JPH0429534Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0429534Y2 JPH0429534Y2 JP16718886U JP16718886U JPH0429534Y2 JP H0429534 Y2 JPH0429534 Y2 JP H0429534Y2 JP 16718886 U JP16718886 U JP 16718886U JP 16718886 U JP16718886 U JP 16718886U JP H0429534 Y2 JPH0429534 Y2 JP H0429534Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic flux
- leakage magnetic
- transformer
- prevention structure
- transformers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、トランス漏洩磁束により発生する誘
導ハムを防止するようにしたトランス漏洩磁束防
止構造に関する。
導ハムを防止するようにしたトランス漏洩磁束防
止構造に関する。
［従来の技術］
一般にアンプ等のオーデイオ機器に用いられて
いる電源トランスからは漏洩磁束が発生するが、
特に微小信号を増幅する高感度アンプにおいては
この漏洩磁束の存在を無視することができず、漏
洩磁束によつて発生する誘導ハムの影響を受けて
増幅特性が劣化する等の不都合が生ずる。第３図
は漏洩磁束の発生原理を示すもので、シヤーシ１
上に配置されている電源トランス２からは加えら
れた交流電源によつて、ある瞬間には図示するよ
うにシヤーシ１の表面に沿つた漏洩磁束φA及び
裏面に沿つた漏洩磁束φA′が発生する。これら漏
洩磁束φA，φA′の経路上に例えばコイル３等が配
置されているとすると、このコイル３はそれら漏
洩磁束と鎖交することによつて起電力ｅが誘起さ
れるので、これが誘導ハムの原因となる。
いる電源トランスからは漏洩磁束が発生するが、
特に微小信号を増幅する高感度アンプにおいては
この漏洩磁束の存在を無視することができず、漏
洩磁束によつて発生する誘導ハムの影響を受けて
増幅特性が劣化する等の不都合が生ずる。第３図
は漏洩磁束の発生原理を示すもので、シヤーシ１
上に配置されている電源トランス２からは加えら
れた交流電源によつて、ある瞬間には図示するよ
うにシヤーシ１の表面に沿つた漏洩磁束φA及び
裏面に沿つた漏洩磁束φA′が発生する。これら漏
洩磁束φA，φA′の経路上に例えばコイル３等が配
置されているとすると、このコイル３はそれら漏
洩磁束と鎖交することによつて起電力ｅが誘起さ
れるので、これが誘導ハムの原因となる。
この誘導ハムを防止するために従来において
は、鋼板ケースによつて電源トランス及び影響を
受ける部品をシールドすることが行われている。
又は鋼板のシヨートリングやハムフルベルト等を
用いて磁気遮蔽が行われている。
は、鋼板ケースによつて電源トランス及び影響を
受ける部品をシールドすることが行われている。
又は鋼板のシヨートリングやハムフルベルト等を
用いて磁気遮蔽が行われている。
［考案が解決しようとする問題点］
ところで鋼板ケースを用いてシールドを行う場
合、コストアツプとなるだけでなく鋼板ケースが
信号電流に悪影響を与えて歪発生の原因となり、
また高さ寸法が大きくなるという問題がある。一
方、シヨートリング等を用いる場合は十分な効果
が得られないという問題がある。
合、コストアツプとなるだけでなく鋼板ケースが
信号電流に悪影響を与えて歪発生の原因となり、
また高さ寸法が大きくなるという問題がある。一
方、シヨートリング等を用いる場合は十分な効果
が得られないという問題がある。
本考案は以上のような問題に対処してなされた
もので、簡単に誘導ハムを防止できるトランス漏
洩磁束防止構造を提供することを目的とするもの
である。
もので、簡単に誘導ハムを防止できるトランス漏
洩磁束防止構造を提供することを目的とするもの
である。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するために本考案は、トランス
の漏洩磁束により発生する誘導ハムを防止するよ
うにしたトランス漏洩磁束防止構造において、互
いに逆方向に磁束を発生する第１及び第２のトラ
ンスを近接して配置し、第１及び第２のトランス
の発生する漏洩磁束を打ち消すようにしたことを
特徴としている。
の漏洩磁束により発生する誘導ハムを防止するよ
うにしたトランス漏洩磁束防止構造において、互
いに逆方向に磁束を発生する第１及び第２のトラ
ンスを近接して配置し、第１及び第２のトランス
の発生する漏洩磁束を打ち消すようにしたことを
特徴としている。
［作用］
第１及び第２のトランスが互いに逆方向に磁束
を発生するため、漏洩磁束は互いに打ち消され
る。従つて鋼板ケースによるシールド等の手段を
施すことなく簡単に誘導ハムを防止することがで
きる。
を発生するため、漏洩磁束は互いに打ち消され
る。従つて鋼板ケースによるシールド等の手段を
施すことなく簡単に誘導ハムを防止することがで
きる。
［考案の実施例］
第１図は本考案実施例のトランス漏洩磁束防止
構造を示す概略平面図、第２図は本考案の原理を
示す概略見取図である。シヤーシ１１上には第１
の電源トランス１２ａ及び第２の電源トランス１
２ｂが近接して配置され、シヤーシ１１上の所望
位置にはフオノアンプ等の高感度のアンプ回路１
４が配置されている。１５はその他の回路を示し
ている。第１及び第２の電源トランス１２ａ，１
２ｂは互いに逆方向に磁束を発生するように構成
されている。
構造を示す概略平面図、第２図は本考案の原理を
示す概略見取図である。シヤーシ１１上には第１
の電源トランス１２ａ及び第２の電源トランス１
２ｂが近接して配置され、シヤーシ１１上の所望
位置にはフオノアンプ等の高感度のアンプ回路１
４が配置されている。１５はその他の回路を示し
ている。第１及び第２の電源トランス１２ａ，１
２ｂは互いに逆方向に磁束を発生するように構成
されている。
第１及び第２の電源トランス１２ａ，１２ｂに
交流電源が加えられると、第２図に示すように第
１の電源トランス１２ａからはシヤーシ１１の表
面に沿つた漏洩磁束φA及び裏面に沿つた漏洩磁
束φA′が発生する。同時に第２の電源トランス１
２ｂからは上記φA及びφA′と逆方向に、シヤーシ
１の裏面に沿つた漏洩磁束φB及び表面に沿つた
φB′が発生する。これら漏洩磁束φAとφB′，φA′と
φBは互いに逆方向なので打ち消されることにな
り、結果的にφA，φA′及びφB，φB′の経路上に配
置されたコイル１３には起電力は誘起されない。
交流電源が加えられると、第２図に示すように第
１の電源トランス１２ａからはシヤーシ１１の表
面に沿つた漏洩磁束φA及び裏面に沿つた漏洩磁
束φA′が発生する。同時に第２の電源トランス１
２ｂからは上記φA及びφA′と逆方向に、シヤーシ
１の裏面に沿つた漏洩磁束φB及び表面に沿つた
φB′が発生する。これら漏洩磁束φAとφB′，φA′と
φBは互いに逆方向なので打ち消されることにな
り、結果的にφA，φA′及びφB，φB′の経路上に配
置されたコイル１３には起電力は誘起されない。
従つて第１図において上記コイル１３に対応し
た位置に配置されたアンプ回路１４にも起電力は
発生しないので、誘導ハムを防止することができ
る。
た位置に配置されたアンプ回路１４にも起電力は
発生しないので、誘導ハムを防止することができ
る。
本考案実施例によれば、従来のようにシールド
用の鋼板ケース、又はシヨートリング等は用いな
いのでコストアツプを避けることができる。また
信号電流に対して悪影響を与えることもなくな
る。さらにケースを用いないので高さ寸法を小さ
くできるので、機器の小型化を計ることもでき
る。
用の鋼板ケース、又はシヨートリング等は用いな
いのでコストアツプを避けることができる。また
信号電流に対して悪影響を与えることもなくな
る。さらにケースを用いないので高さ寸法を小さ
くできるので、機器の小型化を計ることもでき
る。
［考案の効果］
以上述べたように本考案によれば、トランスを
２つに分割して漏洩磁束を打ち消すようにしたの
で、コストアツプを伴うことなく簡単に誘導ハム
を防止することができる。
２つに分割して漏洩磁束を打ち消すようにしたの
で、コストアツプを伴うことなく簡単に誘導ハム
を防止することができる。
第１図は本考案実施例のトランス漏洩磁束防止
構造を示す概略平面図、第２図は本考案の原理を
示す概略見取図、第３図は本考案の背景を示す概
略見取図である。 １１……シヤーシ、１２ａ，１２ｂ……電源ト
ランス、１４……アンプ回路。
構造を示す概略平面図、第２図は本考案の原理を
示す概略見取図、第３図は本考案の背景を示す概
略見取図である。 １１……シヤーシ、１２ａ，１２ｂ……電源ト
ランス、１４……アンプ回路。
Claims (1)
- トランスの漏洩磁束により発生する誘導ハムを
防止するようにしたトランス漏洩磁束防止構造に
おいて、互いに逆方向に磁束を発生する第１及び
第２のトランスを近接して配置し、第１及び第２
のトランスの発生する漏洩磁束を打ち消すように
したことを特徴とするトランス漏洩磁束防止構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16718886U JPH0429534Y2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16718886U JPH0429534Y2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115204U JPS63115204U (ja) | 1988-07-25 |
| JPH0429534Y2 true JPH0429534Y2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=31098886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16718886U Expired JPH0429534Y2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429534Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP16718886U patent/JPH0429534Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63115204U (ja) | 1988-07-25 |
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