
抗率を任意に制御することが可能な導電性重合物をマト
リックス内で固定させることにより、体積抵抗率が10
4〜1012Ω・cmの範囲で容易に調整し得、しかも
体積抵抗率の変動巾の非常に小さい半導電性材料を得る
ことかができるという着想を得た。この着想に基づき、
更に検討を重ねた結果、10−1〜1016Ω・cmの
範囲で体積抵抗率を任意に調節することが可能なアニリ
ン又はアニリン誘導体の酸化重合物をポリウレタン中に
混合分散させ、この酸化重合物の末端アミノ基とポリウ
レタンのイソシアネート基を反応させることによって、
使用温湿度領域において体積抵抗率の変動巾が1桁以内
の安定性、信頼性に優れた半導電性材料を得ることがで
きることを見出し、本発明を完成したものである。
【0010】従って、本発明は、アニリン、アニリン誘
導体又はこれらの混合物の酸化重合物をポリウレタン中
に分散させてなることを特徴とする半導電性材料を提供
するものである。
導体又はこれらの混合物の酸化重合物をポリウレタン中
に分散させてなることを特徴とする半導電性材料を提供
するものである。
【0011】以下、本発明につき更に詳しく説明すると
、本発明の半導電性材料は、上述したように、ポリウレ
タン中にアニリン、アニリン誘導体又はこれらの混合物
を酸化重合して得た重合体を混合分散したものであるが
、特にアニリンを単独で用いることが好ましい。なお、
上記アニリン誘導体としては、下記一般式(1)で示さ
れるものが好適に使用され、下記式(1)で示されるア
ニリン誘導体として具体的には、2−メトキシ−アニリ
ン、3−メトキシ−アニリン、2,3−ジメトキシ−ア
ニリン、2,5−ジメトキシ−アニリン、2,6−ジメ
トキシ−アニリン、3,5−ジメトキシ−アニリン、2
−エトキシ−3−メトキシ−アニリン、2,5−ジフェ
ニル−アニリン、2−フェニル−3−メチル−アニリン
、2,3,5−トリメトキシ−アニリン、2,3−ジメ
チル−アニリン、2,3,5,6−テトラメチル−アニ
リン、N−ドデシルアニリン、N−アクチルアニリン、
N−ブチルアニリン等が挙げられる。
、本発明の半導電性材料は、上述したように、ポリウレ
タン中にアニリン、アニリン誘導体又はこれらの混合物
を酸化重合して得た重合体を混合分散したものであるが
、特にアニリンを単独で用いることが好ましい。なお、
上記アニリン誘導体としては、下記一般式(1)で示さ
れるものが好適に使用され、下記式(1)で示されるア
ニリン誘導体として具体的には、2−メトキシ−アニリ
ン、3−メトキシ−アニリン、2,3−ジメトキシ−ア
ニリン、2,5−ジメトキシ−アニリン、2,6−ジメ
トキシ−アニリン、3,5−ジメトキシ−アニリン、2
−エトキシ−3−メトキシ−アニリン、2,5−ジフェ
ニル−アニリン、2−フェニル−3−メチル−アニリン
、2,3,5−トリメトキシ−アニリン、2,3−ジメ
チル−アニリン、2,3,5,6−テトラメチル−アニ
リン、N−ドデシルアニリン、N−アクチルアニリン、
N−ブチルアニリン等が挙げられる。
【0012】
【化1】
(式中、R1〜R5は水素原子、炭素数1〜10のアル
キル基、アルコキシ基、オレフィン基、又は炭素数6〜
10のアリール基を示し、これらは互いに同一でも異な
っていてもよい)
キル基、アルコキシ基、オレフィン基、又は炭素数6〜
10のアリール基を示し、これらは互いに同一でも異な
っていてもよい)
【0013】本発明の半導電性材料には、上記アニリン
及び/又はアニリン誘導体を酸化重合して得られた重合
物を用いるものであり、この場合、重合法は電気化学的
重合法又は酸化剤を用いる化学酸化重合法のいずれでも
よい。具体的には、電気化学的重合法としては、水溶液
中又は非水溶媒中にHCl、H2SO4、HNO3、H
BF4、HPF6、CH3COOH等の酸とアニリン又
はアニリン誘導体又はこれらモノマーの混合物とを溶解
し、この重合液に耐酸性で酸化還元電位が貴なステンレ
ススチール、カーボン、白金等の金属を電極として2枚
浸漬し、両電極間に電圧又は電流を印加することにより
一方の電極(陽極)上にアニリン、アニリン誘導体の重
合物を析出させる方法、化学酸化重合法としては、上記
電気化学的重合法で用いた重合液と同様の重合液に(N
H4)2S2O8、K2Cr2O7、FeCl3、Mn
O2等の酸化剤を投入することにより、アニリン、アニ
リン誘導体又はこれらの混合物の酸化重合物を得る方法
を好適に採用することができる。
及び/又はアニリン誘導体を酸化重合して得られた重合
物を用いるものであり、この場合、重合法は電気化学的
重合法又は酸化剤を用いる化学酸化重合法のいずれでも
よい。具体的には、電気化学的重合法としては、水溶液
中又は非水溶媒中にHCl、H2SO4、HNO3、H
BF4、HPF6、CH3COOH等の酸とアニリン又
はアニリン誘導体又はこれらモノマーの混合物とを溶解
し、この重合液に耐酸性で酸化還元電位が貴なステンレ
ススチール、カーボン、白金等の金属を電極として2枚
浸漬し、両電極間に電圧又は電流を印加することにより
一方の電極(陽極)上にアニリン、アニリン誘導体の重
合物を析出させる方法、化学酸化重合法としては、上記
電気化学的重合法で用いた重合液と同様の重合液に(N
H4)2S2O8、K2Cr2O7、FeCl3、Mn
O2等の酸化剤を投入することにより、アニリン、アニ
リン誘導体又はこれらの混合物の酸化重合物を得る方法
を好適に採用することができる。
【0014】本発明の半導電性材料は、上記アニリン、
アニリン誘導体又はこれらの混合物の酸化重合物(以下
、アニリン系重合物と総称する)をポリウレタンに混合
分散したものであるが、この場合上記アニリン系重合物
をポリウレタンに混合分散する際、これらをイオン交換
水等で洗浄し、重合物中に含まれている酸、酸化剤、オ
リゴマー等を除去することが好ましい。また、このとき
洗浄水のpHを種々選択することにより乾燥後の重合物
の体積抵抗率を10−1〜1016Ω・cmの範囲内に
おいて任意に調節することができ、これにより半導電性
材料の体積抵抗率を調節することができる。なお、この
洗浄後の乾燥方法は、特に制限されるものではなく、流
動層乾燥(熱風循環式)、スプレードライ乾燥などいず
れのものも採用することができる。また、乾燥後のアニ
リン系重合物の粒径は、細かくそろっていることが好ま
しく、これによりポリウレタン中での分散性及び長期安
定性をより向上させることができる。このアニリン系重
合物の粒径は0.01〜100μm、特に0.1〜10
μmとすることが好ましく、100μmより大きい粒子
や電解酸化重合法で膜状に作成したアニリン系重合物は
粉砕等により細かく分級して用いることが好ましい。こ
のアニリン系重合物の粒径が0.01μm以下であると
飛散等により作業性が低下する場合があり、一方100
μmを超えると分散性、安定性などが低下する場合があ
る。
アニリン誘導体又はこれらの混合物の酸化重合物(以下
、アニリン系重合物と総称する)をポリウレタンに混合
分散したものであるが、この場合上記アニリン系重合物
をポリウレタンに混合分散する際、これらをイオン交換
水等で洗浄し、重合物中に含まれている酸、酸化剤、オ
リゴマー等を除去することが好ましい。また、このとき
洗浄水のpHを種々選択することにより乾燥後の重合物
の体積抵抗率を10−1〜1016Ω・cmの範囲内に
おいて任意に調節することができ、これにより半導電性
材料の体積抵抗率を調節することができる。なお、この
洗浄後の乾燥方法は、特に制限されるものではなく、流
動層乾燥(熱風循環式)、スプレードライ乾燥などいず
れのものも採用することができる。また、乾燥後のアニ
リン系重合物の粒径は、細かくそろっていることが好ま
しく、これによりポリウレタン中での分散性及び長期安
定性をより向上させることができる。このアニリン系重
合物の粒径は0.01〜100μm、特に0.1〜10
μmとすることが好ましく、100μmより大きい粒子
や電解酸化重合法で膜状に作成したアニリン系重合物は
粉砕等により細かく分級して用いることが好ましい。こ
のアニリン系重合物の粒径が0.01μm以下であると
飛散等により作業性が低下する場合があり、一方100
μmを超えると分散性、安定性などが低下する場合があ
る。
【0015】次に、上記アニリン系重合物を混合分散す
るポリウレタンとしては、ポリオールとポリイソシアネ
ートとの反応により合成した通常のものを好適に用いる
ことができる。この場合、ポリオールとしてはポリエチ
レンアジパートグリコール等のポリエステル系グリコー
ル、ポリエチレングリコール等のポリエーテル系グリコ
ール、アクリルポリオール、ポリブタジエン系ポリオー
ル、含リンポリオール、含ハロゲンポリオール等が使用
され、またポリイソシアネートとしては、4,4−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネ
ート等の有機ジイソシアネートが好適に使用され、ポリ
イソシアネート、ポリオール、触媒、添加剤等を同時に
混合するワンショット法やポリオールとポリイソシアネ
ートとを反応させて末端イソシアネートのプレポリマー
を合成し、これに触媒等を加えてポリウレタンを合成す
るか、又はイソシアネートを過剰に含有するプレポリマ
ーを合成し、これにポリオール、触媒等を加えてポリウ
レタンを合成するプレポリマー法により、本発明に用い
られるポリウレタンを得ることができるものである。
るポリウレタンとしては、ポリオールとポリイソシアネ
ートとの反応により合成した通常のものを好適に用いる
ことができる。この場合、ポリオールとしてはポリエチ
レンアジパートグリコール等のポリエステル系グリコー
ル、ポリエチレングリコール等のポリエーテル系グリコ
ール、アクリルポリオール、ポリブタジエン系ポリオー
ル、含リンポリオール、含ハロゲンポリオール等が使用
され、またポリイソシアネートとしては、4,4−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネ
ート等の有機ジイソシアネートが好適に使用され、ポリ
イソシアネート、ポリオール、触媒、添加剤等を同時に
混合するワンショット法やポリオールとポリイソシアネ
ートとを反応させて末端イソシアネートのプレポリマー
を合成し、これに触媒等を加えてポリウレタンを合成す
るか、又はイソシアネートを過剰に含有するプレポリマ
ーを合成し、これにポリオール、触媒等を加えてポリウ
レタンを合成するプレポリマー法により、本発明に用い
られるポリウレタンを得ることができるものである。
【0016】ポリウレタンの形態は、エラストマー状で
もフォーム状(発泡体)でもよいが、柔軟性が要求され
る用途に用いる場合は、フォーム状のものを使用するこ
とが好ましい。フォーム状のポリウレタンを得る場合は
、例えば上記合成法によりポリウレタンを合成する場合
に水やトリクロルモノフルオロメタン等の低沸点アルカ
ンなどを混合するか、混合機内に空気を機械的に巻き込
む等の通常の発泡方法を採用することができる。
もフォーム状(発泡体)でもよいが、柔軟性が要求され
る用途に用いる場合は、フォーム状のものを使用するこ
とが好ましい。フォーム状のポリウレタンを得る場合は
、例えば上記合成法によりポリウレタンを合成する場合
に水やトリクロルモノフルオロメタン等の低沸点アルカ
ンなどを混合するか、混合機内に空気を機械的に巻き込
む等の通常の発泡方法を採用することができる。
【0017】本発明の半導電性材料は、このポリウレタ
ン中に上記アニリン系重合物を混合分散したものである
が、この場合アニリン系重合物をポリウレタン中に混合
分散させる方法としては、上記ポリウレタンの合成過程
においてポリオール中又はポリイソシアネート中にアニ
リン系重合物を混合撹拌する方法が好適に採用し得る。 なお、この場合粘度上昇による作業性低下を考慮すると
特にポリオール中に混合することが好ましい。
ン中に上記アニリン系重合物を混合分散したものである
が、この場合アニリン系重合物をポリウレタン中に混合
分散させる方法としては、上記ポリウレタンの合成過程
においてポリオール中又はポリイソシアネート中にアニ
リン系重合物を混合撹拌する方法が好適に採用し得る。 なお、この場合粘度上昇による作業性低下を考慮すると
特にポリオール中に混合することが好ましい。
【0018】またこの場合、アニリン系重合物の配合量
は、通常ポリオール100重量部に対して5〜100重
量部、特に好ましくは10〜50重量部程度とされ、配
合量が少な過ぎるとマトリックス中のウレタンの体積抵
抗率の影響が大きくなり、所望の体積抵抗率が得られな
い場合があり、一方配合量が多過ぎるとウレタンの有す
る弾力性が損なわれ、得られる半導電性材料が脆弱とな
ってしまう場合がある。なお、アニリン系重合物は、有
機溶媒中に溶解して混合することが好ましく、これによ
り分散性を高め、アニリン系重合物の使用量を少なくす
ることができる。この場合、有機溶媒としてはエタノー
ル、メタノール、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、トルエン、キシレン、ジオキサン、ジメ
チルホルムアミド、N−メチルピロリドン、アセトニト
リル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン
等が挙げられ、アニリン系重合物の各溶媒に対する溶解
度を勘案して適宜選択される。
は、通常ポリオール100重量部に対して5〜100重
量部、特に好ましくは10〜50重量部程度とされ、配
合量が少な過ぎるとマトリックス中のウレタンの体積抵
抗率の影響が大きくなり、所望の体積抵抗率が得られな
い場合があり、一方配合量が多過ぎるとウレタンの有す
る弾力性が損なわれ、得られる半導電性材料が脆弱とな
ってしまう場合がある。なお、アニリン系重合物は、有
機溶媒中に溶解して混合することが好ましく、これによ
り分散性を高め、アニリン系重合物の使用量を少なくす
ることができる。この場合、有機溶媒としてはエタノー
ル、メタノール、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、トルエン、キシレン、ジオキサン、ジメ
チルホルムアミド、N−メチルピロリドン、アセトニト
リル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン
等が挙げられ、アニリン系重合物の各溶媒に対する溶解
度を勘案して適宜選択される。
【0019】ここで、上記ポリウレタンの合成において
、ポリオール及びアニリン系重合物とイソシアネートと
の反応は、下記反応式(A)、(B)に示した通りであ
り、アニリン系重合物の末端アミノ基(R’’−NH2
)がイソシアネートと反応してマトリックス中のウレタ
ン内にアニリン系重合物が化学的に固定化され、これに
より機械的圧縮や温湿度等の環境変化に対しても長期に
安定な体積抵抗率を有する半導電性材料となるものであ
る。 R−NCO(イソシアネート)+R’−OH(ポリオー
ル)
→R−NHCOO−R’(ウレタン反応) …(A
)R−NCO(イソシアネート)+R’’NH2(アニ
リン系重合物)
→R−NHCONHR’’(尿素反応)
…(B)
、ポリオール及びアニリン系重合物とイソシアネートと
の反応は、下記反応式(A)、(B)に示した通りであ
り、アニリン系重合物の末端アミノ基(R’’−NH2
)がイソシアネートと反応してマトリックス中のウレタ
ン内にアニリン系重合物が化学的に固定化され、これに
より機械的圧縮や温湿度等の環境変化に対しても長期に
安定な体積抵抗率を有する半導電性材料となるものであ
る。 R−NCO(イソシアネート)+R’−OH(ポリオー
ル)
→R−NHCOO−R’(ウレタン反応) …(A
)R−NCO(イソシアネート)+R’’NH2(アニ
リン系重合物)
→R−NHCONHR’’(尿素反応)
…(B)
【0020】なお、本発明の半導電性材
料は、上記アニリン系重合物、ポリオール、ポリイソシ
アネート等からなる混合液を適宜な型などに注液して硬
化させることにより、用途等に応じた所望の形状に成形
することができる。
料は、上記アニリン系重合物、ポリオール、ポリイソシ
アネート等からなる混合液を適宜な型などに注液して硬
化させることにより、用途等に応じた所望の形状に成形
することができる。
【0021】
【実施例】以下、実施例,比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。なお、実施例及び比較例に先立ち、ポリアニ
リンの合成例及びポリアニリンの物性試験の結果を参考
例として示す。
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。なお、実施例及び比較例に先立ち、ポリアニ
リンの合成例及びポリアニリンの物性試験の結果を参考
例として示す。
【0022】[参考例]アニリン93.2gと濃硫酸2
04gをイオン交換水0.7リットルに溶解した水溶液
中に(NH4)2S2O8をイオン交換水1リットルに
溶解した水溶液を徐々に滴下撹拌し、化学酸化重合法に
よりアニリンを酸化重合した。
04gをイオン交換水0.7リットルに溶解した水溶液
中に(NH4)2S2O8をイオン交換水1リットルに
溶解した水溶液を徐々に滴下撹拌し、化学酸化重合法に
よりアニリンを酸化重合した。
【0023】得られた重合物を約2リットルのイオン交
換水を使用して吸引濾過洗浄し、余分に含まれている酸
、酸化剤、オリゴマー等を除去した後、ケーキ状の重合
物をビーカーに収容し、硫酸でpH2に調整した水溶液
を注入し、約8時間撹拌した。この時、撹拌と並行して
pHを測定し、pHが2よりも小さくなったときには希
釈したNH4OH水を、pHが2よりも大きくなった場
合には希釈したH2SO4を添加して処理pH値を2に
保持した。
換水を使用して吸引濾過洗浄し、余分に含まれている酸
、酸化剤、オリゴマー等を除去した後、ケーキ状の重合
物をビーカーに収容し、硫酸でpH2に調整した水溶液
を注入し、約8時間撹拌した。この時、撹拌と並行して
pHを測定し、pHが2よりも小さくなったときには希
釈したNH4OH水を、pHが2よりも大きくなった場
合には希釈したH2SO4を添加して処理pH値を2に
保持した。
【0024】次いで、スプレードライヤーを使用して泥
状物を乾燥し、平均粒径2μmの粉末状ポリアニリンを
得た。このポリアニリンをIR用錠剤成型機を用いて直
径20mm、厚さ1.2mmの錠剤状に圧縮成型し、三
菱油化製表面抵抗計で体積抵抗率を測定したところ、室
温で8.2×10−1Ω・cmであった。
状物を乾燥し、平均粒径2μmの粉末状ポリアニリンを
得た。このポリアニリンをIR用錠剤成型機を用いて直
径20mm、厚さ1.2mmの錠剤状に圧縮成型し、三
菱油化製表面抵抗計で体積抵抗率を測定したところ、室
温で8.2×10−1Ω・cmであった。
【0025】また、処理pHを3、4、5、6、7、8
、10とした以外は上記と同様にして7種類のポリアニ
リンを合成し、それぞれの体積抵抗率を上記と同様にし
て測定した。処理pHとポリアニリンの体積抵抗率との
関係を図1に示す。
、10とした以外は上記と同様にして7種類のポリアニ
リンを合成し、それぞれの体積抵抗率を上記と同様にし
て測定した。処理pHとポリアニリンの体積抵抗率との
関係を図1に示す。
【0026】次いで、処理pHを3としたポリアニリン
及び処理pHを5としたポリアニリンからペレット成形
体を作成し、電子機器の一般的使用温湿度条件である1
0℃,15%の低温低湿条件、23℃,60%の中温中
湿条件、30℃,85%の高温高湿条件での体積抵抗率
を測定した。結果を図2に示す。図2の結果からいずれ
のポリアニリンも使用温湿度条件下での体積抵抗率の変
動巾が1桁以内であり、安定した体積抵抗率を示すこと
が確認された。
及び処理pHを5としたポリアニリンからペレット成形
体を作成し、電子機器の一般的使用温湿度条件である1
0℃,15%の低温低湿条件、23℃,60%の中温中
湿条件、30℃,85%の高温高湿条件での体積抵抗率
を測定した。結果を図2に示す。図2の結果からいずれ
のポリアニリンも使用温湿度条件下での体積抵抗率の変
動巾が1桁以内であり、安定した体積抵抗率を示すこと
が確認された。
【0027】[実施例,比較例]表1に示した配合組成
で、下記方法に従って半導電性材料を製造し、電子機器
の一般的使用室温度条件である10℃,15%の低温低
湿条件、23℃,60%の中温中湿条件、30℃,85
%の高温高湿条件での体積抵抗率を測定した。結果を図
3に示す。 製造方法 イソシアネートを除く各配合成分を混合し(約1分間撹
拌)、この混合物にイソシアネートを添加して約20秒
撹拌し、混合液を平板上に注液して硬化させた。
で、下記方法に従って半導電性材料を製造し、電子機器
の一般的使用室温度条件である10℃,15%の低温低
湿条件、23℃,60%の中温中湿条件、30℃,85
%の高温高湿条件での体積抵抗率を測定した。結果を図
3に示す。 製造方法 イソシアネートを除く各配合成分を混合し(約1分間撹
拌)、この混合物にイソシアネートを添加して約20秒
撹拌し、混合液を平板上に注液して硬化させた。
【0028】
【表1】
【0029】図3の結果から本発明の半導電性材料(実
施例1,2)は、使用温湿度条件下での体積抵抗率の変
動巾が1桁以内であり、安定した体積抵抗率を示すこと
が確認された。これに対して導電剤として銀粉を使用し
た比較例1の材料は、銀粉の接触による導電経路が形成
されていないため、導電剤を含まない比較例3の材料と
同程度の体積抵抗率であった。この場合、銀粉は高価な
材料であるため、これ以上銀粉の配合量を増加すること
は大幅なコスト高を招くことになり、工業的には不可能
である。また、導電剤として過塩素酸塩を配合した比較
例2の材料は、比較例3の材料に比べて体積抵抗率の改
善は見られるものの、体積抵抗率の変動巾が1桁以上あ
り、十分満足し得るものではない。更に、この材料は過
酸化物という危険物を導電剤として配合するため、数k
Vの高電圧が印加されるようなところで使用する場合に
は、非常に危険である。
施例1,2)は、使用温湿度条件下での体積抵抗率の変
動巾が1桁以内であり、安定した体積抵抗率を示すこと
が確認された。これに対して導電剤として銀粉を使用し
た比較例1の材料は、銀粉の接触による導電経路が形成
されていないため、導電剤を含まない比較例3の材料と
同程度の体積抵抗率であった。この場合、銀粉は高価な
材料であるため、これ以上銀粉の配合量を増加すること
は大幅なコスト高を招くことになり、工業的には不可能
である。また、導電剤として過塩素酸塩を配合した比較
例2の材料は、比較例3の材料に比べて体積抵抗率の改
善は見られるものの、体積抵抗率の変動巾が1桁以上あ
り、十分満足し得るものではない。更に、この材料は過
酸化物という危険物を導電剤として配合するため、数k
Vの高電圧が印加されるようなところで使用する場合に
は、非常に危険である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性材
料は、使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾が1桁以
内であり、しかも体積抵抗率が104〜1012Ω・c
mの範囲で容易に調整し得、帯電防止、静電遮蔽、除電
などを目的とした材料や帯電の制御、吸引力による付着
、反発力による分散など、静電気を利用する電子写真複
写機、電気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別
機等の応用機器などに好適使用されるものである。
料は、使用温湿度領域での体積抵抗率の変動巾が1桁以
内であり、しかも体積抵抗率が104〜1012Ω・c
mの範囲で容易に調整し得、帯電防止、静電遮蔽、除電
などを目的とした材料や帯電の制御、吸引力による付着
、反発力による分散など、静電気を利用する電子写真複
写機、電気集塵機、空気清浄機、静電塗装機、静電選別
機等の応用機器などに好適使用されるものである。
【図1】本発明に導電剤として用いられるポリアニリン
の体積抵抗率と該ポリアニリンの製造過程の洗浄処理に
おける処理pHとの関係を示すグラフである。
の体積抵抗率と該ポリアニリンの製造過程の洗浄処理に
おける処理pHとの関係を示すグラフである。
【図2】同ポリアニリンの使用温湿度領域での体積抵抗
率の変動を示すグラフである。
率の変動を示すグラフである。
【図3】本発明の半導電性材料及び比較例の使用温湿度
領域での体積抵抗率の変動を示すグラフである。
領域での体積抵抗率の変動を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】 アニリン、アニリン誘導体又はこれら
の混合物の酸化重合物をポリウレタン中に分散させてな
ることを特徴とする半導電性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203991A JPH04292654A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導電性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203991A JPH04292654A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導電性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292654A true JPH04292654A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13763383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8203991A Pending JPH04292654A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導電性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04292654A (ja) |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP8203991A patent/JPH04292654A/ja active Pending
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