JPH04293771A - スパッタコーティング源 - Google Patents
スパッタコーティング源Info
- Publication number
- JPH04293771A JPH04293771A JP3353968A JP35396891A JPH04293771A JP H04293771 A JPH04293771 A JP H04293771A JP 3353968 A JP3353968 A JP 3353968A JP 35396891 A JP35396891 A JP 35396891A JP H04293771 A JPH04293771 A JP H04293771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- cathode
- sputter coating
- passageway
- coating source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 27
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 108010036050 human cationic antimicrobial protein 57 Proteins 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的にスパッタコーテ
ィング装置に関し、特にスパッタコーティングの際に使
用する粒子源または銃に関する。
ィング装置に関し、特にスパッタコーティングの際に使
用する粒子源または銃に関する。
【０００２】
【従来技術】スパッタコーティングは、記憶媒体の製造
の際に磁性物質の付着を行うこととしてワークピース上
に膜またはコーティングを形成するために使用されてい
る。スパッタ装置は、典型的に、アルゴンのようなガス
が充満したチェンバー内にアノード、カソードを有し、
付着物質でできたターゲットがそのカソード上またはそ
の近傍に取り付けられている。ガスはアノードとカソー
ドとの間に印加される電圧によりイオン化され、正に帯
電したイオンがカソードに引き付けられる。これらイオ
ンはターゲットに衝突し、そこから物質が飛び出しワー
クピース上に付着する。
の際に磁性物質の付着を行うこととしてワークピース上
に膜またはコーティングを形成するために使用されてい
る。スパッタ装置は、典型的に、アルゴンのようなガス
が充満したチェンバー内にアノード、カソードを有し、
付着物質でできたターゲットがそのカソード上またはそ
の近傍に取り付けられている。ガスはアノードとカソー
ドとの間に印加される電圧によりイオン化され、正に帯
電したイオンがカソードに引き付けられる。これらイオ
ンはターゲットに衝突し、そこから物質が飛び出しワー
クピース上に付着する。
【０００３】マグネトロンスパッタコーティング源はタ
ーゲットの近傍で電場と磁場とを利用する。磁場は、グ
ロー放電強度そしてその付随（ａｔｔｅｎｄａｎｔ）ス
パッタ率を高め、より低いガス圧での動作をならしめ、
グロー放電を電極の近傍に限定し、ワークピースへの電
子衝突を減少させる。マグネトロンスパッタコーティン
グ源の１つの実施例が、米国特許第４，５００，４０９
号（１９８５年２月１９日発行）に示されている。
ーゲットの近傍で電場と磁場とを利用する。磁場は、グ
ロー放電強度そしてその付随（ａｔｔｅｎｄａｎｔ）ス
パッタ率を高め、より低いガス圧での動作をならしめ、
グロー放電を電極の近傍に限定し、ワークピースへの電
子衝突を減少させる。マグネトロンスパッタコーティン
グ源の１つの実施例が、米国特許第４，５００，４０９
号（１９８５年２月１９日発行）に示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述の多くのスパッタ
源において、ターゲット物質は銅のような物質で作られ
たバッキングプレートに固着され、水がターゲットを冷
却するためにそのプレートの裏側で循環している。この
ように形成された装置の問題点は、ターゲットが使い尽
くされると、銅や他のバッキング物質により不所望のス
パッタリングが生ずることである。ターゲット物質およ
びバッキングプレートの両方が使い尽くされると、さら
に厄介なことになる。バッキング物質のスパッタリング
はワークピース上に形成されるコーティングを汚染し、
さらにバッキングプレートがなくなり穴があくと冷媒が
スパッタチェンバー内に漏洩する。
源において、ターゲット物質は銅のような物質で作られ
たバッキングプレートに固着され、水がターゲットを冷
却するためにそのプレートの裏側で循環している。この
ように形成された装置の問題点は、ターゲットが使い尽
くされると、銅や他のバッキング物質により不所望のス
パッタリングが生ずることである。ターゲット物質およ
びバッキングプレートの両方が使い尽くされると、さら
に厄介なことになる。バッキング物質のスパッタリング
はワークピース上に形成されるコーティングを汚染し、
さらにバッキングプレートがなくなり穴があくと冷媒が
スパッタチェンバー内に漏洩する。
【０００５】スパッタリングターゲットは典型的に、高
価な金属で作られ、一般的に、ターゲットが使われると
き、残留したその金属の一部を再生させることが望まし
い。ターゲット物質とバッキングプレートの間の接着は
典型的に高温のハンダによりなされ、このことはターゲ
ット物質の再生を困難なものにする。
価な金属で作られ、一般的に、ターゲットが使われると
き、残留したその金属の一部を再生させることが望まし
い。ターゲット物質とバッキングプレートの間の接着は
典型的に高温のハンダによりなされ、このことはターゲ
ット物質の再生を困難なものにする。
【０００６】また、バッキングプレートの裏側で直接に
接触する冷媒では、バッキングプレートが冷媒を収容す
るために取り付けられ、ターゲットが再度設置されると
き漏洩が生じるような構造物とバッキングプレートとの
間にシールを設ける必要がある。
接触する冷媒では、バッキングプレートが冷媒を収容す
るために取り付けられ、ターゲットが再度設置されると
き漏洩が生じるような構造物とバッキングプレートとの
間にシールを設ける必要がある。
【０００７】本発明の目的は、スパッタコーティングに
使用する新規で、改良されたスパッタ源または銃を提供
することである。
使用する新規で、改良されたスパッタ源または銃を提供
することである。
【０００８】本発明の目的は、備え付けられるスパッタ
源についての限定および欠点を解消する上記スパッタ源
または銃を提供することである。
源についての限定および欠点を解消する上記スパッタ源
または銃を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】これらおよび他の目的は
、ターゲットがカソードの表側に直接に取り付けられ、
冷媒がカソードの裏側を循環するところのスパッタコー
ティング源を与える発明により達成される。冷媒はター
ゲットと接触せず、ターゲットは保持器によりカソード
にしっかりと締め付けられる。その保持器は冷媒の漏洩
なくターゲットの取り付け、取り外しを可能にする。
、ターゲットがカソードの表側に直接に取り付けられ、
冷媒がカソードの裏側を循環するところのスパッタコー
ティング源を与える発明により達成される。冷媒はター
ゲットと接触せず、ターゲットは保持器によりカソード
にしっかりと締め付けられる。その保持器は冷媒の漏洩
なくターゲットの取り付け、取り外しを可能にする。
【００１０】
【実施例】符号１１で一般的に示したスパッタ源は、ワ
ークピースがコートされるスパッタリング・チェンバー
の壁１３にある開口１２に取り付けられている。ワーク
ピースはたとえば、コンピュータ・データを記録（格納
）する磁気物質でコートされるディスクである。チェン
バーは、アルゴンのようなイオン化可能なガスをチェン
バー内に導入し、使用済みガスを除去するための在来の
手段（図示せず）を有する反応器の一部である。
ークピースがコートされるスパッタリング・チェンバー
の壁１３にある開口１２に取り付けられている。ワーク
ピースはたとえば、コンピュータ・データを記録（格納
）する磁気物質でコートされるディスクである。チェン
バーは、アルゴンのようなイオン化可能なガスをチェン
バー内に導入し、使用済みガスを除去するための在来の
手段（図示せず）を有する反応器の一部である。
【００１１】スパッタ源は、チェンバーの壁の裏側に取
り付けられたほぼ矩形のベースプレート１６を有し、さ
らに壁の開口を通過する方向に突き出た円筒状フランジ
１７を有する。Ｏリング１８が、ベースプレート面にあ
る環状溝１９に取り付けられ、ベースプレートとチェン
バー壁との間にシールを形成するために、チェンバー壁
の裏側と係合する。ベースプレートは締付けネジにより
壁に締め付けられている。
り付けられたほぼ矩形のベースプレート１６を有し、さ
らに壁の開口を通過する方向に突き出た円筒状フランジ
１７を有する。Ｏリング１８が、ベースプレート面にあ
る環状溝１９に取り付けられ、ベースプレートとチェン
バー壁との間にシールを形成するために、チェンバー壁
の裏側と係合する。ベースプレートは締付けネジにより
壁に締め付けられている。
【００１２】環状ベース２２および正面に突き出る円筒
状フランジ２３を有するシールド２１が、ベースプレー
トの表側に取り付けられ、締付けネジ２４によりそこに
締め付けられている。シールドはスパッタリング・ター
ゲット２６と共軸でかつターゲットの正面付近に配置さ
れ、ベース内の開口はターゲットの外径より僅かに大き
い直径からフランジ２３の内径より僅かに小さい直径へ
と増加する円錐状にテーパーが付けられた壁２７を有す
る。ベースプレートおよびシールドはアルミニウムのよ
うな電気伝導性物質から作られ、ゼロ電位に維持される
。
状フランジ２３を有するシールド２１が、ベースプレー
トの表側に取り付けられ、締付けネジ２４によりそこに
締め付けられている。シールドはスパッタリング・ター
ゲット２６と共軸でかつターゲットの正面付近に配置さ
れ、ベース内の開口はターゲットの外径より僅かに大き
い直径からフランジ２３の内径より僅かに小さい直径へ
と増加する円錐状にテーパーが付けられた壁２７を有す
る。ベースプレートおよびシールドはアルミニウムのよ
うな電気伝導性物質から作られ、ゼロ電位に維持される
。
【００１３】磁気コイル組立体２８がベースプレート１
６の背面に取り付けられている。この組立体はネジ３２
および保持リング３３によりベースプレートに取り付け
られ、半径方向に突き出る取付けフランジ３１を有する
外側円筒状ポールピース２９から成る。ポールピースは
、絶縁リング３４、３６によりベースプレートから電気
的に絶縁されている。これらリングは、ベースプレート
と取付けフランジとの間、および取付けフランジと保持
リングとの間にそれぞれ配置されている。絶縁リング３
４の両面のＯリング３７、３８はベースプレートとポー
ルピースとの間に真空密封を達成する。
６の背面に取り付けられている。この組立体はネジ３２
および保持リング３３によりベースプレートに取り付け
られ、半径方向に突き出る取付けフランジ３１を有する
外側円筒状ポールピース２９から成る。ポールピースは
、絶縁リング３４、３６によりベースプレートから電気
的に絶縁されている。これらリングは、ベースプレート
と取付けフランジとの間、および取付けフランジと保持
リングとの間にそれぞれ配置されている。絶縁リング３
４の両面のＯリング３７、３８はベースプレートとポー
ルピースとの間に真空密封を達成する。
【００１４】コイル組立体はまた、内側円筒状ポールピ
ース３９、環状前方ポールピースまたはキャップ４１お
よび環状後方ポールピース４２を有する。内側および外
側ポールピースは共軸に配置され、前方ポールピースお
よび後方ポールピースも共軸になっている。前方および
後方ポールピースはネジ（図示せず）により内側および
外側ポールピースの端部に締め付けられている。ポール
ピースおよびスペーサはフェライト・ステンレス・スチ
ールのような磁性材により作られている。
ース３９、環状前方ポールピースまたはキャップ４１お
よび環状後方ポールピース４２を有する。内側および外
側ポールピースは共軸に配置され、前方ポールピースお
よび後方ポールピースも共軸になっている。前方および
後方ポールピースはネジ（図示せず）により内側および
外側ポールピースの端部に締め付けられている。ポール
ピースおよびスペーサはフェライト・ステンレス・スチ
ールのような磁性材により作られている。
【００１５】電気伝導性ワイヤのコイル４６が、内側お
よび外側ポールピースの間の空間に取り付けられた絶縁
性ボビン４７に巻かれている。このコイルは、付勢され
たときポール構造物からターゲットの前方領域に向く磁
場を形成する。この磁場はスパッタリング率を高め、よ
り低いガス圧での動作をならしめ、グロー放電をターゲ
ットの近傍に限定し、電子のワークピースへの衝突を減
少させる。
よび外側ポールピースの間の空間に取り付けられた絶縁
性ボビン４７に巻かれている。このコイルは、付勢され
たときポール構造物からターゲットの前方領域に向く磁
場を形成する。この磁場はスパッタリング率を高め、よ
り低いガス圧での動作をならしめ、グロー放電をターゲ
ットの近傍に限定し、電子のワークピースへの衝突を減
少させる。
【００１６】ポール構造物はまた、負の電圧がターゲッ
トプレート２６の正面でチェンバー内のガスをイオン化
するために印加されるカソードとして機能する。アノー
ドポスト４９が、ポール構造物内に共軸に配置され、ポ
ールキャップ４１の前方に向かってかつポールキャップ
４２の後方に向かって伸びている。ターゲットの内径に
対応する直径をもつディスク状のキャップ５１が、アノ
ードポストの前端に取り付けられ、ネジ５２によりそこ
に締め付けられている。冷却プレートがポールピースの
後ろでアノードポストに取り付けられ、螺刻されたナッ
ト５４によいポストの所定の位置に保持されている。冷
却プレートは、冷媒がアノードポストを冷却するために
循環する通路（図示せず）を有するほぼ矩形のプレート
である。ポスト、キャップ、冷却プレートは電気伝導性
材料により作られ、アノードに対して正の電位となるよ
うに接続されている。典型的に、アノード構造物は接地
され、カソード構造物には負の電圧が印加される。
トプレート２６の正面でチェンバー内のガスをイオン化
するために印加されるカソードとして機能する。アノー
ドポスト４９が、ポール構造物内に共軸に配置され、ポ
ールキャップ４１の前方に向かってかつポールキャップ
４２の後方に向かって伸びている。ターゲットの内径に
対応する直径をもつディスク状のキャップ５１が、アノ
ードポストの前端に取り付けられ、ネジ５２によりそこ
に締め付けられている。冷却プレートがポールピースの
後ろでアノードポストに取り付けられ、螺刻されたナッ
ト５４によいポストの所定の位置に保持されている。冷
却プレートは、冷媒がアノードポストを冷却するために
循環する通路（図示せず）を有するほぼ矩形のプレート
である。ポスト、キャップ、冷却プレートは電気伝導性
材料により作られ、アノードに対して正の電位となるよ
うに接続されている。典型的に、アノード構造物は接地
され、カソード構造物には負の電圧が印加される。
【００１７】アノード構造物は、ポストと内側シリンダ
ー（ポールピース）３９との間に配置された絶縁スリー
ブ５６、ポールピースとポール組立体の前面部分との間
の絶縁物５７、および冷却プレート５３と後方ポールキ
ャップとの間の絶縁ワッシャ５８によりカソード構造物
から電気的に絶縁されている。絶縁物５７の内側および
外側上のＯリング５９、６０はポストとポール構造物の
前面部分との間に真空シール（密封）を形成する。
ー（ポールピース）３９との間に配置された絶縁スリー
ブ５６、ポールピースとポール組立体の前面部分との間
の絶縁物５７、および冷却プレート５３と後方ポールキ
ャップとの間の絶縁ワッシャ５８によりカソード構造物
から電気的に絶縁されている。絶縁物５７の内側および
外側上のＯリング５９、６０はポストとポール構造物の
前面部分との間に真空シール（密封）を形成する。
【００１８】ターゲット２６はポールキャップ４１上に
取り付けられ、そのターゲットの裏側はポールキャップ
の表面と係合する。ターゲットは環状であり、アノード
構造物と共軸に配置されている。図示の実施例において
、ターゲットは、ポールキャップの端面と平行で平坦な
表面をもつ。しかし、ターゲットは他の適切な形状を取
り得る。たとえば、それはテーパーが付けられた円錐の
表面をもち、厚さが外側の周囲に向かって増加するもの
でもよい。ターゲットは一対の保持リング６３、６４に
よりポールキャップ上に着脱自在に取り付けられる。 これらリングは、ターゲットの裏側とポールキャップの
表側と間の熱的な密着を維持するてこ台（ｆｕｌｃｒｕ
ｍ−ｌｉｋｅ）の作用でターゲットと係合する。
取り付けられ、そのターゲットの裏側はポールキャップ
の表面と係合する。ターゲットは環状であり、アノード
構造物と共軸に配置されている。図示の実施例において
、ターゲットは、ポールキャップの端面と平行で平坦な
表面をもつ。しかし、ターゲットは他の適切な形状を取
り得る。たとえば、それはテーパーが付けられた円錐の
表面をもち、厚さが外側の周囲に向かって増加するもの
でもよい。ターゲットは一対の保持リング６３、６４に
よりポールキャップ上に着脱自在に取り付けられる。 これらリングは、ターゲットの裏側とポールキャップの
表側と間の熱的な密着を維持するてこ台（ｆｕｌｃｒｕ
ｍ−ｌｉｋｅ）の作用でターゲットと係合する。
【００１９】内側保持リング６３は、後方に突き出たフ
ランジまたは突起６７の形をしたてこ台のような取付け
脚を有する。その突起６７はリングの内側周囲の周りに
沿って伸び、ポールキャップの表面に位置している。こ
のリングはまた、半径方向に伸び、ターゲットの表面の
内周囲縁と係合する外側周囲フランジ６８を有する。取
付け脚とフランジとの間に位置する取付けネジ６９は、
リングのてこ台のような作用により増加する力でフラン
ジをポールキャップの方向へ引き付ける。すなわち、取
付け脚のまわりでリングが屈曲し、ターゲットの内側部
分をポールキャップにしっかりと締め付ける。
ランジまたは突起６７の形をしたてこ台のような取付け
脚を有する。その突起６７はリングの内側周囲の周りに
沿って伸び、ポールキャップの表面に位置している。こ
のリングはまた、半径方向に伸び、ターゲットの表面の
内周囲縁と係合する外側周囲フランジ６８を有する。取
付け脚とフランジとの間に位置する取付けネジ６９は、
リングのてこ台のような作用により増加する力でフラン
ジをポールキャップの方向へ引き付ける。すなわち、取
付け脚のまわりでリングが屈曲し、ターゲットの内側部
分をポールキャップにしっかりと締め付ける。
【００２０】外側保持リング６４は、後方に突き出たフ
ランジまたは突起７１の形をしたてこ台のような取付け
脚を有する。その突起７１はリングの外側周囲の周りに
沿って伸び、ポールキャップの表面に位置している。こ
のリングはまた、半径方向に伸び、ターゲットの表面の
外周囲縁と係合する外側周囲フランジ７２を有する。取
付け脚とフランジとの間に位置する取付けネジ７３は、
リングのてこ台のような作用により増加する力でフラン
ジをポールキャップの方向へ引き付ける。すなわち、取
付け脚のまわりでリングが屈曲し、ターゲットの外側部
分をポールキャップにしっかりと締め付ける。
ランジまたは突起７１の形をしたてこ台のような取付け
脚を有する。その突起７１はリングの外側周囲の周りに
沿って伸び、ポールキャップの表面に位置している。こ
のリングはまた、半径方向に伸び、ターゲットの表面の
外周囲縁と係合する外側周囲フランジ７２を有する。取
付け脚とフランジとの間に位置する取付けネジ７３は、
リングのてこ台のような作用により増加する力でフラン
ジをポールキャップの方向へ引き付ける。すなわち、取
付け脚のまわりでリングが屈曲し、ターゲットの外側部
分をポールキャップにしっかりと締め付ける。
【００２１】保持リング６３、６４はステンレス・スチ
ールのような材料で作られる。ステンレス・スチールは
付着物質、反応器が利用されることとなる場合に応じて
磁性物質でも非磁性物質でもよい。
ールのような材料で作られる。ステンレス・スチールは
付着物質、反応器が利用されることとなる場合に応じて
磁性物質でも非磁性物質でもよい。
【００２２】冷媒通路７６が、スペーサとポールキャッ
プ４１との間でポールキャップ４１の裏面に形成される
。この通路はほぼ環状であり、ポールキャップの裏側の
凹所領域により形成される。凹所領域はキャップの表面
と平行な環状底壁７７、円錐状にテーパーが付けられた
外側壁７８、および外側に向かって面とりされた内側壁
７９を有する。凹所の深さは、ポールキャップの厚さの
約３／４で、このことは通路とターゲットとの間のキャ
ップ部分の厚さが、キャップの残部で約１／４であるこ
とを意味する。このことは、ターゲットが冷媒から分離
しているがより近接しているため、キャップの表面と通
路内の冷媒との間でより良好な熱移動を行わしめる。 Ｏリング８３、８４は、通路の内側と外側でキャップと
ポール構造物の残部との間に液密シールを形成する。ポ
ールキャップの薄い領域はまた、容易にコイル４６の付
勢により形成される磁場で飽和し、ターゲットの前の領
域に高磁場の形成を可能にする。
プ４１との間でポールキャップ４１の裏面に形成される
。この通路はほぼ環状であり、ポールキャップの裏側の
凹所領域により形成される。凹所領域はキャップの表面
と平行な環状底壁７７、円錐状にテーパーが付けられた
外側壁７８、および外側に向かって面とりされた内側壁
７９を有する。凹所の深さは、ポールキャップの厚さの
約３／４で、このことは通路とターゲットとの間のキャ
ップ部分の厚さが、キャップの残部で約１／４であるこ
とを意味する。このことは、ターゲットが冷媒から分離
しているがより近接しているため、キャップの表面と通
路内の冷媒との間でより良好な熱移動を行わしめる。 Ｏリング８３、８４は、通路の内側と外側でキャップと
ポール構造物の残部との間に液密シールを形成する。ポ
ールキャップの薄い領域はまた、容易にコイル４６の付
勢により形成される磁場で飽和し、ターゲットの前の領
域に高磁場の形成を可能にする。
【００２３】通路７６の流量制御リング８６は通路を内
側部分８７と外側部分８８とに分離し、ポールピースの
裏側で冷媒を高速で半径方向に流す。リングはほぼ円筒
状ボディー８９で、通路内で軸方向に伸び、さらにポー
ルピースの裏側にある凹所に収容される環状フランジ９
１を有する。そのフランジの表面には、複数の半径方向
に伸びた突起または羽根９２が設けられている。その羽
根９２は、冷媒が通過する複数の半径方向に伸びる流路
チャネル９３を画成する、阻流板（ｂａｆｆｌｅ）とし
て働く。これら羽根はリングの表面から０．０１０イン
チ（０．０２５４ｃｍ）のオーダーの高さだけ突き出て
いる。
側部分８７と外側部分８８とに分離し、ポールピースの
裏側で冷媒を高速で半径方向に流す。リングはほぼ円筒
状ボディー８９で、通路内で軸方向に伸び、さらにポー
ルピースの裏側にある凹所に収容される環状フランジ９
１を有する。そのフランジの表面には、複数の半径方向
に伸びた突起または羽根９２が設けられている。その羽
根９２は、冷媒が通過する複数の半径方向に伸びる流路
チャネル９３を画成する、阻流板（ｂａｆｆｌｅ）とし
て働く。これら羽根はリングの表面から０．０１０イン
チ（０．０２５４ｃｍ）のオーダーの高さだけ突き出て
いる。
【００２４】リングはまた、そのリングの内周から半径
方向に突き出て、半径方向に伸びた羽根と整合して軸線
方向に伸びる突起また羽根９４を有する。ここに示す一
実施例は、２４個の軸線方向に伸びた羽根および８個の
半径方向に伸びた羽根を有する。半径方向に伸びた羽根
は軸線方向に伸びた羽根と３つ毎に整合する。
方向に突き出て、半径方向に伸びた羽根と整合して軸線
方向に伸びる突起また羽根９４を有する。ここに示す一
実施例は、２４個の軸線方向に伸びた羽根および８個の
半径方向に伸びた羽根を有する。半径方向に伸びた羽根
は軸線方向に伸びた羽根と３つ毎に整合する。
【００２５】リングとスペーサ４３との間に配置された
弾性Ｏリング９６が、羽根９２を凹所の底壁７７と係合
するように押し付け、さらにリングとスペーサとの間に
シールを形成し、冷媒がキャップの裏面と接触して、比
較的浅いチャネル９３を通過し通路の２つの部分間のみ
流れることができる。
弾性Ｏリング９６が、羽根９２を凹所の底壁７７と係合
するように押し付け、さらにリングとスペーサとの間に
シールを形成し、冷媒がキャップの裏面と接触して、比
較的浅いチャネル９３を通過し通路の２つの部分間のみ
流れることができる。
【００２６】冷媒流入通路９７が外側シリンダー（ポー
ルピース）とポール構造物の後方キャップ４２内に形成
される。この通路はシリンダーおよびキャップ内に軸線
が一致する穴９８、９９、および、穴９８と交差し、通
路７６の外側部分８８に連通する、軸線方向に伸びた穴
１０１から成る。Ｏリング１０２が、通路９７をまわる
く取り囲み、外側シリンダーと後方キャップとの間にシ
ールを形成する。
ルピース）とポール構造物の後方キャップ４２内に形成
される。この通路はシリンダーおよびキャップ内に軸線
が一致する穴９８、９９、および、穴９８と交差し、通
路７６の外側部分８８に連通する、軸線方向に伸びた穴
１０１から成る。Ｏリング１０２が、通路９７をまわる
く取り囲み、外側シリンダーと後方キャップとの間にシ
ールを形成する。
【００２７】冷媒流出通路１０３が内側シリンダー（ポ
ールピース）と後方ポールキャップ４２内に形成される
。この通路は、シリンダーおよびキャップ内に軸線が一
致する穴１０４、１０６、穴１０４と交差し、通路７６
の内側部分８７に連通する、軸方向に伸びる穴１０７、
穴１０６と交差する、軸方向に伸びる穴１０８、および
、穴１０８と交差し、ポールキャップ４２の裏側に連通
する穴１０９から成る。Ｏリング１１１が、通路１０３
を取り囲み、外側シリンダーと後方キャップとの間に液
密シールを形成する。
ールピース）と後方ポールキャップ４２内に形成される
。この通路は、シリンダーおよびキャップ内に軸線が一
致する穴１０４、１０６、穴１０４と交差し、通路７６
の内側部分８７に連通する、軸方向に伸びる穴１０７、
穴１０６と交差する、軸方向に伸びる穴１０８、および
、穴１０８と交差し、ポールキャップ４２の裏側に連通
する穴１０９から成る。Ｏリング１１１が、通路１０３
を取り囲み、外側シリンダーと後方キャップとの間に液
密シールを形成する。
【００２８】水のような冷媒が、流入通路へ供給され、
穴９９、１０６内に収容され、螺刻された継手管により
それぞれの通路に連結されたホースまたはライン（図示
せず）を通って流出通路から出ていく。この実施例にお
いて、冷媒はまずカソード構造物を通り、次にアノード
冷却プレートを通って循環する。この特定の実施例にお
いて、流入通路９７に連結されたラインは冷媒源の出口
に連結され、流出通路１０３に連結されたラインはアノ
ード冷却プレート５３内の通路の入口に連結され、冷却
プレートの出口は冷媒源への戻りラインに連結される。
穴９９、１０６内に収容され、螺刻された継手管により
それぞれの通路に連結されたホースまたはライン（図示
せず）を通って流出通路から出ていく。この実施例にお
いて、冷媒はまずカソード構造物を通り、次にアノード
冷却プレートを通って循環する。この特定の実施例にお
いて、流入通路９７に連結されたラインは冷媒源の出口
に連結され、流出通路１０３に連結されたラインはアノ
ード冷却プレート５３内の通路の入口に連結され、冷却
プレートの出口は冷媒源への戻りラインに連結される。
【００２９】
【発明の効果】本発明はいろいろな特徴および利点を有
する。熱がターゲットからターゲットの背後のポールキ
ャップの比較的薄い部分を通して冷媒に効果的に移動す
るけれども、冷媒がターゲットと直接接触することがな
いように、ターゲットが冷媒から分離されている。保持
リングはターゲットの容易な取り外し、再度の取り付け
、変更を可能にし、保持リングのてこ台のような作用は
、ポールキャップの表面に対してターゲットをしっかり
と保持し、両者間に良好な熱移動を保証する。ターゲッ
トは冷却システムにおけるいかなるシールも変えること
なく変更でき、使用済みのターゲットから未使用物質を
再生させることを困難にする接着がない。この接着がな
いことはまた、実質的にターゲットのコストを軽減する
。さらに、従来のようにターゲットが使い尽くされ、銅
製のバッキングプレートが使い尽くされて穴があくよう
なことはステンレス・スチールではほとんどありえない
。
する。熱がターゲットからターゲットの背後のポールキ
ャップの比較的薄い部分を通して冷媒に効果的に移動す
るけれども、冷媒がターゲットと直接接触することがな
いように、ターゲットが冷媒から分離されている。保持
リングはターゲットの容易な取り外し、再度の取り付け
、変更を可能にし、保持リングのてこ台のような作用は
、ポールキャップの表面に対してターゲットをしっかり
と保持し、両者間に良好な熱移動を保証する。ターゲッ
トは冷却システムにおけるいかなるシールも変えること
なく変更でき、使用済みのターゲットから未使用物質を
再生させることを困難にする接着がない。この接着がな
いことはまた、実質的にターゲットのコストを軽減する
。さらに、従来のようにターゲットが使い尽くされ、銅
製のバッキングプレートが使い尽くされて穴があくよう
なことはステンレス・スチールではほとんどありえない
。
【００３０】前述から、新規で改良されたスパッタコー
ティング源が与えられたことは明確になったであろう。 一つの好適な実施例を詳細に説明してきたが、当業者に
とって、特許請求の範囲で画成された発明の範囲から逸
脱することなく変形、変更をなし得ることは明らかであ
ろう。
ティング源が与えられたことは明確になったであろう。 一つの好適な実施例を詳細に説明してきたが、当業者に
とって、特許請求の範囲で画成された発明の範囲から逸
脱することなく変形、変更をなし得ることは明らかであ
ろう。
【図１】本発明を実施したスパッタコーティング源の一
実施例の垂直断面図である。
実施例の垂直断面図である。
【図２】図１の実施例の一部拡大断面図である。
【図３】図１の実施例における冷媒の流れ方向器の略示
図である。
図である。
２２ 環状ベース
２３ 円筒状フランジ
２４ ネジ
２６ ターゲット
２９ 外側円筒状ポールピース
３９ 内側円筒状ポールピース
４１ 前方ポールピース（キャップ）４２
後方ポールピース（キャップ）４３ スペーサ ５１ ディスク状キャップ ５７ 絶縁物 ６３ 内側保持リング（保持器）６４ 外
側保持リング（保持器）６７ 突起（脚） ６８ フランジ ６９ ネジ ７１ 突起（脚） ７２ フランジ ７３ ネジ ７６ 通路 ７７ 底壁 ７８ 外側壁 ７９ 内側壁 ８３ Ｏリング ８４ Ｏリング ８６ 流量制御リング ８７ 内側部分 ８８ 外側部分 ８９ 円筒状ボディー ９１ フランジ ９２ 羽根 ９３ チャネル ９４ 羽根 ９６ Ｏリング ９８ 穴 １０１ 穴 １０４ 穴 １０７ 穴
後方ポールピース（キャップ）４３ スペーサ ５１ ディスク状キャップ ５７ 絶縁物 ６３ 内側保持リング（保持器）６４ 外
側保持リング（保持器）６７ 突起（脚） ６８ フランジ ６９ ネジ ７１ 突起（脚） ７２ フランジ ７３ ネジ ７６ 通路 ７７ 底壁 ７８ 外側壁 ７９ 内側壁 ８３ Ｏリング ８４ Ｏリング ８６ 流量制御リング ８７ 内側部分 ８８ 外側部分 ８９ 円筒状ボディー ９１ フランジ ９２ 羽根 ９３ チャネル ９４ 羽根 ９６ Ｏリング ９８ 穴 １０１ 穴 １０４ 穴 １０７ 穴
Claims (14)
- 【請求項１】 スパッタコーティング源であって、表
側および裏側を有するカソードと、カソードから電気的
に絶縁されたアノードと、アノードとカソードとの間に
電圧を印加する手段と、ターゲットと、カソードの表面
上にターゲットを着脱自在に取り付ける手段と、カソー
ドの裏面に冷却通路を画成する手段と、カソードおよび
ターゲットを冷却するために冷媒を通路に流す手段と、
カソードの表側から通路をシールする手段と、から成り
、冷媒はターゲットに直接接触することなく、ターゲッ
トがカソードから取り外されたとき、またはターゲット
がそこからスパッタリングにより侵食されたとき、冷媒
は完全に収容されたままである、ところのスパッタコー
ティング源。 - 【請求項２】 請求項１項に記載のスパッタコーティ
ング源であって、カソードが環状プレートから成り、冷
却通路が環状で冷媒を通路に流す手段が、環状プレート
の裏側で冷媒を半径方向に流れるように方向付ける手段
を含む、ところのスパッタコーティング源。 - 【請求項３】 請求項２項に記載のスパッタコーティ
ング源であって、冷媒を半径方向に流れるように方向付
ける手段が、通路内で軸線方向に伸び、通路を内側部分
および外側部分に分離する流量制御リングから成り、該
リングが、環状プレートの裏面に近接して、軸線方向に
向いた表面を有し、さらに裏面と表面との間で半径方向
に伸び、環状プレートに接触して通路の内側部分と外側
部分との間に冷媒を導くチャネルを画成する複数の阻流
板を有する、ところのスパッタコーティング源。 - 【請求項４】 スパッタコーティング源であって、表
側および裏側を有するカソードと、カソードから電気的
に絶縁されたアノードと、アノードとカソードとの間に
電圧を印加する手段と、カソードの表側に取り付けられ
るターゲットと、ターゲットと係合する保持器と、保持
器とカソードとの間にてこ台を形成する手段と、ターゲ
ットをカソードへと締め付けるために、てこ台に関して
保持器とアノードを一緒に引き付ける手段と、から成る
スパッタコーティング源。 - 【請求項５】 スパッタコーティング源であって、表
側および裏側を有するカソードと、カソードから電気的
に絶縁されたアノードと、アノードとカソードとの間に
電圧を印加する手段と、カソードの表側に取り付けられ
るターゲットと、ターゲットと係合する保持器と、保持
器とカソードとの間にてこ台を形成する手段と、ターゲ
ットをカソードに締め付けるために、てこ台に関し保持
器とアノードを一緒に引き付ける手段とカソードの裏側
に冷却通路を画成する手段と、カソードおよびターゲッ
トを冷却するために冷媒を通路に流す手段と、カソード
の表側から通路をシールする手段と、から成り、冷媒は
ターゲットに直接接触することなく、ターゲットがカソ
ードから取り外されたとき、またはターゲットがそこか
らスパッタリングにより侵食されたとき、冷媒は完全に
収容されたままである、ところのスパッタコーティング
源。 - 【請求項６】 請求項５項に記載のスパッタコーティ
ング源であって、カソードが環状プレートから成り、冷
却通路が環状で冷媒を通路に流す手段が、環状プレート
の裏側で冷媒を半径方向に流れるように方向付ける手段
を含む、ところのスパッタコーティング源。 - 【請求項７】 請求項６項に記載のスパッタコーティ
ング源であって、冷媒を半径方向に流れるように方向付
ける手段が、通路内で軸線方向に伸び、通路を内側部分
および外側部分に分離する流量制御リングから成り、該
リングが、環状プレートの裏面に近接して、軸線方向に
向いた表面を有し、さらに裏面と表面との間で半径方向
に伸び、環状プレートに接触して通路の内側部分と外側
部分との間に冷媒を導くチャネルを画成する複数の阻流
板を有する、ところのスパッタコーティング源。 - 【請求項８】 スパッタコーティング源であって、軸
線方向に伸びたアノードと、軸線方向に向いた表面を有
するボディー、および該ボディーに固着された環状プレ
ートを有し、そのプレートの裏面がボディーの表面と向
かい合う、ところのカソードと、プレートの表面に着脱
自在に取り付けられる環状ターゲットと、ボディーとプ
レートとの連結部にある環状冷却通路と、プレートとそ
の上にあるターゲットを冷却するために冷媒を通路に流
す手段と、冷媒がプレートの表面から出ることがないよ
うに、通路の両側でボディーとプレートとの間に液密シ
ールを形成する手段と、から成るスパッタコーティング
源。 - 【請求項９】 請求項８項に記載のスパッタコーティ
ング源であって、環状通路は一部がボディーの表面部分
に、一部が環状プレートの裏面部分に形成される、とこ
ろのスパッタコーティング源。 - 【請求項１０】 請求項８項に記載のスパッタコーテ
ィング源であって、冷媒を通路に流す手段が、通路内で
軸線方向に伸び、通路を内側部分および外側部分に分離
する流量制御リングから成り、該リングが、環状プレー
トの裏面に近接して、軸線方向に向いた表面を有し、さ
らに裏面と表面との間で半径方向に伸び、環状プレート
に接触して通路の内側部分と外側部分との間に冷媒を導
くチャネルを画成する複数の阻流板を有する、ところの
スパッタコーティング源。 - 【請求項１１】 スパッタコーティング源であって、
軸線方向に伸びたアノードと、軸線方向に向いた表面を
有するカソードと、カソードの表面上に取り付けられ、
アノードと共軸に配置される環状ターゲットと、後方に
突き出て、カソードの表面と係合する内側周囲脚、およ
び外に突き出て、ターゲットと係合する外側周囲フラン
ジを有する第１の保持リングと、フランジおよびターゲ
ットをカソードの表面へと引き付けるための、第１の保
持リングの脚とフランジの間に配置される取付けネジと
、内側に突き出て、ターゲットと係合する内側周フラン
ジ、および後方に突き出てカソードの表面と係合する外
側周囲脚を有する第２の保持リングと、フランジおよび
ターゲットをカソードの表面へと引き付けるための、第
２の保持リングのフランジと脚の間に配置される取付け
ネジと、から成るスパッタコーティング源。 - 【請求項１２】 スパッタコーティング源であって、
前後に伸びるアノードポストと、アノードポストの前端
上に取り付けられるディスク状アノードキャップと、ア
ノードポストに関し共軸に配置される内側および外側シ
リンダーから成り、シリンダー間に空間があるところの
ポール構造物と、両シリンダーの前端に固着されたポー
ルキャップと、ポールキャップの背後で両シリンダーの
間に伸びる環状スペーサであって、ポールキャップとス
ペーサとの間に冷媒のための通路が形成される、ところ
のスペーサと、環状ターゲットと、アノードポストおよ
びキャップと共軸に整合してポールキャップの表面上に
ターゲットを着脱自在に取り付ける手段と、ポールキャ
ップおよびターゲットを冷却するために、通路に冷媒を
流す手段と、両シリンダーの間の空間にアノードポスト
と共軸に配置され、ターゲットの近傍に磁場を形成する
ための電気的に付勢可能なコイルと、から成るスパッタ
コーティング源。 - 【請求項１３】 請求項１２項に記載のスパッタコー
ティング源であって、冷媒を通路に流す手段が、通路内
で軸線方向に伸び、通路を内側部分および外側部分に分
離する流量制御リングから成り、該リングが、ポールキ
ャップの裏面に近接して、軸線方向に向いた表面を有し
、さらに裏面と表面との間で半径方向に伸び、ポールキ
ャップに接触して通路の内側部分と外側部分との間に冷
媒を導くチャネルを画成する複数の阻流板を有する、と
ころのスパッタコーティング源。 - 【請求項１４】 請求項１３項に記載のスパッタコー
ティング源であって、阻流板が、リングの表面上で半径
方向に伸びた羽根から成り、リングの裏側と環状スペー
サとの間に配置された弾性Ｏリングがリングとスペーサ
との間に液密シールを形成し、リングの表面上の羽根を
ポールキャップの裏面と係合するように押し付ける、と
ころのスパッタコーティング源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US633586 | 1990-12-19 | ||
| US07/633,586 US5180478A (en) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | Sputter coating source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293771A true JPH04293771A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=24540248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353968A Pending JPH04293771A (ja) | 1990-12-19 | 1991-12-19 | スパッタコーティング源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5180478A (ja) |
| JP (1) | JPH04293771A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2670218B1 (fr) * | 1990-12-06 | 1993-02-05 | Innovatique Sa | Procede de traitement de metaux par depot de matiere, et pour la mise en óoeuvre dudit procede. |
| EP0577766B1 (en) * | 1991-04-04 | 1999-12-29 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| US5407551A (en) * | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
| US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US5392981A (en) * | 1993-12-06 | 1995-02-28 | Regents Of The University Of California | Fabrication of boron sputter targets |
| US5569361A (en) * | 1995-03-06 | 1996-10-29 | Sony Corporation | Method and apparatus for cooling a sputtering target |
| US5705044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
| US5736019A (en) * | 1996-03-07 | 1998-04-07 | Bernick; Mark A. | Sputtering cathode |
| US6068742A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-30 | Balzers Aktiengesellschaft | Target arrangement with a circular plate, magnetron for mounting the target arrangement, and process for coating a series of circular disc-shaped workpieces by means of said magnetron source |
| US5985115A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
| US6340415B1 (en) | 1998-01-05 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime |
| US6217716B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source |
| US6146509A (en) * | 1999-06-11 | 2000-11-14 | Scivac | Inverted field circular magnetron sputtering device |
| DE10312631A1 (de) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co.Kg | Magnetron mit Kühlmittelschutz |
| CN103938165B (zh) * | 2013-01-23 | 2016-08-31 | 上海北玻镀膜技术工业有限公司 | 一种新型阴极磁钢 |
| FR3054487B1 (fr) * | 2016-07-28 | 2018-09-07 | Iguana Yachts | Vehicule amphibie monte sur chenilles |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110873A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-17 | Fujitsu Ltd | タ−ゲットの冷却方法 |
| JPS6318070A (ja) * | 1986-04-04 | 1988-01-25 | マテリアルズ リサ−チ コ−ポレイシヨン | スパッタ陰極一標的アセンブリ |
| JPH01255666A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Tosoh Smd Inc | 迅速交換型の標的を有するスパッタ源及びアダプタリング |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4407708A (en) * | 1981-08-06 | 1983-10-04 | Eaton Corporation | Method for operating a magnetron sputtering apparatus |
| DE3223245C2 (de) * | 1982-07-23 | 1986-05-22 | Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa | Ferromagnetische Hochgeschwindigkeits-Kathodenzerstäubungs-Vorrichtung |
| JPS59200761A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | スパツタリングタ−ゲツト支持装置 |
| US4500409A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter coating source for both magnetic and non magnetic target materials |
| JPS6060060A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
| US4855033A (en) * | 1986-04-04 | 1989-08-08 | Materials Research Corporation | Cathode and target design for a sputter coating apparatus |
| JPS63312976A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
-
1990
- 1990-12-19 US US07/633,586 patent/US5180478A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-12-19 JP JP3353968A patent/JPH04293771A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110873A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-17 | Fujitsu Ltd | タ−ゲットの冷却方法 |
| JPS6318070A (ja) * | 1986-04-04 | 1988-01-25 | マテリアルズ リサ−チ コ−ポレイシヨン | スパッタ陰極一標的アセンブリ |
| JPH01255666A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Tosoh Smd Inc | 迅速交換型の標的を有するスパッタ源及びアダプタリング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5180478A (en) | 1993-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5180478A (en) | Sputter coating source | |
| US4414086A (en) | Magnetic targets for use in sputter coating apparatus | |
| US5597459A (en) | Magnetron cathode sputtering method and apparatus | |
| US9096927B2 (en) | Cooling ring for physical vapor deposition chamber target | |
| KR19980079752A (ko) | 이온화 스퍼터링장치 | |
| US4627904A (en) | Magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets and magnetically enhanced R.F. bias | |
| US5333726A (en) | Magnetron sputtering source | |
| US5407551A (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
| KR20030024868A (ko) | 수명-종료-표시를 갖는 고순도 스퍼터 타켓과 이의 제조방법 | |
| US4810347A (en) | Penning type cathode for sputter coating | |
| CN101401185B (zh) | 具有可拆卸的阳极组件的离子源 | |
| EP1719147B1 (en) | Fluid-cooled ion source | |
| US4622452A (en) | Electric arc vapor deposition electrode apparatus | |
| JPS6139522A (ja) | 平坦なタ−ゲツト及び凹状のタ−ゲツトを有するマグネトロンスパツタリング装置 | |
| KR20150002747A (ko) | 간접 냉각 장치에 적합한 타겟 | |
| JPH11504986A (ja) | 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット | |
| US20060201803A1 (en) | Sacrificial cathode target for sputtering cathode assembly | |
| CN212375367U (zh) | 一种靶材离化冷却承载机构 | |
| JP2583407B2 (ja) | 磁性及び非磁性双方のタ−ゲット物質のためのマグネトロンスパッタコ−ティング源 | |
| JPH09176849A (ja) | スパッタリングターゲットのアッセンブリ | |
| KR19990014667A (ko) | 고립된 냉각제 및 스퍼터링 타겟을 가진 스퍼터링 장치 | |
| CN223535187U (zh) | 一种阴极电弧靶 | |
| CN111809155B (zh) | 一种靶材离化冷却承载机构 | |
| CN217324268U (zh) | 一种二极溅射靶枪 | |
| CN111809156B (zh) | 一种弯管过滤式涂层机 |