JPH04293224A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04293224A JPH04293224A JP3058601A JP5860191A JPH04293224A JP H04293224 A JPH04293224 A JP H04293224A JP 3058601 A JP3058601 A JP 3058601A JP 5860191 A JP5860191 A JP 5860191A JP H04293224 A JPH04293224 A JP H04293224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- light irradiation
- light
- exposure
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの微細な回路パ
ターンは、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
技術によって、半導体ウエハ等の基板上に形成されるが
、このような半導体ウエハ等の周縁部に形成されたフォ
トレジスト膜は、例えば半導体ウエハの搬送中に削り取
られ、塵埃となって周囲に飛散する虞がある。そこで、
半導体ウエハ等の周縁部のフォトレジスト膜を予め除去
しておくことが従来から行われている。
ターンは、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
技術によって、半導体ウエハ等の基板上に形成されるが
、このような半導体ウエハ等の周縁部に形成されたフォ
トレジスト膜は、例えば半導体ウエハの搬送中に削り取
られ、塵埃となって周囲に飛散する虞がある。そこで、
半導体ウエハ等の周縁部のフォトレジスト膜を予め除去
しておくことが従来から行われている。
【０００４】すなわち、例えばスピンコーティング装置
等により、半導体ウエハにフォトレジストを塗布した後
、この半導体ウエハの周縁部に、光源からの光を選択的
に照射し、後工程の現像工程において半導体ウエハの周
縁部のフォトレジスト膜を現像して除去することが行わ
れている。
等により、半導体ウエハにフォトレジストを塗布した後
、この半導体ウエハの周縁部に、光源からの光を選択的
に照射し、後工程の現像工程において半導体ウエハの周
縁部のフォトレジスト膜を現像して除去することが行わ
れている。
【０００５】このような半導体ウエハ等の周縁部のみを
露光する装置として、例えば半導体ウエハを回転させな
がらその周縁部にビーム状の光を照射する露光装置、半
導体ウエハの周縁部以外を覆うマスクを介して光源から
の光を照射する露光装置等が知られている。このような
露光装置は、例えば特開昭５８−１５９５３５ 号、特
開昭６１−７３３３０号、特開昭６１−７９２２７号、
特開昭６１−１３７３２０ 号公報等に開示されている
。
露光する装置として、例えば半導体ウエハを回転させな
がらその周縁部にビーム状の光を照射する露光装置、半
導体ウエハの周縁部以外を覆うマスクを介して光源から
の光を照射する露光装置等が知られている。このような
露光装置は、例えば特開昭５８−１５９５３５ 号、特
開昭６１−７３３３０号、特開昭６１−７９２２７号、
特開昭６１−１３７３２０ 号公報等に開示されている
。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
半導体ウエハには、その周縁部の一部を直線状に切り欠
いたいわゆるオリエンテーションフラットが形成されて
いる。このため、上述した従来の露光装置のうち例えば
半導体ウエハを回転させながらその周縁部にビーム状の
光を照射する露光装置では、半導体ウエハを回転させて
円周上の露光を実施するとともに、例えば光照射部をオ
リエンテーションフラットに沿って直線的に移動させて
、オリエンテーションフラット部の露光を行わなければ
ならず、駆動機構が複雑になるという問題があった。 また、このような位置合わせが困難であり、例えば径の
異なる半導体ウエハを露光する場合等、装置の設定に時
間を要するという問題もあった。
半導体ウエハには、その周縁部の一部を直線状に切り欠
いたいわゆるオリエンテーションフラットが形成されて
いる。このため、上述した従来の露光装置のうち例えば
半導体ウエハを回転させながらその周縁部にビーム状の
光を照射する露光装置では、半導体ウエハを回転させて
円周上の露光を実施するとともに、例えば光照射部をオ
リエンテーションフラットに沿って直線的に移動させて
、オリエンテーションフラット部の露光を行わなければ
ならず、駆動機構が複雑になるという問題があった。 また、このような位置合わせが困難であり、例えば径の
異なる半導体ウエハを露光する場合等、装置の設定に時
間を要するという問題もあった。
【０００７】また、半導体ウエハの周縁部以外を覆うマ
スクを介して光源からの光を照射する露光装置では、光
源から照射される光の大部分がマスクに遮られるため、
実際の露光に関与する光が、光源から照射された光のご
く一部となり、効率が悪いという問題がある。
スクを介して光源からの光を照射する露光装置では、光
源から照射される光の大部分がマスクに遮られるため、
実際の露光に関与する光が、光源から照射された光のご
く一部となり、効率が悪いという問題がある。
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、複雑な駆動機構等を必要とせず、かつ、
簡単に位置合せすることができ、短時間で効率良く露光
処理を行うことのできる露光装置を提供しようとするも
のである。
されたもので、複雑な駆動機構等を必要とせず、かつ、
簡単に位置合せすることができ、短時間で効率良く露光
処理を行うことのできる露光装置を提供しようとするも
のである。
【０００９】［発明の構成］
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の露光
装置は、被露光基板の周縁部に、光源からの光を選択的
に照射して露光を行う露光装置において、前記被露光基
板の周縁部の露光域の形状に合せて多数の光ファイバー
を環状に配列した光照射機構を設けたことを特徴とする
。
装置は、被露光基板の周縁部に、光源からの光を選択的
に照射して露光を行う露光装置において、前記被露光基
板の周縁部の露光域の形状に合せて多数の光ファイバー
を環状に配列した光照射機構を設けたことを特徴とする
。
【００１１】
【作 用】上記構成の本発明の露光装置では、被露光
基板の周縁部の露光域の形状に合わせて多数の光ファイ
バーを環状に配列した光照射機構を基板支持部に設けら
れた被露光基板の周縁部に向けて配置し、光源からの光
をこの光照射機構の光ファイバーによって導いて被露光
基板の周縁部に一括して照射する。
基板の周縁部の露光域の形状に合わせて多数の光ファイ
バーを環状に配列した光照射機構を基板支持部に設けら
れた被露光基板の周縁部に向けて配置し、光源からの光
をこの光照射機構の光ファイバーによって導いて被露光
基板の周縁部に一括して照射する。
【００１２】したがって、例えばオリエンテーションフ
ラット部を照射するための複雑な駆動機構等を必要とせ
ず、周縁部の露光域と光照射機構とを簡単に位置合せす
ることができる。また、光源からの光を光ファイバーに
よって露光部に導くことにより、光を効率良く使用する
ことができる。このため、短時間で効率良く露光処理を
行うことができる。
ラット部を照射するための複雑な駆動機構等を必要とせ
ず、周縁部の露光域と光照射機構とを簡単に位置合せす
ることができる。また、光源からの光を光ファイバーに
よって露光部に導くことにより、光を効率良く使用する
ことができる。このため、短時間で効率良く露光処理を
行うことができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハの周縁部に露光
を行う露光装置に適用した一実施例を図面を参照して説
明する。
を行う露光装置に適用した一実施例を図面を参照して説
明する。
【００１４】図１に示すように、露光装置１は、上面に
被露光基板である半導体ウエハ２が載置される基板支持
部３を備えており、基板支持部３の上部には光照射機構
４が設けられている。
被露光基板である半導体ウエハ２が載置される基板支持
部３を備えており、基板支持部３の上部には光照射機構
４が設けられている。
【００１５】上記半導体ウエハ２は、図２に示すように
、円板状に形成されており、その端部を直線状に切り欠
く如くオリエンテーションフラット２ａが設けられてい
る。光照射機構４は、半導体ウエハ２に対向する如く配
置される光照射面５が、この半導体ウエハ２の周縁部の
露光域の形状に合せて、円弧部およびオリエンテーショ
ンフラット２ａに対応する直線部を有し、幅が例えば２
ｍｍ 程度の環状形状に形成されている。この光照射面
５は、枠体６内に配列された直径例えば数ミクロン乃至
数十ミクロンの多数の光ファイバー７によって構成され
ており、これらの光ファイバー７は、一または複数に束
ねられ、その他端は、光源８の近傍まで導出されている
。
、円板状に形成されており、その端部を直線状に切り欠
く如くオリエンテーションフラット２ａが設けられてい
る。光照射機構４は、半導体ウエハ２に対向する如く配
置される光照射面５が、この半導体ウエハ２の周縁部の
露光域の形状に合せて、円弧部およびオリエンテーショ
ンフラット２ａに対応する直線部を有し、幅が例えば２
ｍｍ 程度の環状形状に形成されている。この光照射面
５は、枠体６内に配列された直径例えば数ミクロン乃至
数十ミクロンの多数の光ファイバー７によって構成され
ており、これらの光ファイバー７は、一または複数に束
ねられ、その他端は、光源８の近傍まで導出されている
。
【００１６】なお、基板支持部３あるいは光照射機構４
は、図示しない上下動機構等を備えており、これらの間
の間隔を変更可能に構成されている。これは、基板支持
部３上に半導体ウエハ２をロード・アンロードするため
の間隔を設けるため、および露光時に半導体ウエハ２表
面と光照射機構４の光照射面５との間隔を所望の間隔に
設定するためである。
は、図示しない上下動機構等を備えており、これらの間
の間隔を変更可能に構成されている。これは、基板支持
部３上に半導体ウエハ２をロード・アンロードするため
の間隔を設けるため、および露光時に半導体ウエハ２表
面と光照射機構４の光照射面５との間隔を所望の間隔に
設定するためである。
【００１７】上記構成のこの実施例の露光装置１では、
予め基板支持部３を下降あるいは光照射機構４を上昇さ
せ、基板支持部３と光照射機構４との間に所定の間隔を
設けておく。そして、この状態で、例えばスピンコーテ
ィング装置等で表面にフォトレジスト膜を形成した半導
体ウエハ２を、自動搬送あるいはマニュアル操作により
、半導体ウエハ２の露光部と光照射機構４の光照射域が
一致する如く予め半導体ウエハ２を位置決めして基板支
持部３上に載置する。
予め基板支持部３を下降あるいは光照射機構４を上昇さ
せ、基板支持部３と光照射機構４との間に所定の間隔を
設けておく。そして、この状態で、例えばスピンコーテ
ィング装置等で表面にフォトレジスト膜を形成した半導
体ウエハ２を、自動搬送あるいはマニュアル操作により
、半導体ウエハ２の露光部と光照射機構４の光照射域が
一致する如く予め半導体ウエハ２を位置決めして基板支
持部３上に載置する。
【００１８】この後、基板支持部３を上昇あるいは光照
射機構４を下降させ、基板支持部３と光照射機構４との
間を所望の露光間隔に設定し、例えば図示しないシャッ
タ機構を開閉することにより、光源８の光を光ファイバ
ー７内に導入し、光ファイバー７によってこの光を導き
、光照射面５から半導体ウエハ２の周縁部に所定時間照
射して露光処理を行う。
射機構４を下降させ、基板支持部３と光照射機構４との
間を所望の露光間隔に設定し、例えば図示しないシャッ
タ機構を開閉することにより、光源８の光を光ファイバ
ー７内に導入し、光ファイバー７によってこの光を導き
、光照射面５から半導体ウエハ２の周縁部に所定時間照
射して露光処理を行う。
【００１９】なお、この時、急激に強い光を半導体ウエ
ハ２表面のフォトレジスト膜に照射すると、フォトレジ
スト膜の剥離等が生じやすいので、例えば徐々に照射光
の強度を上げるようにすれば、フォトレジスト膜の剥離
等を防止することができる。このような照射光の強度の
制御は、例えば、光源８と光ファイバー７との間に絞り
機構を設けその開口面積を制御すること、光源８に供給
する電力を制御すること等によって実現することができ
る。
ハ２表面のフォトレジスト膜に照射すると、フォトレジ
スト膜の剥離等が生じやすいので、例えば徐々に照射光
の強度を上げるようにすれば、フォトレジスト膜の剥離
等を防止することができる。このような照射光の強度の
制御は、例えば、光源８と光ファイバー７との間に絞り
機構を設けその開口面積を制御すること、光源８に供給
する電力を制御すること等によって実現することができ
る。
【００２０】そして、露光処理が終了すると、基板支持
部３を下降あるいは光照射機構４を上昇させ、基板支持
部３と光照射機構４との間に所定の間隔を設けて、基板
支持部３上の露光処理が終了した半導体ウエハ２をアン
ロードする。
部３を下降あるいは光照射機構４を上昇させ、基板支持
部３と光照射機構４との間に所定の間隔を設けて、基板
支持部３上の露光処理が終了した半導体ウエハ２をアン
ロードする。
【００２１】このように、本実施例の露光装置１では、
多数の光ファイバー７を配列した光照射機構４によって
光源８の光を導き、基板支持部３に設けられた半導体ウ
エハ２の周縁部に向けて選択的に一括して照射する。
多数の光ファイバー７を配列した光照射機構４によって
光源８の光を導き、基板支持部３に設けられた半導体ウ
エハ２の周縁部に向けて選択的に一括して照射する。
【００２２】したがって、例えば半導体ウエハ２のオリ
エンテーションフラット部２ａを照射するための複雑な
駆動機構等を必要とせず、また、回転、水平方向移動の
ための駆動機構等がないため、半導体ウエハ２と光照射
機構４との位置合せを簡単に行うことができる。また、
光源８からの光を光ファイバー７によって露光部分に導
くことにより、例えばマスク等を用いた従来の露光装置
に較べて光源８からの光を効率良く使用することができ
る。このため、短時間で効率良く露光処理を行うことが
できる。
エンテーションフラット部２ａを照射するための複雑な
駆動機構等を必要とせず、また、回転、水平方向移動の
ための駆動機構等がないため、半導体ウエハ２と光照射
機構４との位置合せを簡単に行うことができる。また、
光源８からの光を光ファイバー７によって露光部分に導
くことにより、例えばマスク等を用いた従来の露光装置
に較べて光源８からの光を効率良く使用することができ
る。このため、短時間で効率良く露光処理を行うことが
できる。
【００２３】図３は他の実施例の露光装置の要部構成を
示すもので、この実施例では、径の異なる半導体ウエハ
２に対応するため、例えば８ インチ用の光照射面５ａ
、６ インチ用の光照射面５ｂ、５ インチ用の光照射
面５ｃが同心円上に配列される如く形成されている。こ
のように各径の半導体ウエハ２に対応した光照射面５ａ
、５ｂ、５ｃを設けておき、切り替えて光を照射するよ
うにすれば、径の異なる半導体ウエハ２に対しても、迅
速に対応することができる。
示すもので、この実施例では、径の異なる半導体ウエハ
２に対応するため、例えば８ インチ用の光照射面５ａ
、６ インチ用の光照射面５ｂ、５ インチ用の光照射
面５ｃが同心円上に配列される如く形成されている。こ
のように各径の半導体ウエハ２に対応した光照射面５ａ
、５ｂ、５ｃを設けておき、切り替えて光を照射するよ
うにすれば、径の異なる半導体ウエハ２に対しても、迅
速に対応することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、複雑な駆動機構等を必要とせず、かつ、簡単
に露光域と光照射機構との位置合せをすることができ、
短時間で効率良く露光処理を行うことができる。
によれば、複雑な駆動機構等を必要とせず、かつ、簡単
に露光域と光照射機構との位置合せをすることができ、
短時間で効率良く露光処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例の露光装置の縦断面の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の露光装置の平面の構成を示す図である。
【図３】他の実施例の露光装置の要部構成を示す図であ
る。
る。
１ 露光装置
２ 半導体ウエハ
３ 基板支持部
４ 光照射機構
５ 光照射面
６ 枠体
７ 光ファイバー
８ 光源
Claims (1)
- 【請求項１】 被露光基板の周縁部に、光源からの光
を照射して露光を行う露光装置において、前記被露光基
板の周縁部の露光域の形状に合せて多数の光ファイバー
を環状に配列した光照射機構を設けたことを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058601A JPH04293224A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058601A JPH04293224A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293224A true JPH04293224A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13089036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3058601A Pending JPH04293224A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04293224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434826B1 (ko) * | 1996-02-05 | 2004-09-13 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 웨이퍼주변노광방법및장치 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3058601A patent/JPH04293224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434826B1 (ko) * | 1996-02-05 | 2004-09-13 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 웨이퍼주변노광방법및장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981117 |