JPH0429566Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0429566Y2 JPH0429566Y2 JP14818486U JP14818486U JPH0429566Y2 JP H0429566 Y2 JPH0429566 Y2 JP H0429566Y2 JP 14818486 U JP14818486 U JP 14818486U JP 14818486 U JP14818486 U JP 14818486U JP H0429566 Y2 JPH0429566 Y2 JP H0429566Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- lead wire
- airtight terminal
- stem
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は気密端子に関し、詳しくはオーデイオ
機器のCDプレーヤー等のレーザ光源として使用
されるレーザダイオード用気密端子に関するもの
である。
機器のCDプレーヤー等のレーザ光源として使用
されるレーザダイオード用気密端子に関するもの
である。
従来の技術
例えば、レーザダイオード用気密端子の従来例
を各種タイプについて第4図乃至第9図を参照し
ながら説明する。
を各種タイプについて第4図乃至第9図を参照し
ながら説明する。
まず第4図乃至第6図に示すタイプの気密端子
1において、2は円板形状を有するFe製のステ
ム基板、3a,3bは上記ステム基板2の2箇所
の貫通孔4,4に挿通され、ガラス5,5にて封
止された2本のリード線で、一方のリード線3a
の上端部はつぶし加工により平板化されている。
3cはステム基板2の下面に溶接固定された接地
用リード線である。6は上記ステム基板2の上面
に銀ロウ等でロウ付けされた略直方体形状を有す
るCu製のヒートシンク、7は該ヒートシンク6
の側面6a上にウロ材を介して固着マウントされ
たレーザダイオード等の発光素子である。上記ヒ
ートシンク6は、発光素子7の動作時における該
発光素子7への通電電流が大きいため、これによ
り発生する熱を放散させる作用を呈する。それ故
にヒートシンク6は熱伝導性の良好な材質からな
る体積の大きいものが好適である。上記ヒートシ
ンク6の側面上の発光素子7とリード線3aの上
端部とをAu線8によりワイヤホンデイングで電
気的に接続する。9はステム基板2の上面の、ヒ
ートシンク6の発光素子7下方位置に形成された
傾斜面を有する凹部、10は該凹部9の傾斜面上
にロウ材を介して固着マウントされたpin形フオ
トダイオード等のモニタ用受光素子である。この
凹部9内の受光素子10とリード線3bの上端面
とをAu線11によりワイヤボンデイングで電気
的に接続する。
1において、2は円板形状を有するFe製のステ
ム基板、3a,3bは上記ステム基板2の2箇所
の貫通孔4,4に挿通され、ガラス5,5にて封
止された2本のリード線で、一方のリード線3a
の上端部はつぶし加工により平板化されている。
3cはステム基板2の下面に溶接固定された接地
用リード線である。6は上記ステム基板2の上面
に銀ロウ等でロウ付けされた略直方体形状を有す
るCu製のヒートシンク、7は該ヒートシンク6
の側面6a上にウロ材を介して固着マウントされ
たレーザダイオード等の発光素子である。上記ヒ
ートシンク6は、発光素子7の動作時における該
発光素子7への通電電流が大きいため、これによ
り発生する熱を放散させる作用を呈する。それ故
にヒートシンク6は熱伝導性の良好な材質からな
る体積の大きいものが好適である。上記ヒートシ
ンク6の側面上の発光素子7とリード線3aの上
端部とをAu線8によりワイヤホンデイングで電
気的に接続する。9はステム基板2の上面の、ヒ
ートシンク6の発光素子7下方位置に形成された
傾斜面を有する凹部、10は該凹部9の傾斜面上
にロウ材を介して固着マウントされたpin形フオ
トダイオード等のモニタ用受光素子である。この
凹部9内の受光素子10とリード線3bの上端面
とをAu線11によりワイヤボンデイングで電気
的に接続する。
12は前記ステム基板2の外周部上に気密的に
固着されたキヤツプで、その天板部に穿設された
窓孔13には、ホウケイ酸ガラス等からなる透明
板14が気密的に固着されている。
固着されたキヤツプで、その天板部に穿設された
窓孔13には、ホウケイ酸ガラス等からなる透明
板14が気密的に固着されている。
上記構成からなる気密端子1では、発光素子7
の動作時、その発光素子7から発せられたレーザ
光の一部はキヤツプ12の透明板14を透過して
外部へ放射され、また、上記レーザ光の一部は受
光素子10に入射して該受光素子10にて上記発
光素子7での発光の有無がモニタされる。
の動作時、その発光素子7から発せられたレーザ
光の一部はキヤツプ12の透明板14を透過して
外部へ放射され、また、上記レーザ光の一部は受
光素子10に入射して該受光素子10にて上記発
光素子7での発光の有無がモニタされる。
上述したように第4図乃至第6図に示す気密端
子1は、略直方体形状を有するCu製のヒートシ
ンク6を、ステム基板2に固着したロウ付けタイ
プのものである。このロウ付けタイプの気密端子
としては、他に第7図に示すロウ付けタイプの気
密端子1′が提案されている。第4図乃至第6図
に示す前記気密端子1と相異する点はヒートシン
ク形状のみである。即ち、第7図に示すように気
密端子1′におけるヒートシンク6′は、横断面形
状が扇形をなす柱状のCu製ブロツクで、このヒ
ートシンク6′の側面6a′上に発光素子7を固着
マウントすると共に、上記発光素子7とリード線
3aの上端部とをAu線8によりワイヤボンデイ
ングで電気的に接続する。この気密端子1′では、
上記ヒートシンク6′の体積が前記気密端子1に
おけるヒートクシンク6と比較して大きくなるた
め、ヒートシンク6′の放熱性が大幅に向上する。
子1は、略直方体形状を有するCu製のヒートシ
ンク6を、ステム基板2に固着したロウ付けタイ
プのものである。このロウ付けタイプの気密端子
としては、他に第7図に示すロウ付けタイプの気
密端子1′が提案されている。第4図乃至第6図
に示す前記気密端子1と相異する点はヒートシン
ク形状のみである。即ち、第7図に示すように気
密端子1′におけるヒートシンク6′は、横断面形
状が扇形をなす柱状のCu製ブロツクで、このヒ
ートシンク6′の側面6a′上に発光素子7を固着
マウントすると共に、上記発光素子7とリード線
3aの上端部とをAu線8によりワイヤボンデイ
ングで電気的に接続する。この気密端子1′では、
上記ヒートシンク6′の体積が前記気密端子1に
おけるヒートクシンク6と比較して大きくなるた
め、ヒートシンク6′の放熱性が大幅に向上する。
上述した気密端子1,1′は両者ともロウ付け
タイプの構造を有するが、上記気密端子1,1′
ではヒートシンク6,6′をステム基板2,2に
銀ロウ等でロウ付けする工程を必要とするため、
気密端子1,1′の製造上、工数が増加して複雑
になるばかりでなく、ロウ付けの状態によつては
所期の放熱状が得られなくて信頼性に欠ける虞が
あつた。
タイプの構造を有するが、上記気密端子1,1′
ではヒートシンク6,6′をステム基板2,2に
銀ロウ等でロウ付けする工程を必要とするため、
気密端子1,1′の製造上、工数が増加して複雑
になるばかりでなく、ロウ付けの状態によつては
所期の放熱状が得られなくて信頼性に欠ける虞が
あつた。
そこで、これを解決するため、上記ロウ付けタ
イプの気密端子1,1′とは別に一体成型タイプ
の気密端子が提案されている(特開昭58−98995
号公報)。前記ロウ付けタイプの気密端子1,
1′と相異する点はヒートシンクのみであり、第
8図及び第9図に示すように一体成型タイプの気
密端子1″では、ヒートシンク6″をFe製のステ
ム基板2と一体成型し、而もその形状が横断面扇
形の柱状をなすものである。このFe製のヒート
シンク6″の側面6a″上に発光素子7を固着マウ
ントすると共に、上記発光素子7とリード線3a
の上端部とをAu線8によりワイヤボンデイング
で電気的に接続する。この一体成型タイプの気密
端子1″では、前述したようなヒートシンクをス
テム基板にロウ付けする工程を必要としないの
で、その製造上工数低減を図ることができてコス
ト的にも有利であり、しかも放熱性が均一なもの
を提供できる。
イプの気密端子1,1′とは別に一体成型タイプ
の気密端子が提案されている(特開昭58−98995
号公報)。前記ロウ付けタイプの気密端子1,
1′と相異する点はヒートシンクのみであり、第
8図及び第9図に示すように一体成型タイプの気
密端子1″では、ヒートシンク6″をFe製のステ
ム基板2と一体成型し、而もその形状が横断面扇
形の柱状をなすものである。このFe製のヒート
シンク6″の側面6a″上に発光素子7を固着マウ
ントすると共に、上記発光素子7とリード線3a
の上端部とをAu線8によりワイヤボンデイング
で電気的に接続する。この一体成型タイプの気密
端子1″では、前述したようなヒートシンクをス
テム基板にロウ付けする工程を必要としないの
で、その製造上工数低減を図ることができてコス
ト的にも有利であり、しかも放熱性が均一なもの
を提供できる。
考案が解決しようとする問題点
ところで、前記ロウ付けタイプの気密端子1,
1′では、ヒートシンク体積が大きい気密端子
1′の方が素子動作時での放熱性の点で有利であ
る。しかし、前述したようにヒートシンク6′を
ステム基板2にロウ付けする工程を必要とするた
め、その製造上工数増加を招くと共に複雑になる
という問題があつた。
1′では、ヒートシンク体積が大きい気密端子
1′の方が素子動作時での放熱性の点で有利であ
る。しかし、前述したようにヒートシンク6′を
ステム基板2にロウ付けする工程を必要とするた
め、その製造上工数増加を招くと共に複雑になる
という問題があつた。
そこでこれを解決するため、前述したように一
体成型タイプの気密端子1″が提案されている。
これは、ヒートシンクをロウ付けする工程を必要
としないのでその製造上工数低減が図れてコスト
的にも有利であつたが、上記気密端子1″では次
なる問題点があつた。
体成型タイプの気密端子1″が提案されている。
これは、ヒートシンクをロウ付けする工程を必要
としないのでその製造上工数低減が図れてコスト
的にも有利であつたが、上記気密端子1″では次
なる問題点があつた。
即ち、ヒートシンク6″の側面上に固着マウン
トされた発光素子7とリード線3aとをAu線8
によりワイヤボンデイングで電気的に接続するた
め、上記発光素子7とリード線3aの上端部とで
そのボンデイング面を合わせておく必要性から上
記リード線3aの上端部をつぶし加工により平板
化している。このリード線3aのつぶし加工は、
リード線3aをステム基板2にガラス封止する前
後いずれかで行わなければならない。そこで例え
ばリード線3aのガラス封止前に該リード線3a
の上端部をつぶし加工すると、平板化されたリー
ド線3aの上端部を発光素子7のボンデイング面
と位置合わせする必要があつて、組立作業が煩雑
となつて作業効率が大幅に低下し、コストアツプ
を招く虞があつた。また、リード線3aのガラス
封止後に該リード線3aの上端部をつぶし加工し
ようとすると、この場合、第9図鎖線で示すよう
に上記リード線3aの上端部のつぶし加工は、そ
の前後方に配置された1対の加工部材a,bでリ
ード線3aの上端部を挟み込んで押圧することに
より行われるが、この時、一方の加工部材aを作
動させる際にヒートシンク6″のリード線側の側
部mが邪魔となつてつぶし加工作業が困難になる
という問題点があつた。
トされた発光素子7とリード線3aとをAu線8
によりワイヤボンデイングで電気的に接続するた
め、上記発光素子7とリード線3aの上端部とで
そのボンデイング面を合わせておく必要性から上
記リード線3aの上端部をつぶし加工により平板
化している。このリード線3aのつぶし加工は、
リード線3aをステム基板2にガラス封止する前
後いずれかで行わなければならない。そこで例え
ばリード線3aのガラス封止前に該リード線3a
の上端部をつぶし加工すると、平板化されたリー
ド線3aの上端部を発光素子7のボンデイング面
と位置合わせする必要があつて、組立作業が煩雑
となつて作業効率が大幅に低下し、コストアツプ
を招く虞があつた。また、リード線3aのガラス
封止後に該リード線3aの上端部をつぶし加工し
ようとすると、この場合、第9図鎖線で示すよう
に上記リード線3aの上端部のつぶし加工は、そ
の前後方に配置された1対の加工部材a,bでリ
ード線3aの上端部を挟み込んで押圧することに
より行われるが、この時、一方の加工部材aを作
動させる際にヒートシンク6″のリード線側の側
部mが邪魔となつてつぶし加工作業が困難になる
という問題点があつた。
問題点を解決するための手段
本考案は前記問題点に鑑みて提案されたもの
で、この問題点を解決するための技術的手段は、
ステム基板と、ステム基板上に一体成形により突
設されたヒートシンクと、ステム基板に貫挿され
てガラス封止され、上端部がつぶし加工により平
板化されたリード線とを含むものにおいて、上記
ヒートシンクは、そのリード線側の側部を切欠い
た横断面半扇形をなす柱状であることを特徴とす
る。
で、この問題点を解決するための技術的手段は、
ステム基板と、ステム基板上に一体成形により突
設されたヒートシンクと、ステム基板に貫挿され
てガラス封止され、上端部がつぶし加工により平
板化されたリード線とを含むものにおいて、上記
ヒートシンクは、そのリード線側の側部を切欠い
た横断面半扇形をなす柱状であることを特徴とす
る。
作 用
本考案に係る気密端子によれば、ステム基板上
に一体成型でヒートシンクが設けられるので、ヒ
ートシンクをステム基板に組付ける作業が省略で
き、均一な放熱性のものが得られ、また上記ヒー
トシンクの形状が横断面半扇形をなすため、素子
動作時でのヒートシンクの放熱性も良好となる。
更にリード線のつぶし加工は、リード線封止後に
おいて上記ヒートシンクに邪魔されることなく実
施することが実現容易となる。
に一体成型でヒートシンクが設けられるので、ヒ
ートシンクをステム基板に組付ける作業が省略で
き、均一な放熱性のものが得られ、また上記ヒー
トシンクの形状が横断面半扇形をなすため、素子
動作時でのヒートシンクの放熱性も良好となる。
更にリード線のつぶし加工は、リード線封止後に
おいて上記ヒートシンクに邪魔されることなく実
施することが実現容易となる。
実施例
本考案に係る気密端子の一実施例を第1図乃至
第3図を参照しながら説明する。この一体成型の
気密端子20において、21は円板形状を有する
Fe製のステム基板、22a,22bは上記ステ
ム基板21の貫通孔23,23に挿通され、ガラ
ス24,24で封止されたリード線で、リード千
22aの上端部はつぶし加工によつて平板化され
ている。22cはステム基板21の下面に溶接固
定された接地用リード線である。本考案の特徴は
ヒートシンクにあり、図中の25はそのヒートシ
ンクで、前記ステム基板21の上面に一体成型に
より突設されたFe製のものである。このヒート
シンク25の形状は、つぶし加工したリード線2
2a側の側部〔図示破線部分〕を切欠いた横断面
半扇形をなす柱状である。尚、つぶし加工を施す
リード線は、図示例と逆にリード線22bでもよ
く、そのような場合、ヒートシンク25の形状は
リード線22b側の側部を切欠いた横断面半扇形
をなす柱状にすればよい。26は上記ヒートシン
ク25の側面25a上にロウ材を介して固着マウ
ントされたレーザダイオード等の発光素子で、こ
の発光素子26とリード線22aの平板化された
上端部とをAu線27によりワイヤボンデイング
で電気的に接続する。28はステム基板21の上
面の、ヒートシンク25の発光素子26下方位置
に形成された傾斜状の凹部、29は該凹部28の
傾斜面上にロウ材を介して固着されたpin型フオ
トダイオード等のモニタ用受光素子で、この受光
素子29とリード線22bの上端面とをAu線3
0によりワイヤボンデイングで電気的に接続す
る。尚、上記凹部28内の傾斜面における傾斜方
向は発光素子26及び受光素子26に応じて変更
設定され得るので、第2図に示す傾斜面に限らな
い。31はステム基板21の外周部上に気密封着
されたキヤツプで、その天板部に窓孔32が穿設
され、該窓孔32にホウケイ酸ガラス等の透明板
33が気密的に固着される。
第3図を参照しながら説明する。この一体成型の
気密端子20において、21は円板形状を有する
Fe製のステム基板、22a,22bは上記ステ
ム基板21の貫通孔23,23に挿通され、ガラ
ス24,24で封止されたリード線で、リード千
22aの上端部はつぶし加工によつて平板化され
ている。22cはステム基板21の下面に溶接固
定された接地用リード線である。本考案の特徴は
ヒートシンクにあり、図中の25はそのヒートシ
ンクで、前記ステム基板21の上面に一体成型に
より突設されたFe製のものである。このヒート
シンク25の形状は、つぶし加工したリード線2
2a側の側部〔図示破線部分〕を切欠いた横断面
半扇形をなす柱状である。尚、つぶし加工を施す
リード線は、図示例と逆にリード線22bでもよ
く、そのような場合、ヒートシンク25の形状は
リード線22b側の側部を切欠いた横断面半扇形
をなす柱状にすればよい。26は上記ヒートシン
ク25の側面25a上にロウ材を介して固着マウ
ントされたレーザダイオード等の発光素子で、こ
の発光素子26とリード線22aの平板化された
上端部とをAu線27によりワイヤボンデイング
で電気的に接続する。28はステム基板21の上
面の、ヒートシンク25の発光素子26下方位置
に形成された傾斜状の凹部、29は該凹部28の
傾斜面上にロウ材を介して固着されたpin型フオ
トダイオード等のモニタ用受光素子で、この受光
素子29とリード線22bの上端面とをAu線3
0によりワイヤボンデイングで電気的に接続す
る。尚、上記凹部28内の傾斜面における傾斜方
向は発光素子26及び受光素子26に応じて変更
設定され得るので、第2図に示す傾斜面に限らな
い。31はステム基板21の外周部上に気密封着
されたキヤツプで、その天板部に窓孔32が穿設
され、該窓孔32にホウケイ酸ガラス等の透明板
33が気密的に固着される。
本考案に係る気密端子20では、ステム基板2
1と一体成型されたヒートシンク25が、リード
線22a側の側部を切欠いた横断面半扇形をなす
柱状であるので、気密端子20の製造上、上記リ
ード線22aのつぶし加工は、リード線22aの
ガラス封止後、図中鎖線で示すように加工部材
a,bによりリード線22aの上端部を挟み込ん
で押圧することでヒートシンク25に邪魔される
ことなく実施できる。
1と一体成型されたヒートシンク25が、リード
線22a側の側部を切欠いた横断面半扇形をなす
柱状であるので、気密端子20の製造上、上記リ
ード線22aのつぶし加工は、リード線22aの
ガラス封止後、図中鎖線で示すように加工部材
a,bによりリード線22aの上端部を挟み込ん
で押圧することでヒートシンク25に邪魔される
ことなく実施できる。
考案の効果
本考案に係る気密端子によれば、ヒートシンク
がステム基板と一体成型されるので、上記ヒート
シンクをステム基板上に組付ける工程が省略でき
て製造上工数低減が図れてコスト的にも有利とな
り、しかも放熱性の均一なものが得られる。また
上記ヒートシンクの形状が横断面半扇形をなす柱
状であるので、角柱状のものに比較して動作時で
の放熱性も良好なものが得られる。
がステム基板と一体成型されるので、上記ヒート
シンクをステム基板上に組付ける工程が省略でき
て製造上工数低減が図れてコスト的にも有利とな
り、しかも放熱性の均一なものが得られる。また
上記ヒートシンクの形状が横断面半扇形をなす柱
状であるので、角柱状のものに比較して動作時で
の放熱性も良好なものが得られる。
更に上記ヒートシンクは、つぶし加工したリー
ド線側の側部を切欠いた形状であるため、リード
線封止後その上端部をつぶし加工により平板化す
ることが実現容易となつて、作業効率も大幅に向
上し、コスト低減に寄与する。
ド線側の側部を切欠いた形状であるため、リード
線封止後その上端部をつぶし加工により平板化す
ることが実現容易となつて、作業効率も大幅に向
上し、コスト低減に寄与する。
第1図乃至第3図は本考案に係る気密端子の一
実施例を説明するためのもので、第1図は気密端
子の正断面図、第2図は第1図のA−A線に沿う
断面図、第3図は第1図のB−B線に沿う断面図
である。第4図乃至第6図はロウ付けタイプの気
密端子の一例を説明するためのもので、第4図は
気密端子の正断面図、第5図は第4図のC−C線
に沿う断面図、第6図は第4図のD−D線に沿う
断面図、第7図はロウ付けタイプの気密端子の他
の一例を示す平断面図、第8図は一体成型タイプ
の気密端子の一例を示す側断面図、第9図は第8
図の気密端子の平断面図である。 20……気密端子、21……ステム基板、22
a……リード線、25……ヒートシンク。
実施例を説明するためのもので、第1図は気密端
子の正断面図、第2図は第1図のA−A線に沿う
断面図、第3図は第1図のB−B線に沿う断面図
である。第4図乃至第6図はロウ付けタイプの気
密端子の一例を説明するためのもので、第4図は
気密端子の正断面図、第5図は第4図のC−C線
に沿う断面図、第6図は第4図のD−D線に沿う
断面図、第7図はロウ付けタイプの気密端子の他
の一例を示す平断面図、第8図は一体成型タイプ
の気密端子の一例を示す側断面図、第9図は第8
図の気密端子の平断面図である。 20……気密端子、21……ステム基板、22
a……リード線、25……ヒートシンク。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ステム基板と、ステム基板上に一体成形により
突設されたヒートシンクと、ステム基板に貫挿さ
れてガラス封止され、上端部がつぶし加工により
平板化されたリード線とを含むものにおいて、 上記ヒートシンクは、そのリード線側の側部を
切欠いた横断面半扇形をなす柱状であることを特
徴とする気密端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14818486U JPH0429566Y2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14818486U JPH0429566Y2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355442U JPS6355442U (ja) | 1988-04-13 |
| JPH0429566Y2 true JPH0429566Y2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=31062228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14818486U Expired JPH0429566Y2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429566Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP14818486U patent/JPH0429566Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355442U (ja) | 1988-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6465276B2 (en) | Power semiconductor package and method for making the same | |
| US7078728B2 (en) | Surface-mounted LED and light emitting device | |
| CN1327581C (zh) | 半导体激光器件 | |
| US4550333A (en) | Light emitting semiconductor mount | |
| JP3869575B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0429566Y2 (ja) | ||
| JP3216396B2 (ja) | 発光素子用ステム及び発光装置 | |
| US6300674B1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
| EP1267459A1 (en) | Heatsinks for laser electronic packages | |
| JP3787184B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3876580B2 (ja) | チップ型半導体レーザ装置 | |
| EP0116289A2 (en) | Power semiconductor module and package | |
| JP2004342882A (ja) | 半導体ステム | |
| JP5121421B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置 | |
| JPH08242041A (ja) | ヒートシンク | |
| JPH0563309A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2022091315A (ja) | 半導体パッケージ用ステム及びその製造方法、半導体パッケージ | |
| JP2021153101A (ja) | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ | |
| JPS60110185A (ja) | 光集積回路パッケ−ジ | |
| JPH05129712A (ja) | パツケージ型半導体レーザ装置 | |
| JP4436613B2 (ja) | レーザダイオード用パッケージ | |
| JP2760167B2 (ja) | 電子部品搭載装置 | |
| JPS61234588A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
| US20020063257A1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
| JP2654988B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |