JPH04294286A - ブレークダウン電圧の測定方法 - Google Patents
ブレークダウン電圧の測定方法Info
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- JPH04294286A JPH04294286A JP3083554A JP8355491A JPH04294286A JP H04294286 A JPH04294286 A JP H04294286A JP 3083554 A JP3083554 A JP 3083554A JP 8355491 A JP8355491 A JP 8355491A JP H04294286 A JPH04294286 A JP H04294286A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
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-
- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/1227—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ブレークダウン電圧の
測定方法に関し、特にダイオード，サイリスタその他各
種半導体装置のブレークダウン電圧の自動測定に適した
測定方法に関するものである。
測定方法に関し、特にダイオード，サイリスタその他各
種半導体装置のブレークダウン電圧の自動測定に適した
測定方法に関するものである。
【０００２】
【技術背景】近年、半導体装置の微細化が進んでおり、
該半導体装置にジュール熱等のストレスが加わると容易
に破壊・焼損する傾向が強くなっている。上記半導体装
置の破壊・焼損は、半導体装置を被測定デバイス（ＤＵ
Ｔ）とするブレークダウン電圧測定の際に、測定用の電
圧を印加したような場合にも当然生じる。すなわち、例
えばダイオード等のブレークダウン電圧の測定において
は、何度も一時的にＤＵＴをブレークダウン状態に置く
ので、ＤＵＴに流れる電流はパルス状となる。ＤＵＴは
、このパルス電流によりミクロ的なストレスを受けると
共に、上記パルス電流とブレークダウン電圧とによる発
熱によりマクロ的な熱的ストレスを受ける。
該半導体装置にジュール熱等のストレスが加わると容易
に破壊・焼損する傾向が強くなっている。上記半導体装
置の破壊・焼損は、半導体装置を被測定デバイス（ＤＵ
Ｔ）とするブレークダウン電圧測定の際に、測定用の電
圧を印加したような場合にも当然生じる。すなわち、例
えばダイオード等のブレークダウン電圧の測定において
は、何度も一時的にＤＵＴをブレークダウン状態に置く
ので、ＤＵＴに流れる電流はパルス状となる。ＤＵＴは
、このパルス電流によりミクロ的なストレスを受けると
共に、上記パルス電流とブレークダウン電圧とによる発
熱によりマクロ的な熱的ストレスを受ける。
【０００３】ところで、従来、ダイオード等の半導体装
置のブレークダウン電圧を測定するためには、マニュア
ル測定，自動測定の双方が行われており、上記ストレス
をできる限り小さくするような工夫がなされている。
置のブレークダウン電圧を測定するためには、マニュア
ル測定，自動測定の双方が行われており、上記ストレス
をできる限り小さくするような工夫がなされている。
【０００４】マニュアル測定では、例えばカーブトレー
サが用いられる。図３に示すようにダイオード等のＤＵ
Ｔのブレークダウン電圧ＶＢＤより大きい波高値の半波
正弦波電圧ｖＨＳをＤＵＴに印加し、正弦波形の頂部付
近でブレークダウンを生じさせ（図３の斜線部参照）、
オペレータの目視により所定電流値でのブレークダウン
電圧を測定する。ｖＨＳの周期をＴ、ブレークダウン状
態の継続時間をｔＢＤとすると、測定時間に対するブレ
ークダウン状態の時間比率はｔＢＤ／Ｔとなる。例えば
、目視時間が３秒、ｔＢＤ／Ｔ＝０．１である場合には
、ブレークダウン状態は３００ｍｓｅｃにも及ぶ。この
ため、上記ストレスは解消されているとは言えず、場合
によってはＤＵＴが破壊・焼損に至るという不都合があ
る。
サが用いられる。図３に示すようにダイオード等のＤＵ
Ｔのブレークダウン電圧ＶＢＤより大きい波高値の半波
正弦波電圧ｖＨＳをＤＵＴに印加し、正弦波形の頂部付
近でブレークダウンを生じさせ（図３の斜線部参照）、
オペレータの目視により所定電流値でのブレークダウン
電圧を測定する。ｖＨＳの周期をＴ、ブレークダウン状
態の継続時間をｔＢＤとすると、測定時間に対するブレ
ークダウン状態の時間比率はｔＢＤ／Ｔとなる。例えば
、目視時間が３秒、ｔＢＤ／Ｔ＝０．１である場合には
、ブレークダウン状態は３００ｍｓｅｃにも及ぶ。この
ため、上記ストレスは解消されているとは言えず、場合
によってはＤＵＴが破壊・焼損に至るという不都合があ
る。
【０００５】また、自動測定では、例えばランプ電圧発
生器が用いられる。この方法では、図４に示すようにラ
ンプ電圧の立ち上りを所定時刻ｔ０にセットしておき、
所定電圧をＤＵＴに印加する。応答電圧Ｖがある値に達
すると、ＤＵＴにブレークダウンが生じ、ブレークダウ
ン電流ＩＢＤが急激にＤＵＴに流れる。このとき、ラン
プ電圧発生器とＤＵＴとの間に介在した電流制限回路が
作動しＤＵＴに流れる電流を一定に制限し、これにより
ＤＵＴの応答電圧Ｖは一定となる。そして、ｔ０から一
定時間経過後の時刻ｔ１１における応答電圧Ｖを測定す
ることで該電流値におけるブレークダウン電圧ＶＢＤを
求めている。上記ランプレートＲＲは、■測定系のスル
ーレート、■ＤＵＴの静電容量Ｃ、■電流制限器の設定
値ＩＬＩＭを考慮して設定されている。
生器が用いられる。この方法では、図４に示すようにラ
ンプ電圧の立ち上りを所定時刻ｔ０にセットしておき、
所定電圧をＤＵＴに印加する。応答電圧Ｖがある値に達
すると、ＤＵＴにブレークダウンが生じ、ブレークダウ
ン電流ＩＢＤが急激にＤＵＴに流れる。このとき、ラン
プ電圧発生器とＤＵＴとの間に介在した電流制限回路が
作動しＤＵＴに流れる電流を一定に制限し、これにより
ＤＵＴの応答電圧Ｖは一定となる。そして、ｔ０から一
定時間経過後の時刻ｔ１１における応答電圧Ｖを測定す
ることで該電流値におけるブレークダウン電圧ＶＢＤを
求めている。上記ランプレートＲＲは、■測定系のスル
ーレート、■ＤＵＴの静電容量Ｃ、■電流制限器の設定
値ＩＬＩＭを考慮して設定されている。
【０００６】ところで、同種のＤＵＴにおいてもブレー
クダウン電圧ＶＢＤはまちまちであり、例えば１０Ｖ〜
１００Ｖの範囲でばらつくことさえある。このため、以
下に述べる問題が生じる。例えば、図２（Ｂ）において
、あるＤＵＴ、Ａ，Ｂについての電圧応答ＶＡとＶＢと
を比較すると、両者のランプレートは同一であるが、ブ
レークダウン電圧が低いＶＢについては早期にブレーク
ダウンを起こしている。このため、ＶＢについてのブレ
ークダウンから測定時刻ｔＭ迄の時間ＴＢが、ＶＡにつ
いてのブレークダウンから測定時刻ｔＭ迄の時間ＴＡに
比較して長くなる。また、ＤＵＴ、Ｂ，Ｃについての電
圧応答ＶＢとＶＣとを比較すると、ブレークダウン電圧
はＶＣの方が高いにもかかわらず、ランプレートが大き
いため、ＶＣの測定時間ＴＣはＶＢの測定時間ＴＢより
長くなる。このため、ＡとＢとＣとでは同一条件での測
定が実現されず、均一な測定を実現することができない
という問題がある。
クダウン電圧ＶＢＤはまちまちであり、例えば１０Ｖ〜
１００Ｖの範囲でばらつくことさえある。このため、以
下に述べる問題が生じる。例えば、図２（Ｂ）において
、あるＤＵＴ、Ａ，Ｂについての電圧応答ＶＡとＶＢと
を比較すると、両者のランプレートは同一であるが、ブ
レークダウン電圧が低いＶＢについては早期にブレーク
ダウンを起こしている。このため、ＶＢについてのブレ
ークダウンから測定時刻ｔＭ迄の時間ＴＢが、ＶＡにつ
いてのブレークダウンから測定時刻ｔＭ迄の時間ＴＡに
比較して長くなる。また、ＤＵＴ、Ｂ，Ｃについての電
圧応答ＶＢとＶＣとを比較すると、ブレークダウン電圧
はＶＣの方が高いにもかかわらず、ランプレートが大き
いため、ＶＣの測定時間ＴＣはＶＢの測定時間ＴＢより
長くなる。このため、ＡとＢとＣとでは同一条件での測
定が実現されず、均一な測定を実現することができない
という問題がある。
【０００７】しかも、例えば上記図２（Ｂ）のＢやＣの
ように、ブレークダウンが生じている時間が長くなると
、前述した熱等によるストレスが顕著に現れる。すなわ
ち、ＤＵＴが破壊されたりストレスそのものによりブレ
ークダウン電圧が変化してしまう。また、ストレスに基
づく発熱によっても、ブレークダウン電圧そのものが変
化し、所定条件下におけるブレークダウン電圧の正確な
測定が行えないという問題がある。加えて、ランプ電圧
発生器として、ランプレートを変更できる高価なものを
使用しなければならないという製造コスト上の問題もあ
った。
ように、ブレークダウンが生じている時間が長くなると
、前述した熱等によるストレスが顕著に現れる。すなわ
ち、ＤＵＴが破壊されたりストレスそのものによりブレ
ークダウン電圧が変化してしまう。また、ストレスに基
づく発熱によっても、ブレークダウン電圧そのものが変
化し、所定条件下におけるブレークダウン電圧の正確な
測定が行えないという問題がある。加えて、ランプ電圧
発生器として、ランプレートを変更できる高価なものを
使用しなければならないという製造コスト上の問題もあ
った。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記のような問題点を解決す
るために提案されたものであって、半導体デバイス等の
ブレークダウン電圧を測定するに際し、測定時間を短く
することで熱的ストレス等を激減させ、高精度の測定を
行うことができ、かつ測定条件を一様とすることで再現
性が高い自動測定を行うことができるブレークダウン電
圧測定方法を提供することを目的とする。
るために提案されたものであって、半導体デバイス等の
ブレークダウン電圧を測定するに際し、測定時間を短く
することで熱的ストレス等を激減させ、高精度の測定を
行うことができ、かつ測定条件を一様とすることで再現
性が高い自動測定を行うことができるブレークダウン電
圧測定方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の概要】ダイオード等の半導体素子には、上記ラ
ンプ状に立ち上がるステップ電圧が印加された場合、該
電圧が一定状態に変化した後においてもその応答が経時
的に変化するものが多い。本発明はこのようなＤＵＴに
好ましく適用される。ブレークダウン状態となった場合
には、ＤＵＴには電流制限器により制限された一定電流
がＤＵＴに流れ、ＤＵＴの応答電圧は一定状態となるよ
うに変化する。本発明の測定方法では、ＤＵＴの応答電
圧のランプ部が一定状態に変化する時（例えば、電圧勾
配がランプレートに対して一定率減少した時）を基準時
点として、該時点からの一定短時間後に測定が行われる
。すなわち、該時点後に熱等のストレスによりＤＵＴの
応答の変化が増大する前にブレークダウン電圧の測定が
行われる。また、複数のＤＵＴに対して一様な測定がな
される。更に電力消費による発熱も極小となり、ＤＵＴ
に余分なストレスが加わらず、ＤＵＴの破壊・焼損も生
じない。
ンプ状に立ち上がるステップ電圧が印加された場合、該
電圧が一定状態に変化した後においてもその応答が経時
的に変化するものが多い。本発明はこのようなＤＵＴに
好ましく適用される。ブレークダウン状態となった場合
には、ＤＵＴには電流制限器により制限された一定電流
がＤＵＴに流れ、ＤＵＴの応答電圧は一定状態となるよ
うに変化する。本発明の測定方法では、ＤＵＴの応答電
圧のランプ部が一定状態に変化する時（例えば、電圧勾
配がランプレートに対して一定率減少した時）を基準時
点として、該時点からの一定短時間後に測定が行われる
。すなわち、該時点後に熱等のストレスによりＤＵＴの
応答の変化が増大する前にブレークダウン電圧の測定が
行われる。また、複数のＤＵＴに対して一様な測定がな
される。更に電力消費による発熱も極小となり、ＤＵＴ
に余分なストレスが加わらず、ＤＵＴの破壊・焼損も生
じない。
【００１０】
【実施例】図１（Ａ）は本発明の測定方法を実施するた
めの回路の一例を示すブロック図である。同図（Ａ）に
おいて、ランプ電圧発生器１は電流制限器２を介してＤ
ＵＴ３に接続されている。上記電流制限器２は電流制限
値ＩＬＩＭの設定が適宜変更できるように構成されてい
る。そして、ＤＵＴ３の端子間電圧（応答電圧）Ｖは、
電圧モニタ４により測定される。なお、同図（Ａ）にお
いて、ランプ電圧発生器１によるランプ電圧ＶＲの発生
や電圧モニタ４によるＤＵＴの応答電圧Ｖの測定は、制
御部５（ＣＰＵからなる）の指示により行われる。
めの回路の一例を示すブロック図である。同図（Ａ）に
おいて、ランプ電圧発生器１は電流制限器２を介してＤ
ＵＴ３に接続されている。上記電流制限器２は電流制限
値ＩＬＩＭの設定が適宜変更できるように構成されてい
る。そして、ＤＵＴ３の端子間電圧（応答電圧）Ｖは、
電圧モニタ４により測定される。なお、同図（Ａ）にお
いて、ランプ電圧発生器１によるランプ電圧ＶＲの発生
や電圧モニタ４によるＤＵＴの応答電圧Ｖの測定は、制
御部５（ＣＰＵからなる）の指示により行われる。
【００１１】以下、図１（Ｂ）を参照しつつ本発明のブ
レークダウン電圧の測定方法を説明する。まず、予め、
ランプ電圧発生器１の電流制限値ＩＬＩＭを設定する。 この設定値は、測定されるブレークダウン電圧ＶＢＤに
対応するブレークダウン電流ＩＢＤである。ここで、制
御部５によりランプ電圧発生器１にランプ電圧ＶＲの発
生を指示する。このランプ電圧ＶＲの印加により、ＤＵ
Ｔ３の電圧応答Ｖもランプ状に立ち上がる（同図（Ｂ）
の時刻ｔ０参照）。このときのＤＵＴ３の応答電圧Ｖの
ランプレートＲＲは概ねＤＵＴ３の充電電流ＩＣが電流
制限値ＩＬＩＭより大きくならない程度に設定すること
が好ましい。例えば、ＩＬＩＭは、 ＩＬＩＭ＞Ｃ・（ｄＶ／ｄｔ） （１）としても
よいし、ＤＵＴ３のリーク電流ＩＬｅａｋを考慮し、 ＩＬＩＭ＞Ｃ・（ｄＶ／ｄｔ）＋ＩＬｅａｋ （２）
とすることもできる。そして、次第に上昇するＤＵＴの
応答電圧Ｖの勾配ＳＲを電圧モニタ４により検出し続け
る。
レークダウン電圧の測定方法を説明する。まず、予め、
ランプ電圧発生器１の電流制限値ＩＬＩＭを設定する。 この設定値は、測定されるブレークダウン電圧ＶＢＤに
対応するブレークダウン電流ＩＢＤである。ここで、制
御部５によりランプ電圧発生器１にランプ電圧ＶＲの発
生を指示する。このランプ電圧ＶＲの印加により、ＤＵ
Ｔ３の電圧応答Ｖもランプ状に立ち上がる（同図（Ｂ）
の時刻ｔ０参照）。このときのＤＵＴ３の応答電圧Ｖの
ランプレートＲＲは概ねＤＵＴ３の充電電流ＩＣが電流
制限値ＩＬＩＭより大きくならない程度に設定すること
が好ましい。例えば、ＩＬＩＭは、 ＩＬＩＭ＞Ｃ・（ｄＶ／ｄｔ） （１）としても
よいし、ＤＵＴ３のリーク電流ＩＬｅａｋを考慮し、 ＩＬＩＭ＞Ｃ・（ｄＶ／ｄｔ）＋ＩＬｅａｋ （２）
とすることもできる。そして、次第に上昇するＤＵＴの
応答電圧Ｖの勾配ＳＲを電圧モニタ４により検出し続け
る。
【００１２】ＤＵＴ３に印加される電圧Ｖが次第に上昇
し、ブレークダウン電圧ＶＢＤに達すると、ＤＵＴには
急激にブレークダウン電流ＩＢＤが流れる。ＩＢＤがＩ
ＬＩＭに達すると、例えば、電流制限器２はランプ電圧
発生器１にその出力を抑制するようにフィードバック信
号を出力する。これにより、ＩＢＤがＩＬＩＭのまま応
答電圧Ｖの勾配ＳＲは一定状態に向かって変化する。こ
こで、上記勾配ＳＲが所定分だけ低下する時点（以下、
「基準時点」と言う）ｔ１を電圧モニタ４により検出す
る。通常は、ＳＲの上記所定分の低下はランプレートＲ
Ｒに対する比率を用いて決定される。図１（Ｂ）では、
ＳＲ＝ＲＲ／２となった時点を基準時点ｔ１としている
。そして、該基準時点ｔ１または該時点ｔ１から一定期
間経過後における時刻（これらの時刻はユーザにより設
定される）ｔ２のＤＵＴ３の応答電圧Ｖをブレークダウ
ン電圧ＶＢＤとして測定した後、ランプ電圧発生器１の
出力電圧を零とする。
し、ブレークダウン電圧ＶＢＤに達すると、ＤＵＴには
急激にブレークダウン電流ＩＢＤが流れる。ＩＢＤがＩ
ＬＩＭに達すると、例えば、電流制限器２はランプ電圧
発生器１にその出力を抑制するようにフィードバック信
号を出力する。これにより、ＩＢＤがＩＬＩＭのまま応
答電圧Ｖの勾配ＳＲは一定状態に向かって変化する。こ
こで、上記勾配ＳＲが所定分だけ低下する時点（以下、
「基準時点」と言う）ｔ１を電圧モニタ４により検出す
る。通常は、ＳＲの上記所定分の低下はランプレートＲ
Ｒに対する比率を用いて決定される。図１（Ｂ）では、
ＳＲ＝ＲＲ／２となった時点を基準時点ｔ１としている
。そして、該基準時点ｔ１または該時点ｔ１から一定期
間経過後における時刻（これらの時刻はユーザにより設
定される）ｔ２のＤＵＴ３の応答電圧Ｖをブレークダウ
ン電圧ＶＢＤとして測定した後、ランプ電圧発生器１の
出力電圧を零とする。
【００１３】このようにすることで、従来不可能であっ
た応答電圧Ｖの立上り時刻ｔ０から測定時刻迄の時間を
従来の３ｍｓｅｃから１〜２ｍｓｅｃとすることができ
た。また、ストレスに起因する発熱量が、図３により説
明したカーブトレーサによる計測方法に比べて１／１５
０に、図４により説明した従来のランプ電圧を用いた方
法と比べて１／５０に激減した。
た応答電圧Ｖの立上り時刻ｔ０から測定時刻迄の時間を
従来の３ｍｓｅｃから１〜２ｍｓｅｃとすることができ
た。また、ストレスに起因する発熱量が、図３により説
明したカーブトレーサによる計測方法に比べて１／１５
０に、図４により説明した従来のランプ電圧を用いた方
法と比べて１／５０に激減した。
【００１４】更に、図２（Ａ）に示すように、例えば複
数のＤＵＴ（Ａ，Ｂ，Ｃ）のブレークダウン電圧にばら
つきがあり、しかも各応答電圧ＶＡ，ＶＢ，ＶＣのラン
プレートＲＲが異なっていても（ただし、図２（Ａ）で
はＶＡとＶＢとのランプレートは同一）、各ＤＵＴにつ
いてブレークダウンが生じてから一定時間後（ＴＡ，Ｔ
Ｂ，ＴＣ）に測定がなされるので、測定のばらつきが無
く再現性が高くなった。
数のＤＵＴ（Ａ，Ｂ，Ｃ）のブレークダウン電圧にばら
つきがあり、しかも各応答電圧ＶＡ，ＶＢ，ＶＣのラン
プレートＲＲが異なっていても（ただし、図２（Ａ）で
はＶＡとＶＢとのランプレートは同一）、各ＤＵＴにつ
いてブレークダウンが生じてから一定時間後（ＴＡ，Ｔ
Ｂ，ＴＣ）に測定がなされるので、測定のばらつきが無
く再現性が高くなった。
【００１５】
【発明の効果】本発明のブレークダウン電圧の測定方法
では、ブレークダウンが発生した時または該時刻から一
定時間経過後にＤＵＴの応答電圧を測定するので、次の
ような効果を奏することができる。 ■ＤＵＴの応答電圧の立上り時を基準にした測定ではな
い。従って、ＤＵＴの静電容量や充電電圧を考慮してラ
ンプレートの決定等を行い、これにより測定精度を向上
させる、という煩雑な手段を講ずるする必要がない。こ
の結果、速やかな測定が可能となる。 ■ブレークダウン発生時から短い時間内に測定を行うこ
とができるので、ＤＵＴへのストレスを小さくするとが
でき、ＤＵＴの破壊・焼損も生じない。 ■ＤＵＴへの電力条件が比較的一定となることから、測
定条件が一様であり再現性の高い測定方法の提供が可能
となる。 ■ランプレートを変更できるランプ電圧発生器を用いな
くてもよいので、製造コストの低減に寄与できる。
では、ブレークダウンが発生した時または該時刻から一
定時間経過後にＤＵＴの応答電圧を測定するので、次の
ような効果を奏することができる。 ■ＤＵＴの応答電圧の立上り時を基準にした測定ではな
い。従って、ＤＵＴの静電容量や充電電圧を考慮してラ
ンプレートの決定等を行い、これにより測定精度を向上
させる、という煩雑な手段を講ずるする必要がない。こ
の結果、速やかな測定が可能となる。 ■ブレークダウン発生時から短い時間内に測定を行うこ
とができるので、ＤＵＴへのストレスを小さくするとが
でき、ＤＵＴの破壊・焼損も生じない。 ■ＤＵＴへの電力条件が比較的一定となることから、測
定条件が一様であり再現性の高い測定方法の提供が可能
となる。 ■ランプレートを変更できるランプ電圧発生器を用いな
くてもよいので、製造コストの低減に寄与できる。
【図１】（Ａ）は本発明のブレークダウン電圧の測定方
法を実施するための回路の一例を示すブロック図、（Ｂ
）は（Ａ）の回路におけるＤＵＴの応答電圧を示す図で
ある。
法を実施するための回路の一例を示すブロック図、（Ｂ
）は（Ａ）の回路におけるＤＵＴの応答電圧を示す図で
ある。
【図２】（Ａ）は本発明のブレークダウン電圧の測定方
法による効果を説明するための図であり、（Ｂ）は従来
の測定方法による欠点を説明するための図である。
法による効果を説明するための図であり、（Ｂ）は従来
の測定方法による欠点を説明するための図である。
【図３】ブレークダウン電圧をカーブトレーサにより測
定する従来の方法を示す図である。
定する従来の方法を示す図である。
【図４】ブレークダウン電圧をランプ電圧発生器を用い
て測定する従来の方法を示す図である。
て測定する従来の方法を示す図である。
１ ランプ電圧発生器
２ 電流制限器
３ ＤＵＴ
４ 電圧モニタ
５ 制御部
Claims (1)
- 【請求項１】ランプ電圧を電流制限器を介して被測定デ
バイスに印加してブレークダウンを生じさせ、該デバイ
スの応答に基づいてブレークダウン電圧を測定する方法
であって、被測定デバイスの応答電圧勾配が所定分低下
した時点または該時点から一定時間経過時に被測定デバ
イスの応答電圧を測定することを特徴とするブレークダ
ウン電圧の測定方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03083554A JP3108455B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ブレークダウン電圧の測定方法 |
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