JPH04294589A - 半導体レーザ型デバイスのへき開面コーティング方法 - Google Patents
半導体レーザ型デバイスのへき開面コーティング方法Info
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- JPH04294589A JPH04294589A JP6006791A JP6006791A JPH04294589A JP H04294589 A JPH04294589 A JP H04294589A JP 6006791 A JP6006791 A JP 6006791A JP 6006791 A JP6006791 A JP 6006791A JP H04294589 A JPH04294589 A JP H04294589A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信,光計測,光記
録や光情報処理等の諸分野において光源,光スイッチや
光増幅器等の光機能デバイスとして用いられる半導体レ
ーザ型デバイスのへき開面コーティング方法に関するも
のである。
録や光情報処理等の諸分野において光源,光スイッチや
光増幅器等の光機能デバイスとして用いられる半導体レ
ーザ型デバイスのへき開面コーティング方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体レーザ型デバイスの高機能
化,高信頼性化を目的として、そのへき開面にSiO2
やAl2 O3 からなる薄膜をコーティングするこ
とが行われている。そのコーティング方法としては、従
来、例えば特開平1−204490号公報に開示された
方法がある。つまり、同方法では半導体レーザ・チップ
・バーをホルダにアレイ状に配置し、まず、一方のへき
開面にコーティングを施す。その後、これら各チップ・
バーをホルダから取り出し、裏返して他方のへき開面を
露出させてホルダに再配置し、他方のへき開面にコーテ
ィングを施していた。
化,高信頼性化を目的として、そのへき開面にSiO2
やAl2 O3 からなる薄膜をコーティングするこ
とが行われている。そのコーティング方法としては、従
来、例えば特開平1−204490号公報に開示された
方法がある。つまり、同方法では半導体レーザ・チップ
・バーをホルダにアレイ状に配置し、まず、一方のへき
開面にコーティングを施す。その後、これら各チップ・
バーをホルダから取り出し、裏返して他方のへき開面を
露出させてホルダに再配置し、他方のへき開面にコーテ
ィングを施していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のコーティング方法には次のような課題が有った。つ
まり、チップ・バーは微小であるため、他方のへき開面
をコーティングする際にチップ・バーをホルダから取り
出し、これを裏返して再度ホルダに固定する作業は困難
であった。また、この作業中にへき開面を傷付けてしま
う可能性が高いため、半導体チップの製造歩留まりを高
めることが出来なかった。また、チップ・バーを並べ直
すためにホルダからチップ・バーを取り出す際には、コ
ーティング装置内を一旦大気圧に戻して作業を行う必要
がある。そして、作業後に再びコーティング装置内の真
空引きを行い、装置内を真空状態に再設定しなおさなけ
ればならなかった。このため、半導体レーザ・チップの
製造時間が長くなっていた。
来のコーティング方法には次のような課題が有った。つ
まり、チップ・バーは微小であるため、他方のへき開面
をコーティングする際にチップ・バーをホルダから取り
出し、これを裏返して再度ホルダに固定する作業は困難
であった。また、この作業中にへき開面を傷付けてしま
う可能性が高いため、半導体チップの製造歩留まりを高
めることが出来なかった。また、チップ・バーを並べ直
すためにホルダからチップ・バーを取り出す際には、コ
ーティング装置内を一旦大気圧に戻して作業を行う必要
がある。そして、作業後に再びコーティング装置内の真
空引きを行い、装置内を真空状態に再設定しなおさなけ
ればならなかった。このため、半導体レーザ・チップの
製造時間が長くなっていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、半導体レーザ型デバ
イスをへき開面を露出させて保持し、デバイスを回転さ
せながらへき開面にコーティング・ガスを照射し、へき
開面に保護膜を形成するものである。
を解消するためになされたもので、半導体レーザ型デバ
イスをへき開面を露出させて保持し、デバイスを回転さ
せながらへき開面にコーティング・ガスを照射し、へき
開面に保護膜を形成するものである。
【0005】また、半導体レーザ型デバイスは、弾性体
により一方の電極面が押圧されて他方の電極面が支持枠
の内壁面に押し付けられて保持されるものである。
により一方の電極面が押圧されて他方の電極面が支持枠
の内壁面に押し付けられて保持されるものである。
【0006】
【作用】デバイスを回転させてへき開面にコーティング
・ガスを照射するため、対向する各へき開面に同時にコ
ーティングが施される。そのため、途中で真空を破らず
に両へき開面のコーティングが可能となり、従来の方法
に比べて製造時間の短縮が期待できる。
・ガスを照射するため、対向する各へき開面に同時にコ
ーティングが施される。そのため、途中で真空を破らず
に両へき開面のコーティングが可能となり、従来の方法
に比べて製造時間の短縮が期待できる。
【0007】また、デバイスを弾性体により支持枠に押
し付けて保持するため、デバイスの着脱が容易に行える
。
し付けて保持するため、デバイスの着脱が容易に行える
。
【0008】
【実施例】次に、本発明の一実施例による半導体レーザ
のへき開面コーティング方法について詳述する。
のへき開面コーティング方法について詳述する。
【0009】図2は本実施例による方法によってコーテ
ィングが施される半導体レーザ・チップ・バー1を示す
斜視図である。チップ・バー1は対向する各電極2a,
2bとこれに挟まれた半導体層3とから構成されている
。このへき開面4a,4bに露出する半導体層3からは
レーザ光が出射される。本方法はこのへき開面4a,4
bに薄膜を形成する方法であり、この薄膜によって各へ
き開面4a,4bは酸化等による劣化から保護され、長
期の信頼性が確保される。また、へき開面の反射率の低
減および増加の設定を行うことが出来る。
ィングが施される半導体レーザ・チップ・バー1を示す
斜視図である。チップ・バー1は対向する各電極2a,
2bとこれに挟まれた半導体層3とから構成されている
。このへき開面4a,4bに露出する半導体層3からは
レーザ光が出射される。本方法はこのへき開面4a,4
bに薄膜を形成する方法であり、この薄膜によって各へ
き開面4a,4bは酸化等による劣化から保護され、長
期の信頼性が確保される。また、へき開面の反射率の低
減および増加の設定を行うことが出来る。
【0010】図3はチップバー固定治具5を示す平面図
である。固定治具5は、中空の支持枠6と、この支持枠
6の内壁面にバネ7a,7bによって押し付けられてい
るスライド板8とから構成されている。また、支持枠6
の図示の上下部には突起部6a,6bが設けられている
。
である。固定治具5は、中空の支持枠6と、この支持枠
6の内壁面にバネ7a,7bによって押し付けられてい
るスライド板8とから構成されている。また、支持枠6
の図示の上下部には突起部6a,6bが設けられている
。
【0011】図4はチップ・バー1が固定治具5に保持
された状態を示す平面図である。すなわち、固定治具5
のスライド板8をバネ7a,7bに抗して移動させ、こ
の移動によって出来た空間に半導体レーザ・チップ・バ
ー1を挟み込んだ状態である。この際、チップ・バー1
は、各へき開面4a,4bが露出するように、一方の電
極2b形成面がスライド板8に当接され、他方の電極2
a形成面が支持枠6の内壁面に押し付けられるように保
持されている。
された状態を示す平面図である。すなわち、固定治具5
のスライド板8をバネ7a,7bに抗して移動させ、こ
の移動によって出来た空間に半導体レーザ・チップ・バ
ー1を挟み込んだ状態である。この際、チップ・バー1
は、各へき開面4a,4bが露出するように、一方の電
極2b形成面がスライド板8に当接され、他方の電極2
a形成面が支持枠6の内壁面に押し付けられるように保
持されている。
【0012】図5はチップ・バー1が保持された複数の
固定治具5を回転ホルダー10に取り付けた状態を示す
平面図である。すなわち、固定治具5の突起部6a,6
bが回転ホルダー10の内壁面に形成された溝に嵌合さ
れ、各固定治具5は回転ホルダー10に固定されている
。この回転ホルダー10の図示の上部には連結部11が
形成されている。なお、同図では3個の固定治具5を回
転ホルダー10に取り付けた場合が描かれているが、取
り付け数は所望数とすることが出来る。
固定治具5を回転ホルダー10に取り付けた状態を示す
平面図である。すなわち、固定治具5の突起部6a,6
bが回転ホルダー10の内壁面に形成された溝に嵌合さ
れ、各固定治具5は回転ホルダー10に固定されている
。この回転ホルダー10の図示の上部には連結部11が
形成されている。なお、同図では3個の固定治具5を回
転ホルダー10に取り付けた場合が描かれているが、取
り付け数は所望数とすることが出来る。
【0013】図1は回転ホルダー10が回転装置にセッ
トされた状態を示す斜視図である。すなわち、回転ホル
ダー10の連結部11はモータ12の回転軸に機械的に
接続されており、モータ12の回転によって回転ホルダ
ー10は図示の矢印のように回転する。
トされた状態を示す斜視図である。すなわち、回転ホル
ダー10の連結部11はモータ12の回転軸に機械的に
接続されており、モータ12の回転によって回転ホルダ
ー10は図示の矢印のように回転する。
【0014】このような構成において、コーティング装
置内を真空状態に設定し、回転ホルダー10を回転させ
ながら、コーティング・ガスを図示の方向から照射する
。回転ホルダー10の回転により、チップ・バー1の各
へき開面4a,4bには交互にコーティング・ガスが照
射される。このため、対向する各へき開面4a,4bに
同時に単層または多層の保護薄膜が形成される。
置内を真空状態に設定し、回転ホルダー10を回転させ
ながら、コーティング・ガスを図示の方向から照射する
。回転ホルダー10の回転により、チップ・バー1の各
へき開面4a,4bには交互にコーティング・ガスが照
射される。このため、対向する各へき開面4a,4bに
同時に単層または多層の保護薄膜が形成される。
【0015】このように本実施例によるコーティング方
法によれば、従来のように、コーティング処理途中にお
いて他方のへき開面を露出させるためにチップ・バーを
外して再配置する必要がなくなる。しかも、コーティン
グ装置内の状態を大気圧に戻して再度真空状態に設定し
なおしたりする必要もなくなる。従って、従来のように
困難な作業を伴うことなく、簡略なプロセスでかつ短時
間で半導体レーザ・チップを製造することが可能になる
。
法によれば、従来のように、コーティング処理途中にお
いて他方のへき開面を露出させるためにチップ・バーを
外して再配置する必要がなくなる。しかも、コーティン
グ装置内の状態を大気圧に戻して再度真空状態に設定し
なおしたりする必要もなくなる。従って、従来のように
困難な作業を伴うことなく、簡略なプロセスでかつ短時
間で半導体レーザ・チップを製造することが可能になる
。
【0016】また、従来の方法では、チップ・バーを静
止した状態でコーティング・ガスを照射していたため、
へき開面に形成される保護膜の均一性は良くなかった。 しかし、本実施例によれば、上述のようにチップ・バー
1を回転させながらコーティング処理を行うため、各へ
き開面4a,4bにおける保護膜の均一牲が向上する。 また、従来の方法においては、微少なチップ・バーをホ
ルダの溝にぴったりと嵌め込むため、チップ・バーの着
脱作業が困難であり、着脱時にへき開面を傷付ける可能
性が高かった。特に、従来の方法では各へき開面のコー
ティング処理最中にもチップ・バーを着脱する必要があ
るため、チップ・バーを傷める確率が高く、製造歩留ま
りが低くなっていた。これに対して、本実施例における
チップ・バー1の着脱は、各固定治具5のスライド板8
を僅かに移動するだけで行える。すなわち、チップ・バ
ー1が微少であっても容易に着脱することが可能であり
、しかも、コーティング処理の最中にチップ・バー1の
着脱の必要がない。このため、本実施例による方法によ
ればチップ・バー1に損傷を与える危険性が減少し、製
造歩留まりは向上する。
止した状態でコーティング・ガスを照射していたため、
へき開面に形成される保護膜の均一性は良くなかった。 しかし、本実施例によれば、上述のようにチップ・バー
1を回転させながらコーティング処理を行うため、各へ
き開面4a,4bにおける保護膜の均一牲が向上する。 また、従来の方法においては、微少なチップ・バーをホ
ルダの溝にぴったりと嵌め込むため、チップ・バーの着
脱作業が困難であり、着脱時にへき開面を傷付ける可能
性が高かった。特に、従来の方法では各へき開面のコー
ティング処理最中にもチップ・バーを着脱する必要があ
るため、チップ・バーを傷める確率が高く、製造歩留ま
りが低くなっていた。これに対して、本実施例における
チップ・バー1の着脱は、各固定治具5のスライド板8
を僅かに移動するだけで行える。すなわち、チップ・バ
ー1が微少であっても容易に着脱することが可能であり
、しかも、コーティング処理の最中にチップ・バー1の
着脱の必要がない。このため、本実施例による方法によ
ればチップ・バー1に損傷を与える危険性が減少し、製
造歩留まりは向上する。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
バイスを回転させてへき開面にコーティング・ガスを照
射するため、対向する各へき開面に同時にコーティング
が施される。また、デバイスを弾性体により支持枠に押
し付けて保持するため、デバイスの着脱が容易に行える
。
バイスを回転させてへき開面にコーティング・ガスを照
射するため、対向する各へき開面に同時にコーティング
が施される。また、デバイスを弾性体により支持枠に押
し付けて保持するため、デバイスの着脱が容易に行える
。
【0018】このため、簡略なプロセスでかつ短時間に
半導体レーザ型デバイスのへき開面にコーティング処理
を行えるようになる。しかも、デバイスの製造歩留まり
は向上する。
半導体レーザ型デバイスのへき開面にコーティング処理
を行えるようになる。しかも、デバイスの製造歩留まり
は向上する。
【図1】本発明の一実施例による半導体レーザ型デバイ
スのへき開面コーティング方法を示す斜視図である。
スのへき開面コーティング方法を示す斜視図である。
【図2】本実施例においてへき開面のコーティング対象
になる半導体レーザ・チップ・バーを示す斜視図である
。
になる半導体レーザ・チップ・バーを示す斜視図である
。
【図3】半導体レーザ・チップ・バーを保持する固定治
具を示す平面図である。
具を示す平面図である。
【図4】固定治具に半導体レーザ・チップ・バーが保持
された状態を示す平面図である。
された状態を示す平面図である。
【図5】複数の固定治具がセットされた回転ホルダーを
示す平面図である。
示す平面図である。
1…半導体レーザ・チップ・バー
2a,2b…電極
3…半導体層
4a,4b…へき開面
5…固定治具
6…支持枠
6a,6b…突起部
7a,7b…バネ
8…スライド板
10…回転ホルダ
11…連結部
12…モータ
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体レーザ型デバイスをへき開面を
露出させて保持し、前記デバイスを回転させながら前記
へき開面にコーティング・ガスを照射し、前記へき開面
に保護膜を形成することを特徴とする半導体レーザ型デ
バイスのへき開面コーティング方法。 - 【請求項2】 半導体レーザ型デバイスは、弾性体に
より一方の電極面が押圧されて他方の電極面が支持枠の
内壁面に押し付けられて保持されていることを特徴とす
る請求項1記載の半導体レーザ型デバイスのへき開面コ
ーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006791A JPH04294589A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型デバイスのへき開面コーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006791A JPH04294589A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型デバイスのへき開面コーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294589A true JPH04294589A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13131375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006791A Pending JPH04294589A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型デバイスのへき開面コーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294589A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1003940C2 (nl) * | 1995-09-08 | 1998-03-04 | Sharp Kk | Werkwijze en apparaat voor het vervaardigen van een halfgeleider laserinrichting. |
| EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
| CN103990617A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 苏州倍辰莱电子科技有限公司 | 一种pcb板夹持吹气治具 |
| CN106025790A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-12 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种半导体激光器腔面镀膜夹具装配结构及其装配方法 |
| CN112687594A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-04-20 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 | 半导体器件解理装置及解理方法 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6006791A patent/JPH04294589A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1003940C2 (nl) * | 1995-09-08 | 1998-03-04 | Sharp Kk | Werkwijze en apparaat voor het vervaardigen van een halfgeleider laserinrichting. |
| EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
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| CN106025790A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-12 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种半导体激光器腔面镀膜夹具装配结构及其装配方法 |
| CN106025790B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-02-25 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种半导体激光器腔面镀膜夹具装配结构及其装配方法 |
| CN112687594A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-04-20 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 | 半导体器件解理装置及解理方法 |
| CN112687594B (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-18 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 | 半导体器件解理装置及解理方法 |
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