JPH04294319A - Ｐｌｚｔライトバルブの電極形成方法 - Google Patents
Ｐｌｚｔライトバルブの電極形成方法Info
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- JPH04294319A JPH04294319A JP8364791A JP8364791A JPH04294319A JP H04294319 A JPH04294319 A JP H04294319A JP 8364791 A JP8364791 A JP 8364791A JP 8364791 A JP8364791 A JP 8364791A JP H04294319 A JPH04294319 A JP H04294319A
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- plzt
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光シャッタ、ディスプレ
イなどに用いられるＰＬＺＴライトバルブの電極形成方
法に関するものである。
イなどに用いられるＰＬＺＴライトバルブの電極形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＬＺＴライトバルブには、画素形成用
電極の電極面がＰＬＺＴペレットの表面に平行な表面電
極構成のものと、画素形成用電極の電極面がＰＬＺＴペ
レットの表面に垂直な溝型電極構成のものとがあり、溝
型電極構成のＰＬＺＴライトバルブは表面電極構成のも
のよりも駆動電圧を低くすることができる。このような
溝型電極構成のＰＬＺＴライトバルブは、従来、図９に
示すように形成されていた。すなわち、ＰＬＺＴペレッ
ト１０の電極形成個所に、ダイシングソー等で深さ５０
〜１００μｍ、幅３０〜４０μｍ程度の溝１２、…を形
成し、ついで、この溝１２、…の内壁面を含むＰＬＺＴ
ペレット１０の表面に蒸着やスパッタ法でＮｉＣｒ等の
導電性金属薄膜を形成し、ついで、フォトリソグラフィ
工程によってパタ−ンニングを行い画素形成用電極１４
、…を形成していた。Ｄは隣接する画素形成用電極１４
、１４間に駆動電圧を印加したときの電気力線を表わす
。
電極の電極面がＰＬＺＴペレットの表面に平行な表面電
極構成のものと、画素形成用電極の電極面がＰＬＺＴペ
レットの表面に垂直な溝型電極構成のものとがあり、溝
型電極構成のＰＬＺＴライトバルブは表面電極構成のも
のよりも駆動電圧を低くすることができる。このような
溝型電極構成のＰＬＺＴライトバルブは、従来、図９に
示すように形成されていた。すなわち、ＰＬＺＴペレッ
ト１０の電極形成個所に、ダイシングソー等で深さ５０
〜１００μｍ、幅３０〜４０μｍ程度の溝１２、…を形
成し、ついで、この溝１２、…の内壁面を含むＰＬＺＴ
ペレット１０の表面に蒸着やスパッタ法でＮｉＣｒ等の
導電性金属薄膜を形成し、ついで、フォトリソグラフィ
工程によってパタ−ンニングを行い画素形成用電極１４
、…を形成していた。Ｄは隣接する画素形成用電極１４
、１４間に駆動電圧を印加したときの電気力線を表わす
。
【０００３】そして、図１０に原理的に示すように、偏
光方向１６ａ、１８ａが互いに直交する偏光子１６と検
光子１８をＰＬＺＴペレット１０の両側に配置し、駆動
電源２０から画素形成用電極１４、１４に印加する駆動
電圧を制御することによって、光源２２から偏光子１６
、ＰＬＺＴペレット１０および検光子１８を透過する光
２４の光量を制御するライトバルブとして使用するよう
にしていた。
光方向１６ａ、１８ａが互いに直交する偏光子１６と検
光子１８をＰＬＺＴペレット１０の両側に配置し、駆動
電源２０から画素形成用電極１４、１４に印加する駆動
電圧を制御することによって、光源２２から偏光子１６
、ＰＬＺＴペレット１０および検光子１８を透過する光
２４の光量を制御するライトバルブとして使用するよう
にしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示した従来の電極構造のものは、溝１２の深さをＰＬＺ
Ｔペレット１０の厚さの半分ぐらいにしかすることがで
きないため、駆動電圧をさらに低くすることができない
という問題点があった。すなわち、精細な表示をするた
めには微細な画素（例えば電極間隔が１００〜２００μ
ｍの大きさの画素）にする必要があり、溝１２の幅を大
きくすることができない。溝１２の幅が小さいのに溝１
２の深さを深くしようとすると、溝１２の開口部に欠け
が生じ光漏れの原因になるからである。本発明は上述の
問題点に鑑みなされたもので、微細な画素を形成するよ
うな場合についても、駆動電圧を低くすることのできる
電極を形成する方法を提供することを目的とする。
示した従来の電極構造のものは、溝１２の深さをＰＬＺ
Ｔペレット１０の厚さの半分ぐらいにしかすることがで
きないため、駆動電圧をさらに低くすることができない
という問題点があった。すなわち、精細な表示をするた
めには微細な画素（例えば電極間隔が１００〜２００μ
ｍの大きさの画素）にする必要があり、溝１２の幅を大
きくすることができない。溝１２の幅が小さいのに溝１
２の深さを深くしようとすると、溝１２の開口部に欠け
が生じ光漏れの原因になるからである。本発明は上述の
問題点に鑑みなされたもので、微細な画素を形成するよ
うな場合についても、駆動電圧を低くすることのできる
電極を形成する方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による電極形成方
法は、ＰＬＺＴペレットの一面側に第１の溝を形成し、
この第１溝の内壁面に導電膜を固着することによって第
１の電極を形成し、この第１電極の内壁面に補強用の絶
縁体を固着形成し、ついでＰＬＺＴペレットの他面側に
第１溝に連通する第２の溝を形成し、この第２溝の内壁
面に第１電極と電気的に接続する導電膜を固着すること
によって第２の電極を形成し、第１および第２電極を画
素形成用電極としてなることを特徴とするものである。
法は、ＰＬＺＴペレットの一面側に第１の溝を形成し、
この第１溝の内壁面に導電膜を固着することによって第
１の電極を形成し、この第１電極の内壁面に補強用の絶
縁体を固着形成し、ついでＰＬＺＴペレットの他面側に
第１溝に連通する第２の溝を形成し、この第２溝の内壁
面に第１電極と電気的に接続する導電膜を固着すること
によって第２の電極を形成し、第１および第２電極を画
素形成用電極としてなることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】ＰＬＺＴペレットの一面側と他面側から互いに
連通する第１溝と第２溝を形成し、この第１溝と第２溝
の内壁面に電気的に接続する導電膜を固着することによ
って第１電極と第２電極を形成する。この第１電極およ
び第２電極は画素形成用電極を構成する。このため、微
細な画素を形成するために第１溝と第２溝の幅を大きく
することができない場合でも、ＰＬＺＴペレットの一面
側からのみ溝を形成していた従来例と比べて、実質的な
溝の深さを２倍にすることができ、画素形成用電極の面
積を２倍にすることができる。また、第１電極の内壁面
に固着形成された補強用の絶縁体は、第２溝の形成を可
能にしている。
連通する第１溝と第２溝を形成し、この第１溝と第２溝
の内壁面に電気的に接続する導電膜を固着することによ
って第１電極と第２電極を形成する。この第１電極およ
び第２電極は画素形成用電極を構成する。このため、微
細な画素を形成するために第１溝と第２溝の幅を大きく
することができない場合でも、ＰＬＺＴペレットの一面
側からのみ溝を形成していた従来例と比べて、実質的な
溝の深さを２倍にすることができ、画素形成用電極の面
積を２倍にすることができる。また、第１電極の内壁面
に固着形成された補強用の絶縁体は、第２溝の形成を可
能にしている。
【０００７】
【実施例】以下、本発明による電極形成方法の一実施例
を図１から図８までを用いて説明する。 （イ）図１に示すように、ＰＬＺＴペレット１０の一面
側の電極を形成すべき所定個所に、ダイシングソー、レ
ーザー、エッチングなどにより、所定形状（例えば深さ
１００μｍ、幅３０〜４０μｍ）の第１の溝２２、…を
形成する。 （ロ）ついで、図２に示すように、この第１溝２２、…
の内壁面を含むＰＬＺＴペレット１０の一面側の全面に
導電膜２４（例えばＮｉＣｒ）を固着する。
を図１から図８までを用いて説明する。 （イ）図１に示すように、ＰＬＺＴペレット１０の一面
側の電極を形成すべき所定個所に、ダイシングソー、レ
ーザー、エッチングなどにより、所定形状（例えば深さ
１００μｍ、幅３０〜４０μｍ）の第１の溝２２、…を
形成する。 （ロ）ついで、図２に示すように、この第１溝２２、…
の内壁面を含むＰＬＺＴペレット１０の一面側の全面に
導電膜２４（例えばＮｉＣｒ）を固着する。
【０００８】（ハ）ついで、この導電膜２４をフォトリ
ソグラフィ工程でパタ−ニングし、最後のレジスト剥離
工程の手前まで行うことによって、図３に示すように、
第１の電極２６、…及び補強用の絶縁体２８、…が形成
される。すなわち、第１電極２６は第１溝２２の内壁面
および開口部周辺に固着した導電膜２４で形成され、補
強用の絶縁体２８は第１電極２６の内壁面側に充填して
固着されたレジストによって形成される。 （ニ）ついで、ＰＬＺＴペレット１０を裏返し、硬化時
に体積変化のない透明な接着剤（例えばＵＶ硬化型透明
樹脂）３０を用いて、図４に示すように、ガラス板３２
の表面に固着する。
ソグラフィ工程でパタ−ニングし、最後のレジスト剥離
工程の手前まで行うことによって、図３に示すように、
第１の電極２６、…及び補強用の絶縁体２８、…が形成
される。すなわち、第１電極２６は第１溝２２の内壁面
および開口部周辺に固着した導電膜２４で形成され、補
強用の絶縁体２８は第１電極２６の内壁面側に充填して
固着されたレジストによって形成される。 （ニ）ついで、ＰＬＺＴペレット１０を裏返し、硬化時
に体積変化のない透明な接着剤（例えばＵＶ硬化型透明
樹脂）３０を用いて、図４に示すように、ガラス板３２
の表面に固着する。
【０００９】（ホ）ついで、図５に示すように、ＰＬＺ
Ｔペレット１０の他面側の前記第１電極２６、…に対応
した個所に、ダイシングソー、レーザー、エッチングな
どにより、所定形状（例えば深さ１００μｍ、幅３０〜
４０μｍ）の第２の溝３４、…を形成する。この第２溝
３４、…は前記第１溝２２、…に連通し、前記第１電極
２６、…の端部を露出するように形成される。 （ヘ）ついで、後述する電気的接続をよくするために、
レジスト剥離液を用いて絶縁体２８、…の一部を剥離し
、図６に示すように、第１電極２６、…の露出部を多く
する。
Ｔペレット１０の他面側の前記第１電極２６、…に対応
した個所に、ダイシングソー、レーザー、エッチングな
どにより、所定形状（例えば深さ１００μｍ、幅３０〜
４０μｍ）の第２の溝３４、…を形成する。この第２溝
３４、…は前記第１溝２２、…に連通し、前記第１電極
２６、…の端部を露出するように形成される。 （ヘ）ついで、後述する電気的接続をよくするために、
レジスト剥離液を用いて絶縁体２８、…の一部を剥離し
、図６に示すように、第１電極２６、…の露出部を多く
する。
【００１０】（ト）ついで、図７に示すように、第２溝
３４、…の内壁面を含むＰＬＺＴペレット１０の全面に
導電膜３６（例えばＮｉＣｒ）を固着する。 （チ）ついで、この導電膜３６をフォトリソグラフィ工
程でパタ−ニングし、図８に示すように、第２の電極３
８、…が形成される。すなわち、第２電極３８は第２溝
３４の内壁面および開口部周辺に固着した導電膜３６で
形成される。前記第２電極３８、…はそれぞれ第１電極
２６、…の対応する電極と電気的に接続し、画素形成用
電極４０、…を形成している。隣接する画素形成用電極
４０、４０間に駆動電圧を印加することによって、ＰＬ
ＺＴペレット１０内の対応する画素部分に電場が作用し
、この電場の電気力線Ｄの数は従来例より増大する。
３４、…の内壁面を含むＰＬＺＴペレット１０の全面に
導電膜３６（例えばＮｉＣｒ）を固着する。 （チ）ついで、この導電膜３６をフォトリソグラフィ工
程でパタ−ニングし、図８に示すように、第２の電極３
８、…が形成される。すなわち、第２電極３８は第２溝
３４の内壁面および開口部周辺に固着した導電膜３６で
形成される。前記第２電極３８、…はそれぞれ第１電極
２６、…の対応する電極と電気的に接続し、画素形成用
電極４０、…を形成している。隣接する画素形成用電極
４０、４０間に駆動電圧を印加することによって、ＰＬ
ＺＴペレット１０内の対応する画素部分に電場が作用し
、この電場の電気力線Ｄの数は従来例より増大する。
【００１１】
【発明の効果】本発明によるＰＬＺＴライトバルブの電
極形成方法は、上記のように、ＰＬＺＴペレットの一面
側と他面側から互いに連通する第１溝と第２溝を形成し
、この第１溝と第２溝の内壁面に電気的に接続する導電
膜を固着することによって第１電極と第２電極を形成し
、この第１及び第２電極で画素形成用電極を構成するよ
うにしたので、微細な画素を形成するために第１溝と第
２溝の幅を大きくすることができない場合でも、ＰＬＺ
Ｔペレットの一面側からのみ溝を形成していた従来例と
比べて、実質的な溝の深さを２倍にすることができ、画
素形成用電極の面積を２倍にすることができる。このた
め、駆動電圧を従来より低くすることができる。
極形成方法は、上記のように、ＰＬＺＴペレットの一面
側と他面側から互いに連通する第１溝と第２溝を形成し
、この第１溝と第２溝の内壁面に電気的に接続する導電
膜を固着することによって第１電極と第２電極を形成し
、この第１及び第２電極で画素形成用電極を構成するよ
うにしたので、微細な画素を形成するために第１溝と第
２溝の幅を大きくすることができない場合でも、ＰＬＺ
Ｔペレットの一面側からのみ溝を形成していた従来例と
比べて、実質的な溝の深さを２倍にすることができ、画
素形成用電極の面積を２倍にすることができる。このた
め、駆動電圧を従来より低くすることができる。
【図１】ＰＬＺＴペレットの一面側に第１の溝を形成し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図２】第１溝を含むＰＬＺＴペレットの一面側の全面
に導電膜を形成した状態を示す断面図である。
に導電膜を形成した状態を示す断面図である。
【図３】ＰＬＺＴペレットの一面側に第１の電極及び補
強用の絶縁体を形成した状態を示す断面図である。
強用の絶縁体を形成した状態を示す断面図である。
【図４】図３のＰＬＺＴペレットを裏返してガラス板に
固着した状態を示す断面図である。
固着した状態を示す断面図である。
【図５】ＰＬＺＴペレットの他面側に第２の溝を形成し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図６】第１電極の電気的接続部を多くした状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】第２溝を含むＰＬＺＴペレットの他面側の全面
に導電膜を形成した状態を示す断面図である。
に導電膜を形成した状態を示す断面図である。
【図８】ＰＬＺＴペレットの他面側に第２の電極を形成
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
【図９】従来例を示す断面図である。
【図１０】ＰＬＺＴライトバルブの原理的な構成を説明
する斜視図である。
する斜視図である。
１０…ＰＬＺＴペレット
２２…第１溝
２６…第１電極
２８…絶縁体
３４…第２溝
３８…第２電極
４０…画素形成用電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＬＺＴペレットの一面側に第１の溝
を形成し、この第１溝の内壁面に導電膜を固着すること
によって第１の電極を形成し、この第１電極の内壁面に
補強用の絶縁体を固着形成し、前記ＰＬＺＴペレットの
他面側に前記第１溝に連通する第２の溝を形成し、この
第２溝の内壁面に前記第１電極と電気的に接続する導電
膜を固着することによって第２の電極を形成し、前記第
１および第２電極を画素形成用電極としてなることを特
徴とするＰＬＺＴライトバルブの電極形成方法。 - 【請求項２】 第１、第２電極は、第１、第２溝を含
むＰＬＺＴペレットの表面に導電膜を成膜し、この成膜
した導電膜の不要部分をフォトリソグラフィ工程で除去
してなる請求項１記載のＰＬＺＴライトバルブの電極形
成方法。 - 【請求項３】 第１、第２溝は、ダイシングソー、レ
ーザーまたはエッチングによってＰＬＺＴペレットに形
成してなる請求項１または２記載のＰＬＺＴライトバル
ブの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8364791A JPH04294319A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ｐｌｚｔライトバルブの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8364791A JPH04294319A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ｐｌｚｔライトバルブの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294319A true JPH04294319A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13808245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8364791A Pending JPH04294319A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Ｐｌｚｔライトバルブの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294319A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1526400A4 (en) * | 2003-06-10 | 2006-07-05 | Nippon Telegraph & Telephone | ELECTROOPTICAL MODULATION ELEMENT |
| WO2009061579A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
| US8089051B2 (en) | 2010-02-24 | 2012-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Electron reflector with multiple reflective modes |
| US8253119B1 (en) | 2009-07-27 | 2012-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Well-based dynamic pattern generator |
| US8373144B1 (en) | 2010-08-31 | 2013-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Quasi-annular reflective electron patterning device |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP8364791A patent/JPH04294319A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1526400A4 (en) * | 2003-06-10 | 2006-07-05 | Nippon Telegraph & Telephone | ELECTROOPTICAL MODULATION ELEMENT |
| US7433111B2 (en) | 2003-06-10 | 2008-10-07 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic modulation element |
| WO2009061579A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
| US7755061B2 (en) | 2007-11-07 | 2010-07-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
| US8253119B1 (en) | 2009-07-27 | 2012-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Well-based dynamic pattern generator |
| US8089051B2 (en) | 2010-02-24 | 2012-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Electron reflector with multiple reflective modes |
| TWI483281B (zh) * | 2010-02-24 | 2015-05-01 | Kla Tencor Corp | 用於反射電子之方法及裝置 |
| US8373144B1 (en) | 2010-08-31 | 2013-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Quasi-annular reflective electron patterning device |
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