JPH04295100A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPH04295100A JPH04295100A JP8294891A JP8294891A JPH04295100A JP H04295100 A JPH04295100 A JP H04295100A JP 8294891 A JP8294891 A JP 8294891A JP 8294891 A JP8294891 A JP 8294891A JP H04295100 A JPH04295100 A JP H04295100A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，工業的量産が可能な高
品質（双晶フリー）半磁性半導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ）及びＣｄＴｅ，Ｚ
ｎＳｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶を製造する
方法に関する。
品質（双晶フリー）半磁性半導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ）及びＣｄＴｅ，Ｚ
ｎＳｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶を製造する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，この種の単結晶は次の２種の方法
により製造されている。その１つは，図４（ａ）に概略
的に示された製造装置を用いている。Ｃｄ１−Ｘ Ｍｎ
Ｘ Ｔｅ及びＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ等の単結晶の製
造方法で，特に，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅの単結
晶の育成する場合について説明する。結晶原料（例えば
Ｃｄ，Ｍｎ，Ｔｅ）を組成比に応じて透明石英管のアン
プルに真空封入（真空度≦１×１０−５Ｔｏｒｒ）して
，石英るつぼ５３とする。石英るつぼ５３の中に予め真
空封入してある結晶原料５６をブリッジマン炉等の電気
炉５１の図４（ｂ）で示すような温度分布を利用して（
融点，約１０５０℃）溶解し，その後，石英るつぼ５３
を電気炉５１の上方に配置されたるつぼ昇降機構を用い
て３〜７（ｍｍ／ ｈｒ）速度で降下させて，石英るつ
ぼ５３の下端より順次結晶成長を行わせ，その後，除冷
することで単結晶５５を得る。得られる単結晶は融点（
＝約１０５０℃）から相変態点（＝約８５０℃）までは
ウルツ鉱型構造となり，相変態点（＝約８５０℃）以下
の温度では，せん亜鉛鉱型構造となる。尚，図４（ｂ）
中，Ｈは結晶を溶融できる温度領域を示している。この
製造方法を採用すると必ず結晶成長過程で相変態点を通
過する。双晶の要因としては，相変態点を通過する際に
，全てせん亜鉛鉱型構造に遷移すれば問題ないが，一部
ウルツ鉱型構造が残存する点が双晶となると考えられ，
相変態点近傍を通過する際の存在する結晶容器や温度条
件によって発生する歪みが双晶を発生するものと推定さ
れる。すなわち，この結晶成長方法を採用する限り双晶
を発生させるものと推定される。
により製造されている。その１つは，図４（ａ）に概略
的に示された製造装置を用いている。Ｃｄ１−Ｘ Ｍｎ
Ｘ Ｔｅ及びＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ等の単結晶の製
造方法で，特に，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅの単結
晶の育成する場合について説明する。結晶原料（例えば
Ｃｄ，Ｍｎ，Ｔｅ）を組成比に応じて透明石英管のアン
プルに真空封入（真空度≦１×１０−５Ｔｏｒｒ）して
，石英るつぼ５３とする。石英るつぼ５３の中に予め真
空封入してある結晶原料５６をブリッジマン炉等の電気
炉５１の図４（ｂ）で示すような温度分布を利用して（
融点，約１０５０℃）溶解し，その後，石英るつぼ５３
を電気炉５１の上方に配置されたるつぼ昇降機構を用い
て３〜７（ｍｍ／ ｈｒ）速度で降下させて，石英るつ
ぼ５３の下端より順次結晶成長を行わせ，その後，除冷
することで単結晶５５を得る。得られる単結晶は融点（
＝約１０５０℃）から相変態点（＝約８５０℃）までは
ウルツ鉱型構造となり，相変態点（＝約８５０℃）以下
の温度では，せん亜鉛鉱型構造となる。尚，図４（ｂ）
中，Ｈは結晶を溶融できる温度領域を示している。この
製造方法を採用すると必ず結晶成長過程で相変態点を通
過する。双晶の要因としては，相変態点を通過する際に
，全てせん亜鉛鉱型構造に遷移すれば問題ないが，一部
ウルツ鉱型構造が残存する点が双晶となると考えられ，
相変態点近傍を通過する際の存在する結晶容器や温度条
件によって発生する歪みが双晶を発生するものと推定さ
れる。すなわち，この結晶成長方法を採用する限り双晶
を発生させるものと推定される。
【０００３】一方，従来の他の製造方法は，図５（ａ）
に概略的に示された製造装置を用いている。この装置を
用いて，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅ単結晶を育成し
た場合について説明する。石英るつぼ５３に溶剤Ｔｅ５
６と固体結晶原料（ＣｄＭｎＴｅ焼結ロッド）５７´を
所定の関係になるように真空（真空度≦１×１０−５Ｔ
ｏｒｒ）封止した入れる。その後，ＴＨＭ炉（図５（ａ
））にて溶融（融点：約８００℃）した後に石英るつぼ
５３を１〜５（ｍｍ／ ｄａｙ ）で降下させて，石英
るつぼ５３の下端より順次単結晶５５の成長を行わせる
ものである。結晶は，融点（＝８００℃）では，相変態
点（＝約８５０℃）以下なので，せん亜鉛鉱型構造とな
る。この場合は，結晶成長過程で相変態点を通過するこ
とがないので，双晶が発生することがない。しかし，育
成プロセスにおいて，固体結晶原料（ＣｄＭｎＴｅ焼結
ロッド）５７´を溶剤５６に溶かしながら結晶を作製す
るので，固液界面に熱的変化（メルト内に連続的温度変
動を与える）が起こり，結晶成長面全体を単結晶化する
のが困難であった（低融点の育成プロセスにおいては，
物質輸送・対流の状態が異なり極めて敏感に影響を受け
る）。また，育成速度が極めて遅い（１．０〜５．０ｍ
ｍ／ ｄａｙ ）ため，工業的量産技術として発展して
いなかった。
に概略的に示された製造装置を用いている。この装置を
用いて，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅ単結晶を育成し
た場合について説明する。石英るつぼ５３に溶剤Ｔｅ５
６と固体結晶原料（ＣｄＭｎＴｅ焼結ロッド）５７´を
所定の関係になるように真空（真空度≦１×１０−５Ｔ
ｏｒｒ）封止した入れる。その後，ＴＨＭ炉（図５（ａ
））にて溶融（融点：約８００℃）した後に石英るつぼ
５３を１〜５（ｍｍ／ ｄａｙ ）で降下させて，石英
るつぼ５３の下端より順次単結晶５５の成長を行わせる
ものである。結晶は，融点（＝８００℃）では，相変態
点（＝約８５０℃）以下なので，せん亜鉛鉱型構造とな
る。この場合は，結晶成長過程で相変態点を通過するこ
とがないので，双晶が発生することがない。しかし，育
成プロセスにおいて，固体結晶原料（ＣｄＭｎＴｅ焼結
ロッド）５７´を溶剤５６に溶かしながら結晶を作製す
るので，固液界面に熱的変化（メルト内に連続的温度変
動を与える）が起こり，結晶成長面全体を単結晶化する
のが困難であった（低融点の育成プロセスにおいては，
物質輸送・対流の状態が異なり極めて敏感に影響を受け
る）。また，育成速度が極めて遅い（１．０〜５．０ｍ
ｍ／ ｄａｙ ）ため，工業的量産技術として発展して
いなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の前者の製造方法
を用いてＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ及びＣｄ１−Ｘ Ｍ
ｎＸ Ｔｅ及びＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を製造した場合に，工業的には向くけれども，その結晶
性に問題，例えば，双晶に成り易い等があった。特に，
Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ単結晶の場合には，その結晶
性が短波長用光アイソレータ等のデバイスに使用できる
かどうかを左右する。 つまり，デバイス側の要求する物性を十分に満足する高
品質単結晶を作製することが大きな課題になっている。 しかしながら，双晶を有する材料を用いて半磁性半導体
のデバイスを作製した場合には，品質不良として全く使
用できない欠点があった。
を用いてＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ及びＣｄ１−Ｘ Ｍ
ｎＸ Ｔｅ及びＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を製造した場合に，工業的には向くけれども，その結晶
性に問題，例えば，双晶に成り易い等があった。特に，
Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ単結晶の場合には，その結晶
性が短波長用光アイソレータ等のデバイスに使用できる
かどうかを左右する。 つまり，デバイス側の要求する物性を十分に満足する高
品質単結晶を作製することが大きな課題になっている。 しかしながら，双晶を有する材料を用いて半磁性半導体
のデバイスを作製した場合には，品質不良として全く使
用できない欠点があった。
【０００５】一方，後者の製造方法を用いてＣｄ１−Ｘ
ＭｎＸ Ｓｅ及びＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ及びＣｄ
Ｔｅ等のＩＩ−ＶＩＩ 族化合物半導体単結晶を製造し
た場合には，双晶になり易い等の結晶性の問題を解決す
ることが可能である。即ち，具体的には，半磁性半導体
（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓ
ｅ）を従来のブリッジマン法を用いて作製した場合には
，融点が相変態点以上にあるので凝固する際に，必ずウ
ルツ鉱型構造からせん亜鉛鉱型構造に変化する相変態点
を通過する。その際に残存する歪みが双晶の要因である
と考えられている（例えば，Ｒ． ＴＲＩＢＯＵＲＥＴ
ｅｔ ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｉｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ １０１ （１９９０） １３１−１３
４）。 しかし，後者の従来の製造方法においては，
相変態点より高い温度から凝固する過程で相変態点を通
過する際に，すべてせん亜鉛鉱型構造に遷移すれば問題
ないが，一部ウルツ鉱型からせん亜鉛鉱型構造に変化す
る相変態点より低い温度から凝固させるので双晶を回避
させることが可能となる。しかし，量産技術という点か
らは，育成日数がかかるので問題となっている。
ＭｎＸ Ｓｅ及びＣｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ及びＣｄ
Ｔｅ等のＩＩ−ＶＩＩ 族化合物半導体単結晶を製造し
た場合には，双晶になり易い等の結晶性の問題を解決す
ることが可能である。即ち，具体的には，半磁性半導体
（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓ
ｅ）を従来のブリッジマン法を用いて作製した場合には
，融点が相変態点以上にあるので凝固する際に，必ずウ
ルツ鉱型構造からせん亜鉛鉱型構造に変化する相変態点
を通過する。その際に残存する歪みが双晶の要因である
と考えられている（例えば，Ｒ． ＴＲＩＢＯＵＲＥＴ
ｅｔ ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｉｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ １０１ （１９９０） １３１−１３
４）。 しかし，後者の従来の製造方法においては，
相変態点より高い温度から凝固する過程で相変態点を通
過する際に，すべてせん亜鉛鉱型構造に遷移すれば問題
ないが，一部ウルツ鉱型からせん亜鉛鉱型構造に変化す
る相変態点より低い温度から凝固させるので双晶を回避
させることが可能となる。しかし，量産技術という点か
らは，育成日数がかかるので問題となっている。
【０００６】そこで，本発明の技術的課題は，半磁性半
導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｔｅ）及びＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩＩ 族化合物半導
体の高品質単結晶を量産することができる単結晶の製造
方法を提供することにある。
導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｔｅ）及びＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩＩ 族化合物半導
体の高品質単結晶を量産することができる単結晶の製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，半磁性
半導体（Ｃｄ１−ＸＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｓｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶を製造す
る方法において，ブリッジマン法を用いて単結晶ロッド
を作製した後に，双晶を除去するために，当該単結晶ロ
ッドを構成する物質の相変態点以上の温度にて，熱間静
水圧プレス（ＨＯＴＩＳＯＳＴＡＴＩＣＰＲＥＳＳ ，
以下ＨＩＰと呼ぶ） 処理することを特徴とする単結晶
の製造方法が得られる。本発明によれば，前記単結晶の
製造方法において，前記熱間静水圧プレス処理する際に
，単結晶ロッドを同一組成の粉体で覆うことを特徴とす
る単結晶の製造方法が得られる。 本発明によれば，前記単結晶の製造方法において，前記
熱間静水圧プレス処理する際に，雰囲気条件をＡｒガス
中，圧力条件を５００〜１２００ｋｇ／ ｃｍ２ ，温
度を８８０〜９８０℃とすることを特徴とする単結晶の
製造方法が得られる。
半導体（Ｃｄ１−ＸＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ
Ｓｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶を製造す
る方法において，ブリッジマン法を用いて単結晶ロッド
を作製した後に，双晶を除去するために，当該単結晶ロ
ッドを構成する物質の相変態点以上の温度にて，熱間静
水圧プレス（ＨＯＴＩＳＯＳＴＡＴＩＣＰＲＥＳＳ ，
以下ＨＩＰと呼ぶ） 処理することを特徴とする単結晶
の製造方法が得られる。本発明によれば，前記単結晶の
製造方法において，前記熱間静水圧プレス処理する際に
，単結晶ロッドを同一組成の粉体で覆うことを特徴とす
る単結晶の製造方法が得られる。 本発明によれば，前記単結晶の製造方法において，前記
熱間静水圧プレス処理する際に，雰囲気条件をＡｒガス
中，圧力条件を５００〜１２００ｋｇ／ ｃｍ２ ，温
度を８８０〜９８０℃とすることを特徴とする単結晶の
製造方法が得られる。
【０００８】
【作用】本発明においては，一旦ブリッジマン法で作製
した単結晶ロッドを相変態点以上の温度でＨＩＰ処理を
行い，外圧がかかった状態で，相変態点を通過させるこ
とにより全てせん亜鉛鉱型構造に遷移させることにより
，半磁性半導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−
Ｘ ＭｎＸＴｅ）高品質単結晶の量産が可能となる。
した単結晶ロッドを相変態点以上の温度でＨＩＰ処理を
行い，外圧がかかった状態で，相変態点を通過させるこ
とにより全てせん亜鉛鉱型構造に遷移させることにより
，半磁性半導体（Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ，Ｃｄ１−
Ｘ ＭｎＸＴｅ）高品質単結晶の量産が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例について，図面を参照
して説明する。図１は本発明の実施例に係る単結晶の製
造方法を示す図で，図２は図１の製造方法におけるＨＩ
Ｐ装置の構成を示す図である。本発明の実施例に係る単
結晶の製造方法として，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅ
単結晶を育成した場合について説明する。図１に示すよ
うに，従来の技術でのべた製造方法を用いて双晶入りの
ＣｄＭｎＴｅ単結晶を育成し，その後，ＣｄＭｎＴｅ単
結晶体を取り出す。次に，図２に示したＨＩＰ装置の所
定の位置に置く。ＣｄＭｎＴｅ単結晶体１２は，同一組
成の溶融ＣｄＭｎＴｅ焼結粉１１に埋没させて，耐火性
を有するるつぼ８に充填し，支持台１３上に載置してあ
る。また，この炉内のるつぼ周囲には，加熱用の加熱ヒ
ータ１４が配置されている。この状態で温度及び圧力を
所定温度で上昇させる。温度が８８０〜９８０℃の範囲
で，３０分以上保持した後に，装置の能力範囲で急冷す
る。また，炉上方の導入口から雰囲気ガスとしてＡｒガ
ス１０を導入する。この製造工程は，双晶入りのＣｄＭ
ｎＴｅ単結晶を相変態点以上の温度に上げて，圧力をか
けた状態で相変態点を通過させる。以上の製造方法によ
って得られた試料■〜■の結晶性試験結果を表１及び図
３に示す。また，比較の為に，従来法により作製した試
料■の結晶性試験結果を付記した。尚，図３中の○△×
は表１中の評価に対応している。
して説明する。図１は本発明の実施例に係る単結晶の製
造方法を示す図で，図２は図１の製造方法におけるＨＩ
Ｐ装置の構成を示す図である。本発明の実施例に係る単
結晶の製造方法として，Ｃｄ０．５ Ｍｎ０．５ Ｔｅ
単結晶を育成した場合について説明する。図１に示すよ
うに，従来の技術でのべた製造方法を用いて双晶入りの
ＣｄＭｎＴｅ単結晶を育成し，その後，ＣｄＭｎＴｅ単
結晶体を取り出す。次に，図２に示したＨＩＰ装置の所
定の位置に置く。ＣｄＭｎＴｅ単結晶体１２は，同一組
成の溶融ＣｄＭｎＴｅ焼結粉１１に埋没させて，耐火性
を有するるつぼ８に充填し，支持台１３上に載置してあ
る。また，この炉内のるつぼ周囲には，加熱用の加熱ヒ
ータ１４が配置されている。この状態で温度及び圧力を
所定温度で上昇させる。温度が８８０〜９８０℃の範囲
で，３０分以上保持した後に，装置の能力範囲で急冷す
る。また，炉上方の導入口から雰囲気ガスとしてＡｒガ
ス１０を導入する。この製造工程は，双晶入りのＣｄＭ
ｎＴｅ単結晶を相変態点以上の温度に上げて，圧力をか
けた状態で相変態点を通過させる。以上の製造方法によ
って得られた試料■〜■の結晶性試験結果を表１及び図
３に示す。また，比較の為に，従来法により作製した試
料■の結晶性試験結果を付記した。尚，図３中の○△×
は表１中の評価に対応している。
【００１０】表１及び図３から，相変態点以上の温度で
かつ溶融しない温度は，８８０〜９８０℃の範囲が好ま
しいことが判る。一方，圧力≦５００ｋｇ／ ｃｍ２
では，ＣｄＭｎＴｅ単結晶の昇華が起こりやすくなり，
結晶内部にボイド等の欠陥が発生し，光学特性が大幅に
劣化し，圧力≧１２００ｋｇ／ ｃｍ２ では，ストレ
スが強すぎてＣｄＭｎＴｅにクラック等の歪みが入るの
で，圧力は５００〜１２００ｋｇ／ ｃｍ２ の範囲に
あることが好ましい。本発明者らは，双晶の要因を相変
態点を通過する際に，全てせん亜鉛鉱型構造に遷移すれ
ば問題ないが，一部ウルツ鉱型構造が残存する点が双晶
となると考えている。即ち，本発明の単結晶の製造方法
は，相変態点を通過する際に発生する潜熱の影響の結果
である熱歪みが単結晶成長を阻害するのを，等方的な圧
力を加えることで阻止することにより，双晶を低減する
ことができる。以上，本発明の実施例に係る単結晶の製
造方法を採用した結果として，結晶性の問題（双晶）が
解決し，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ及びＣｄ１−Ｘ Ｍ
ｎＸ Ｓｅ等の高品質の量産が可能となった。
かつ溶融しない温度は，８８０〜９８０℃の範囲が好ま
しいことが判る。一方，圧力≦５００ｋｇ／ ｃｍ２
では，ＣｄＭｎＴｅ単結晶の昇華が起こりやすくなり，
結晶内部にボイド等の欠陥が発生し，光学特性が大幅に
劣化し，圧力≧１２００ｋｇ／ ｃｍ２ では，ストレ
スが強すぎてＣｄＭｎＴｅにクラック等の歪みが入るの
で，圧力は５００〜１２００ｋｇ／ ｃｍ２ の範囲に
あることが好ましい。本発明者らは，双晶の要因を相変
態点を通過する際に，全てせん亜鉛鉱型構造に遷移すれ
ば問題ないが，一部ウルツ鉱型構造が残存する点が双晶
となると考えている。即ち，本発明の単結晶の製造方法
は，相変態点を通過する際に発生する潜熱の影響の結果
である熱歪みが単結晶成長を阻害するのを，等方的な圧
力を加えることで阻止することにより，双晶を低減する
ことができる。以上，本発明の実施例に係る単結晶の製
造方法を採用した結果として，結晶性の問題（双晶）が
解決し，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｔｅ及びＣｄ１−Ｘ Ｍ
ｎＸ Ｓｅ等の高品質の量産が可能となった。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明はブリッジ
マン法により単結晶ロッドを作製し，その単結晶ロッド
を相変態点以上の温度で，ＨＩＰ処理を行うことにより
，高品質の単結晶の量産が可能な単結晶の製造方法を提
供することができる。
マン法により単結晶ロッドを作製し，その単結晶ロッド
を相変態点以上の温度で，ＨＩＰ処理を行うことにより
，高品質の単結晶の量産が可能な単結晶の製造方法を提
供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る単結晶の製造方法を示す
図である。
図である。
【図２】図１の製造方法におけるＨＩＰ装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の実施例に係るＨＩＰ装置の圧力と温度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図４】（ａ）は従来の単結晶製造装置の一例を示す図
である。 （ｂ）は（ａ）の単結晶製造装置の炉内温度分布を示す
図である。
である。 （ｂ）は（ａ）の単結晶製造装置の炉内温度分布を示す
図である。
【図５】（ａ）は従来の単結晶製造装置の他の例を示す
図である。 （ｂ）は（ａ）の単結晶製造装置の炉内温度分布を示す
図である。
図である。 （ｂ）は（ａ）の単結晶製造装置の炉内温度分布を示す
図である。
１ 石英るつぼに真空封入する工程
２ ブリッジマン法で結晶育成する工程３ ＨＩＰ
処理工程 ８ るつぼ ９ 断熱層 １０ ガス １１ ＣｄＭｎＴｅ焼結粉 １２ 双晶有りのＣｄＭｎＴｅ単結晶１３ 支持台 １４ ヒータ ５１ 電気炉 ５２ るつぼ昇降機構 ５３ 石英るつぼ ５４ メルト ５４´ メルト ５５ 単結晶 ５６ 原料 ５６´ 原料 ５７´ 固体結晶原料
処理工程 ８ るつぼ ９ 断熱層 １０ ガス １１ ＣｄＭｎＴｅ焼結粉 １２ 双晶有りのＣｄＭｎＴｅ単結晶１３ 支持台 １４ ヒータ ５１ 電気炉 ５２ るつぼ昇降機構 ５３ 石英るつぼ ５４ メルト ５４´ メルト ５５ 単結晶 ５６ 原料 ５６´ 原料 ５７´ 固体結晶原料
Claims (3)
- 【請求項１】 半磁性半導体（Ｃｄ１−Ｘ Ｍｎｘ
Ｔｅ，Ｃｄ１−Ｘ ＭｎＸ Ｓｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体単結晶を製造する方法において，ブリッジマ
ン法を用いて単結晶ロッドを作製した後に，双晶を除去
するために，当該単結晶ロッドを構成する物質の相変態
点以上の温度にて熱間静水圧プレス処理することを特徴
とする単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の単結晶の製造方法において
，前記熱間静水圧プレス処理する際に，前記単結晶ロッ
ドを同一組成の粉体で覆うことを特徴とする単結晶の製
造方法。 - 【請求項３】 請求項２の単結晶の製造方法において
，前記熱間静水圧プレス処理する際に，雰囲気条件をＡ
ｒガス中で，圧力を５００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２ ，
温度を８８０〜９８０℃とすることを特徴とする単結晶
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294891A JP2969385B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294891A JP2969385B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295100A true JPH04295100A (ja) | 1992-10-20 |
| JP2969385B2 JP2969385B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=13788444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294891A Expired - Fee Related JP2969385B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2969385B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995017538A1 (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-29 | Tokin Corporation | Magneto-optical device and method for production thereof |
| WO2000018990A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Procede d'elimination des defauts d'un materiau monocristallin et materiau monocristallin dont les defauts sont elimines par ce procede |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP8294891A patent/JP2969385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995017538A1 (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-29 | Tokin Corporation | Magneto-optical device and method for production thereof |
| WO2000018990A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Procede d'elimination des defauts d'un materiau monocristallin et materiau monocristallin dont les defauts sont elimines par ce procede |
| US6447600B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-09-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method of removing defects of single crystal material and single crystal material from which defects are removed by the method |
| KR100423016B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2004-03-12 | 미쯔비시 마테리알 실리콘 가부시끼가이샤 | 단결정체의 결함 제거 방법 및 그 방법으로 결함 제거된단결정체 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2969385B2 (ja) | 1999-11-02 |
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