JPH03132717A - Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 - Google Patents
Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造Info
- Publication number
- JPH03132717A JPH03132717A JP27236789A JP27236789A JPH03132717A JP H03132717 A JPH03132717 A JP H03132717A JP 27236789 A JP27236789 A JP 27236789A JP 27236789 A JP27236789 A JP 27236789A JP H03132717 A JPH03132717 A JP H03132717A
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- Japan
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- electrode
- plzt
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- drive electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明はＰＬＺＴ （透明なセラミック）の複屈折を
利用したＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造に係り、更
に詳しくは２次元光シヤツタや平面デイプレイにおける
開口率の向上や隣接シャッタのクロスト一りを軽減する
ＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造に関するものである
。
利用したＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造に係り、更
に詳しくは２次元光シヤツタや平面デイプレイにおける
開口率の向上や隣接シャッタのクロスト一りを軽減する
ＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造に関するものである
。
［従 来 例］
近年、 ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰ
ＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャ
ッタやデイプレイに用いられようとしている。このＰＬ
ＺＴを２次元光シヤツタや平面デイプレイに用いる場合
、例えば第５図および第６図に示す電極構造が採られる
ことになる。
ＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャ
ッタやデイプレイに用いられようとしている。このＰＬ
ＺＴを２次元光シヤツタや平面デイプレイに用いる場合
、例えば第５図および第６図に示す電極構造が採られる
ことになる。
これら図の斜線に示されているように、 ＰＬＺＴ基板
１の上には、櫛型の共通電極（ＧＮＤ電極）２および駆
動電極３が互いの櫛間に入り込むように形成されている
。なお、第６図は上記共通電極２および駆動電極３が表
面電極の場合の例を示しているが、例えば何等かの方法
で溝を形成し、この溝に電極を埋め込んだ溝型電極も考
えられ、さらに駆動電圧の低下が望める。
１の上には、櫛型の共通電極（ＧＮＤ電極）２および駆
動電極３が互いの櫛間に入り込むように形成されている
。なお、第６図は上記共通電極２および駆動電極３が表
面電極の場合の例を示しているが、例えば何等かの方法
で溝を形成し、この溝に電極を埋め込んだ溝型電極も考
えられ、さらに駆動電圧の低下が望める。
すると、共通電極２と駆動電極３との間には光を透過／
遮断する開口部が設けられ、第６図の破線矢印に示され
るように、駆動電極３に信号Ｓを印加すると（電圧を印
加すると）、ＰＬＺＴの基板１内に電界が生じ、この電
界に応じて光が透過／遮断制御される。
遮断する開口部が設けられ、第６図の破線矢印に示され
るように、駆動電極３に信号Ｓを印加すると（電圧を印
加すると）、ＰＬＺＴの基板１内に電界が生じ、この電
界に応じて光が透過／遮断制御される。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記櫛型の電極構造にあっては、駆動電圧の
低下に有効であるが、開口率が低いどう問題点あり、ま
た溝型電極にしようとすると、例えばダイシングカッタ
等の機械加工ではその溝を櫛型に形成することが難しく
、さらに駆動電圧を下げることが困難である。
低下に有効であるが、開口率が低いどう問題点あり、ま
た溝型電極にしようとすると、例えばダイシングカッタ
等の機械加工ではその溝を櫛型に形成することが難しく
、さらに駆動電圧を下げることが困難である。
さらに、第５図に示されているように、櫛型の駆動電極
３の一辺が共通電極２に囲まれていないため、隣接シャ
ッタとの間でクロストークが生じることもあった。
３の一辺が共通電極２に囲まれていないため、隣接シャ
ッタとの間でクロストークが生じることもあった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は櫛型の電極であっても、開口率の向上、駆動電圧の
低下を図ることができ、かつ、クロストークを軽減する
ことができるようにしたＰＬＺＴ表示ディバイスの電極
構造を提供することにある。
的は櫛型の電極であっても、開口率の向上、駆動電圧の
低下を図ることができ、かつ、クロストークを軽減する
ことができるようにしたＰＬＺＴ表示ディバイスの電極
構造を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ表示デ
ィバイスの電極構造は、 ＰＬＺＴを用いた２次元表示
ディバイスの電極構造において、上記ＰＬＺＴの基板上
に櫛型の駆動電極と、この駆動電極を囲むとともに、同
駆動電極の櫛間に入り込む電極部を有する共通電極と形
成し、かつ、上記駆動電極をバンプを介して外部に取り
出すようようにしたことを要旨とする。
ィバイスの電極構造は、 ＰＬＺＴを用いた２次元表示
ディバイスの電極構造において、上記ＰＬＺＴの基板上
に櫛型の駆動電極と、この駆動電極を囲むとともに、同
駆動電極の櫛間に入り込む電極部を有する共通電極と形
成し、かつ、上記駆動電極をバンプを介して外部に取り
出すようようにしたことを要旨とする。
また、上記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状に形成
し、かつ、該共通電極を溝型電極としたものである。
し、かつ、該共通電極を溝型電極としたものである。
［作 用］
上記梼成としたので、上記共通電極は、駆動電極を囲む
とともに、この駆動電極の櫛間に入り込む形になってい
る。そのため、従来の櫛型電極の組合せと比べると、シ
ャッタの開口率が大きくなり、かつ、例えば光シヤツタ
アレーとした場合、隣接シャッタとの間にクロストーク
が発生しない。
とともに、この駆動電極の櫛間に入り込む形になってい
る。そのため、従来の櫛型電極の組合せと比べると、シ
ャッタの開口率が大きくなり、かつ、例えば光シヤツタ
アレーとした場合、隣接シャッタとの間にクロストーク
が発生しない。
また、共通電極のうち、駆動電極を囲む部分が碁盤の目
状としていることから、例えばダイシングカッタ等の機
械加工によりＰＬＺＴの基板に溝を形成し、この溝を電
極（溝型電極）として、駆動電圧をさらに下げることが
可能になる。
状としていることから、例えばダイシングカッタ等の機
械加工によりＰＬＺＴの基板に溝を形成し、この溝を電
極（溝型電極）として、駆動電圧をさらに下げることが
可能になる。
［実 施 例コ
以下、この発明の実施例を第１図乃至第４図に基づいて
説明する。なお１図中、第５図および第６図と同一部分
には同一符号を付し重複説明を省略する。
説明する。なお１図中、第５図および第６図と同一部分
には同一符号を付し重複説明を省略する。
第１図および第２図において、 ）’ＬＺＴの基板１の
上には櫛型の即動電極３を囲み、かつ、駆動電極３の櫛
間に入り込む長方形の電極部４を有する共通型ｉ （Ｇ
ＮＤ） ５が形成されている。すなわち、その電極部４
と共通電極５とにより櫛型の電極が形作られることにな
る。
上には櫛型の即動電極３を囲み、かつ、駆動電極３の櫛
間に入り込む長方形の電極部４を有する共通型ｉ （Ｇ
ＮＤ） ５が形成されている。すなわち、その電極部４
と共通電極５とにより櫛型の電極が形作られることにな
る。
そして、第３図に示されているように、上記電極構造の
ＰＬＺＴ表示ディバイスを２次元光シャッタアレーや平
面デイスプレィに用いる場合、上記共通電極４は碁盤の
目状に形成され、この月内に櫛型の駆動電極３が形成さ
れ、かつ、上記電極部４がその即動電極３の櫛間に形成
される。なお、上記駆動電極３および共通型＄４５は、
従来同様に、スパッタ法等により金属膜を成膜した後、
ホトリソ工程によって形成すればよい。
ＰＬＺＴ表示ディバイスを２次元光シャッタアレーや平
面デイスプレィに用いる場合、上記共通電極４は碁盤の
目状に形成され、この月内に櫛型の駆動電極３が形成さ
れ、かつ、上記電極部４がその即動電極３の櫛間に形成
される。なお、上記駆動電極３および共通型＄４５は、
従来同様に、スパッタ法等により金属膜を成膜した後、
ホトリソ工程によって形成すればよい。
また、上記駆動電極３が共通電極５に囲まれているため
、例えばバンプ技術を用いてその駆動電極３をＰＬＺＴ
の外部に取り出している。つまり、第２図に示されるよ
うに、ガラス基板６上に、ＩＴＯ透明導電膜により配線
パターンを形成するとともに、例えばメツキ技術等によ
り上記駆動電極３と接続するバンプ７を形成する。そし
て、ガラス基板６をＰＬＺＴの基板１に重ね、かつ、そ
れらを透明接着剤８で接着する。これにより、第１図お
よび第３図の二点鎖線の丸部分に示されるように、バン
プ７が駆動電極３に接続するため、駆動電極３はバンプ
７および配線パターンを介して外部に取り出される。
、例えばバンプ技術を用いてその駆動電極３をＰＬＺＴ
の外部に取り出している。つまり、第２図に示されるよ
うに、ガラス基板６上に、ＩＴＯ透明導電膜により配線
パターンを形成するとともに、例えばメツキ技術等によ
り上記駆動電極３と接続するバンプ７を形成する。そし
て、ガラス基板６をＰＬＺＴの基板１に重ね、かつ、そ
れらを透明接着剤８で接着する。これにより、第１図お
よび第３図の二点鎖線の丸部分に示されるように、バン
プ７が駆動電極３に接続するため、駆動電極３はバンプ
７および配線パターンを介して外部に取り出される。
すると、第１図および第３図のＡに示されていように、
開口部を増やすことができ、シャッタの開口率が大きく
なる。また、駆動電極３が共通電極（ＧＮＤ） ５に完
全に囲まれるため、例えばＰＬＺＴ光シャッタアレーと
した場合、隣接シャッタによるクロストークが軽減する
。
開口部を増やすことができ、シャッタの開口率が大きく
なる。また、駆動電極３が共通電極（ＧＮＤ） ５に完
全に囲まれるため、例えばＰＬＺＴ光シャッタアレーと
した場合、隣接シャッタによるクロストークが軽減する
。
第４図はこの発明の変形実施例を示しており、上記共通
電極５が碁盤の目状に形成していることから、電極部４
を除いた共通電極５をダイシングカッタ等により形成し
た溝型電極９とし、また電極３，４をエツチングにより
形成した溝型電極にしている。
電極５が碁盤の目状に形成していることから、電極部４
を除いた共通電極５をダイシングカッタ等により形成し
た溝型電極９とし、また電極３，４をエツチングにより
形成した溝型電極にしている。
この場合、 ＰＬＺＴの基板１の上に、ダイシングカッ
タにより縦横の溝、つまり共通電極５に対応する！ＩＩ
’盤の目の溝を形成し、続いてエツチングにより駆動電
極３およびこの電極に対向する共通電極４の溝を形成す
る。さらに、スパッタ法等を用いて金属膜を成膜した後
、ホトリソ工程によって電極パターンを形成する。この
ように、上記共通電極５を深い溝型電極９とし、例えば
１００μ量から３００μ−の溝を形成し、かつ、上記駆
動電極３および共通電極４を浅い溝型電極としたので、
同図の破線矢印に示されるように、ＰＬＺＴの基板１の
内の電界分布が良好になることから、駆動電圧をさらに
低下することが可能になる。
タにより縦横の溝、つまり共通電極５に対応する！ＩＩ
’盤の目の溝を形成し、続いてエツチングにより駆動電
極３およびこの電極に対向する共通電極４の溝を形成す
る。さらに、スパッタ法等を用いて金属膜を成膜した後
、ホトリソ工程によって電極パターンを形成する。この
ように、上記共通電極５を深い溝型電極９とし、例えば
１００μ量から３００μ−の溝を形成し、かつ、上記駆
動電極３および共通電極４を浅い溝型電極としたので、
同図の破線矢印に示されるように、ＰＬＺＴの基板１の
内の電界分布が良好になることから、駆動電圧をさらに
低下することが可能になる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ表示ディバイ
スの電極構造によれば、ＰＬＺＴの基板上に、櫛型の駆
動電極と、との駆動電極を囲むとともに。
スの電極構造によれば、ＰＬＺＴの基板上に、櫛型の駆
動電極と、との駆動電極を囲むとともに。
同踵動電極の櫛間に入り込む電極部を有する共通電極（
ＧＮＤ）とを形成し、かつ、その駆動電極をバンプを介
して外部に取り出すようにしたので、駆動電極が完全に
共通電極に囲まれることから、開口部を増やして、開口
率の向上を図ることができ。
ＧＮＤ）とを形成し、かつ、その駆動電極をバンプを介
して外部に取り出すようにしたので、駆動電極が完全に
共通電極に囲まれることから、開口部を増やして、開口
率の向上を図ることができ。
かつ、例えば光シヤツタアレーの隣接シャッタにおける
クロストークを軽減することができる。
クロストークを軽減することができる。
また、上記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状にし、
かつ、この共通電極を溝型電極としたので、ＰＬＺＴの
基板の電界分布がさらに良好になり、駆動電圧の低下を
さらに望めるという効果がある。
かつ、この共通電極を溝型電極としたので、ＰＬＺＴの
基板の電界分布がさらに良好になり、駆動電圧の低下を
さらに望めるという効果がある。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示すＰＬＺ
Ｔ表示ディバイスの電極構造の概略的正面図および断面
図、第３図は上記ＰＬＺＴ表示ディバイスを光シヤツタ
アレーに適用した場合の電極構造の概略的正面図、第４
図はこの発明の変形実施例を示すＰＬＺＴ表示ディバイ
スの電極構造の概略的断面図、第５図および第６図は従
来のＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造を示す概略的正
面図および断面図である。 図中、１は）’ＬＺＴの基板、３は駆動電極（櫛型）、
４は電極部、５は共通電極（ＧＮＤ）、６はガラス板（
透明配線パターン）、７はバンプ、８は透明接着剤、９
は溝型電極である。 第１図
Ｔ表示ディバイスの電極構造の概略的正面図および断面
図、第３図は上記ＰＬＺＴ表示ディバイスを光シヤツタ
アレーに適用した場合の電極構造の概略的正面図、第４
図はこの発明の変形実施例を示すＰＬＺＴ表示ディバイ
スの電極構造の概略的断面図、第５図および第６図は従
来のＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造を示す概略的正
面図および断面図である。 図中、１は）’ＬＺＴの基板、３は駆動電極（櫛型）、
４は電極部、５は共通電極（ＧＮＤ）、６はガラス板（
透明配線パターン）、７はバンプ、８は透明接着剤、９
は溝型電極である。 第１図
Claims (2)
- （１）ＰＬＺＴを用いた２次元表示ディバイスの電極構
造において、前記ＰＬＺＴの基板上に櫛型の駆動電極と
、該駆動電極を囲むとともに、同駆動電極の櫛間に入り
込む電極部を有する共通電極と形成し、かつ、前記駆動
電極をバンプを介して外部に取り出すようようにしたこ
とを特徴とするＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造。 - （２）前記駆動電極を囲む共通電極を碁盤の目状に形成
し、かつ、該共通電極を溝型電極とした請求項（１）記
載のＰＬＺＴ表示ディバイスの電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27236789A JPH0693062B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27236789A JPH0693062B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132717A true JPH03132717A (ja) | 1991-06-06 |
| JPH0693062B2 JPH0693062B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=17512899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27236789A Expired - Lifetime JPH0693062B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693062B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012596A1 (en) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for assembling layers with a transfer process using a cross-linkable adhesive layer |
| WO1999040478A1 (en) * | 1998-02-08 | 1999-08-12 | 3Dv Systems Ltd. | Large aperture optical image shutter |
| US6999219B2 (en) | 2001-01-30 | 2006-02-14 | 3Dv Systems, Ltd. | Optical modulator |
-
1989
- 1989-10-19 JP JP27236789A patent/JPH0693062B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012596A1 (en) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for assembling layers with a transfer process using a cross-linkable adhesive layer |
| US5897727A (en) * | 1996-09-20 | 1999-04-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for assembling layers with a transfer process using a crosslinkable adhesive layer |
| WO1999040478A1 (en) * | 1998-02-08 | 1999-08-12 | 3Dv Systems Ltd. | Large aperture optical image shutter |
| US6331911B1 (en) | 1998-02-08 | 2001-12-18 | 3Dv Systems Ltd. | Large aperture optical image shutter |
| US6999219B2 (en) | 2001-01-30 | 2006-02-14 | 3Dv Systems, Ltd. | Optical modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693062B2 (ja) | 1994-11-16 |
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